一种体声波谐振器及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种体声波谐振器，其特征在于：包括衬底(100)，所述衬底(100)的表面具有凹腔(110)；第一电极层(200)，所述第一电极层(200)的一面覆盖于所述凹腔(110)；压电层(300)，所述压电层(300)贴合所述衬底(100)，所述压电层(300)将所述第一电极层(200)的其余面覆盖；第二电极层(400)，所述第二电极层(400)贴合连接所述压电层(300)远离所述衬底(100)的一面；以及敏感层(500)，所述敏感层(500)贴合连接所述第二电极层(400)远离所述压电层(300)的一面。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：所述凹腔(110)的深度为2μm～30μm，所述凹腔(110)的截面形状为矩形、三角形、梯形中的其中一种。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：所述第一电极层(200)与所述衬底(100)贴合的一面的面积小于所述衬底(100)与所述第一电极层(200)贴合的一面的面积的二分之一。4.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：所述敏感层(500)的厚度范围在10nm～300nm。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其特征在于：所述敏感层(500)的厚度为200nm。6.根据权利要求1至5中任一所述的体声波谐振器，其特征在于：所述敏感层(500)由钯制成。7.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：所述压电层(300)由氮化铝制成，所述压电层(300)的厚度范围在100nm～5μm。8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于：所述压电层(300)的厚度为1000nm。9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于：所述第一电极层(200)和所述第二电极层(400)的厚度和形状均相同，所述第二电极层(400)和所述第一电极层(200)均由pt、mo、ag、al、au中的其中一种制成，所述第二电极层(400)的厚度范围在60nm～700nm。10.一种制备方法，用于制造权利要1至9中任一所述的体声波谐振器，其特征在于，包括如下步骤：采用晶面高阻硅制备衬底(100)；在衬底(100)的表面制造凹腔(110)；在凹腔(110)内形成持平衬底(100)表面的支撑层(700)，支撑层(700)的材质为磷硅玻璃；在衬底(100)和支撑层(700)上形成覆盖于凹腔(110)的第一电极层(200)；在衬底(100)上形成压电层(300)，压电层(300)的厚度大于第一电极层(200)，第一电极层(200)嵌设于压电层(300)接触衬底(100)的一面；在压电层(300)远离衬底(100)的一面依次制备第二电极层(400)、敏感层(500)；去除支撑层(700)。

技术总结
本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法，涉及半导体器件制造技术领域，包括衬底，所述衬底的表面具有凹腔；第一电极层，所述第一电极层的一面覆盖于所述凹腔；压电层，所述压电层贴合所述衬底，所述压电层将所述第一电极层的其余面覆盖；第二电极层，所述第二电极层贴合连接所述压电层远离所述衬底的一面；以及敏感层，所述敏感层贴合连接所述第二电极层远离所述压电层的一面。本发明实施例提供一种体声波谐振器，优化体声波谐振器的结构，使得体声波谐振器的频率能够在一定范围内调节。体声波谐振器的频率能够在一定范围内调节。体声波谐振器的频率能够在一定范围内调节。


技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：广州市艾佛光通科技有限公司
技术研发日：2022.11.22
技术公布日：2023/3/3