一种含氮稠杂环化合物及其应用

技术特征：
1.一种含氮稠杂环化合物，其特征在于，所述含氮稠杂环化合物具有式(1)所示结构：其中，ar、ar1各自独立选自取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c3-c60的杂芳基，l、l1各自独立选自连接键、取代或未取代的c6-c30的亚芳基、取代或未取代的c3-c30的亚杂芳基，r
1-r4各自独立选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、取代或未取代的c4-c30杂芳烷基、取代或未取代的c3-c30环烷基、取代或未取代的c3-c30杂环烷基、取代或未取代的c3-c30环烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基或取代或未取代的c6-c30芳氧基，r
1-r4各自独立存在或相邻两者连接成环a，所述环a为c6-c30的芳环，优选苯环。2.根据权利要求1所述的含氮稠杂环化合物，其特征在于，ar选自或取代或未取代的c6-c60芳基，y选自o或s，r
y
选自取代或未取代的c6-c30的亚芳基、取代或未取代的c3-c30的亚杂芳基，r
5-r
12
各自独立选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c1-c30烷基、其中一个或多个亚甲基以o原子或s原子不相邻的方式被-o-或-s-取代的c1-c30烷基、取代或未取代的c2-c30烯基、其中一个或多个亚甲基以o原子或s原子不相邻的方式被-o-或-s-取代的c2-c30烯基、取代或未取代的c2-c30炔基、取代或未取代的c7-c30芳烷基、取代或未取代的c6-c30芳基、取代或未取代的c3-c30杂芳基、取代或未取代的c4-c30杂芳烷基、取代或未取代的c3-c30环烷基、取代或未取代的c3-c30杂环烷基、取代或未取代的c3-c30环烯基、取代或未取代的c1-c30烷氧基、取代或未取代的c6-c30芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳胺基、取代或未取代的c5-c60的杂芳胺基、取代或未取代的c5-c60的芳基杂芳胺基，r
5-r
12
各自独立存在或相邻二者至四者连接成环b，所述环b为取代或未取代的c6-c30的芳环、取代或未取代的c3-c30的杂芳环；
优选地，所述环b为取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的茚环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并吲哚环、取代或未取代的萘并吲哚环。3.根据权利要求1或2所述的含氮稠杂环化合物，其特征在于，ar选自取代或未取代的如下基团：
4.根据权利要求1-3中任一项所述的含氮稠杂环化合物，其特征在于，ar1选自取代或未取代的如下基团：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、苯基取代萘基、萘基取代苯基、蒽基、菲基、苯并菲基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、苯基取代咔唑基、吡啶基取代咔唑基、萘基取代咔唑基、联苯基取代咔唑基、二苯并呋喃取代苯基、二苯并噻吩取代苯基、二甲基芴基、二苯基取代芴基、螺二芴基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并咔唑基或二苯并咔唑基；优选地，l选自取代或未取代的如下基团：亚苯基、亚联苯基、亚萘基，优选地，l1选自连接键、取代或未取代的如下基团：亚苯基、亚联苯基、亚萘基。5.根据权利要求1-4中任一项所述的含氮稠杂环化合物，其特征在于，所述含氮稠杂环化合物为如下化合物中的任意一种：
6.根据权利要求1-5中任一项所述的含氮稠杂环化合物在制备光学器件中的应用。7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，所述光学器件包括有机电致发光器件、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机集成电路、有机太阳能电池、有机场淬灭器件、发光电化学电池、有机激光二极管或有机光感受器中任意一种。8.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阳极和阴极，和设置在阳极和阴极间的有机层，所述有机层包括如权利要求1-5中任一项所述的含氮稠杂环化合物中的任意一种或至少两种的组合。9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机层包括从阳极侧到阴极侧依次层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；优选地，所述发光层的材料包含主体材料和客体材料，所述主体材料包含如权利要求1-5中任一项所述的含氮稠杂环化合物中的任意一种或至少两种的组合；优选地，所述客体材料包括磷光掺杂剂，所述磷光掺杂剂包括含ir、os或pt的配合物。10.一种有机电致发光设备，其特征在于，所述有机电致发光设备包括如权利要求8或9所述的有机电致发光器件。

技术总结
本发明提供一种含氮稠杂环化合物及其应用，本发明所述含氮稠杂环化合物用作发光层主体材料时，能够使得有机发光器件具有更低的驱动电压(4.3V以下)，更高的电流效率(16Cd/A以上)和更长的寿命(230h以上)。上)和更长的寿命(230h以上)。


技术研发人员：李祥智 蔡烨 魏定纬 丁欢达 陈志宽
受保护的技术使用者：西北工业大学宁波研究院
技术研发日：2021.08.10
技术公布日：2023/2/17