半导体封装件的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基底；以及半导体器件，位于第一基底上，其中，第一基底包括：第一介电层，包括第一孔；第二介电层，位于第一介电层上，并且包括与第一孔叠置的第二孔，第二孔比第一孔宽；底凸块，设置在第一孔和第二孔中，底凸块覆第二介电层的一部分；以及连接构件，接合到底凸块。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，底凸块的侧壁具有拐点。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，第一基底还包括与底凸块间隔开的虚设图案，虚设图案穿透第二介电层并接触第一介电层，其中，虚设图案的一部分覆盖第二介电层的顶表面，并且其中，虚设图案的底表面与第二介电层的底表面共面。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，虚设图案被电浮置或被提供有地电压。5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，虚设图案和底凸块包括相同的金属，并且虚设图案的顶表面与底凸块的顶表面处于同一水平。6.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，当在平面中观看时，虚设图案具有圆形形状、四边形形状或网格形状，四边形形状的侧壁是凹的。7.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，底凸块具有第一厚度，并且虚设图案具有比第一厚度小的第二厚度。8.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，底凸块与虚设图案之间的间距为5μm至50μm。9.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，第二介电层包括虚设孔，虚设图案插入到虚设孔中，虚设孔暴露第一介电层的顶表面，其中，虚设图案包括：阻挡/种子图案，覆盖虚设孔的内侧壁和底表面；以及虚设金属图案，填充虚设孔。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，第二孔的内侧壁与第二介电层的底表面成第一角，虚设孔的内侧壁与第二介电层的底表面成第二角，并且第一角与第二角基本相同。11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，底凸块包括：阻挡/种子图案，至少覆盖第二孔的内侧壁；以及凸块金属图案，设置在阻挡/种子图案上，并且填充第二孔和第一孔，并且其中，气隙设置在凸块金属图案与第一孔的内侧壁之间。12.根据权利要求11所述的半导体封装件，其中，连接构件与凸块金属图案接触。13.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：
封装基底；中介体基底，位于封装基底上；第一半导体器件和第二半导体器件，并排地安装在中介体基底上；以及热辐射构件，覆盖第一半导体器件、第二半导体器件、中介体基底和封装基底，其中，中介体基底包括：第一介电层，包括第一孔；第二介电层，设置在第一介电层上，并且包括与第一孔叠置的第二孔，第二孔比第一孔宽；底凸块，设置在第一孔和第二孔中，底凸块覆盖第二介电层的一部分；连接构件，接合到底凸块；以及虚设图案，与底凸块间隔开，虚设图案穿透第二介电层并接触第一介电层，其中，虚设图案的一部分覆盖第二介电层的顶表面，其中，虚设图案的底表面与第二介电层的底表面共面，并且其中，底凸块与虚设图案之间的间距为5μm至50μm。14.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，虚设图案被电浮置或被提供有地电压。15.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，虚设图案和底凸块包括相同的金属，并且虚设图案的顶表面与底凸块的顶表面处于同一水平。16.根据权利要求13所述的半导体封装件，其中，当在平面中观看时，虚设图案具有圆形形状、四边形形状或网格形状，四边形形状的侧壁是凹的。17.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一基底；以及半导体器件，位于第一基底上，其中，第一基底包括：第一介电层；底凸块和虚设图案，位于第一介电层中，并且彼此间隔开；以及连接构件，与底凸块的底表面接触，其中，底凸块和虚设图案中的每个包括：第一部分，插入到第一介电层中；以及第二部分，突出超过第一介电层，并且覆盖第一介电层的顶表面，其中，底凸块的第一部分的侧壁具有拐点，并且其中，虚设图案的底表面被第一介电层的一部分覆盖。18.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，底凸块的侧壁的长度比虚设图案的侧壁的长度大。19.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，底凸块包括：阻挡/种子图案，与第一介电层接触；以及凸块金属图案，位于阻挡/种子图案上，并且与连接构件接触，其中，气隙位于连接构件与阻挡/种子图案之间。20.根据权利要求17所述的半导体封装件，其中，当在平面中观看时，虚设图案具有圆形形状、四边形形状或网格形状，四边形形状的侧壁是凹的。

技术总结
提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一基底；以及半导体器件，位于第一基底上，其中，第一基底包括：第一介电层，包括第一孔；第二介电层，位于第一介电层上，并且包括与第一孔叠置的第二孔，第二孔比第一孔宽；底凸块，设置在第一孔和第二孔中，底凸块覆第二介电层的一部分；以及连接构件，接合到底凸块。接合到底凸块。接合到底凸块。


技术研发人员：金珉呈 金东奎 金钟润 黄贤瀞
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.04.22
技术公布日：2023/2/6