封装结构及其制作方法与流程

技术特征：
1.一种封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供初始晶圆；在所述初始晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元；在所述第一芯片单元上键合中介层晶圆；在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元，其中，所述第一芯片单元包括多个间隔设置的第一已知合格裸片以及填充于相邻两个第一已知合格裸片之间的封装材料，所述第二芯片单元包括多个间隔设置的第二已知合格裸片以及填充于相邻两个第二已知合格裸片之间的封装材料。2.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述初始晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元的步骤包括：提供多个第一晶圆，将所述多个第一晶圆键合以形成第一键合晶圆；切割所述第一键合晶圆，以形成多个第一单颗裸片，从所述多个第一单颗裸片中选取多个第一已知合格裸片；将多个所述第一已知合格裸片键合于所述初始晶圆上，在相邻两个所述第一已知合格裸片之间的间隙内填充封装材料，以形成第一芯片单元。3.根据权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一晶圆的数量为两个。4.根据权利要求2所述的封装结构的制作方法，其特征在于，将多个所述第一已知合格裸片键合于初始晶圆上，在相邻两个所述第一已知合格裸片之间的间隙内填充封装材料，以形成第一芯片单元的步骤之后，还包括：平坦化所述第一芯片单元的背面；在平坦化后的所述第一芯片单元的背面制作第一金属化结构。5.根据权利要求4所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第一金属化结构包括焊垫。6.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在所述第一芯片单元上键合的所述中介层晶圆的厚度不小于200μm。7.根据权利要求1所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元的步骤之前，还包括：将所述中介层晶圆的厚度减薄；在减薄后的中介层晶圆上制作第二金属化结构。8.根据权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，将所述中介层晶圆的厚度减薄至50μm以下。9.根据权利要求7所述的封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二金属化结构包括硅通孔和焊垫；所述在减薄后的中介层晶圆上制作第二金属化结构的步骤包括：在减薄后的中介层晶圆中制作所述硅通孔；在减薄后的中介层晶圆的上表面制作所述焊垫。10.根据权利要求9所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元的步骤包括：提供多个第二晶圆，将所述多个第二晶圆键合以形成第二键合晶圆；
切割所述第二键合晶圆，以形成多个第二单颗裸片，从所述多个第二单颗裸片中选取多个第二已知合格裸片；将多个所述第二已知合格裸片混合键合于所述焊垫上，在相邻两个所述第二已知合格裸片之间的间隙内填充封装材料，以形成第二芯片单元。11.根据权利要求1至10中任一项所述的封装结构的制作方法，其特征在于，在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元的步骤之前，还包括：在所述中介层晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元；在所述第一芯片单元上键合中介层晶圆；重复上述步骤，以形成堆叠设置的多个第一芯片单元，且所述第一芯片单元的远离所述初始晶圆的一侧均设置有中介层晶圆。12.一种封装结构，其特征在于，所述封装结构采用权利要求1至11中任一项所述的封装结构的制作方法制备。13.一种封装结构，其特征在于，包括：初始晶圆；第一芯片单元，所述第一芯片单元位于所述初始晶圆上；中介层晶圆，所述中介层晶圆位于所述第一芯片单元的远离所述初始晶圆的一侧；第二芯片单元，所述第二芯片单元位于所述中介层晶圆的远离所述初始晶圆的一侧；其中，所述第一芯片单元包括多个间隔设置的第一已知合格裸片以及填充于相邻两个第一已知合格裸片之间的封装材料，所述第二芯片单元包括多个间隔设置的第二已知合格裸片以及填充于相邻两个第二已知合格裸片之间的封装材料。14.根据权利要求13所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片单元的数量为多个，多个所述第一芯片单元沿垂直于所述初始晶圆的表面的方向堆叠设置，多个所述第一芯片单元的远离所述初始晶圆的一侧均设置有所述中介层晶圆。15.根据权利要求13或14所述的封装结构，其特征在于，所述中介层晶圆的厚度不大于50μm。16.根据权利要求13或14所述的封装结构，其特征在于，所述第一已知合格裸片和所述第二已知合格裸片均从切割键合晶圆所形成的多个单颗裸片中选取，其中，所述键合晶圆包括键合在一起的两个晶圆。

技术总结
本公开涉及封装结构及其制作方法，制作方法包括：提供初始晶圆；在所述初始晶圆上键合第一已知合格裸片，并形成第一芯片单元；在所述第一芯片单元上键合中介层晶圆；在远离所述初始晶圆的中介层晶圆上键合第二已知合格裸片，并形成第二芯片单元，其中，所述第一芯片单元包括多个间隔设置的第一已知合格裸片以及填充于相邻两个第一已知合格裸片之间的封装材料，所述第二芯片单元包括多个间隔设置的第二已知合格裸片以及填充于相邻两个第二已知合格裸片之间的封装材料。本公开提供的封装结构的制作方法，能够在增加堆叠层数的同时，提高堆叠良率和产量。高堆叠良率和产量。高堆叠良率和产量。


技术研发人员：季宏凯
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2023.01.03
技术公布日：2023/3/10