半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，具有有源区和与该有源区相邻的无源区；多晶硅电阻结构，设置在该无源区的隔离结构上；虚设多晶硅电阻结构，在该隔离结构上，分别设置在该多晶硅电阻结构的相对两侧的外侧；以及多晶硅环状结构，设置于该隔离结构上，环绕该多晶硅电阻结构与该虚设多晶硅电阻结构。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：保护环结构，设置于该有源区，环绕该多晶硅环结构、该多晶硅电阻结构和该虚设多晶硅电阻结构。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在俯视图中，该多晶硅环结构与该保护环结构具有相同的形状。4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该多晶硅环结构设置于该多晶硅电阻结构与该保护环结构之间。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视图中，该多晶硅电阻结构与该虚设多晶硅电阻结构具有相同的形状。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该虚设多晶硅电阻结构设置于该多晶硅电阻结构与该多晶硅环状结构之间。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该多晶硅环结构为电性浮置。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该多晶硅环状结构是未掺杂的。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：保护层，设置在该多晶硅电阻结构上，不覆盖该多晶硅环结构；以及自对准硅化物层，完全覆盖该多晶硅环结构并部分覆盖该多晶硅电阻结构。10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：保护层，覆盖该多晶硅电阻结构和该多晶硅环结构；以及自对准硅化物层，覆盖该多晶硅电阻结构的端部，而不覆盖该多晶硅环结构。11.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，具有有源区和由该有源区包围的无源区；多晶硅电阻结构，设置在该无源区的隔离结构上，并沿第一方向延伸；虚设多晶硅电阻结构，沿第二方向排列在该隔离结构上并沿第一方向延伸；以及多晶硅环状结构，设置于该隔离结构上，环绕该多晶硅电阻结构，其中该虚设多晶硅电阻结构沿该第二方向设置于该多晶硅电阻结构与该多晶硅环状结构之间。12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第一自对准硅化物层，部分覆盖该多晶硅电阻结构；以及第一导电互连结构，设置在该第一自对准硅化物层上。13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，还包括：保护层，覆盖该多晶硅电阻结构并与该第一自对准硅化物层相邻，不与该多晶硅环结构重叠。14.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
保护层，覆盖该多晶硅电阻结构和该多晶硅环结构。15.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第二硅化物层，覆盖该多晶硅环结构；以及第二导电互连结构，设置在该第二自对准硅化物层上。16.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该虚设多晶硅电阻结构邻近该多晶硅电阻结构的相对侧设置，其中该虚设多晶硅电阻结构是电性浮置。17.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，该第一方向为该多晶硅电阻结构的长度方向，该第二方向为该多晶硅电阻结构的宽度方向。18.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，还包括：保护环结构，设置在该有源区中，环绕该多晶硅环结构和该多晶硅电阻结构。19.如权利要求18所述的半导体装置，其特征在于，在俯视图中，该保护环结构平行于该多晶硅环结构。20.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板，具有有源区和与该有源区相邻的无源区；虚设多晶硅电阻结构，在该无源区中的隔离结构上；多晶硅电阻结构，设置在该隔离结构上，沿该多晶硅电阻结构的宽度方向夹在该虚设多晶硅电阻结构之间；以及多晶硅环状结构，设置于该隔离结构上，环绕该多晶硅电阻结构，其中该虚设多晶硅电阻结构沿该多晶硅电阻结构的宽度方向设置于该多晶硅环状结构与该多晶硅电阻结构之间。21.如权利要求20所述的半导体装置，其特征在于，该虚设多晶硅电阻结构沿该多晶硅电阻结构的长度方向不设置在该多晶硅环结构与该多晶硅电阻结构之间。22.如权利要求20所述的半导体装置，其特征在于，该多晶硅环状结构环绕该虚设多晶硅电阻结构。23.如权利要求20所述的半导体装置，其特征在于，该虚设多晶硅电阻结构和该多晶硅环结构是电性浮置。24.如权利要求20所述的半导体装置，其特征在于，还包括：保护层，覆盖该多晶硅电阻结构和该虚设多晶硅电阻结构，其中该多晶硅环结构设置为不被该保护层覆盖。25.如权利要求20所述的半导体装置，其特征在于，还包括：自对准硅化物层，完全覆盖该多晶硅环结构，部分覆盖该多晶硅电阻结构，部分覆盖该虚设多晶硅电阻结构。26.如权利要求25所述的半导体装置，其特征在于，还包括：保护环结构，设置于该有源区，环绕该多晶硅环结构与该多晶硅电阻结构，其中该自对准硅化物层覆盖该保护环结构。

技术总结
本发明公开一种半导体装置，包括：半导体基板，具有有源区和与该有源区相邻的无源区；多晶硅电阻结构，设置在该无源区的隔离结构上；虚设多晶硅电阻结构，在该隔离结构上，分别设置在该多晶硅电阻结构的相对两侧的外侧；以及多晶硅环状结构，设置于该隔离结构上，环绕该多晶硅电阻结构与该虚设多晶硅电阻结构。本发明通过多晶硅环状结构及其前身来阻挡显影液流对多晶硅电阻结构的过度蚀刻，从而保证后续形成的多晶硅电阻结构之间的大小或尺寸基本相同，这样后续形成的多晶硅电阻结构之间的电阻可以基本相同，减少或基本消除电阻差异，改善半导体装置的电阻的匹配特性或性能。改善半导体装置的电阻的匹配特性或性能。改善半导体装置的电阻的匹配特性或性能。


技术研发人员：林振华 冉景涵
受保护的技术使用者：联发科技股份有限公司
技术研发日：2022.07.25
技术公布日：2023/2/17