晶片载置台的制作方法

1.本发明涉及晶片载置台。


背景技术：

2.为了利用等离子体对晶片进行cvd、蚀刻等，使用晶片载置台。例如，专利文献1所公开的晶片载置台具备陶瓷基材和冷却基材，陶瓷基材具有：中央部，其具备圆形的晶片载置面；以及外周部，其在所述中央部的外周侧具备环状的聚焦环载置面。载置于晶片载置面的晶片通过对埋设于陶瓷基材的中央部的晶片吸附用电极施加直流电压而被静电吸附于晶片载置面。载置于聚焦环载置面的聚焦环通过对埋设于陶瓷基材的外周部的聚焦环吸附用电极施加直流电压而被静电吸附于聚焦环载置面。在冷却基材上连接有产生用于生成等离子体的源极用高频的第一高频电源和产生用于向晶片引入离子的偏压用高频的第二高频电源。通常，偏压用高频与源极用高频相比频率低，振幅大。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2018-206804号公报


技术实现要素：

6.发明所要解决的课题
7.然而，在专利文献1所公开的晶片载置台中，由于在陶瓷基材的外周部埋设有聚焦环吸附用电极，因此存在由偏压用高频引起的离子向聚焦环的引入变得没有效率的问题。即，若在陶瓷基材的外周部埋设聚焦环吸附用电极，则不得不使外周部变厚。这样一来，施加偏压用高频的冷却基材与聚焦环载置面的距离变大。其结果，冷却基材与聚焦环载置面之间的电抗增大，因此，由偏压用高频引起的离子向聚焦环的引入变得没有效率。特别是，偏压用高频与源极用高频相比频率低，因此电抗容易变大。
8.本发明是为了解决这样的课题而完成的，其主要目的在于高效地进行由偏压用高频引起的离子向聚焦环的引入。
9.用于解决课题的方案
10.本发明的晶片载置台具备：
11.陶瓷基材，其在具有圆形的晶片载置面的中央部的外周具备具有环状的聚焦环载置面的外周部；
12.冷却基材，其含有金属；以及
13.接合层，其接合所述陶瓷基材与所述冷却基材，
14.所述陶瓷基材的所述外周部的厚度为1mm以下，且未内置电极。
15.在该晶片载置台中，陶瓷基材的外周部未内置电极，其厚度为1mm以下。因此，在将聚焦环吸附用电压施加于冷却基材时，能够将聚焦环静电吸附于聚焦环载置面。另外，在将偏压用高频电压施加于冷却基材时，冷却基材与聚焦环载置面之间的电抗变小，因此能够
高效地进行由偏压用高频电压引起的离子向聚焦环的引入。
16.在本发明的晶片载置台中，也可以是，所述冷却基材至少与聚焦环吸附用电源、源极用高频电源以及偏压用高频电源连接。这样一来，能够将冷却基材用作聚焦环吸附用电极、源极用高频电极以及偏压用高频电极。
17.在本发明的晶片载置台中，所述接合层可以是金属接合层。这样一来，能够将接合层视为冷却基材的一部分。因此，与接合层为树脂等绝缘层的情况相比，能够进一步减小冷却基材与聚焦环载置面之间的电抗。在该情况下，优选的是，所述金属接合层的周围以所述金属接合层不露出的方式被绝缘材料覆盖。这样一来，能够保护金属接合层。
18.在本发明的晶片载置台中，也可以是，所述陶瓷基材的所述中央部比所述外周部厚，内置有晶片吸附用电极，并且在与所述晶片载置面相反侧的面和所述晶片吸附用电极之间内置有高频电极，所述高频电极也可以与所述冷却基材连接，所述晶片吸附用电极也可以不与所述冷却基材连接而与晶片吸附用电源连接。
19.在本发明的晶片载置台中，也可以是，所述陶瓷基材的所述中央部比所述外周部厚，内置有晶片吸附用电极，并且在与所述晶片载置面相反侧的面和所述晶片吸附用电极之间未内置高频电极，所述晶片吸附用电极也可以不与所述冷却基材连接而与晶片吸附用电源连接。这样一来，与将高频电极内置于陶瓷基材的情况相比，结构变得简单。
20.在本发明的晶片载置台中，也可以是，所述陶瓷基材的所述中央部比所述外周部厚，内置有晶片吸附用电极，并且在与所述晶片载置面相反侧的面和所述晶片吸附用电极之间未内置高频电极，所述晶片吸附用电极也可以与所述冷却基材连接，所述冷却基材也可以与晶片吸附用电源连接。这样一来，与晶片吸附用电极不与冷却基材连接而与晶片吸附用电源连接的情况相比，结构变得简单。另外，晶片吸附用电极也作为高频电极发挥功能。
21.在本发明的晶片载置台中，也可以是，所述陶瓷基材的所述中央部可以是与所述陶瓷基材的所述外周部相同的厚度，且未内置电极，所述冷却基材可以与晶片吸附用电源连接。这样一来，能够使陶瓷基材整体的厚度变薄，并且结构也变得简单。
22.在本发明的晶片载置台中，所述冷却基材也可以不具有电力供给用的贯通孔。这样，能够抑制温度的奇异点的生成。
23.在本发明的晶片载置台中，也可以是，所述陶瓷基材与所述冷却基材的热膨胀系数差为1
×
10-6
/k以下。这样一来，即使在高温和低温下反复使用，耐久性也变高。例如，在陶瓷基材为氧化铝制的情况下，冷却基材优选sisicti制或alsic制。
附图说明
24.图1是晶片载置台10的纵剖视图。
25.图2是晶片载置台10的俯视图。
26.图3是晶片载置台10的制造工序图。
27.图4是代替绝缘膜42而采用o形环44时的局部剖视图。
28.图5是代替绝缘膜42而采用树脂层46时的局部剖视图。
29.图6是晶片载置台110的纵剖视图。
30.图7是晶片载置台210的纵剖视图。
31.图8是晶片载置台310的纵剖视图。
32.符号说明
33.10、110、210、310：晶片载置台；20、120、220、320：陶瓷基材；22、122、222、322：中央部；22a：晶片载置面；24、124、224、324：外周部；24a：聚焦环载置面；26：晶片吸附用电极；27：导孔；28：rf电极、29：导孔；30：冷却基材；30a：孔；30b：孔；32：制冷剂流路；40：接合层；42：绝缘膜；44：o形环；46：树脂层；52：晶片吸附用直流电源；53、57：低通滤波器；54、58、64、74：供电端子；55：绝缘管；56：fr吸附用直流电源；62：源极用rf电源；63、73：高通滤波器；72：偏压用rf电源；78、178、278、378：聚焦环；81：第一陶瓷成型体；82：第二陶瓷成型体；83：第二陶瓷成型体；86、88：电极图案；89：连接端子；90：陶瓷烧结体；90a、90b：孔；92：接合体；94：腔室；96：设置板；98：喷头。
具体实施方式
34.以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。图1是晶片载置台10的纵剖视图(以包含晶片载置台10的中心轴的面切断时的剖视图)，图2是晶片载置台10的俯视图(其中省略聚焦环78)。在以下的说明中，有时使用上下、左右、前后等进行说明，但上下、左右、前后只不过是相对的位置关系。另外，在本说明书中，表示数值范围的“～”被用作以下含义：包含其前后所记载的数值作为下限值及上限值。
35.晶片载置台10用于利用等离子体对晶片w进行cvd、蚀刻等，固定于在半导体工艺用的腔室94的内部设置的设置板96上。晶片载置台10具备陶瓷基材20、冷却基材30和接合层40。
36.陶瓷基材20在具有圆形的晶片载置面22a的中央部22的外周具备具有环状的聚焦环载置面24a的外周部24。以下，有时将聚焦环简称为“fr”。在晶片载置面22a上载置晶片w，在fr载置面24a上载置聚焦环78。陶瓷基材20由以氧化铝、氮化铝等为代表的陶瓷材料形成。fr载置面24a相对于晶片载置面22a低一个台阶。外周部24未内置电极(fr吸附用电极、高频(rf)电极)。外周部24的厚度为1mm以下，优选为0.7mm以下，更优选为0.5mm以下。
37.陶瓷基材20的中央部22从靠近晶片载置面22a的一侧起依次内置有晶片吸附用电极26和rf电极28。这些电极26、28例如由含有w、mo、wc、moc等的材料形成。晶片吸附用电极26是圆板状或网状的单极型静电电极。陶瓷基材20中的比晶片吸附用电极26靠上侧的层作为电介质层发挥功能。晶片吸附用电极26经由供电端子54而与晶片吸附用直流电源52连接。供电端子54以从陶瓷基材20的下表面穿过绝缘管55而到达晶片吸附用电极26的方式设置，所述绝缘管55配置于在上下方向贯通冷却基材30和接合层40的贯通孔中。供电端子54以与rf电极28电绝缘的方式设置。在供电端子54中的晶片吸附用直流电源52与晶片吸附用电极26之间设置有低通滤波器(lpf)53。rf电极28设置在陶瓷基材20的中央部22中的晶片吸附用电极26与陶瓷基材20的下表面之间。rf电极28作为晶片侧的源极用rf电极和偏压用rf电极发挥功能。rf电极28经由从rf电极28朝向冷却基材延伸的导孔29与接合层40和冷却基材30导通。
38.冷却基材30是含有金属的导电性圆板构件。冷却基材30在内部具备能够供制冷剂循环的制冷剂流路32。该制冷剂流路32与未图示的制冷剂供给路以及制冷剂排出路连接，从制冷剂排出路排出的制冷剂在经过温度调整后再次返回制冷剂供给路。冷却基材30由含
有金属的导电材料制成。作为导电材料，例如可举出复合材料、金属等。作为复合材料，可举出金属复合材料(也称为金属基复合材料(mmc))等，作为mmc，可举出含有si、sic及ti的材料、使al和/或si含浸于sic多孔体的材料等。将包含si、sic和ti的材料称为sisicti，将使al含浸于sic多孔体的材料称为alsic，将使si含浸于sic多孔体的材料称为sisic。作为金属，可举出ti、mo、al及它们的合金等。
39.冷却基材30经由供电端子58与fr吸附用直流电源56连接，经由供电端子64与源极用rf电源62连接，经由供电端子74与偏压用rf电源72连接。在冷却基材30与fr吸附用直流电源56之间配置有lpf57，在冷却基材30与源极用rf电源62之间配置有高通滤波器(hpf)63，在冷却基材30与偏压用rf电源72之间配置有hpf73。偏压用rf与源极用rf相比频率低且振幅大。源极用rf的频率例如为几十～几百mhz，偏压用rf的频率例如为几百khz。
40.接合层40将陶瓷基材20的下表面与冷却基材30的上表面接合。在本实施方式中，接合层40是金属接合层。金属接合层例如也可以是由焊料、金属钎料形成的层。金属接合层例如通过tcb(thermal compression bonding，热压接合)形成。tcb是指在接合对象的2个部件之间夹入金属接合材料，在加热至金属接合材料的固相线温度以下的温度的状态下对2个部件进行加压接合的公知的方法。陶瓷基材20的外周部24的侧面、接合层40的外周、冷却基材30的侧面以及冷却基材30的上表面中的未被接合层40覆盖的部分被绝缘膜42覆盖。作为绝缘膜42，例如可举出氧化铝、氧化钇等喷镀膜。
41.接着，使用图3说明晶片载置台10的制造例。图3是晶片载置台10的制造工序图。首先，通过模铸法制作圆盘状的第一～第三陶瓷成型体81～83，在第二以及第三陶瓷成型体82、83的上表面分别印刷电极糊剂而形成电极图案86、88(参照图3的(a))。所谓模铸法，是指将包含陶瓷原料粉末和模塑化剂的陶瓷浆料注入到成型模具内，在该成型模具内使模塑化剂发生化学反应而使陶瓷浆料进行模塑化，由此得到成型体的公知的方法。作为模塑化剂，例如，可以是包含异氰酸酯和多元醇，通过氨基甲酸酯反应进行模塑化的物质。电极糊剂例如是在w、mo、wc、moc等导电材料中添加了陶瓷粉末的浆料。印刷于第二陶瓷成型体82的上表面的电极图案86的形状与晶片吸附用电极26相同，印刷于第三陶瓷成型体83的上表面的电极图案88的形状与rf电极28相同。
42.接着，将第一陶瓷成型体81、在上表面印刷有电极图案86的第二陶瓷成型体82、在上表面印刷有电极图案88的第三陶瓷成型体83层叠，对得到的层叠体进行热压烧成，由此得到陶瓷烧结体90(参照图3的(b))。由此，电极图案86成为晶片吸附用电极26，电极图案88成为rf电极28。
43.接着，通过对得到的陶瓷烧结体90的两面实施磨削加工或喷砂加工等来调整形状、厚度，并且形成上下方向的孔(用于插入供电端子54的孔90a、用于插入导孔29的孔90b等)(参照图3的(c))。
44.接着，向陶瓷烧结体90的孔90a插入供电端子54而与晶片吸附用电极26接合，向孔90b插入连接端子89而与rf电极28接合(图3的(d))。之后，利用接合层40将陶瓷烧结体90与冷却基材30接合而得到接合体92(图3的(e))。在冷却基材30上，预先在与陶瓷烧结体90的孔90a、90b的各自相对的位置设置沿上下方向贯通的孔30a、30b，在接合时将供电端子54插入孔30a，将连接端子89插入孔30b。在陶瓷烧结体90为氧化铝制的情况下，冷却基材30优选为sisicti制或alsic制。
45.对于sisicti板，例如制作如下粉体混合物，其包含以39～51质量％的平均粒径为10μm以上且25μm以下的碳化硅原料粒子，且含有ti和si的方式选择的1种以上的原料，对于来自于除碳化硅以外的原料的si和ti，si/(si ti)的质量比为0.26～0.54。作为原料，例如可以使用碳化硅、金属si和金属ti。此时，优选混合碳化硅39～51质量％、金属si 16～24质量％、金属ti 26～43质量％。接着，通过单轴加压成形将得到的粉体混合物制作成圆盘状的成型体，将该成型体在非活性气氛下通过热压在1370～1460℃烧结，由此得到sisicti板。
46.陶瓷烧结体90与冷却基材30的接合使用金属接合材料来进行。例如，在氧化铝制的陶瓷烧结体90与sisicti制的冷却基材30之间夹入金属接合材料进行tcb接合。具体而言，在金属接合材料的固相线温度以下(例如，从固相线温度减去20℃的温度以上且固相线温度以下)的温度对陶瓷烧结体90与冷却基材30的层叠体进行加压而进行tcb接合，然后恢复至室温。由此，金属接合材料成为接合层40。作为此时的金属接合材料，可以使用al-mg系接合材料或al-si-mg系接合材料。例如，在使用al-si-mg系接合材料(含有88.5重量％的al、10重量％的si、1.5重量％的mg，固相线温度为约560℃)进行tcb接合的情况下，在真空气氛下，在加热到540～560℃的状态下，以0.5～2.0kg/mm2的压力对陶瓷烧结体90实施数小时的加压。金属接合材料在tcb接合之前预先在与冷却基材30的孔30a、30b相对的位置分别设置孔。金属接合材料优选使用厚度为100μm左右的金属接合材料。
47.接着，对陶瓷烧结体90的外周进行切削而形成台阶，由此形成具备中央部22和外周部24的陶瓷基材20。另外，通过在冷却基材30中的插入有连接端子89的孔30b中填充导电材料而形成导孔29，在插入有供电端子54的孔30a中配置绝缘管55(图3的(f))。
48.接着，使用陶瓷粉末对陶瓷基材20的外周部24的侧面、接合层40的周围、冷却基材30的侧面以及冷却基材30的上表面中的露出的部分进行喷镀，从而形成绝缘膜42(图3的(g))。由此，得到晶片载置台10。
49.接着，使用图1对晶片载置台10的使用例进行说明。在腔室94的设置板96上，如上述那样设置有晶片载置台10。在腔室94的顶面配置有将工艺气体从多个气体喷射孔向腔室94的内部释放的喷头98。
50.在晶片载置台10的fr载置面24a上载置有聚焦环78，在晶片载置面22a上载置有圆盘状的晶片w。聚焦环78沿着上端部的内周具有台阶，以避免与晶片w干涉。在该状态下，对晶片吸附用电极26施加晶片吸附用直流电源52的直流电压而使晶片w吸附于晶片载置面22a。与此同时，对冷却基材30施加fr吸附用直流电源56的直流电压而使聚焦环78吸附于fr载置面24a。然后，将腔室94的内部设定为预定的真空气氛(或减压气氛)，一边从喷头98供给工艺气体，一边对冷却基材30施加来自源极用rf电源62的源极用rf电压和来自偏压用rf电源72的偏压用rf电压。于是，在内置于陶瓷基材20的中央部22的rf电极28与喷头98之间产生等离子体。然后，利用该等离子体对晶片w实施cvd成膜或实施蚀刻。源极用rf电压是为了生成等离子体而施加的，偏压用rf电压是为了向晶片w、聚焦环78引入离子而施加的。需要说明的是，伴随着对晶片w进行等离子体处理，聚焦环78也发生消耗，但由于聚焦环78比晶片w厚，因此聚焦环78的更换在对多张晶片w进行处理之后进行。
51.在本实施方式中，陶瓷基材20的外周部24的厚度为1mm以下。因此，通过施加于冷却基材30的偏压用rf电压，会高效地将离子引入聚焦环78。与此同时，通过施加于冷却基材
30的源极用rf电压，在聚焦环78的上空也会高效地生成等离子体。另一方面，对晶片吸附用电极26施加来自晶片吸附用直流电源52的直流电压。由此，晶片w被吸附于晶片载置面22a。因此，即使晶片w高温化，也能够将晶片w的热高效地向冷却基材30散逸。另外，对冷却基材30施加来自fr吸附用直流电源56的直流电压。由此，聚焦环78被吸附于fr载置面24a。因此，即使聚焦环78高温化，也能够将聚焦环78的热高效地向冷却基材30散逸。而且，由于陶瓷基材20的外周部24(作为电介质层发挥功能)的厚度为1mm以下，因此能够以足够的力将聚焦环78吸附于fr载置面24a。由于接合层40是金属接合层，热导率高，因此能够将晶片w、聚焦环78的热更高效地向冷却基材30散逸。
52.在以上说明的晶片载置台10中，陶瓷基材20的外周部24未内置电极，其厚度为1mm以下。因此，在将fr吸附用电压施加于冷却基材30的情况下，能够将聚焦环78静电吸附于fr载置面24a。另外，在将偏压用的rf电压施加于冷却基材30的情况下，冷却基材30与fr载置面24a之间的电抗变小，因此能够高效地进行由偏压用rf电压引起的离子向聚焦环78的引入。
53.另外，冷却基材30与fr吸附用直流电源56、源极用rf电源62以及偏压用rf电源72连接。因此，能够将冷却基材30及作为金属接合层的接合层40用作fr吸附用电极、fr侧的源极用rf电极及fr侧的偏压用rf电极。
54.而且，由于接合层40是金属接合层，因此能够视为冷却基材30的一部分。因此，与接合层40为树脂等的绝缘层的情况相比，能够进一步减小冷却基材30与聚焦环载置面24a之间的电抗。另外，由于接合层40的周围以接合层40不露出的方式被绝缘膜42覆盖，因此能够保护接合层40。
55.此外，陶瓷基材20的中央部22比外周部24厚，内置有晶片吸附用电极26，并且在与晶片载置面22a相反一侧的面与晶片吸附用电极26之间内置有rf电极28。rf电极28与冷却基材30连接，晶片吸附用电极26不与冷却基材30连接，而与晶片吸附用直流电源52连接。因此，在使晶片w吸附于晶片载置面22a的状态下，一边进行离子向晶片w的引入，一边在晶片w的上空高效地生成等离子体。
56.此外，陶瓷基材20优选为氧化铝基体，冷却基材30优选为sisicti板。这样一来，陶瓷基材20与冷却基材30的热膨胀系数之差变小，为1
×
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/k以下，因此即使在高温和低温下反复使用，耐久性也高。40～570℃的线热膨胀系数是：氧化铝为7.7
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10-6
/k、sisicti为7.8
×
10-6
/k。
57.需要说明的是，本发明不受上述实施方式的任何限定，不言而喻，只要属于本发明的技术范围就能够以各种方式实施。
58.例如，在上述的实施方式中，利用绝缘膜42覆盖接合层40的外周，但也可以取而代之，采用图4所示的o形环44、图5所示的树脂层46。在图4和图5中，对与上述实施方式相同的构成要素标注相同的附图标记。在图4中，在由陶瓷基材20的外周部24、接合层40的侧面和冷却基材30的上表面包围的空间配置有o形环44。在图5中，通过向该空间填充树脂，从而形成树脂层46。作为o形环44、树脂层46的材质，优选具有绝缘性的材质，更优选具有绝缘性和耐等离子体性的材质。作为具体的材质，可举出氟树脂(聚四氟碳等)、硅酮树脂等。即使在采用o形环44、树脂层46的情况下，接合层40也与绝缘膜42同样地被保护。需要说明的是，在图4以及图5中，也可以利用绝缘膜(例如陶瓷喷镀膜)覆盖冷却基材30的侧面以及冷却基材
30的上表面中的未被接合层40覆盖的部分。
59.在上述实施方式的晶片载置台10中，陶瓷基材20的中央部22内置有晶片吸附用电极26和rf电极28，但并不特别限定于此，例如也可以如图6～图8的晶片载置台110～310那样构成。需要说明的是，在图6～图8中，对与上述的实施方式相同的构成要素标注相同的附图标记。
60.在图6所示的晶片载置台110中，陶瓷基材120的中央部122内置有晶片吸附用电极26，但未内置rf电极。因此，能够使陶瓷基材120的整体的厚度(中央部122的厚度)比上述的实施方式的中央部22薄。聚焦环178的厚度能够与中央部122的厚度相应地比上述的实施方式的聚焦环78薄。与外周部24相同地，外周部124的厚度为1mm以下，且未内置电极。因此，在将fr吸附用电压施加于冷却基材30的情况下，能够将聚焦环178静电吸附于fr载置面24a。另外，在将偏压用rf电压施加于冷却基材30的情况下，冷却基材30与fr载置面24a之间的电抗小，因此能够高效地进行由偏压用rf电压引起的离子向聚焦环178的引入。作为金属接合层的接合层40实质上兼作fr吸附用电极、fr侧的源极用rf电极、fr侧的偏压用rf电极、晶片侧的源极用rf电极和晶片侧的偏压用rf电极。在晶片载置台110中，与像晶片载置台10那样将高频电极28内置于陶瓷基材120的情况相比，结构变得简单。
61.在图7所示的晶片载置台210中，陶瓷基材220的中央部222内置有晶片吸附用电极26，但未内置rf电极。因此，能够使陶瓷基材220的整体的厚度(中央部222的厚度)比上述的实施方式的中央部22薄。聚焦环278的厚度能够与中央部222的厚度相应地比上述的实施方式的聚焦环78薄。另外，晶片吸附用电极26和接合层40通过导电性的导孔27连接。因此，不需要图1所示的供电端子54、晶片吸附用直流电源52，而fr吸附用直流电源56兼作晶片吸附用直流电源。与外周部24相同地，外周部224的厚度为1mm以下，且未内置电极。因此，在将fr吸附用电压施加于冷却基材30的情况下，能够将聚焦环278静电吸附于fr载置面24a。另外，在将偏压用rf电压施加于冷却基材30的情况下，冷却基材30与fr载置面24a之间的电抗小，因此能够高效地进行由偏压用rf电压引起的离子向聚焦环278的引入。作为金属接合层的接合层40实质上兼作fr吸附用电极、fr侧的源极用rf电极及fr侧的偏压用rf电极。晶片吸附用电极26兼作晶片侧的源极用rf电极和晶片侧的偏压用rf电极。在晶片载置台210中，与晶片载置台10、110相比，兼作rf电极的晶片吸附用电极26与晶片载置面22a之间的电抗变得更小，因此能够更高效地进行离子向晶片w的引入、在晶片w的上空的等离子体的生成。在晶片载置台210中，与如晶片载置台10、110那样晶片吸附用电极26不与冷却基材30连接而与晶片吸附用直流电源52连接的情况相比，结构变得简单。另外，由于不需要在冷却基材30上设置用于供给电源的贯通孔，因此能够抑制温度的奇异点的生成。
62.在图8所示的晶片载置台310中，陶瓷基材320的中央部322既未内置晶片吸附用电极也未内置rf电极。在该情况下，陶瓷基材320的整体的厚度(中央部322的厚度)能够比图1、图6以及图7的中央部22、122、222薄。聚焦环378的厚度能够与中央部322的厚度相应地变薄。在图8中，中央部322的厚度与外周部324的厚度相同。与外周部24相同地，外周部324厚度为1mm以下，且未内置电极。因此，在将fr吸附用电压施加于冷却基材30的情况下，能够将聚焦环378静电吸附于fr载置面24a。另外，在将偏压用rf电压施加于冷却基材30的情况下，冷却基材30与fr载置面24a之间的电抗小，因此能够高效地进行由偏压用rf电压引起的离子向聚焦环378的引入。在晶片载置台310中，与晶片载置台10、110、210相比，能够使陶瓷基
材320的整体的厚度变薄，结构也变得简单。另外，由于不需要在冷却基材30上设置用于供给电源的贯通孔，因此能够抑制温度的奇异点的生成。需要说明的是，考虑到强度、绝缘耐压，也可以使中央部322的厚度比外周部324厚。
63.上述实施方式的冷却基材30具有制冷剂流路32，但也可以不具有制冷剂流路32。
64.在上述的实施方式中，通过模铸法制作了陶瓷成型体，但并不特别限定于此。例如，也可以将多个带状成型体层叠而制作陶瓷成型体。或者，也可以代替图3的(a)的第一以及第三陶瓷成型体81、83而使用第一以及第三陶瓷烧结体，在第一以及第三陶瓷烧结体之间形成陶瓷粉末层，在该状态下进行热压烧成，从而制作内置有晶片吸附用电极26和rf电极28的陶瓷烧结体90。
65.在上述实施方式的陶瓷基材20中，也可以根据需要埋设加热器电极。
66.[实施例]
[0067]
以下，对本发明的实施例进行说明。需要说明的是，以下的实施例并不对本发明进行任何限定。
[0068]
[实施例1]
[0069]
实施例1是图1所示的晶片载置台10，使用氧化铝基体作为陶瓷基材20，使用sisicti板作为冷却基材30，使用al-si-mg系接合材料的tcb接合层作为接合层40。氧化铝的介电常数为10[f/m]。将晶片载置面22a的直径设为300mm，将fr载置面24a的外径及内径分别设为340[mm]及305[mm]，将从晶片载置面22a到晶片吸附用电极26的距离dwc(参照图1)设为0.5[mm]，将从晶片载置面22a到rf电极28的距离dwp(参照图1)设为2.5[mm]，将从fr载置面24a到接合层40的距离df(参照图1，在实施例1中该距离df与外周部24的厚度相同)设为0.5[mm]。
[0070]
[实施例2]
[0071]
实施例2是图8所示的晶片载置台310，各构件的材料与实施例1相同。晶片载置面22a的直径、fr载置面24a的外径及内径与实施例1相同。将从晶片载置面22a到接合层40的距离d(参照图8)设为0.5[mm]。由于接合层40兼作fr吸附用电极、fr侧的源极用rf电极、fr侧的偏压用rf电极、晶片吸附用电极、晶片侧的源极用rf电极以及晶片侧的偏压用rf电极，因此该距离d相当于实施例1的距离dwc、dwp、df。
[0072]
[比较例1]
[0073]
对于比较例1，在实施例1中将陶瓷基材20的外周部24的厚度设为2.5[mm]，在其外周部24中的从fr载置面24a起深度0.5[mm]的位置埋设fr吸附用电极，在fr吸附用电极上经由供电端子(与接合层、冷却基材电绝缘)连接fr吸附用直流电源，除此以外，与实施例1同样。
[0074]
[实施例3]
[0075]
对于实施例3，在实施例1中使距离dwc(参照图1)为1.0[mm]、距离dwp(参照图1)为3.0[mm]、距离df(参照图1、在实施例3中该距离df与外周部24的厚度相同)为1.0[mm]，除此以外，与实施例1相同。
[0076]
[实施例4]
[0077]
对于实施例4，除了在实施例2中使距离d(参照图8)为1.0[mm]以外，与实施例2相同。
[0078]
[比较例2]
[0079]
对于比较例2，在实施例3中将陶瓷基材20的外周部24的厚度设为3.0[mm]，在其外周部24中的从fr载置面24a起深度1.0[mm]的位置埋设fr吸附用电极，在fr吸附用电极上经由供电端子(与接合层、冷却基材电绝缘)连接fr吸附用直流电源，除此以外，与实施例3相同。
[0080]
[结果]
[0081]
对于实施例1、2和比较例1，将源极用rf电压的频率设定为50[mhz]，将偏压用电压的频率设定为500[khz]，将晶片吸附用直流电压和fr吸附用直流电压设定为3[kv]。被吸附物的接触率(晶片载置面22a与晶片w的接触率以及fr载置面24a与聚焦环78的接触率)为100[％]。对于实施例3、4和比较例2，将源极用rf电压的频率设定为50[mhz]，将偏压用电压的频率设定为500[khz]，将晶片吸附用直流电压和fr吸附用直流电压设定为9[kv]。被吸附物的接触率为100[％]。
[0082]
求出将偏压用rf电压施加于冷却基材时的fr载置面与接合层之间的电抗。结果，在实施例1、2中为101[ω]，但在比较例1中为507[ω]。另外，在实施例3、4中为203[ω]，但在比较例2中为609[ω]。求出将源极用rf电压施加于冷却基材时的fr载置面与接合层之间的电抗。结果，在实施例1、2中为1.0[ω]，但在比较例1中为5.1[ω]。另外，在实施例3、4中为2.0[ω]，但在比较例2中为6.1[ω]。
[0083]
如上所示，在实施例1、2中，与比较例1相比，偏压用rf电压施加于冷却基材时的fr载置面与接合层之间的电抗小，因此能够高效地进行由偏压用rf电压引起的离子向聚焦环的引入。关于实施例3、4，也可以说与比较例2相比，获得了与上述同样的效果。另外，在实施例1、2中，与比较例1相比，源极用rf电压施加于冷却基材时的fr载置面与接合层之间的电抗小，因此能够高效地进行由源极用rf电压引起的聚焦环上方的等离子体的产生。关于实施例3、4，也可以说与比较例2相比，获得了与上述同样的效果。