半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种包括第一至第五电路的半导体装置，其中，所述第一电路具有保持第一电位的功能，所述第二电路具有使所述第一电位升压的功能，所述第三电路具有保持第二电位的功能，所述第四电路具有使所述第二电位升压的功能，并且，所述第五电路具有输出相当于被升压的所述第一电位与被升压的所述第二电位间的电位差的第三电位的功能。2.根据权利要求1所述的半导体装置，包括第一至第四晶体管、第一电容器以及第二电容器，其中所述第一电路包括所述第一晶体管及所述第一电容器，所述第二电路包括所述第二晶体管及所述第一电容器，所述第三电路包括所述第三晶体管及所述第二电容器，所述第四电路包括所述第四晶体管及所述第二电容器，并且所述第五电路包括所述第二晶体管及所述第四晶体管。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第一晶体管及所述第三晶体管在形成沟道的半导体中包含氧化物半导体。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述第二晶体管及所述第四晶体管在形成沟道的半导体中包含氧化物半导体。5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体包含铟和锌中的至少一个。6.一种半导体装置，包括第一至第四晶体管、第一电容器以及第二电容器，其中，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一端子电连接，所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第二晶体管的栅极电连接，所述第一晶体管的栅极与第二端子电连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的一个与第三端子电连接，所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第四晶体管的栅极电连接，所述第三晶体管的栅极与第四端子电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与第五端子电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第七端子电连接，所述第四晶体管的源极和漏极中的一个与第六端子电连接，所述第四晶体管的源极和漏极中的另一个与所述第七端子电连接，所述第一电容器的一个电极与所述第二晶体管的栅极电连接，所述第一电容器的另一个电极与所述第七端子电连接，所述第二电容器的一个电极与所述第四晶体管的栅极电连接，并且，所述第二电容器的另一个电极与所述第七端子电连接。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述第一端子被供应模拟数据。8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其中所述第三端子与所述第六端子电连接。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，其中所述第一晶体管及所述第三晶体管在形成沟道的半导体层中包含氧化物半导体。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第二晶体管及所述第四晶体管在形成沟道的半导体层中包含氧化物半导体。11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体包含铟和锌中的至少一个。

技术总结
提供一种能够保持模拟数据的半导体装置，该半导体装置使用四个晶体管及两个电容器构成两个保持电路、两个自举电路以及一个源极跟随电路。两个保持电路分别设置有存储节点，一个存储节点被写入数据电位且另一个存储节点被写入参考电位。在读出数据时，一个自举电路中一个存储节点的电位被升压，另一个自举电路中另一个存储节点的电位被升压。使用源极跟随电路输出两个存储节点间的电位差。通过使用源极跟随电路，可以降低输出阻抗。可以降低输出阻抗。可以降低输出阻抗。


技术研发人员：广濑丈也 米田诚一 池田隆之 山崎舜平
受保护的技术使用者：株式会社半导体能源研究所
技术研发日：2021.04.06
技术公布日：2022/12/5