电子装置的制造方法与流程

1.本发明涉及电子装置的制造方法。


背景技术：

2.电子装置的制造工序中，在磨削电子部件的工序中，为了固定电子部件或者防止电子部件的损伤，在电子部件的电路形成面贴附粘着性膜。
3.这样的粘着性膜一般使用在基材膜上层叠有粘着性树脂层的膜。
4.随着高密度安装技术的发展，要求半导体晶片等电子部件的薄型化，要求进行薄型化加工直至例如50μm以下的厚度。
5.作为这样的薄型化加工之一，有预切割法：在电子部件的磨削加工之前，在电子部件的表面形成预定深度的沟槽，接着进行磨削来将电子部件单片化。另外，有预隐藏法：在磨削加工之前，通过对电子部件内部照射激光而形成改性区域，接着进行磨削来将电子部件单片化。
6.作为与用于这样的预切割法、预隐藏法的粘着性膜相关的技术，例如，可举出专利文献1(日本特开2014-75560号公报)和专利文献2(日本特开2016-72546号公报)中记载的技术。
7.专利文献1记载了一种表面保护片，其是在基材上具有粘着剂层的表面保护片，满足下述要件(a)～(d)。
8.(a)上述基材的杨氏模量为450mpa以上；
9.(b)上述粘着剂层的25℃时的储能模量为0.10mpa以上；
10.(c)上述粘着剂层的50℃时的储能模量为0.20mpa以下；
11.(d)上述粘着剂层的厚度为30μm以上。
12.专利文献1中记载有：这样的表面保护片在工件的背面磨削工序时，抑制水从工件被切断而形成的间隙浸入至工件的被保护表面(淤浆浸入)，从而能够防止工件的被保护表面的污染。
13.专利文献2记载了一种半导体晶片表面保护用粘着胶带，其特征在于，具有基材树脂膜和在上述基材树脂膜的至少一面侧形成的放射线固化性粘着剂层，上述基材树脂膜具有至少一层拉伸弹性模量为1～10gpa的刚性层，使上述粘着剂层放射线固化后的剥离角度30
°
时的剥离力为0.1～3.0n/25mm。
14.专利文献2中记载有：通过这样的半导体晶片表面保护用粘着胶带，在应用预切割法或预隐藏法的半导体晶片的背面磨削工序中，能够抑制单片化了的半导体芯片的切口偏移(kerf shift)，并且无破损、无污染地加工半导体晶片。
15.现有技术文献
16.专利文献
17.专利文献1：日本特开2014-75560号公报
18.专利文献2：日本特开2016-72546号公报


技术实现要素：

19.发明所要解决的课题
20.根据本发明人等的研究，明确了例如在使用预切割法、预隐藏法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序后从电子部件剥离粘着性膜时，在电子部件侧容易产生残胶。
21.本发明是鉴于上述情况而完成的，提供一种电子装置的制造方法，其能够抑制在背面研磨工序后，从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶。
22.用于解决课题的方法
23.本发明人等为了解决上述课题反复进行了深入研究。其结果发现，通过将照射紫外线后的粘着性树脂层的断裂伸长率调整至特定的范围，能够抑制在背面研磨工序后，从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶，由此完成了本发明。
24.根据本发明，提供以下所示的电子装置的制造方法。
25.1.26.一种电子装置的制造方法，其至少包括：
27.工序(a)，准备结构体，所述结构体包含具有电路形成面的电子部件和粘贴在上述电子部件的上述电路形成面侧的粘着性膜；
28.工序(b)，对上述电子部件的与上述电路形成面侧为相反侧的面进行背面研磨；以及
29.工序(c)，在对上述粘着性膜照射紫外线后将上述粘着性膜从上述电子部件去除，
30.上述粘着性膜具备基材层和设置在上述基材层的一面侧的紫外线固化型粘着性树脂层，
31.在上述工序(c)中，照射紫外线后的上述粘着性树脂层的断裂伸长率为20％以上200％以下。
32.2.33.如上述[1]所述的电子装置的制造方法，
[0034]
上述工序(a)包括：
[0035]
工序(a1)，其为选自将上述电子部件半切的工序(a1-1)和对上述电子部件照射激光而在上述电子部件形成改性层的工序(a1-2)中的至少一者；以及
[0036]
工序(a2)，在上述工序(a1)之后，在上述电子部件的上述电路形成面侧贴附上述粘着性膜。
[0037]
[3]
[0038]
如上述[1]或[2]所述的电子装置的制造方法，
[0039]
在上述工序(c)中，通过对上述粘着性膜照射200mj/cm2以上2000mj/cm2以下的剂量的紫外线，从而使上述粘着性树脂层光固化而使上述粘着性树脂层的粘着力下降，然后将上述粘着性膜从上述电子部件去除。
[0040]
[4]
[0041]
如上述[1]至[3]中任一项所述的电子装置的制造方法，
[0042]
上述粘着性树脂层包含分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂。
[0043]
[5]
[0044]
如上述[1]至[4]中任一项所述的电子装置的制造方法，
[0045]
上述粘着性树脂层的厚度为5μm以上300μm以下。
[0046]
[6]
[0047]
如上述[1]至[5]中任一项所述的电子装置的制造方法，
[0048]
构成上述基材层的树脂包含选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、离聚物、聚砜、聚醚砜和聚苯醚中的一种或两种以上。
[0049]
发明效果
[0050]
根据本发明，能够提供能抑制在背面研磨工序后、从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶的电子装置的制造方法。
附图说明
[0051]
[图1]是示意性示出本发明的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。
[0052]
[图2]是示意性示出本发明的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
具体实施方式
[0053]
以下，利用附图来说明本发明的实施方式。需说明的是，在所有附图中，对同样的构成要素附上共同的附图标记，适当省略说明。此外，图为概略图，与实际的尺寸比率并不一致。需说明的是，除非特别指明，则数值范围的“a～b”表示a以上b以下。此外，本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯酸”，是指丙烯酸、甲基丙烯酸或者丙烯酸和甲基丙烯酸这两者。
[0054]
图1是示意性示出本发明的实施方式的粘着性膜50的结构的一例的截面图。图2是示意性示出本发明的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
[0055]
本实施方式的电子装置的制造方法至少包括：工序(a)，准备结构体100，该结构体100包含具有电路形成面30a的电子部件30和粘贴在电子部件30的电路形成面30a侧的粘着性膜50；工序(b)，对电子部件30的与电路形成面30a侧为相反侧的面进行背面研磨；以及工序(c)，对粘着性膜50照射紫外线后将粘着性膜50从电子部件30去除，粘着性膜50具备基材层10和设置在基材层10的一面侧的紫外线固化型粘着性树脂层20，在工序(c)中，照射紫外线后(紫外线固化后)的粘着性树脂层20的断裂伸长率为20％以上200％以下。
[0056]
这里，紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率为利用以下方法测定得到的值。
[0057]
(方法)
[0058]
将粘着性树脂层20与基材层10一起切成长度110mm、宽度10mm，利用拉伸试验机(例如，岛津制作所，autograph ags-x)，以初始的夹盘间距离lo成为50mm的方式夹持。将样品以30mm/分钟的速度进行拉伸，将目视观测到粘着性树脂层20发生断裂的点设为断裂点，将此时的夹盘间距离设为l。断裂伸长率(％)由(l-lo)/lo
×
100(％)求出。
[0059]
另外，关于紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率，也可以采用另行准备与本实施方式的电子装置的制造方法中使用的粘着性树脂层20相同的粘着性树脂层20，并利用下述方法测定粘着性树脂层20的断裂伸长率而得到的值。
[0060]
制作如下状态的测定用样品：在经电晕处理的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜
(mfr：1.7g/10min，乙酸乙烯酯含量：9质量％，厚度：140μm)的电晕处理面上层叠有厚度、组成等与本实施方式的粘着性膜50的粘着性树脂层20同等的粘着性树脂层20，进而在该粘着性树脂层20侧层叠有经有机硅脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜等脱模膜(隔件)。
[0061]
作为层叠方法，例如可举出以下方法。
[0062]
在经有机硅脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的脱模处理面形成粘着性树脂层20，接着在粘着性树脂层20上粘贴经电晕处理的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜，获得层叠体。接着，将获得的层叠体在烘箱中以40℃加热3天，使其熟化。
[0063]
接着，从获得的层叠体的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜侧，对粘着性树脂层20照射紫外线而使粘着性树脂层20光固化。接着，将使粘着性树脂层20光固化后的层叠体切成长度110mm、宽度10mm，将作为隔件的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜从层叠体剥掉。
[0064]
接着，利用拉伸试验机(例如，岛津制作所，autograph ags-x)，将粘着性树脂层20与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜一起以初始的夹盘间距离lo成为50mm的方式夹持。将样品以30mm/分钟的速度进行拉伸，将目视观测到粘着性树脂层20发生断裂的点设为断裂点，将此时的夹盘间距离设为l。断裂伸长率(％)由(l-lo)/lo
×
100(％)求出。
[0065]
如上所述，根据本发明人等的研究，明确了例如在使用预切割法、预隐藏法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序后从电子部件剥离粘着性膜时，在电子部件侧容易产生残胶。
[0066]
其理由虽不明确，但认为与通常的电子部件的背面研磨工序不同，由于需要从切断后的电子部件剥离粘着性膜50，因此在切断后的电子部件的边缘部容易产生残胶。
[0067]
本发明人等为了解决上述课题反复进行了深入研究。其结果首次发现：通过将紫外线固化后的粘着性树脂层20的断裂伸长率调整至上述范围，能够抑制在背面研磨工序后，从电子部件30剥离粘着性膜50时的电子部件30侧的残胶。
[0068]
本实施方式的电子装置的制造方法中，在工序(c)中的照射紫外线后的粘着性树脂层20的断裂伸长率为20％以上200％以下，从通过使粘着性树脂层20具有适度的韧性来设计不易产生残胶的粘着性树脂层20的观点出发，优选调整至30％以上，更优选调整至40％以上，并且优选调整至150％以下，更优选调整至100％以下，进一步优选调整至80％以下。
[0069]
在工序(c)中的照射紫外线后的粘着性树脂层20的断裂伸长率例如可以通过控制构成粘着性树脂层20的粘着性树脂、交联剂、光引发剂的种类、配合比例、粘着性树脂中的各单体的种类、含有比例、工序(c)中的紫外线照射条件(例如，紫外线剂量、照射强度、照射时间)来控制在上述范围内。
[0070]
1.粘着性膜
[0071]
如图1所示，本实施方式的粘着性膜50具备基材层10和设置在基材层10的一面侧的紫外线固化型粘着性树脂层20。
[0072]
从机械特性与操作性的平衡考虑，本实施方式的粘着性膜50整体的厚度优选为50μm以上600μm以下，更优选为50μm以上400μm以下，进一步优选为50μm以上300μm以下。
[0073]
本实施方式的粘着性膜50可以在不损害本发明的效果的范围内，在各层之间设置凹凸吸收性树脂层、粘接层、抗静电层(未图示)等其他层。通过凹凸吸收性树脂层，能够提高粘着性膜50的凹凸吸收性。通过粘接层，能够提高各层之间的粘接性。另外，通过抗静电
层，能够提高粘着性膜50的抗静电性。
[0074]
接下来，对构成本实施方式的粘着性膜50的各层进行说明。
[0075]
＜基材层＞
[0076]
基材层10是出于使粘着性膜50的操作性、机械特性、耐热性等特性更加良好的目的而设置的层。
[0077]
基材层10只要有可耐受加工电子部件30时所施加的外力的机械强度就没有特别限定，例如，可举出树脂膜。
[0078]
作为构成基材层10的树脂，例如，可以举出选自以下化合物中的一种或两种以上：聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龙-6、尼龙-66、聚己二酰间苯二甲胺等聚酰胺；(甲基)丙烯酸系树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；离聚物；聚砜；聚醚砜；聚醚醚酮等。
[0079]
它们中，从使机械物性和透明性良好的观点出发，优选为选自聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚对苯二甲酸丁二醇酯中的一种或两种以上，更优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或两种以上。
[0080]
基材层10可以为单层，也可以为两种以上的层。
[0081]
另外，作为用于形成基材层10的树脂膜的形态，可以为拉伸膜，也可以为在单轴方向或双轴方向上延伸的膜，从提高基材层10的机械强度的观点出发，优选为在单轴方向或双轴方向上延伸的膜。从抑制磨削后的电子部件的翘曲的观点出发，基材层10优选预先经过退火处理。为了改善与其他层的粘接性，基材层10也可以进行表面处理。具体而言，可以进行电晕处理、等离子体处理、下涂(under coat)处理、底涂(primer coat)处理等。
[0082]
从获得良好的膜特性的观点出发，基材层10的厚度优选为20μm以上250μm以下，更优选为30μm以上200μm以下，进一步优选为50μm以上150μm以下。
[0083]
＜粘着性树脂层＞
[0084]
本实施方式的粘着性膜50具有紫外线固化型粘着性树脂层20。
[0085]
粘着性树脂层20是设置在基材层10的一面侧的层，是在将粘着性膜50贴附于电子部件30的电路形成面30a时，与电子部件30的电路形成面30a接触而粘着的层。
[0086]
构成粘着性树脂层20的粘着剂可举出(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂、苯乙烯系粘着剂等。它们中，从能够使粘接力的调整变得容易的方面等考虑，优选为将(甲基)丙烯酸系树脂作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸系粘着剂。
[0087]
另外，作为构成粘着性树脂层20的粘着剂，优选使用通过紫外线来使粘着力降低的紫外线交联型粘着剂。
[0088]
由紫外线交联型粘着剂构成的粘着性树脂层20由于通过紫外线的照射而发生交联，粘着力显著下降，因此容易将电子部件30从粘着性膜50剥离。
[0089]
作为(甲基)丙烯酸系粘着剂所含的(甲基)丙烯酸系树脂，例如，可举出(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸酯化合物，例如，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲
基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。这些(甲基)丙烯酸酯化合物可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0090]
另外，作为构成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚单体，例如，可举出乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺、羟甲基(甲基)丙烯酰胺、马来酸酐等。这些共聚单体可以单独使用一种，也可以并用两种以上。
[0091]
作为紫外线交联型的(甲基)丙烯酸系粘着剂，可以例示包含分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂、且视需要利用交联剂使上述(甲基)丙烯酸系树脂交联而得到的粘着剂。紫外线交联型的(甲基)丙烯酸系粘着剂可以进一步包含分子内具有2个以上的聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
[0092]
分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂具体可以如下获得。首先，使具有乙烯性双键的单体与具有官能团(p)的共聚性单体进行共聚。接着，使该共聚物所含的官能团(p)与具有可与该官能团(p)发生加成反应、缩合反应等的官能团(q)的单体以使该单体中的双键残留的状态进行反应，在共聚物分子中导入聚合性碳-碳双键。
[0093]
作为上述具有乙烯性双键的单体，例如，可以使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯和甲基丙烯酸烷基酯单体、乙酸乙烯酯之类的乙烯基酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、苯乙烯等具有乙烯性双键的单体中的1种或2种以上。
[0094]
作为上述具有官能团(p)的共聚性单体，可举出(甲基)丙烯酸、马来酸、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、n-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等。它们可以使用1种，也可以将2种以上组合使用。
[0095]
关于上述具有乙烯性双键的单体与具有官能团(p)的共聚性单体的比例，优选上述具有乙烯性双键的单体为70～99质量％，具有官能团(p)的共聚性单体为1～30质量％。进一步优选上述具有乙烯性双键的单体为80～95质量％，具有官能团(p)的共聚性单体为5～20质量％。
[0096]
作为上述具有官能团(q)的单体，例如，可以举出与上述具有官能团(p)的共聚性单体同样的单体。
[0097]
作为在向具有乙烯性双键的单体与具有官能团(p)的共聚性单体的共聚物中导入聚合性碳-碳双键时进行反应的官能团(p)与官能团(q)的组合，优选为羧基与环氧基、羧基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等容易发生加成反应的组合。另外，不限于加成反应，只要是羧酸基与羟基的缩合反应等可容易地导入聚合性碳-碳双键的反应，则可以使用任何反应。
[0098]
作为分子中具有2个以上的聚合性碳-碳双键的低分子量化合物，例如，可举出三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯等。它们可以使用1种或2种以上。相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，分子中具有2个以上的聚合性碳-碳双键的低分子量化合物的添加量优选为0.1～20质量份，更优选为5～18质量份。
[0099]
作为光引发剂，例如，可举出苯偶姻、异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲
酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯乙酮二乙基缩酮、苯偶酰二甲基缩酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-4'-吗啉代丁酰苯、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-二甲基氨基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-吗啉-4-基-苯基)丁烷-1-酮等。它们可以使用1种或2种以上。相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，光引发剂的添加量优选为0.1～15质量份，更优选为1～10质量份，进一步优选为4～10质量份。
[0100]
上述紫外线固化型粘着剂中可以添加交联剂。作为交联剂，例如，可举出山梨糖醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、二甘油聚缩水甘油醚等环氧系化合物，四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、n,n'-二苯基甲烷-4,4'-双(1-氮丙啶甲酰胺)、n,n'-六亚甲基-1,6-双(1-氮丙啶甲酰胺)等氮丙啶系化合物，四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、聚异氰酸酯等异氰酸酯系化合物等。上述紫外线固化型粘着剂可以为溶剂型、乳液型、热熔型等中的任一种。
[0101]
交联剂的含量通常优选为交联剂中的官能团数不多于(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团数的程度的范围。但是，在交联反应中产生新的官能团的情况、交联反应慢的情况等，也可以视需要过量含有。
[0102]
从提高粘着性树脂层20的耐热性、与密合力的平衡的观点出发，相对于(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，(甲基)丙烯酸系粘着剂中的交联剂的含量优选为0.1质量份以上15质量份以下，更优选为0.5质量份以上5质量份以下。
[0103]
粘着性树脂层20例如可以通过在基材层10上涂布粘着剂涂布液来形成。
[0104]
作为涂布粘着剂涂布液的方法，例如，可以采用辊涂布机法、反向辊涂布机法、凹版辊法、棒涂法、缺角轮涂布机法、模涂布机法等以往公知的涂布方法。所涂布的粘着剂的干燥条件没有特别限制，一般而言，优选在80～200℃的温度范围干燥10秒～10分钟。进一步优选在80～170℃干燥15秒～5分钟。为了充分促进交联剂与(甲基)丙烯酸系树脂的交联反应，也可以在粘着剂涂布液的干燥结束后，在40～80℃加热5～300小时左右。
[0105]
本实施方式的粘着性膜50中，粘着性树脂层20的厚度优选为5μm以上300μm以下，更优选为10μm以上100μm以下，进一步优选为10μm以上50μm以下。如果粘着性树脂层20的厚度为上述范围内，则对于电子部件30的表面的粘着性与操作性的平衡良好。
[0106]
2.电子装置的制造方法
[0107]
本实施方式的电子装置的制造方法至少包括以下3个工序。
[0108]
(a)准备结构体100的工序，该结构体100包含具有电路形成面30a的电子部件30和粘贴在电子部件30的电路形成面30a侧的粘着性膜50；
[0109]
(b)对电子部件30的与电路形成面30a侧为相反侧的面进行背面研磨的工序；
[0110]
(c)对粘着性膜50照射紫外线后将粘着性膜50从电子部件30去除的工序，
[0111]
并且，具有如下特征：在工序(c)中，照射紫外线后的粘着性树脂层20的断裂伸长率为20％以上200％以下。
[0112]
以下，对本实施方式的电子装置的制造方法的各工序进行说明。
[0113]
(工序(a))
[0114]
首先，准备结构体100，该结构体100包含具有电路形成面30a的电子部件30和粘贴在电子部件30的电路形成面30a侧的粘着性膜50。
[0115]
这样的结构体100例如可以通过从粘着性膜50的粘着性树脂层20剥离脱模膜，使粘着性树脂层20的表面露出，在该粘着性树脂层20上贴附电子部件30的电路形成面30a来制作。
[0116]
这里，将电子部件30的电路形成面30a贴附于粘着性膜50时的条件没有特别限定，例如，温度可以设为20～80℃，压力可以设为0.05～0.5mpa，贴附速度可以设为0.5～20mm/秒。
[0117]
工序(a)优选进一步包括工序(a1)和工序(a2)，上述工序(a1)为选自将电子部件30半切的工序(a1-1)和对电子部件30照射激光而在电子部件30形成改性层的工序(a1-2)中的至少一者，上述工序(a2)中，在工序(a1)之后，在电子部件30的电路形成面30a侧贴附粘着性膜50。
[0118]
如前述那样，在使用预切割法、预隐藏法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序后从电子部件30剥离粘着性膜50时，在电子部件30侧容易产生残胶，因此在使用预切割法、预隐藏法等的电子装置的制造工艺中，可以合适地应用本实施方式的电子装置的制造方法。因此，优选为进行作为预切割法的上述工序(a1-1)、作为预隐藏法的上述工序(a1-2)的制造方法。
[0119]
工序(a2)中，可以将粘着性膜50加热而贴附于电子部件30的电路形成面30a。由此，能够长时间地使粘着性树脂层20与电子部件30的粘接状态良好。作为加热温度，没有特别限定，例如为60～80℃。
[0120]
将粘着性膜50贴附于电子部件的操作有时也会通过人工来进行，但通常可以利用安装有卷状的粘着性膜的被称为自动粘贴机的装置来进行。
[0121]
作为贴附于粘着性膜50的电子部件30，没有特别限定，优选为具有电路形成面30a的电子部件30。例如，可举出半导体晶片、环氧树脂模塑晶片、模塑面板、模塑阵列封装、半导体基板等，优选为半导体晶片和环氧树脂模塑晶片。
[0122]
另外，半导体晶片例如可举出硅晶片、蓝宝石晶片、锗晶片、锗-砷晶片、镓-磷晶片、镓-砷-铝晶片、镓-砷晶片、钽酸锂晶片等，适合用于硅晶片。环氧树脂模塑晶片可举出通过作为扇出(fan-out)型wlp制作方法之一的ewlb(embedded wafer level ball grid array：嵌入式晶片级球栅阵列)工艺制作的晶片。
[0123]
作为具有电路形成面的半导体晶片和环氧树脂模塑晶片，没有特别限定，例如，可以用于表面形成有配线、电容器、二极管或晶体管等电路的晶片。另外，也可以对电路形成面进行等离子体处理。
[0124]
电子部件30的电路形成面30a例如可以通过具有凸块电极等而成为凹凸面。
[0125]
另外，凸块电极例如是在将电子装置安装于安装面时与形成于安装面的电极接合而形成电子装置与安装面(印刷基板等的安装面)之间的电连接的物体。
[0126]
作为凸块电极，例如，可举出球形凸块、印刷凸块、钉头凸块、镀敷凸块、立柱凸块等凸块电极。即，凸块电极通常为凸电极。这些凸块电极可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
[0127]
凸块电极的高度和直径没有特别限定，分别优选为10～400μm，更优选为50～300μm。此时的凸块间距也没有特别限定，优选为20～600μm，更优选为100～500μm。
[0128]
另外，构成凸块电极的金属种类没有特别限定，例如，可举出焊料、银、金、铜、锡、
铅、铋以及它们的合金等，粘着性膜50适合用于凸块电极为焊料凸块的情况。这些金属种类可以单独使用1种，也可以并用2种以上。
[0129]
(工序(b))
[0130]
接着，对电子部件30的与电路形成面30a侧为相反侧的面(也称为背面。)进行背面研磨。
[0131]
这里，所谓背面研磨，是指不使电子部件破损的情况下薄化加工至预定的厚度。
[0132]
例如，将结构体100固定于磨削机的夹盘操作台等，对电子部件的背面(非电路形成面)进行磨削。
[0133]
在这样的背面磨削操作中，电子部件30被磨削至厚度成为期望的厚度以下。磨削前的电子部件的厚度根据电子部件30的直径、种类等来适宜确定，磨削后的电子部件30的厚度根据所得的芯片的尺寸、电路的种类等来适宜确定。
[0134]
另外，在电子部件30被半切或通过激光照射而形成有改性层的情况下，如图1所示通过工序(b)来将电子部件30单片化。
[0135]
作为背面磨削方式，没有特别限定，可以采用公知的磨削方式。各个磨削可以一边将水施予电子部件和磨削石来进行冷却一边进行。视需要，可以在磨削工序的最后进行作为不使用磨削水的磨削方式的干式磨削工序。背面磨削结束后，视需要进行化学蚀刻。化学蚀刻是通过将电子部件以粘贴有粘着性膜50的状态浸渍于蚀刻液中等的方法来进行的，上述蚀刻液是选自由酸性水溶液、碱性水溶液所组成的组中的蚀刻液，上述酸性水溶液由氢氟酸、硝酸、硫酸、乙酸等单独形成或由它们的混合液形成，上述碱性水溶液为氢氧化钾水溶液、氢氧化钠水溶液等。该蚀刻是以去除在电子部件的背面产生的应变、电子部件的进一步薄层化、氧化膜等的去除、将电极形成于背面时的前处理等为目的而进行的。蚀刻液可以根据上述目的适宜选择。
[0136]
(工序(c))
[0137]
接着，对粘着性膜50照射紫外线后将粘着性膜50从电子部件30去除。工序(c)中，对粘着性膜50照射例如200mj/cm2以上2000mj/cm2以下的剂量的紫外线，由此使粘着性树脂层20光固化而使粘着性树脂层20的粘着力降低，然后将粘着性膜50从电子部件30去除。
[0138]
另外，紫外线照射例如可以使用高压水银灯并使用主波长365nm的紫外线来进行。
[0139]
紫外线的照射强度例如为50mw/cm2以上500mw/cm2以下。
[0140]
在将粘着性膜从电子部件30去除之前，可以将电子部件30装配在切割胶带、或带晶片粘结膜的切割胶带上。将粘着性膜50从电子部件30去除的操作有时也会通过人工来进行，但通常可以利用被称为自动剥离机的装置来进行。
[0141]
将粘着性膜50剥离后的电子部件30的表面可以视需要进行清洗。作为清洗方法，可举出水清洗、溶剂清洗等湿式清洗、等离子体清洗等干式清洗等。湿式清洗时，可以并用超声波清洗。这些清洗方法可以根据电子部件表面的污染状况来适宜选择。
[0142]
(其他工序)
[0143]
进行工序(a)～工序(c)之后，可以进一步进行将所得的半导体芯片安装于电路基板的工序等。这些工序可以基于公知的信息来进行。
[0144]
以上，对本发明的优选的实施方式进行了描述，但这些是本发明的例示，也可以采用上述以外的各种各样的构成。
[0145]
实施例
[0146]
以下，通过实施例和比较例来具体说明本发明，但本发明不受此限定。
[0147]
与粘着性膜的制作有关的详细内容如下。
[0148]
＜基材层＞
[0149]
基材层1：聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制造，制品名：e7180，厚度：50μm，单面电晕处理品)
[0150]
基材层2：由低密度聚乙烯膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/低密度聚乙烯膜形成的层叠膜(总厚度：110μm)
[0151]
在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽公司制造、制品名：lumirror s10，厚度：50μm)的两侧层压低密度聚乙烯膜(密度：0.925kg/m3，厚度：30μm)而获得。对所得的层叠膜的单侧实施了电晕处理。
[0152]
基材层3：由聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜/丙烯酸系树脂膜形成的层叠膜(总厚度：145μm)
[0153]
将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制造，制品名：e7180，厚度：50μm)和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井陶氏聚合化学(mitsui dow polychemicals)株式会社制造，mfr：2.5g/10分钟)膜(厚度：70μm)通过对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的粘贴面侧实施电晕处理来进行层叠。进一步，对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的相反面侧也实施电晕放电处理。
[0154]
接着，在经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔件)的脱模面，将以下所示的基材用丙烯酸系树脂涂布液以干燥厚度成为20μm的方式进行涂布并干燥，经由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜粘贴于由上述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜形成的层叠膜，进行熟化(40℃，3天)。接着，将隔件剥离，获得基材层3。
[0155]
＜基材用丙烯酸系树脂涂布液＞
[0156]
使用4,4'-偶氮双-4-氰基戊酸(大塚化学公司制造，制品名：acva)0.5质量份作为聚合引发剂，将丙烯酸丁酯74质量份、甲基丙烯酸甲酯14质量份、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯9质量份、甲基丙烯酸2质量份、丙烯酰胺1质量份、聚氧乙烯壬基丙烯基苯基醚硫酸铵的水溶液(第一工业制药公司制造，制品名：aquaron hs-1025)3质量份在去离子水中在70℃下进行9小时乳液聚合。聚合结束后，用氨水调整至ph＝7，获得固体成分浓度42.5％的丙烯酸系聚合物水系乳液。接着，相对于该丙烯酸系聚合物水系乳液100质量份，使用氨水调整至ph＝9以上，并且配合氮丙啶系交联剂〔日本触媒化学工业制造，chemitite pz-33〕0.75质量份和二乙二醇单丁基醚5质量份，获得基材用涂布液。
[0157]
＜(甲基)丙烯酸系树脂溶液＞
[0158]
(甲基)丙烯酸系树脂溶液1：
[0159]
将丙烯酸乙酯49质量份、丙烯酸-2-乙基己酯20质量份、丙烯酸甲酯21质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯10质量份以及作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.5质量份在甲苯65质量份和乙酸乙酯50质量份中在80℃进行10小时反应。反应结束后，将所得的溶液冷却，在冷却后的溶液中加入二甲苯25质量份、丙烯酸5质量份以及十四烷基二甲基苄基氯化铵0.5质量份，一边吹入空气一边在85℃进行32小时反应，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液1。
[0160]
(甲基)丙烯酸系树脂溶液2：
[0161]
将丙烯酸正丁酯77质量份、甲基丙烯酸甲酯16质量份、丙烯酸2-羟基乙酯16质量份以及作为聚合引发剂的过氧化-2-乙基己酸叔丁酯0.3质量份在甲苯20质量份和乙酸乙酯80质量份中在85℃下进行10小时反应。反应结束后，将该溶液冷却，向其中加入甲苯30质量份、甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工制造，制品名：karenzmoi)7质量份和二月桂酸二丁基锡0.05质量份，一边吹入空气一边在85℃进行12小时反应，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液2。
[0162]
(甲基)丙烯酸系树脂溶液3：
[0163]
将丙烯酸乙酯30质量份、丙烯酸甲酯11质量份、丙烯酸-2-乙基己酯26质量份、甲基丙烯酸2-羟基乙酯7质量份以及作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.8质量份在甲苯7质量份和乙酸乙酯50质量份中在80℃进行9小时反应。反应结束后，将所得的溶液冷却，在冷却后的溶液中加入甲苯25质量份，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液3。
[0164]
＜断裂伸长率评价用粘着性膜＞
[0165]
在丙烯酸系树脂溶液中加入表1所示的添加剂，由此制备粘着性树脂层用粘着剂涂布液。将该涂布液涂布于经有机硅脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔件)的脱模处理面，使其在120℃干燥3分钟，形成厚度20μm的粘着性树脂层。接着，在粘着性树脂层上粘贴经电晕处理的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜(mfr：1.7g/10min，乙酸乙烯酯含量：9质量％，厚度：140μm)的电晕处理面，获得层叠体。接着，将所获得的层叠体在烘箱中以40℃加热3天，使其熟化。
[0166]
＜粘着力和预切割评价用粘着性膜＞
[0167]
在丙烯酸系树脂溶液中加入表1所示的添加剂，由此制备粘着性树脂层用粘着剂涂布液。将该涂布液涂布于经有机硅脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔件)。接着，使其在120℃干燥3分钟，形成厚度20μm的粘着性树脂层，并粘贴于基材层。对于基材层1和2，粘贴于电晕处理面。对于基材层3，将隔件剥掉，粘贴于丙烯酸系树脂层侧。将所获得的层叠体在烘箱中以40℃加热3天，使其熟化。
[0168]
＜评价方法＞
[0169]
(1)紫外线固化后的粘着性树脂层的断裂伸长率
[0170]
从断裂伸长率评价用粘着性膜的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜侧，对于粘着性树脂层，在25℃的环境下使用高压水银灯以照射强度100mw/cm2照射紫外线剂量1080mj/cm2的主波长365nm的紫外线。接着，切成长度110mm、宽度10mm，将作为隔件的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜从层叠体剥掉。
[0171]
接着，利用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：autograph ags-x)，将粘着性树脂层与乙烯-乙酸乙烯酯共聚物挤出膜一起以初始的夹盘间距离lo成为50mm的方式夹持。将样品以30mm/分钟的速度进行拉伸，将目视观测到粘着性树脂层发生断裂的点设为断裂点，将此时的夹盘间距离设为l。断裂伸长率(％)由(l-lo)/lo
×
100(％)求出。评价以n＝2实施，将其值进行平均后作为测定值。
[0172]
(2)粘着力评价
[0173]
被粘物晶片：
[0174]
对于硅镜面晶片(4英寸单面镜面晶片)的镜面，利用uv臭氧清洗装置
(technovision公司制造，uv-208)进行臭氧清洗(臭氧处理时间：60秒)。然后，将晶片镜面用乙醇擦拭，将擦拭后的晶片作为被粘物晶片。
[0175]
紫外线照射前粘着力：
[0176]
在23℃、50％rh的环境下，将粘着力评价用粘着性膜切成横向宽度50mm，将隔件剥掉，使用手动辊，将粘着性膜经由其粘着性树脂层贴附于被粘物晶片镜面，放置1小时。放置后，使用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：autograph ags-x)，夹持粘着性膜的一端，以剥离角度：180度、剥离速度：300mm/分钟将粘着性膜从被粘物晶片的表面剥离。测定此时的应力，并换算成n/25mm，求出粘着力。评价以n＝2实施，将其值进行平均后作为测定值。
[0177]
紫外线照射后粘着力：
[0178]
在23℃、50％rh的环境下，将粘着力评价用粘着性膜切成横向宽度50mm，将隔件剥掉，使用手动辊，将粘着性膜经由其粘着性树脂层贴附于被粘物晶片镜面，放置1小时。放置后，在25℃的环境下使用高压水银灯以照射强度100mw/cm2对粘着性膜照射紫外线剂量1080mj/cm2的主波长365nm的紫外线。然后，使用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：autograph ags-x)，夹持粘着性膜的一端，以剥离角度：180度、剥离速度：300mm/分钟将粘着性膜从被粘物晶片的表面剥离。测定此时的应力，并换算成n/25mm，求出粘着力。评价以n＝2实施，将其值进行平均后作为测定值。
[0179]
残胶评价：
[0180]
通过目视来观察上述剥离后的被粘物晶片，按照以下基准进行评价。
[0181]
〇(好)：没有确认到残胶
[0182]
×
(差)：确认到残胶
[0183]
(3)预切割法评价
[0184]
评价晶片1：
[0185]
使用切割锯，对镜面晶片(8英寸镜面晶片，直径：200
±
0.5mm，厚度：725
±
50μm，单面镜面)的镜面进行半切，获得评价晶片1。(刀片：zh05-sd3500-n1-70-dd，芯片尺寸：5mm
×
8mm，切入深度：58μm，刀片转速：30000rpm)。利用光学显微镜来观察评价晶片1，结果切口宽度为35μm。
[0186]
评价晶片2：
[0187]
使用切割锯，对镜面晶片(8英寸镜面晶片，直径：200
±
0.5mm，厚度：725
±
50μm，单面镜面)的镜面实施第1阶段的半切(刀片：z09-sd2000-y158
×
0.25a
×
40
×
45e-l，芯片尺寸：5mm
×
8mm，切入深度：15μm，刀片转速：30000rpm)。利用光学显微镜进行观察，结果切口宽度为60μm。接着，实施第2阶段的半切(刀片：zh05-sd3500-n1-70-dd，芯片尺寸：5mm
×
8mm，切入深度：58μm，刀片转速：30000rpm)，获得评价晶片2。
[0188]
预切割法：
[0189]
使用胶带层压机(日东电工公司制造，dr3000ii)，将预切割评价用粘着性膜贴附于上述评价晶片的经半切的面(23℃，贴附速度：5mm/分钟，贴附压力：0.36mpa)。
[0190]
接着，使用研磨机(disco公司制造，dgp8760)，对上述晶片进行背面磨削(粗磨削和精密磨削，精密磨削量：40μm，无抛光，磨削后厚度：38μm)，并进行单片化。
[0191]
关于预切割时的芯片飞散，在实施背面磨削后，通过目视按照以下基准进行评价。
[0192]
〇(好)：包括三角角部在内，没有确认到芯片飞散
[0193]
×
(差)：包括三角角部在内，确认到芯片飞散
[0194]
进一步，进行uv照射以及预切割评价用粘着性膜剥离，评价预切割法后的残胶。
[0195]
uv照射中，在25℃的环境下使用高压水银灯以照射强度100mw/cm2对预切割评价用粘着性膜照射紫外线剂量1080mj/cm2的主波长365nm的紫外线。
[0196]
预切割评价用粘着性膜的剥离按照以下顺序来进行。首先，使用晶片装配机(日东电工公司制造，msa300)，将另行准备的切割胶带(作为装配用胶带来使用)经由该切割胶带的粘着面贴附于8英寸晶片用圆形框架和上述经单片化的晶片的晶片侧。接着，使用胶带剥离机(日东电工公司制造，hr3000iii)，通过剥离胶带(lasting system公司制造，pet38rel)，从晶片切槽部剥离预切割评价用粘着性膜。装置剥离性按照以下基准进行评价。
[0197]
〇(好)：1次就能够将预切割评价用粘着性膜从晶片剥离
[0198]
×
(差)：1次不能够将预切割评价用粘着性膜从晶片剥离
[0199]
对于预切割法后的单片化了的晶片上的残胶，使用光学显微镜(奥林巴斯公司制造)按照以下基准进行评价。
[0200]
〇(好)：没有确认到残胶
[0201]
×
(差)：确认到残胶
[0202]
[实施例1]
[0203]
相对于(甲基)丙烯酸系树脂溶液1(固体成分)100质量份，添加作为光引发剂的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(igm公司制造，商品名：omnirad 651)6.9质量份、异氰酸酯系交联剂(三井化学公司制造，商品名：olester p49-75s)0.93质量份，获得粘着性树脂层用粘着剂涂布液1。通过上述方法，制作断裂伸长率评价用粘着性膜、粘着力评价用粘着性膜以及预切割评价用粘着性膜。另外，基于先前描述的评价方法，实施紫外线固化后的粘着材的断裂伸长率、粘着力评价以及预切割法评价。结果如表1所示。
[0204]
[实施例2～10以及比较例1和2]
[0205]
将粘着性树脂层和基材层的种类变更为表1所示的种类，除此以外，与实施例1同样地操作，分别制作粘着性膜。另外，与实施例1同样地分别进行各评价。将所得的结果分别示于表1中。
[0206]
需说明的是，表1中记载的化合物如下。
[0207]
omnirad 651(igm公司制造)：2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮
[0208]
omnirad 369(igm公司制造)：2-苄基-2-二甲基氨基-4'-吗啉代丁酰苯
[0209]
aronix m400(东亚合成公司制造)：二季戊四醇五丙烯酸酯与二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物
[0210]
nk酯ad-tmp(新中村化学工业公司制造)：二(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯
[0211]
[表1]
[0212][0213]
本技术主张以2020年6月10日提出的日本技术特愿2020-101120号为基础的优先权，将其公开内容全部援引至此。
[0214]
符号说明
[0215]
10：基材层
[0216]
20：粘着性树脂层
[0217]
30：电子部件
[0218]
30a：电路形成面
[0219]
50：粘着性膜
[0220]
100：结构体。