半导体工艺设备的制作方法

1.本技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体工艺设备。


背景技术：

2.在相关的晶片(wafer)加工工艺中，半导体工艺设备通过等离子体对晶片进行工艺处理(例如沉积、刻蚀等)，在具体处理时，晶片需要被放置于基座上，基座自身具备加热丝或加热板，由基座实现对晶片进行加热。
3.现有基座分为固定式基座和升降式基座，其中，如图1所示，图1示出了现有技术中采用固定式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图，基座20通过螺钉与工艺腔室10固定连接；如图2所示，图2示出了现有技术中采用升降式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图，基座20需要通过波纹管30与工艺腔室10连接，波纹管30能够实现基座20与工艺腔室10之间的密封配合。
4.请参见图3，图3示出了现有技术中的基座的温度梯度示意图。无论是固定式还是升降式基座，基座20均是与工艺腔室10直接或间接相连，当进行工艺处理时基座20被加热至较高温度后，由于工艺腔室10的外壁温度较低，基座会向工艺腔室10传递热量而在其内部会形成温度梯度，这样就导致基座20的承载面温度存在较大的差异性，进而造成晶片的工艺处理质量变差。


技术实现要素：

5.本技术公开一种半导体工艺设备，以解决基座的承载面存在的温度差异性较大的问题。
6.为了解决上述问题，本技术采用下述技术方案：
7.本技术提供一种半导体工艺设备，其包括：
8.工艺腔室；
9.基座，设置于所述工艺腔室内，所述基座用于承载晶片，且所述基座为非导磁结构件；
10.磁悬浮装置，被配置为向所述基座施加悬浮力，以使所述基座与所述工艺腔室间隔布置；
11.加热装置，设置于所述工艺腔室内，所述加热装置用于加热所述基座。
12.本技术采用的技术方案能够达到以下有益效果：
13.在本技术公开的半导体工艺设备中，通过磁悬浮装置向基座施加悬浮力，以使得基座与工艺腔室间隔布置，如此情况下，基座与工艺腔室之间不存在直接或间接的连接关系，即便基座被加热至较高的温度，其也不会向工艺腔室传递热量，这样避免了在基座内部形成温度梯度，进而优化基座承载面的温度均匀性。
14.相较于现有技术，本技术公开的半导体工艺设备在进行工艺处理时，其基座承载面的温度无疑不会存在较大的差异性，这样就能够确保处理后的晶片具有较好的工艺处理
质量。
附图说明
15.此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本技术的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
16.图1为现有技术公开的采用固定式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图；
17.图2为现有技术公开的采用升降式基座的半导体工艺设备的局部结构示意图；
18.图3为现有技术公开的基座的温度梯度示意图；
19.图4为本技术实施例公开的半导体工艺设备的结构示意图；
20.图5为本技术实施例公开的基座的温度梯度示意图；
21.图6为本技术实施例公开的第一磁悬浮组件的结构示意图；
22.图7为本技术实施例公开的一种发光件的排布示意图；
23.图8为本技术实施例公开的另一种发光件的排布示意图。
24.附图标记说明：
25.10-工艺腔室、20-基座、30-波纹管、
26.100-工艺腔室、110-反应腔室、120-悬浮腔室、121-环形侧壁、122-底座、122a-转接抱块、130-柔性管状连接件、
27.200-基座、210-载台、211-承载面、212-传热面、220-支撑部、
28.300-磁悬浮装置、310-第一磁悬浮组件、311-第一磁体、312-第二磁体、320-第二磁悬浮组件、321-第三磁体、322-第四磁体、
29.400-加热装置、410-发光件、420-反射件、421-避让孔、430-支架、
30.500-射频装置、510-射频馈入部、511-射频馈线、520-第一绝缘部、530-第二绝缘部。
具体实施方式
31.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
32.以下结合附图，详细说明本技术各个实施例公开的技术方案。
33.为了解决现有技术中基座的承载面存在的温度差异性较大的问题，本技术实施例的提供了一种半导体工艺设备。在本技术实施例中，该半导体工艺设备的类型可以有多种，举例来说，其可以为物理气相沉积(即pvd)设备、刻蚀设备、光刻设备等。
34.如图4～图8所示，本技术实施例的半导体工艺设备包括工艺腔室100、基座200、磁悬浮装置300和加热装置400。
35.其中，工艺腔室100是该半导体工艺设备的基础构件，其能够作为其他构件的安装基础，其还能够起到一定的保护作用。工艺腔室100内部具有工艺空间，工艺空间能够为晶片的工艺处理提供特定的工艺环境。以该半导体工艺设备为物理气相沉积设备为例，工艺腔室100内能够构建真空、较高温度的工艺环境。
36.基座200设置于工艺腔室100内，其用于承载晶片；具体地，基座200具有承载面211，承载面211用于承载晶片。为了确保晶片能够可靠地安置在基座200上，基座200可以被配置为具备固定功能，这样就能够避免晶片在工艺处理过程中异常移位。
37.加热装置400设置于工艺腔室100内，加热装置400用于加热基座200。在加热装置400的加热作用下，基座200能够达到特定的工艺温度，以使得安置于基座200上的晶片能够在相应的工艺温度下进行工艺处理。
38.磁悬浮装置300被配置为向基座200施加悬浮力，以使基座200与工艺腔室100间隔布置。如图4所示，磁悬浮装置300基于其自身产生磁力而对基座200施加悬浮力，基座200在悬浮力的作用力而在工艺空间内部处于悬浮状态，这样就使得基座200与工艺腔室100之间间隔开，在基座200与工艺腔室100之间就难以进行热传导。当半导体工艺设备在工艺处理时，即便基座200被加热至较高温度，由于基座200处于悬浮状态，其无法将热量传导至其他构件，也即基座200无法在其与工艺腔室100之间形成导热路径，这样使得基座200内部无法形成明显的温度梯度(如图5所示)，以优化基座200的承载面211的温度均匀性；如此情况下，当晶片安置在承载面211的温度均匀性较佳的基座200上时，晶片无疑能够获得较好的工艺处理质量。
39.需要说明的是，在本技术实施例的半导体工艺设备为物理气相沉积设备时，其有益效果更为显著，因为在物理气相沉积工艺中，工艺腔室100内构建的工艺环境为真空状态，不仅基座200与工艺腔室100之间不会存在实体的热传导路径，而且它们二者之间也不存在热对流，这样就进一步地确保了在基座200内部无法形成温度梯度，进而使得基座200的承载面211具有优秀的温度均匀性。
40.在本技术实施例中，加热装置400设置在工艺腔室100内，也即加热装置400设置在基座200的外部，这样使得加热装置400与基座200支架430不存在连接关系，以确保基座200在悬浮时不会存在导热路径将热量导走。当然，基于本技术实施例的加热装置400的存在，基座200内部不需要设置加热丝、加热板等。
41.由于基座200是在磁悬浮装置300施加的悬浮力(实质上为磁力)作用下实现悬浮，若基座200是由导磁材料制成，则其在磁悬浮装置300的悬浮力作用下会被磁化，基座200自身就会产生磁场，该磁场会对磁悬浮装置300的正常工作造成干扰，进而导致基座200难以在预设悬浮力作用下实现悬浮。
42.基于此，本技术实施例的基座200为非导磁结构件。如此设置下，即便基座200处于磁悬浮装置300的悬浮力(实质上为磁力)作用下，其也不会存在被磁化的问题，基座200始终是受到预设的磁悬浮装置300施加的悬浮力作用，以确保基座200能够顺利实现悬浮。具体地，基座200可以采用铜、铝、锌、不锈钢等非导磁材料制成。
43.由上述说明可知，在本技术实施例公开的半导体工艺设备中，通过磁悬浮装置300向基座200施加悬浮力，以使得基座200与工艺腔室100间隔布置，如此情况下，基座200与工艺腔室100之间不存在直接或间接的连接关系，即便基座200被加热至较高的温度，其也不会向工艺腔室100传递热量，这样避免了在基座200内部形成温度梯度，进而优化基座200承载面211的温度均匀性。
44.相较于现有技术，本技术实施例公开的半导体工艺设备在进行工艺处理时，其基座200承载面211的温度无疑不会存在较大的差异性，这样就能够确保处理后的晶片具有较
好的工艺处理质量。
45.在本技术实施例中，基座200和工艺腔室100的具体构型可以有多种，例如，工艺腔室100为类长方体腔体结构，基座200呈圆柱状。在另外的实施方式中，如图4所示，本技术实施例的基座200可以包括载台210和支撑部220，载台210用于承载晶片，支撑部220用于支撑载台210；工艺腔室100包括连通的反应腔室110和悬浮腔室120，载台210位于反应腔室110内，支撑部220由反应腔室110延伸至悬浮腔室120内，磁悬浮装置300被配置为向支撑部220施加悬浮力，加热装置400用于加热载台210。
46.在此种结构布局下，载台210和支撑部220的作用被明确划分，载台210可以被预设为便于承载晶片的构型，而支撑部220不仅将载台210支撑在反应腔室110内，还用于配合磁悬浮装置300而承受悬浮力。在本实施方式中，反应腔室110内构建有用于晶片的工艺处理的工艺环境，而悬浮腔室120则为支撑部220提供悬浮空间。当支撑部220在磁悬浮装置300施加的悬浮力作用下处于悬浮状态时，又由于载台210被支撑部220支撑在反应腔室110内，这样就使得基座200整体与工艺腔室100之间间隔布置。由于晶片被安置在载台210上，加热装置400可以通过加热载台210而为晶片提供相应的工艺温度。
47.在本技术实施例中，磁悬浮装置300的具体类型可以有多种，例如，磁悬浮装置300可以设置在反应腔室110的顶部，并向载台210施加磁吸力，以使得基座200整体处于悬浮状态；或者，磁悬浮装置300设置于反应腔室110的底部，并沿支撑部220的周向向载台210的底部施加磁斥力，以使得基座200整体处于悬浮状态。
48.在另外的实施方式中，本技术实施例的磁悬浮装置300可以包括：第一磁悬浮组件310，用于沿支撑部220的周向对基座200施加悬浮力；第二磁悬浮组件320，用于在支撑部220的底部对基座200施加悬浮力。在此种结构布局下，第一磁悬浮组件310施加的悬浮力能够维持支撑部220不朝向某一侧方向偏斜，这样使得基座200整体处于竖直状态，进而确保载台210不会因为偏斜而与反应腔室110接触、支撑部220不会因为偏斜而与悬浮腔室120接触；第二磁悬浮组件320施加的悬浮力能够驱动而抬升支撑部220，并使得支撑部220与悬浮腔室120的底壁间隔布置，进而确保基部整体处于悬浮状态。
49.具体地，如图4和图6所示，本技术实施例的第一磁悬浮组件310可以包括数量相同的多个第一磁体311和多个第二磁体312，全部第一磁体311设置于支撑部220上且沿支撑部220的周向布置，全部第二磁体312设置于悬浮腔室120内且沿基座200的周向布置，第一磁体311与第二磁体312一一对应，且对应的第一磁体311和第二磁体312的相对侧磁极相异。
50.在此种结构布局下，由于一组对应的第一磁体311和第二磁体312的相对侧磁极相异，则使得一组对应的第一磁体311和第二磁体312之间存在磁吸力；具体地，若第一磁体311朝向第二磁体312的相对侧磁极为n极，则第二磁体312朝向第一磁体311的相对侧磁极为s极；若第一磁体311朝向第二磁体312的相对侧磁极为s极，则第二磁体312朝向第一磁体311的相对侧磁极为n极。
51.基于上述结构布局，不同组对应的第一磁体311和第二磁体312对支撑部220施加的磁吸力沿支撑部220的周向分布，这样就能够使得支撑部220维持在竖直状态而不会朝向某一侧偏斜，进而使得基座200整体处于竖直状态。
52.进一步地，如图6所示，在本技术实施例中，相邻的两个所述第一磁体311朝向所述第二磁体312的磁极相异，相邻的两个所述第二磁体312朝向所述第一磁体311的磁极相异。
由于在一组对应的第一磁体311和第二磁体312中，两者的相对侧磁极相异，如此就使得第一磁体311与其错位设置的第二磁体312的相对侧磁极相同、第二磁体312与其错位设置的第一磁体311的相对侧磁极相同。在此种结构布局下，当支撑部220发生偏斜时，支撑部220与悬浮腔室120之间会产生一定的错位，这就使得第一磁悬浮组件310的内外圈磁体出现错位，也即第一磁体311会与其错位设置的第二磁体312相对、第二磁体312会与其错位设置的第一磁体311相对。此时，处于相对状态的第一磁体311和第二磁体312之间都会存在磁斥力而使得支撑部220回转，进而自动找正位置，也即第一磁悬浮组件310又恢复至第一磁体311与同组对应的第二磁体312之间存在磁吸力的状态。
53.由此可见，在该实施方式中，本技术实施例的磁悬浮装置300赋予了支撑部220在偏斜状态下自动找正的能力，无疑能够进一步地优化本技术实施例的基部的悬浮性能。
54.需要说明的是，为了提升半导体工艺设备的结构紧凑性，第一磁体311可以嵌设在支撑部220内部，而第二磁体312可以嵌设在悬浮腔室120的内侧壁中；当然，在其他的实施方式中，第一磁体311可以固定设置于支撑部220的外周壁上，而第二磁体312可以固定设置在悬浮腔室120的内侧壁上。
55.为了提升第一磁体311和第二磁体312的结构稳定性，第一磁体311和第二磁体312均可以为弧状磁体，这样使得第一磁体311和第二磁体312在呈环状设置时能够更好地适配。当然，本技术实施例未限制第一磁体311和第二磁体312的具体形状，主要它们构成的第一磁悬浮组件310能够向支撑部220施加沿周向的悬浮力即可。
56.如图4所示，本技术实施例的第二磁悬浮组件320可以包括第三磁体321和第四磁体322，第三磁体321设置于支撑部220的底部，第四磁体322设置于悬浮腔室120内，且第四磁体322与第三磁体321相对设置，第三磁体321与第四磁体322的相对侧磁极相同。
57.在此种结构布局下，由于对应的第三磁体321和第四磁体322的相对侧磁极相同，则使得对应的第三磁体321和第四磁体322之间存在磁斥力；具体地，第三磁体321和第四磁体322的相对侧磁极可以为n极，或者，第三磁体321和第四磁体322的相对侧磁极可以为s极。基于上述结构布局，第三磁体321和第四磁体322的配合使用能够驱动而抬升支撑部220，并使得支撑部220与悬浮腔室120的底壁间隔布置，进而确保基部整体处于悬浮状态。
58.需要说明的是，为了提升半导体工艺设备的结构紧凑性，第三磁体321可以嵌设在支撑部220底部，而第四磁体322可以嵌设在悬浮腔室120的内底壁中；当然，在其他的实施方式中，第三磁体321可以固定设置于支撑部220的底壁上，而第四磁体322可以固定设置在悬浮腔室120的内底壁上。
59.当然，第三磁体321和第四磁体322的组数可以为单组或者多组。
60.为了进一步地提升基部的抗偏斜能力，如图4所示，本技术实施例的第一磁悬浮组件310为多个，全部第一磁悬浮组件310可以沿基座200的高度方向排布。在此种结构布局下，沿基座200的高度方向，多个第一磁悬浮组件310能够在不同的高度位置向支撑部220施加沿周向的悬浮力，这样就使得支撑部220的多个区域受到趋于竖直状态的约束作用，进而确保支撑部220始终维持在竖直状态，以使基部与工艺腔室100间隔布置。
61.更进一步地，如图4所示，上述方案可结合前述的第一磁悬浮组件310包括第一磁体311和第二磁体312的实施方式，在本技术实施例中，在沿基座200的高度方向上排布的相邻的两个第一磁悬浮组件310中，相邻的第一磁体311朝向第二磁体312的磁极相异，相邻的
第二磁体312朝向第一磁体311的磁极相异。
62.应理解的是，在同一第一磁悬浮组件310中，相对应的第一磁体311和第二磁体312的相对侧磁极相异，如此情况下，在相邻的两个第一磁悬浮组件310之间，就会使得第一磁体311与其错位设置的第二磁体312的相对侧磁极相同、第二磁体312与其错位设置的第一磁体311的相对侧磁极相同。在此种结构布局下，当支撑部220发生偏斜时，支撑部220与悬浮腔室120之间会产生一定错位，这样会导致不同的第一磁悬浮组件310之间产生错位，也即在相邻的两个第一磁悬浮组件310之间，第一磁体311会与其错位设置的第二磁体312相对、第二磁体312会与其错位设置的第一磁体311相对。此时，处于相对状态的第一磁体311和第二磁体312之间都会存在磁斥力而使得支撑部220反向偏转，进而自动找正位置，也即同一第一磁悬浮组件310中的第一磁体311和第二磁体312之间存在磁吸力的状态。
63.由此可见，在该实施方式中，本技术实施例的磁悬浮装置300赋予了支撑部220在偏斜状态下自动找正的能力，无疑能够进一步地优化本技术实施例的基部的悬浮性能。
64.为了提升拆装便捷性，如图4所示，本技术实施例的悬浮腔室120可以包括环形侧壁121和底座122，环形侧壁121可环绕套设于支撑部220，底座122具有容置空间和开口，开口与容置空间连通，环形侧壁121在开口一侧与底座122连接，支撑部220可依次穿过环形侧壁121和开口而伸入容置空间；第一磁悬浮组件310设置于环形侧壁121和支撑部220上，第二磁悬浮组件320设置于底座122和支撑部220上。
65.在此种结构布局下，第一磁悬浮组件310部分设置于环形侧壁121上，这样在生产加工时即可预先将第一磁悬浮的相应部分安装在环形侧壁121上，使得它们集成为第一模块组件，这样无疑有利于简化安装过程以及提升拆卸便捷性。同样地，第二磁悬浮组件320部分设置于底座122上，这样在生产加工时即可预先将第二磁悬浮的相应部分安装在底座122上，使得它们集成为第二模块组件，这样也有利于简化安装过程以及提升拆卸便捷性。
66.在第一磁悬浮组件310包括第一磁体311和第二磁体312的实施方式中，第二磁体312即可以与环形侧壁121集成为第一模块组件；在第二磁悬浮组件320包括第三磁体321和第四磁体322的实施方式中，第四磁体322即可以与底座122集成为第二模块组件。当然，第一磁悬浮组件310和第二磁悬浮组件320均包括设置于支撑部220的相应部分，则可以将第一磁悬浮组件310和第二磁悬浮组件320的该部分结构与支撑部220集成为第三模块组件；具体地，第一磁体311和第三磁体321可以与支撑部220集成为第三模块组件。
67.在本技术实施例中，前述提及的全部磁体结构均可以为永磁铁，当然它们也可以为电磁铁装置，通过电磁铁装置可以调节基座200受到的悬浮力大小，进而实现对基座200的悬浮状态进行微调。
68.为了避免悬浮腔室120被磁化而导致基座200难以顺利悬浮，本技术实施例的悬浮腔室120可以为非导磁结构件；悬浮腔室120具体可以采用铜、铝、锌、不锈钢等非导磁材料制成。
69.在本技术实施例中，加热装置400的具体类型可以有多种，例如加热装置400可以为各种类型的电磁波传热装置。在另外的实施方式中，如图4所示，本技术实施例的加热装置400可以包括多个发光件410，多个发光件410设置于反应腔室110内，且沿支撑部220的周向均匀布置；基座200具有相背设置的承载面211和传热面212，承载面211用于承载晶片，多个发光件410发出的光线投射至传热面212。
70.应理解的是，此种结构的加热装置400属于热辐射传热装置，具体地，发光件410的发出的光线在透射至载台210后，即可将热能传递给载台210，并使得载台210升温；当然，通过调节发光件410的功率则可以调控载台210升温的速率。由于全部的发光件410沿支撑部220的周向均匀布置，这样就使得载台210沿其传热面212的周向均匀受热，以确保载台210的承载面211均有较佳的温度均匀性。
71.在半导体工艺设备为物理气相沉积设备的实施方式中，由于反应腔室110中为真空状态，这样使得热辐射不存在损耗而优化热辐射效果，进而强化了加热装置400的温控效率。
72.在本技术实施例中，发光件410的类型可以有多种，例如灯管、灯珠、灯盘等。
73.发光件410沿支撑部220的周向均匀布置的方式有多种，以发光件410为灯管举例，如图7所示，多个灯管围绕支撑部220沿顺时针倾斜布置；如图8所示，多个灯管围绕支撑部220平行间隔布置。
74.进一步地，如图4所示，本技术实施例的加热装置400还可以包括反射件420，反射件420设置于多个发光件410和反应腔室110之间，以阻挡多个发光件410发出的光线投射至反应腔室110。在此种结构布局下，基于反射件420的存在，发光件410发出的光线无法透射至反光腔室的内壁上，这样就避免了发光件410发出的光线的热能被传导至反应腔室110，以防止发光件410产生的热能被耗散至反应腔室110之外，载台210就能够获取发光件410的巨大部分热能，此种结构布局不仅优化了加热装置400对载台210的加热效率，还有效减少了热能的损耗。
75.在该实施方式中，发光件410可直接安置在反射件420上，此时反射件420即是发光件410的承载基础，反射件420的边缘还可弯折形成翻边，翻边也能够将发光件410发出的光线反射至载台210的传热面212。为了避免反射件420与支撑部220产生干涉，反射件420上可开设有避让孔421，避让孔421供支撑部220通过，具体可参见图7和图8。
76.在本技术实施例中，反射件420可选为平面反射镜、反射棱镜、便面涂覆有发光材料的反射结构等。
77.在可选的方案中，本技术实施例的加热装置400还可以包括支架430，支架430用于支撑反射件420。当然，在其他的实施方式中，反射件420直接可以延伸至与反应腔室110的内壁相连而获得支撑。
78.在一些加工工艺中，需要向基座200中馈入射频，例如，在刻蚀工艺中，通过射频可以向晶片施加负偏压；在沉积或清洗工艺中，射频能够激发工艺腔室100中的气体成为等离子体。
79.在本技术实施例中，如图4所示，本技术实施例的半导体工艺设备还可以包括射频装置500，射频装置500包括射频馈入部510、第一绝缘部520和第二绝缘部530，射频馈入部510沿支撑部220的周向与支撑部220间隔布置，且射频馈入部510被配置为通过真空电容向支撑部220馈入射频信号；射频馈入部510的一端通过第一绝缘部520与工艺腔室100密封连接，射频馈入部510的另一端通过第二绝缘部530与工艺腔室100密封连接。
80.在此种结构布局下，既能够确保射频装置500能够向基座200馈入射频，又能够避免如现有技术设置成通过射频馈线与基座200直接连接，以避免产生导热路径，这样始终确保基座200处于一个无接触的悬浮状态。由于射频馈入部510为环状结构，其两端分别通过
第一绝缘部520和第二绝缘部530与工艺腔室100连接，这样可避免射频馈入部510直接与工艺腔室100连接而引起的导电安全风险。基于密封配合的特征，这也能够确保工艺腔室100内部维持预设的工艺环境。射频馈入部510可通过射频馈线511与射频电源连接。
81.在本技术实施例中，射频装置500的具体构型有多种，例如射频装置500完全都嵌设在悬浮腔室120中；在另外的实施方式中，第一绝缘部520密封连接于射频馈入部510与反应腔室110之间，第二绝缘部530密封连接于射频馈入部510与悬浮腔室120之间，此时，射频装置500即是嵌设在反应腔室110和悬浮腔室120之间。
82.为了使得基座200具备升降功能，本技术实施例的工艺腔室100还可以包括柔性管状连接件130，柔性管状连接件130密封连接于反应腔室110与悬浮腔室120之间，以使反应腔室110与悬浮腔室120的间距可调；半导体工艺设备还可以包括驱动装置，驱动装置与反应腔室110和/或悬浮腔室120相连，驱动装置用于驱动反应腔室110和悬浮腔室120相向靠近或相背远离，以使载台210在反应腔室110内进行升降动作。
83.在此种结构布局下，柔性管状连接件130可选为波纹管，当然其也可选为其他的柔性软管。基于柔性管状连接件130的密封配合特征，其能够确保工艺腔室100内部维持预设的工艺环境；同时，柔性管状连接件130使得反应腔室110与悬浮腔室120之间形成柔性连接，这样使得反应腔室110和悬浮腔室120之间能够产生相对运动。
84.由于磁悬浮装置300的作用，当驱动装置驱动反应腔室110和悬浮腔室120相向靠近时，基座200在悬浮力(磁力)的作用下会朝向反应腔室110运动，而使得载台210在反应腔室110中抬升；当驱动装置驱动反应腔室110和悬浮腔室120相向远离时，基座200在悬浮力(磁力或重力)的作用下会朝向悬浮腔室120运动，而使得载台210在反应腔室110中下降。基于上述操作过程，就完成载台210在反应腔室110中的升降动作。
85.驱动装置可选为线性电机、液压驱动组件、气压驱动组件等。
86.为了便于驱动装置与悬浮腔室120连接，驱动装置通常通过转接件与悬浮腔室120的外壁连接。例如，如图4所示，在悬浮腔室120包括环形侧壁121和底座122的实施方式中，底座122的外侧壁设置有转接抱块122a，驱动装置与转接抱块122a驱动相连，进而驱动整个悬浮腔室120移动。
87.本技术上文实施例中重点描述的是各个实施例之间的不同，各个实施例之间不同的优化特征只要不矛盾，均可以组合形成更优的实施例，考虑到行文简洁，在此则不再赘述。
88.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的权利要求范围之内。