发光装置的制作方法

技术特征：
1.一种发光装置，包括：一发光二极管元件，包括：一第一型半导体层；一第二型半导体层；一主动层，设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间，其中该第一型半导体层、该第二型半导体层及该主动层形成一半导体结构；一绝缘层，设置于该半导体结构上，且具有分别重叠于该第一型半导体层及该第二型半导体层的多个接触窗；多个电极，通过该绝缘层的该些接触窗分别电性至该第一型半导体层及该第二型半导体层；多个焊料，分别设置于该些电极上；以及一抗氧化层，其中该抗氧化层包括分别包覆该些焊料的多个第一部分，其中该抗氧化层的熔点低于该些焊料的一者的熔点。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该抗氧化层的熔点低于200
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c。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该抗氧化层包括铋、铅、镉及锡的合金或银、锡及铜的合金。4.如权利要求1所述的发光装置，其中该抗氧化层的该些第一部分的一者与该些焊料的该者的重量比小于0.1。5.如权利要求1所述的发光装置，还包括：一生长基板，其中该第一型半导体层、该主动层及该第二型半导体层按序设置于该生长基板上，且该些焊料位于该抗氧化层与该第二型半导体层之间。6.如权利要求1所述的发光装置，还包括：一第一暂存基板；以及一第一粘着层，其中该抗氧化层位于该些焊料与该第一粘着层之间，且该第一粘着层位于该抗氧化层与该第一暂存基板之间。7.如权利要求1所述的发光装置，还包括：一第一粘着层，其中该抗氧化层的该些第一部分位于该第一粘着层与该些焊料之间，该些焊料位于该抗氧化层的该些第一部分与该绝缘层之间，且该绝缘层位于该些焊料与该半导体结构之间；以及一第二暂存基板；以及一第二粘着层，其中该半导体结构位于该绝缘层与该第二粘着层之间，且该第二粘着层设置于该半导体结构与该第二暂存基板之间。8.如权利要求7所述的发光装置，其中该第一粘着层具有重叠于该些焊料的多个开口，该抗氧化层的该些第一部分各自设置于该第一粘着层的该些开口中。9.如权利要求8所述的发光装置，其中该抗氧化层更具有一第二部分，设置于该第一粘着层的一实体上。10.如权利要求9所述的发光装置，其中该抗氧化层更具有一第三部分，设置于该半导体结构的一侧壁上。11.如权利要求1所述的发光装置，还包括：
一第二暂存基板；以及一第二粘着层，其中该些焊料位于该抗氧化层的该些第一部分与该绝缘层之间，该绝缘层位于该些焊料与该半导体结构之间，该半导体结构位于该绝缘层与该第二粘着层之间，且该第二粘着层设置于该半导体结构与该第二暂存基板之间；该抗氧化层更具有一第三部分，设置于该半导体结构的一侧壁上。

技术总结
一种发光装置包括发光二极管元件。发光二极管元件包括第一型半导体层、第二型半导体层、主动层、绝缘层、多个电极、多个焊料及抗氧化层。主动层设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第一型半导体层、第二型半导体层及主动层形成半导体结构。绝缘层设置于半导体结构上，且具有分别重叠于第一型半导体层及第二型半导体层的多个接触窗。多个电极通过绝缘层的多个接触窗分别电性至第一型半导体层及第二型半导体层。多个焊料分别设置于多个电极上。抗氧化层包括分别包覆多个焊料的多个第一部分。抗氧化层的熔点低于焊料的熔点。抗氧化层的熔点低于焊料的熔点。抗氧化层的熔点低于焊料的熔点。


技术研发人员：白佳蕙 曾文贤
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2022.11.14
技术公布日：2023/2/3