半导体纳米粒子-配体复合体、其制造方法、感光树脂组合物及光学薄膜与流程

1.本发明涉及半导体纳米粒子-配体复合体、其制造方法、感光树脂组合物、光学薄膜、电发光二极管及电子装置。


背景技术：

2.目前广泛使用的液晶显示装置，因消费电力少，重量轻，能够将装置实现为薄膜型，从而用途比较广。但因没有自发光性，从而需要另外的背光，较之有机发光二极管，存在难以实现完美的黑色的问题。另外，有机发光二极管显示器因发光的有机物结构的限制，在具备广的颜色再现性方面存在难度。
3.为解决上述液晶显示装置的问题，近来开发出作为背光模块的光源使用进行蓝色发光的蓝色有机发光二极管，且利用作为将蓝色光转换成其他颜色的半导体纳米粒子-配体复合体的量子点的技术。
4.为利用量子点需要图案化包含量子点的层的工艺，但因量子点具有与图案化工艺的有机树脂相同的相容性，无法提高量子点的含量，从而在实现优秀的颜色特性方面存在难度。因此，为提高量子点图案化工艺性，需要改善与用于图案化工艺的有机树脂的相容性。


技术实现要素：

5.所要解决的课题
6.本发明的实施例可以提供具备低粘度及优秀的相容性的半导体纳米粒子-配体复合体及其制造方法。
7.另外，本发明的实施例可提供能够形成具备优秀的量子效率的光学薄膜的感光树脂组合物。
8.另外，本发明的实施例可提供具备优秀的量子效率的光学薄膜。
9.另外，本发明的实施例可提供具备优秀的量子效率的电发光二级管及电子装置。
10.课题解决方案
11.一方面，本发明的实施例提供一种包含以下述化学式1表示的配体半导体纳米粒子-配体复合体。
[0012][0013]
在上述化学式1中，
[0014]
1)x是结合于半导体纳米粒子的表面的官能团，为
–
s(h)或-p＝o(oh)2或-cooh；
[0015]
2)ra为h；-l
4-o-r1；c1～c
20
的烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；
[0016]
3)l4选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；
[0017]
4)l1及l2相互独立地选自由单键；c6～c
30
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
30
的杂环基；c1～c
20
的亚烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；化学式a；及其组合构成的组；
[0018]
[化学式a]
[0019][0020]
在上述化学式a中，
[0021]
4-1)*表示结合部位；
[0022]
4-2)q为o或s；
[0023]
4-3)k为1至12的整数；
[0024]
4-4)r3及r4相互独立地为氢或甲基；
[0025]
5)r1为上述化学式1-1；
[0026]
在上述化学式1-1中，
[0027]
6)l3选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；
[0028]
7)r2选自由氢；重氢、超重氢；卤素；氰基；硝基；c6～c
60
的芳基；芴基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c3～c
60
的脂环和c6～c
60
的芳环的稠环基；c1～c
50
的烷基；c2～c
20
的烯基；c2～c
20
的炔基；c1～c
30
的烷氧基；c6～c
30
的芳氧基；及-l'-n(ra)(rb)构成的组；
[0029]
8)l’选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；
[0030]
9)ra及rb相互独立地选自由c6～c
60
的芳基；芴基；c3～c
60
的脂环基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c1～c
50
的烷基；及其组合构成的组；
[0031]
10)a为0～5的整数；在a大于2的情况下，r2各为多个，彼此相同或不同，相邻的多个r2可彼此结合成环；
[0032]
11)上述l1至l3、l’、ra及rb、r2的亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；及c1～c
10
的烷基；构成的组的一个以上的取代基取代。
[0033]
根据另一方面，提供一种半导体纳米粒子-配体复合体的制造方法，包括：利用以下述化学式3-1或化学式3-2表示的化合物，表面改性半导体纳米粒子表面的步骤；及将利用以下述化学式3-1或化学式3-2表示的化合物表面改性的半导体纳米粒子的下述化学式3-1或化学式3-2的醇基(-oh)和异氰酸盐类化合物进行反应，以进行表面改性的步骤：
[0034][0035]
在上述化学式3-1或化学式3-2中，
[0036]
1)x是结合于半导体纳米粒子的表面的官能团，为
–
s(h)或-p＝o(oh)2或-cooh；
[0037]
2)l1及l2相互独立地选自由单键；c6～c
30
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
30
的杂环基；c1～c
20
的亚烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；化学式b；及其组合构成的组；
[0038]
[化学式b]
[0039][0040]
在上述化学式b中，
[0041]
2-1)*表示结合部位；
[0042]
2-2)q为o或s；
[0043]
2-3)k为1至12的整数；
[0044]
2-4)r3及r4相互独立地为氢或甲基；
[0045]
3)l4选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；
[0046]
在上述l1、l2及l4中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。
[0047]
上述异氰酸盐类化合物可以下述化学式9表示：
[0048]
[化学式9]
[0049][0050]
在上述化学式9中，
[0051]
1)l3选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；
[0052]
2)r2选自由氢；重氢、超重氢；卤素；氰基；硝基；c6～c
60
的芳基；芴基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c3～c
60
的脂环和c6～c
60
的芳环的稠环基；c1～c
50
的烷基；c2～c
20
的烯基；c2～c
20
的炔基；c1～c
30
的烷氧基；c6～c
30
的芳氧基；及-l'-n(ra)(rb)构成的组；
[0053]
3)l’选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；
[0054]
4)ra及rb相互独立地选自由c6～c
60
的芳基；芴基；c3～c
60
的脂环基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c1～c
50
的烷基；及其组合构成的组；
[0055]
5)a为0～5的整数；
[0056]
6)在上述l3、l’、r2、ra及rb中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组一个以上的取代基取代。
[0057]
另一方面，根据本发明的实施例，提供一种感光树脂组合物，包括：(a)以上述化学式1表示的半导体纳米粒子-配体复合体；(b)光交联单体及(c)引发剂。
[0058]
光交联单体可以下述化学式i表示：
[0059]
[化学式i]
[0060][0061]
在上述化学式i中，
[0062]
1)r5至r8相互独立地为氢或甲基；
[0063]
2)n3及n4相互独立地为1至15的整数；n3 n4≥1。
[0064]
上述感光树脂组合物，可相对于感光树脂组合物总量，包含上述半导体纳米粒子-配体复合体(a)10重量％至60重量％、上述光交联单体(b)30重量％至90重量％及上述引发剂(c)0.1重量％至10重量％。
[0065]
另一方面，根据本发明的实施例，提供一种光学薄膜，包括上述半导体纳米粒子-配体复合体且厚度为0.005μm至500μm。
[0066]
另一方面，根据本发明的实施例，提供一种包括上述光学薄膜的电发光二极管。
[0067]
另一方面，根据本发明的实施例的，提供一种电子装置，包括：显示装置，包括上述光学薄膜；及控制部，驱动上述显示装置。
[0068]
另一方面，根据本发明的实施例的，提供一种电子装置，包括：显示装置，包括上述电发光二极管；及控制部，驱动上述显示装置。
[0069]
发明效果
[0070]
根据本发明的实施例，提供包含以化学式1表示的配体的半导体纳米粒子-配体复合体，从而可制造具备低粘度计相容性的感光树脂组合物，可利用上述感光树脂组合物提供具备均匀且明显优秀的量子效率的光学薄膜，可提供包括上述光学薄膜的电发光二极管及电子装置。
附图说明
[0071]
图1为表示进行实施例1和比较例3的薄膜涂布的厚度及光特性评价的位置的示意图；
[0072]
图2为代表性地表示化学式1的示意图。
具体实施方式
[0073]
下面，结合示例性的附图对本发明的部分实施例进行详细说明。在给各附图的构成要素赋予附图标记时，即使表示于不同的附图中，对相同的构成要素尽可能赋予相同的标记。另外，在详细说明本发明的过程中，若认为对相关已公开功能或结构的具体说明有碍于对本发明的理解，则将省略其详细说明。
[0074]
在本说明书中涉及的“包括”、“具备”、“构成”等，若不使用“仅”，则可添加其他部分。在用单数表示构成要素时，若无特别明示的记载事项，则可以包括复数的情况。
[0075]
另外，在说明本发明的构成要素时，可使用第一、第二、a、b、(a)、(b)等术语。上述术语只是用于区分一个构成要素和另一构成要素，而相应构成要素的本质、次序、顺序或个数不受上述术语的限制。
[0076]
在对构成要素之间的关系的说明中，在记载两个以上的构成要素“连接”、“结合”或“相连”时，可理解为两个以上的构成要素可以直接连接”、“结合”或“相连”，或“借由”其他构成要素连接”、“结合”或“相连”两个以上的构成要素。在此，其他构成要素可包括在相互“连接”、“结合”或“相连”的构成要素中的一个以上。
[0077]
另外，在描述某构成要素在其他构成要素“之上”或“上”时，应理解这不仅包括其他构成要素“直接在上面”的情况，还可包括其中间包括其他构成要素的情况。与此相反，在描述某个构成要素直接在其他部分“之上”时，应理解中间不存在其他部分。另外，描述位于成为进准的部分之“之上”或“上”是指位于成为基准的部分的上面或下面，不是非要把重力的相反方向规定为“之上”或“上”。
[0078]
在对构成要素或运行方法或制作方法相关的时间流动关系的说明中，例如用“～后”、“接着”、“～之后”、“～之前”等说明时间先后关系或流动先后关系时，如不适用“立即”或“直接”，则可包括不连续的情况。
[0079]
另外，在提起对构成要素的数值或其对应信息时，即使没有其他的明确的记载，数值或其对应信息可解释为包括因各种因素(例如，工艺上的因素、内部或外部冲击、噪声等)产生的误差范围。
[0080]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“卤代”或“卤素”是指称氟(f)、氯(cl)、溴(br)或碘(i)。
[0081]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“烷基”、“烷基基团”或“亚烷基基团”具备由单键连接的1至60的碳，指包括直链烷基、分子链烷基、环烷基(脂环族)、烷基-取代环烷基、环烷基-取代烷基在内的饱和脂肪族官能团的自由基。
[0082]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“烯基”或“烯基基团”各具备双键，包括直链型或侧链型基，具备2至60的碳数。
[0083]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“炔基”或“炔基基团”，各具备三键，包括直链型或侧链型基，具备2至60的碳数。
[0084]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“环烷基”是指用于形成具备3至60的碳数的环的烷，但非限制。
[0085]
用于本说明书的术语“烷氧基”是指结合有氧自由基的烷基，除另外说明的之外，
可具备1至60的碳数，但非限制。
[0086]
用于本说明书的术语“烯氧基”是指附着有氧自由基的烯基，除另外说明的之外，可具备2至60的碳数，但非限制。
[0087]
用于本说明书的术语“烷硫基”是指附着有硫自由基的烷基，除另外说明的之外，可具备1至60的碳数，但非限制。
[0088]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“芳基”及“亚芳基”各具备6至60的碳数，但非限制。在本发明的实施例中，芳基或亚芳基是指单环或多环的芳香族化合物。例如，芳基可以是苯基、联苯的1价官能团、萘的1价官能团、芴基或螺旋芴基。
[0089]
用于本说明书的前缀“芳基”是被指芳基取代的自由基。例如，芳烷基为被芳基取代的烷基，芳烯基为被芳基取代的烯基，而被芳基取代的自由基具备在本说明书中说明的碳数。另外，在前缀连续命名的情况下，意味着按首先记载的顺序罗列取代基。例如，在芳烷氧基的情况下是指被芳基取代的烷氧基，在烷氧羰基的情况下是指被烷氧基取代的羰基，另外，在在芳羰基烯基的情况下是指被芳羰基取代的烯基，在此，芳羰基为被芳基取代的羰基。
[0090]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“芴基”或“亚芴基”可各指芴的1价或2价的官能团。“被取代的“芴基”或“被取代的亚芴基”可以是指被取代的芴的1价或2价官能团。“被取代的芴”是指下述取代基r、r'、r"及r'”中的至少一个为氢之外的官能团，包括r和r’相互结合并与其结合的碳一同形成螺旋化合物的情况。
[0091][0092]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“螺旋化合物”具备“螺旋连接(spiro union)”，而螺旋连接是指两个环只共享一个原子而形成的连接。此时，被两个环共享的原子称为“螺旋原子”，根据包含于一种化合物的螺旋原子数，可将其称为“单螺旋
‑”
、“双螺旋
‑”
、“三螺旋
‑”
化合物。
[0093]
用于本说明书的术语“杂环基”不仅包括“杂芳基”或“杂亚芳基”等芳环，还可包括脂环，除另外说明的之外，是指各包含一个以上的杂环原子的碳数2至60的单环及多环，但非限制。
[0094]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“脂肪族”是指碳数1至60的脂肪族碳氢，但非限制。
[0095]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“脂环”是指碳数3至60的脂肪族碳氢环，但非限制。
[0096]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“杂环原子”是指n、o、s、p或si。
[0097]
另外，“杂环基”可替代形成环的碳而包括包含so2的环。例如，“杂环基”可包括如下化合物：
[0098]
[0099]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“环”包括单环及多环，不仅包括碳氢环，还包括包含至少一个杂环原子的杂环，还可包括芳香族及脂环。
[0100]
除另外说明的之外，用于本说明书的术语“多环”及“多重环”包括联苯、三联苯等集合环(ring assemblies)、稠合的(fused)多个环类及螺旋化合物，不仅包括芳香族还包括脂肪族，而且，不仅包括碳氢环，还可包括包含至少一个杂环原子的杂环。
[0101]
另外，除另外明确说明的之外，在用于本说明书的术语“被取代的或未被取代的”中，“取代”是指被选自包括重氢、卤素、氨基、腈基、硝基、c1～c
20
的烷基、c1～c
20
的烷氧基、c1～c
20
的烷胺基、c1～c
20
的烷噻吩基、c6～c
20
的芳噻吩基、c2～c
20
的烯基、c2～c
20
的炔基、c3～c
20
的环烷基、c6～c
20
的芳基、被重氢取代的c6～c
20
的芳基、c8～c
20
的芳烯基、硅烷基、硼基、锗基及包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基的组的一个以上的取代基取代，但不受上述取代基的限制。
[0102]
在本技术中，作为各记号及其取代基的例示出的涉及芳基、亚芳基、杂环基等“官能团名称”可记载“反映价数的官能团的名称”，但也可以用“母体化合物名称”记载。例如，在作为芳基的一种的“菲”的情况下，虽然可区分价数记载基的名称，如1价的基记载为“菲基”，2价的基记载为“亚菲基”等，但也与价数无关，可用作为母体化合物的“菲”记载。与此相似，在“嘧啶”的情况下，不受价数的约束记载为“嘧啶”，或在1价的情况下记载为嘧啶基，在2价的情况下记载为亚嘧啶基等，可用相应价数的“基的名称”记载。因此，在本技术中，在用母体化合物名称记载取代基的种类的情况下，可以是指与母体化合物的碳原子及/或杂环原子结合的氢原子脱离形成的n价的“基”。
[0103]
在本说明书中，在记载化合物名称或取代基名称时，可省略表示位置的数字和字母等。例如，可将吡啶并[4,3-d]嘧啶表示为吡啶并嘧啶，可将苯并呋喃并[2,3-d]嘧啶表示为苯并呋喃并嘧啶，可将9,9-二甲基-9h-芴表示为二甲基芴等。因此，可将苯并[g]喹喔啉或苯并[f]喹喔啉都记载为苯并喹喔啉。
[0104]
另外，除另外明确说明的之外，用于本技术的化学式，可同样采用根据下述化学式的指数定义的取代基的定义。
[0105][0106]
在此，a为0的情况下，取代基r1不存在，在a为1的情况下，一个取代基r1结合于形成苯环的碳中的任一碳，在a为2或3的情况下，各结合成如下所示的形式，此时r1可彼此相同或不同，在a为4至6的整数的情况下，通过与此类似的方式结合于苯环的碳，另外，结合于形成苯环的碳的氢的表示可以省略。
[0107][0108]
在本技术中，取代基之间相互结合成环的是指相互结合的多个取代基共享任意原子，例如，碳原子、作为杂环原子的o、n、s、si及p中至少一个原子，形成饱和或不饱和环。例
～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组。
[0122]
在上述l4中，亚芳基例如可以为c6～c
20
的亚芳基或c6～c
18
的亚芳基。例如，上述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0123]
在上述l4中，杂环基例如可以为c2～c
20
的杂环基或c2～c
18
的杂环基。例如，上述杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0124]
在上述l4中，亚烷基例如可以为c1～c
10
的亚烷基。例如，上述亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0125]
在上述l4中，烷氧基例如可以为c1～c
10
的烷氧基。例如，上述烷氧基可以为甲氧基、t-丁氧基等。
[0126]
在上述l4中，烷硫基例如可以为c1～c
10
的烷硫基。例如，上述烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0127]
4)l1及l2相互独立地选自由单键；c6～c
30
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
30
的杂环基；c1～c
20
的亚烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；化学式a；及其组合构成的组；
[0128]
[化学式a]
[0129][0130]
在上述化学式a中，
[0131]
4-1)*表示结合部位；
[0132]
4-2)q为o或s；
[0133]
4-3)k为1至12的整数；
[0134]
4-4)r3及r4相互独立地为氢或甲基。
[0135]
上述l1及l2相互独立，从其组合进行选择是指从上面罗列的2价自由基的多个组合进行选择，例如，第一自由基-第二自由基等相互独立选择的自由基，可以指称两个以上相互连接的形式。
[0136]
在上述l1及l2中，亚芳基例如可以为c6～c
20
的亚芳基或c6～c
18
的亚芳基。例如，上述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0137]
在上述l1及l2中，杂环基例如可以为c2～c
20
的杂环基或c2～c
18
的杂环基。例如，上述杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0138]
在上述l1及l2中，亚烷基例如可以为c1～c
10
的亚烷基。例如，上述亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0139]
在上述l1及l2中，烷氧基例如可以为c1～c
10
的烷氧基。例如，上述烷氧基可以为甲氧基、t-丁氧基等。
[0140]
在上述l1及l2中，烷硫基例如可以为c1～c
10
的烷硫基。例如，上述烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0141]
5)r1为上述化学式1-1；
[0142]
在上述化学式1-1中，
[0143]
6)l3选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组。
[0144]
l3从其组合进行选择是指从上面罗列的2价自由基的多个组合进行选择，例如，第一自由基-第二自由基等相互独立选择的自由基，可以指称两个以上相互连接的形式。
[0145]
在上述l3中，亚芳基例如可以为c6～c
18
的亚芳基。例如，上述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0146]
在上述l3中，杂环基例如可以为c2～c
18
的杂环基。例如，杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0147]
在上述l3中，亚烷基例如可以为c1～c5的亚烷基。例如，亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0148]
在上述l3中，烷氧基例如可以为c1～c5的烷氧基。例如，烷氧基可以为甲氧基及t-丁氧基等。
[0149]
在上述l3中，烷硫基例如可以为c1～c5的烷硫基。例如，烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0150]
7)r2选自由氢；重氢、超重氢；卤素；氰基；硝基；c6～c
60
的芳基；芴基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c3～c
60
的脂环和c6～c
60
的芳环的稠环基；c1～c
50
的烷基；c2～c
20
的烯基；c2～c
20
的炔基；c1～c
30
的烷氧基；c6～c
30
的芳氧基；及-l'-n(ra)(rb)构成的组。
[0151]
在上述r2为芳基的情况下，较佳为c6～c
30
的芳基，更较佳为c6～c
18
的芳基，例如苯、联苯、萘、三联苯等。
[0152]
在上述r2为芴基的情况下，较佳为9,9-二甲基-9h-芴、9,9-二苯-9h-芴基、9,9'-螺旋二芴等。
[0153]
在上述r2为杂环基的情况下，较佳为c2～c
30
的杂环基，更较佳为c2～c
18
的杂环基，例如二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩、萘并苯并呋喃等。
[0154]
在上述r2为烷基的情况下，较佳为c1～c
10
的烷基，例如甲基、t-丁基等。
[0155]
在上述r2为烷氧基的情况下，较佳为c1～c
20
的烷氧基，更较佳为c1～c
10
的烷氧基，例如甲氧基、t-丁氧基等。
[0156]
8)l’选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组。
[0157]
l’从其组合进行选择是指从上面罗列的2价自由基的多个组合进行选择，例如，第一自由基-第二自由基等相互独立选择的自由基，可以指称两个以上相互连接的形式。
[0158]
在上述l’中，亚芳基例如可以为c6～c
18
的亚芳基。例如，上述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0159]
在上述l’中，杂环基例如可以为c2～c
18
的杂环基。例如，上述杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0160]
在上述l’中，亚烷基例如可以为c1～c5的亚烷基。例如，上述亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0161]
在上述l’中，烷氧基例如可以为c1～c5的烷氧基。例如，上述烷氧基可以为甲氧基及t-丁氧基等。
[0162]
在上述l’中，烷硫基例如可以为c1～c5的烷硫基。例如，上述烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0163]
在上述l’中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基、烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。
[0164]
9)ra及rb相互独立地选自由c6～c
60
的芳基；芴基；c3～c
60
的脂环基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c1～c
50
的烷基；及其组合构成的组。
[0165]
在上述ra及rb为芳基的情况下，较佳为c6～c
30
的芳基，更较佳为c6～c
18
的芳基，例如苯、联苯、萘、三联苯等。
[0166]
在上述ra及rb为芴基的情况下，较佳为9,9-二甲基-9h-芴、9,9-二苯-9h-芴基、9,9'-螺旋二芴等。
[0167]
在上述ra及rb为杂环基的情况下，较佳为c2～c
30
的杂环基，更较佳为c2～c
18
的杂环基，例如二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩、萘并苯并呋喃等。
[0168]
在上述ra及rb为烷基的情况下，较佳为c1～c
10
的烷基，例如甲基、t-丁基等。
[0169]
10)a为0～5的整数；在a大于2的情况下，r2各为多个，彼此相同或不同，相邻的多个r2可彼此结合成环。
[0170]
11)上述l1至l3、l’、ra及rb、r2的亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；及c1～c
10
的烷基；构成的组的一个以上的取代基取代。
[0171]
以上述化学式1表示的配体可以下述化学式中的任一个表示：
[0172]
[化学式2-1]
[0173][0174]
[化学式2-2]
[0175][0176]
在上述化学式2-1及化学式2-2中，
[0177]
1)x、l1～l4、r2及a与在上述化学式1中定义的一样；
[0178]
2)在上述化学式2-2中，各l3、r2或a相同或不同；
[0179]
3)上述l1至l4及r2的亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；及c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。
[0180]
以上述化学式1表示的配体可以下述化学式中的任一个表示，但非限制：
[0181]
[0182]
[0183]
[0184]
[0185]
[0186][0187]
半导体纳米粒子可包括中心粒子。上述中心粒子可以单层或多层结构构成。上述中心粒子可由
ⅱ‑ⅵ
族化合物、
ⅱ‑
v族化合物、
ⅲ‑
v族化合物、
ⅲ‑ⅳ
族化合物、
ⅲ‑ⅵ
族化合物、
ⅳ‑ⅵ
族化合物或其混合物构成。另外，在中心粒子中可掺杂或合金化杂质。上述“混合物”不仅是上述化合物的单纯混合物(mixture)，还包括三成分类化合物、四成分类化合物、在其混合物中掺杂有杂质的情况等。
[0188]
上述ⅱ族元素可从由zn、cd、hg及mg构成的组选择一种以上，上述ⅲ族元素可从由al、ga、in及ti构成的组选择一种以上。
[0189]
上述ⅳ族元素可从由si、ge、sn及pb构成的组选择一种以上，上述ⅵ族元素可从由o、s、se及te构成的组选择一种以上，v族元素可从由p、as、sb及bi构成的组选择一种以上。
[0190]
ⅱ‑ⅵ
族化合物例如可以为硫化镁(mgs)、硒化镁(mgse)、碲化镁(mgte)、硫化钙(cas)、硒化钙(case)、碲化钙(cate)、硫化锶(srs)、硒化锶(srse)、碲化锶(srte)、硫化镉
butylphosphine)等的膦化合物(phosphine compound)；三辛基氧化膦(trioctylphosphine oxide)等的膦氧化物(phosphine oxide)；吡啶(pyridine)或噻吩(thiophene)等。
[0202]
本发明中推荐的能够与配体一同使用的上述配体的种类，不受上述示例的限制。
[0203]
半导体纳米粒子-配体复合体的配体可防止相邻的中心粒子相互凝聚猝灭(quenching)。上述配体可与上述中心粒子结合且具备疏水性(hydrophobic)特性。
[0204]
另一方面，根据本发明的实施例，可提供半导体纳米粒子-配体复合体的制造方法。
[0205]
半导体纳米粒子-配体复合体的制造方法，包括：对半导体纳米粒子进行表面改性的第一表面改性步骤；及对在上述第一表面改性步骤经过表面改性半导体纳米粒子，进行表面改性的第二表面改性步骤。
[0206]
在说明根据本发明的实施例的半导体纳米粒子-配体复合体的制造方法的过程中，对半导体纳米粒子的事项，除特殊说明的之外，与上述根据本发明的实施例的半导体纳米粒子-配体复合体说明的内容相同，因此，在此不再赘述。
[0207]
第一表面改性步骤为利用以下述化学式3-1或化学式3-2表示化合物对半导体纳米粒子表面进行表面改性的步骤。
[0208][0209]
下面,对上述化学式3-1或化学式3-2进行说明。
[0210]
1)x是结合于半导体纳米粒子的表面的官能团，为
–
s(h)或-p＝o(oh)2或-cooh。
[0211]
2)l1及l2相互独立地选自由单键；c6～c
30
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
30
的杂环基；c1～c
20
的亚烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；化学式b；及其组合构成的组。
[0212]
[化学式b]
[0213][0214]
在上述化学式b中，
[0215]
2-1)*表示结合部位；
[0216]
2-2)q为o或s；
[0217]
2-3)k为1至12的整数；
[0218]
2-4)r3及r4相互独立地为氢或甲基。
[0219]
l1及l2从其组合进行选择是指从上面罗列的2价自由基的多个组合进行选择，例如，第一自由基-第二自由基等相互独立选择的自由基，可以指称两个以上相互连接的形式。
[0220]
在上述l1及l2中，亚芳基例如可以为c6～c
20
的亚芳基或c6～c
18
的亚芳基。例如，上
述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0221]
在上述l1及l2中，杂环基例如可以为c2～c
20
的杂环基或c2～c
18
的杂环基。例如，上述杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0222]
在上述l1及l2中，亚烷基例如可以为c1～c
10
的亚烷基。例如，上述亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0223]
在上述l1及l2中，烷氧基例如可以为c1～c
10
的烷氧基。例如，上述烷氧基可以为甲氧基、t-丁氧基等。
[0224]
在上述l1及l2中，烷硫基例如可以为c1～c
10
的烷硫基。例如，上述烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0225]
3)l4选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组。
[0226]
l4从其组合进行选择是指从上面罗列的2价自由基的多个组合进行选择，例如，第一自由基-第二自由基等相互独立选择的自由基，可以指称两个以上相互连接的形式。
[0227]
在上述l4中，亚芳基例如可以为c6～c
18
的亚芳基。例如，上述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0228]
在上述l4中，杂环基例如可以为c2～c
18
的杂环基。例如，上述杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0229]
在上述l4中，亚烷基例如可以为c1～c5的亚烷基。例如，上述亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0230]
在上述l4中，烷氧基例如可以为c1～c5的烷氧基。例如，上述烷氧基可以为甲氧基及t-丁氧基等。
[0231]
在上述l4中，烷硫基例如可以为c1～c5的烷硫基。例如，上述烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0232]
在上述l1、l2及l4中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。
[0233]
第二表面改性步骤为将利用以上述化学式3-1及化学式3-2表示化合物进行表面改性的半导体纳米粒子和异氰酸盐类化合物进行反应，以进行表面改性的步骤。
[0234]
上述异氰酸盐类化合物可以下述化学式9表示：
[0235]
[化学式9]
[0236][0237]
下面，对上述化学式9进行说明。
[0238]
1)l3选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一
种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组。
[0239]
l3从其组合进行选择是指从上面罗列的2价自由基的多个组合进行选择，例如，第一自由基-第二自由基等相互独立选择的自由基，可以指称两个以上相互连接的形式。
[0240]
在上述l3中，亚芳基例如可以为c6～c
18
的亚芳基。例如，上述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0241]
在上述l3中，杂环基例如可以为c2～c
18
的杂环基。例如，上述杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0242]
在上述l3中，亚烷基例如可以为c1～c5的亚烷基。例如，上述亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0243]
在上述l3中，烷氧基例如可以为c1～c5的烷氧基。例如，上述烷氧基可以为甲氧基及t-丁氧基等。
[0244]
在上述l3中，烷硫基例如可以为c1～c5的烷硫基。例如，上述烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0245]
在上述l3中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基、烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。
[0246]
2)r2选自由氢；重氢、超重氢；卤素；氰基；硝基；c6～c
60
的芳基；芴基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c3～c
60
的脂环和c6～c
60
的芳环的稠环基；c1～c
50
的烷基；c2～c
20
的烯基；c2～c
20
的炔基；c1～c
30
的烷氧基；c6～c
30
的芳氧基；及-l'-n(ra)(rb)构成的组。
[0247]
在上述r2为芳基的情况下，较佳为c6～c
30
的芳基，更较佳为c6～c
18
的芳基，例如苯、联苯、萘、三联苯等。
[0248]
在上述r2为芴基的情况下，较佳为9,9-二甲基-9h-芴、9,9-二苯-9h-芴基、9,9'-螺旋二芴等。
[0249]
在上述r2为杂环基的情况下，较佳为c2～c
30
的杂环基，更较佳为c2～c
18
的杂环基，例如二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩、萘并苯并呋喃等。
[0250]
在上述r2为烷基的情况下，较佳为c1～c
10
的烷基，例如甲基、t-丁基等。
[0251]
在上述r2为烷氧基的情况下，较佳为c1～c
20
的烷氧基，更较佳为c1～c
10
的烷氧基，例如甲氧基、t-丁氧基等。
[0252]
上述r2的的亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；及c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。
[0253]
3)l’选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组。
[0254]
l’从其组合进行选择是指从上面罗列的2价自由基的多个组合进行选择，例如，第一自由基-第二自由基等相互独立选择的自由基，可以指称两个以上相互连接的形式。
[0255]
在上述l’中，亚芳基例如可以为c6～c
18
的亚芳基。例如，上述亚芳基可以为苯、联苯、萘及三联苯等。
[0256]
在上述l’中，杂环基例如可以为c2～c
18
的杂环基。例如，上述杂环基可以为吡啶、嘧啶、苯并呋喃、苯并噻吩、二恶英、二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩及萘并苯并呋喃等。
[0257]
在上述l’中，亚烷基例如可以为c1～c5的亚烷基。例如，上述亚烷基可以为亚甲基、亚乙基及t-亚丁基等。
[0258]
在上述l’中，烷氧基例如可以为c1～c5的烷氧基。例如，上述烷氧基可以为甲氧基及t-丁氧基等。
[0259]
在上述l’中，烷硫基例如可以为c1～c5的烷硫基。例如，上述烷硫基可以为甲硫基及t-丁硫基等。
[0260]
在上述l’中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基、烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。
[0261]
4)ra及rb相互独立地选自由c6～c
60
的芳基；芴基；c3～c
60
的脂环基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c1～c
50
的烷基；及其组合构成的组。
[0262]
在上述ra及rb为芳基的情况下，较佳为c6～c
30
的芳基，更较佳为c6～c
18
的芳基，例如苯、联苯、萘、三联苯等。
[0263]
在上述ra及rb为芴基的情况下，较佳为9,9-二甲基-9h-芴、9,9-二苯-9h-芴基、9,9'-螺旋二芴等。
[0264]
在上述ra及rb为杂环基的情况下，较佳为c2～c
30
的杂环基，更较佳为c2～c
18
的杂环基，例如二苯并呋喃、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩、萘并苯并呋喃等。
[0265]
在上述ra及rb为烷基的情况下，较佳为c1～c
10
的烷基，例如甲基、t-丁基等。
[0266]
5)a为0～5的整数；在a大于2的情况下，r2各为多个，彼此相同或不同，相邻的多个r2可彼此结合成环。
[0267]
6)在上述l3、l’、r2、ra及rb中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组一个以上的取代基取代。
[0268]
另一方面，根据本发明的实施例，可提供感光树脂组合物。
[0269]
上述感光树脂组合物，包括：(a)半导体纳米粒子-配体复合体；(b)光交联单体；及(c)引发剂。
[0270]
在说明根据本发明的实施例的感光树脂组合物的过程中，对半导体纳米粒子-配体复合体的事项，除特殊说明的之外，与上述根据本发明的实施例的半导体纳米粒子-配体复合体说明的内容相同，因此，在此不再赘述。
[0271]
上述感光树脂组合物，可相对于感光树脂组合物总量，包含半导体纳米粒子-配体复合体10重量％至60重量％。上述半导体纳米粒子-配体复合体的含量的下限可以为大于20重量％或大于30重量％。上述半导体纳米粒子-配体复合体的含量的上限可以为小于60重量％。在感光树脂组合物以上述含量包含半导体纳米粒子-配体复合体的情况下，可实现充分的发光效果且具备适合于涂布及喷墨的粘度。
[0272]
光交联单体可以是具备一个乙烯性不饱和双键的甲基丙烯酸的单管能酯或具备至少两个乙烯性不饱和双键的甲基丙烯酸的多管能酯。多管能酯例如可以为二管能酯、三管能酯或四管能酯。
[0273]
在本发明中，光交联单体可使用一种或混用两种以上。
[0274]
上述光交联单体因具备上述乙烯性不饱和双键，在图案形成工艺的曝光时，产生足够的聚合，从而可形成耐热性、耐光性及耐化学性优秀的图案。
[0275]
上述光交联单体具体例有单管能酯的甲基丙烯酸乙二醇酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丙酯、n-甲基丙烯酸丁酯、t-甲基丙烯酸丁酯、甲基丙烯酸己酯、甲基丙烯酸乙基己基酯、甲基丙烯酸十二烷酯、甲基丙烯酸辛酯,甲基丙烯酸环己酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸四环癸酯、n-苯基马来酰亚胺、n-环己基马来酰亚胺、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸异冰片酯、苯乙烯、醋酸乙烯、乙烯吡咯烷酮等，多管能酯的二丙烯酸乙二醇酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二丙烯酸二乙二醇酯、二丙烯酸三乙二醇酯、二甲基丙烯酸三乙二醇酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二甲基丙烯酸酯、二丙烯酸丙二醇酯、二甲基丙烯酸丙二醇酯、二丙烯酸二丙二醇酯、二甲基丙烯酸二丙二醇酯、二丙烯酸三丙二醇酯、二甲基丙烯酸三丙二醇酯、三丙烯酸异戊四醇酯、五丙烯酸二异戊四醇酯、六丙烯酸二异戊四醇酯,环氧丙烯酸酚甲烷a酯、丙烯酸乙二醇单甲醚酯、三丙烯酸三羟甲基丙烷酯等，在此，可提出乙烯氧基或连接γ或ε-内脂e链的多丙烯酸酯等，但非限制。
[0276]
上述光交联单体的市售的产皮例如如下：
[0277]
上述甲基丙烯酸的二管能酯的例有东亚合成株式会社的aronyx m-210、m-240、m-6200等，日本化药株式会社的kayarad hdda、hx-220、r-604等和大阪有机化学工业株式会社的v-260、v-312、v-335hp、v-1000、v-802等。
[0278]
上述甲基丙烯酸的三管能酯的例有东亚合成株式会社的aronyx m-309、m-400、m-405、m-450、m-7100、m-8030、m-8060，日本化药株式会社的kayarad tmpta、dpca-20、dpca-60、dpca-120等和大阪有机化学工业株式会社的v-295、v-300、v-360等。
[0279]
上述光交联单体可以下述化学式i表示：
[0280]
[化学式i]
[0281][0282]
在上述化学式i中，
[0283]
1)r5至r8相互独立地为氢或甲基；
[0284]
2)n3及n4相互独立地为1至15的整数；n3 n4≥1。
[0285]
具体而言，以上述化学式i表示的化合物可以是下述化合物m-1至m-18中的一种，但非限制。
[0286][0287]
为赋予更加优秀的显影性，上述光交联单体也可以利用酸酐进行处理之后使用。上述光交联单体，相对于上述感光树脂组合物总量，可包含30重量％至90重量％或35重量％至85重量％。光交联单体以上述范围包含时，能够添加足够的半导体纳米粒子和引发剂，从而可具备足够的发光量，表现出高的可靠性。
[0288]
感光树脂组合物还可包括粘结剂树脂。
[0289]
粘结剂树脂可以是从由丙烯酸树脂及环氧树脂构成的组选择的一种以上。
[0290]
上述引发剂可使用光聚合引发剂及热聚合引发剂中的一种以上。
[0291]
上述光聚合引发剂例如可使用乙酰苯类化合物、二苯甲酮类化合物、噻吨酮类化合物、安息香类化合物、肟酯类化合物、磷类化合物及三嗪类化合物中的一种以上。
[0292]
上述乙酰苯类化合物的例有2,2'-二乙氧基乙酰苯、2,2'-二丁氧基乙酰苯、2-氢氧基-2-对甲基苯丙酮、p-t-丁三氯乙酰苯、p-t-丁二氯乙酰苯、4-氯乙酰苯、2,2'-二氯-4-苯氧基乙酰苯、2-甲基-1-(4-(甲硫基)苯)-2-吗啉代丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲氨基-1-(4-吗啉代苯基)-丁烷-1-酮等。
[0293]
上述二苯甲酮类化合物的例有二苯甲酮、二苯基酮甲酸、甲二苯基酮甲酸、4-苯二苯甲酮、氢氧基二苯甲酮、丙烯化二苯甲酮、4,4'-二(二甲氨基)二苯甲酮、4,4'-二(二乙氨基)二苯甲酮、4,4'-二甲氨基二苯甲酮、4,4'-二氯二苯甲酮、3,3'-二甲基-2-甲氧基二苯甲酮等。
[0294]
上述噻吨酮类化合物可以有噻吨酮、2-氯噻吨酮(2-chlorthioxanthone)、2-甲基噻吨酮、异丙基噻吨酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,4-二异丙基噻吨酮、2-氯噻吨酮等。
[0295]
上述安息香类化合物例有安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、安息香异丁醚、二苯基碘鎓盐等。
[0296]
上述肟酯类化合物的例有2-(o-苯甲羟肟酸)-1-[4-(苯硫基)苯]-1,2-辛二醇、1-(o-乙酰基肟)-1-[9-乙基-6-(2-甲苄基)-9h-咔唑-3-基]乙酰基、o-乙氧羰基-α-羟亚胺基-1-苯丙烷-1-酮、2-二甲氨基-2-(4-甲苄基)-1-(4-吗啉-4-基-苯)-丁烷-1-酮、1-(4-苯磺酰基-苯基)-丁烷-1,2-二酮2-肟-o-苯甲酸盐、1-(4-苯磺酰基-苯基)-辛烷-1,2-二酮2-肟-o-苯甲酸盐、1-(4-苯磺酰基-苯基)-辛烷-1-酮肟-o-醋酸盐及1-(4-苯磺酰基-苯基)-丁烷-1-酮肟-o-醋酸盐、1-(4-甲磺酰-苯)-丁烷-1-酮肟-o-醋酸盐、异亚硝基-(4-甲磺酰-苯)-乙酸乙酯-o-醋酸盐、异亚硝基-(4-甲磺酰-苯)-乙酸乙酯-o-苯甲酸盐等。
[0297]
上述磷类化合物有二苯(2,4,6-三甲苄基)氧化膦、苄基(二苯)氧化膦、二苯(2,4,6-三甲苄基)氧化膦等。
[0298]
上述三嗪类化合物的例有2,4,6-三氯-s-三嗪、2-苯4,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(3’、4'-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4'-甲氧基萘)-4,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(p-甲氧基苯)-4,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(p-甲苯基)-4,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-二苯4,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、二(三氯甲基)-6-苯乙烯基-s-三嗪、2-(萘并1-基)-4,6-二(三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘并1-基)-4,6-(三氯甲基)-s-三嗪、2-4-三氯甲基(胡椒基)-6-三嗪、2-4-三氯甲基(4'-甲氧基苯乙烯基)-6-三嗪等。
[0299]
上述光聚合引发剂除上述化合物之外，还可以使用咔唑类化合物、二酮类化合物、硼酸锍类化合物、重氮类化合物、咪唑类化合物、联咪唑类化合物等。
[0300]
上述热聚合引发剂可使用过氧化物类化合物、偶氮类化合物等。
[0301]
上述过氧化物类化合物的例有甲基乙基酮过氧化物、甲基异丁基酮过氧化物、环己酮过氧化物、甲基环己酮过氧化物、乙酰丙酮过氧化物等的酮过氧化物类；异丁酰过氧化物、2,4-二氯苯甲酰过氧化物、o-甲苄基过氧化物、二-3,5,5-三甲基己酰过氧化物等的二酰基过氧化物类；2,4,4、-三甲基戊烷基-2-氢过氧化物、异丁基苯氢过氧化物过氧化物、氢过氧化枯烯、t-丁基过氧化氢等的氢过氧化物类；过氧化二异丙苯、2,5-二甲基-2,5-二(t-丁基过氧基)己烷、1,3-二(t-丁氧异丙)苯、t-丁基过氧基戊酸n-丁酯等的二烷基过氧化物类；2,4,4-三甲基戊烷基过氧苯氧基醋酸盐、α-枯基过氧新癸酸盐、t-丁基过氧苯甲酸盐、
二-t-丁基过氧三甲基己二酸盐等的烷基过酸酯类；二-3-甲氧基丁基过氧二碳酸盐、二-2-乙基己基过氧二碳酸盐、二-4-t-丁基环己基过氧二碳酸盐、二异丁基过氧二碳酸盐、乙酰环己基磺酰过氧化物、t-丁基过氧芳碳酸盐等的过碳酸盐类等。
[0302]
上述偶氮类化合物的例有1,1'-偶氮环己烷-1-甲腈、2,2'-偶氮(2,4-二甲基戊腈)、2,2-偶氮(甲基异丁酸盐)、2,2'-偶氮(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)、α,α'-偶氮(亚硝酸异丁酯)及4,4'-偶氮(4-氰戊酸)等。
[0303]
引发剂可与吸收光变成激发状态之后传递该能量，以产生化学反应的光敏化剂一同使用。
[0304]
上述光敏化剂的例有四甘醇二-3-巯基丙酸盐、异戊四醇四-3-巯基丙酸盐、二异戊四醇四-3-巯基丙酸盐等。
[0305]
上述引发剂的含量，相对于上述感光树脂组合物总量，可包含0.1重量％至10重量％或0.1重量％至8重量％。在引发剂的含量满足上述范围的情况下，在利用感光树脂组合物的图案形成工艺中，曝光时产生足够的固化，可获得优秀的可靠性，图案的耐热性、耐光性及耐化学性优秀，分辨率及粘结性也优秀，可防止未反应引发剂导致的透射率的降低。
[0306]
上述感光树脂组合物还可包括光扩散剂，例如，光扩散剂可包括硫酸钡、碳酸钙、二氧化钛、氧化锆或其组合。
[0307]
此时，上述光扩散剂的含量，相对于上述感光树脂组合物总量，可包含0.1重量％至10重量％或0.1重量％至8重量％。在光扩散剂的含量满足上述范围的情况下，可实现足够的光扩散效果，具备适合于涂布及喷墨的粘度。
[0308]
另一方面，根据本发明的实施例，可提供包含半导体纳米粒子-配体复合体的光学薄膜。
[0309]
在说明根据本发明的实施例的光学薄膜的过程中，对半导体纳米粒子-配体复合体的事项，除特殊说明的之外，与上述根据本发明的实施例的半导体纳米粒子-配体复合体说明的内容相同，因此，在此不再赘述。
[0310]
光学薄膜例如可以是将特定波长的光变换为其他特定波长的光的波长变换薄膜或滤色片。例如，根据本发明的实施例的光学薄膜，可用作变换从包含发光二极管的背光放射的光的波长的色滤片，但根据本发明的实施例的光学薄膜不限于色滤片或波长变换薄膜。
[0311]
光学薄膜例如可位于电发光二极管的阴极电极和阳极电极之间，可用作根据从阴极电极和阳极电极到达的电子和空穴发光的层。
[0312]
上述光学薄膜可利用感光树脂组合物，通过旋涂、曝光或加热过程形成于原玻璃上。此时，旋涂、曝光或加热过程只是示例性的，不限于旋涂、曝光或加热过程，可通过能够形成薄膜的所有方法形成光学薄膜。
[0313]
在说明根据本发明的实施例的光学薄膜的过程中，对光学树脂组合物的事项，除特殊说明的之外，与上述根据本发明的实施例的光学树脂组合物说明的内容相同，因此，在此不再赘述。
[0314]
光学薄膜的厚度可以是0.005μm至500μm或1μm至11μm。
[0315]
另一方面，根据本发明的实施例，可提供一种包括光学薄膜的电发光二极管。电发光二极管例如可包括位于阴极电极、阳极电极及上述阴极电极和阳极电极之间的光学薄
膜。电发光二极管还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层及电子传输层等功能层中的一种以上。
[0316]
在说明根据本发明的实施例的电发光二极管的过程中，对光学薄膜的事项，除特殊说明的之外，与上述根据本发明的实施例的光学薄膜的说明相同，因此，在此不再赘述。
[0317]
根据本发明的实施例的光学薄膜利用形容性优秀的半导体纳米粒子-配体复合体形成，因此，上述电发光二极管可具备优秀的量子效率。
[0318]
另一方面，根据本发明的实施例的，提供一种电子装置，包括：显示装置，包括光学薄膜；及控制部，驱动上述显示装置。
[0319]
在说明根据本发明的实施例的电子装置的过程中，对光学薄膜的事项，除特殊说明的之外，与上述根据本发明的实施例的光学薄膜的说明相同，因此，在此不再赘述。
[0320]
电子装置可将光学薄膜用作变换波长的波长变换薄膜或色滤片。根据本发明的实施例的光学薄膜利用形容性优秀的半导体纳米粒子-配体复合体形成，因此，根据本发明实施例的电子装置可具备优秀的量子效率。
[0321]
另一方面，根据本发明的实施例的，可提供一种电子装置，包括：显示装置，包括电发光二极管；及控制部，驱动上述显示装置。
[0322]
在说明根据本发明的实施例的电子装置的过程中，对电发光二极管的事项，除特殊说明的之外，与上述根据本发明的实施例的电发光二极管的说明相同，因此，在此不再赘述。
[0323]
下面，结合实施例具体说明根据本发明的化合物的合成例及电气元件的制造例，但本发明不受下述实施例的限制。
[0324]
合成例
[0325]
根据本发明的实施例以上述化学式1表示半导体纳米粒子-配体复合体(final product)，可如下述反应式1，通过使sub1和sub2进行反应合成，但非限制。
[0326]
《反应式1》
[0327][0328]
1)上述z、x、r1、l1至l4与在上述化学式1中定义的一样；
[0329]
上述sub2是指上述化学式9；
[0330]
上述z是指半导体纳米粒子的表面。
[0331]
i、半导体纳米粒子(z)的合成
[0332]
1、半导体纳米粒子z-1的合成(inznp/znses)
[0333]
向附着有换流器的100ml的三口圆形烧瓶投入乙酸铟0.1g、乙酸锌2.3g、油酸7.5g及1-十八碳烯30ml，以110℃加热，利用真空泵以0.1torr左右维持1小时。去真空，投入n2气体，以280℃进行加热。一次性投入三(三甲基甲硅烷基)膦0.85g。投入后，搅拌10分钟。将硒0.35g和硫磺0.15g溶解于三辛基膦10ml之后，投入反应器搅拌30分钟。硫磺0.15g溶解于三辛基膦4ml之后，再次投入反应器搅拌10分钟。将温度降低至240℃维持3小时之后，冷却至常温，投入乙醇200ml之后搅拌5分钟，利用离心分离器分离沉淀物，制得半导体纳米粒子z-1。
[0334]
2、半导体纳米粒子z-2的合成(cdznse/znse/zns)
[0335]
将乙酸镉0.2g(sigma-aldrich)、乙酸锌4g(sigma-aldrich)、油酸40ml(sigma-aldrich)和1-十八碳烯90ml(sigma-aldrich)投入附着有换流器的500ml三口圆底反应器，升温至110℃之后，利用真空泵以0.1torr维持1小时。之后，将反应器内部变更为n2氛围，将温度升温至290℃。将硒1.3g(sigma-aldrich公司)、硫磺0.3g(sigma-aldrich公司)溶解于三辛基膦12ml(sigma-aldrich公司)之后，一次性投入反应器，维持20分钟。将乙酸锌3.2g、油酸11g与50ml的1-十八碳烯一同投入安装有换流器的100ml三口圆底反应器，升温至110℃之后，利用真空泵以0.1torr维持1小时之后，将该溶液一次性投入反应器，维持20分钟。将反应器冷却至常温之后，向反应液投入200ml的乙醇(sigma-aldrich公司)之后，利用离心分离器制造半导体纳米粒子z-2。
[0336]ⅱ、sub1的合成
[0337]
上述反应式1的sub1通过下述反应式2-1或反应式2-6的反应路径合成，但非限制。hal1为i、br或cl。
[0338]
《反应式2-1》
[0339][0340]
《反应式2-2》
[0341][0342]
《反应式2-3》
[0343][0344]
《反应式2-4》y为
–
oh或-sh；y’为o或s。
[0345][0346]
《反应式2-5》
[0347][0348]
《反应式2-6》
[0349][0350]
1、sub1-1-1合成例
[0351][0352]
将6-溴-1-己醇(20.0g，111mmol)溶解于thf(221ml)之后，以-10℃进行搅拌。之后，添加(tms)2s(23.7g，133mmol)及tbaf 1mthf溶液(122ml)，在常温下搅拌30分钟。反应结束之后，利用ch2cl2和nh4cl水溶液提取之后，利用mgso4干燥及浓缩。之后，使生成的化合物通过硅胶柱，获得生成物12.8g(收率：86％)。
[0353]
2、sub1-7的合成例
[0354][0355]
将2-[2-(2-氯乙氧基)乙氧基]乙醇(20.0g，119mmol)、(tms)2s(25.4g，142mmol)及tbaf 1m thf溶液(131ml)按照上述sub1-1的合成法合成，获得生成物16.0g(收率：81％)。
[0356]
3、sub1-16的合成例
[0357][0358]
将4-(氯甲基)苄醇(20.0g，128mmol)、(tms)2s(27.3g，153mmol)及tbaf 1m thf溶液(141ml)按照上述sub1-1的合成法合成，获得生成物14.2g(收率：72％)。
[0359]
4、sub1-29的合成例
[0360][0361]
将2,2
′‑
硫代二甘硫醇(20.0g，130mmol)及etoh(90ml)注入氮溶解之后，添加乙醇钠(8.8g，130mmol)溶液。之后，添加二氯乙醇(ethylene chlorohydrin)(17.4g，217mmol)并在常温下搅拌4小时，进行乙醚/水提取去除氯化钠之后，通过减压蒸馏获得生成物18.1g(收率：70％)。
[0362]
5、sub1-33的合成例
[0363][0364]
3-(过氧化羟基)丙酸(20.0g，188mmol)、meoh(200ml)及pd/c(10wt％pd，0.20g)移至烧瓶之后，填充h2气体3小时。之后，混合40分钟之后，利用过滤漏斗和celite进行过滤。过滤后，添加meoh(200ml)，通过加压过滤获得生成物17.0g(收率：100％)。
[0365]
6、sub1-44的合成例
[0366][0367]
1)向圆底烧瓶投入3-巯基-1-丙醇(20.0g，217mmol)、苄索氯铵(5.8g，12.9mmol)、naoh(15.5g，387mmol)及苯(29.4ml)，搅拌30分钟。
[0368]
2)向上述溶液滴加30分钟的表氯醇(36.1g，412mmol)，冷却至常温之后，添加0.1n盐酸25.8ml，获得生成物27.1g(收率：75％)。
[0369]
7、sub1-53的合成例
[0370][0371]
1)向500ml烧瓶投入二乙基环氧乙烷-2-基甲基磷酸酯(20.0g，103mmol)和h2o(110ml)之后，添加1m hcl(10ml)搅拌4小时，在常温下通过真空去除h2o，h2o(80ml)清洗，将清洗出来的生成物投入圆底烧瓶。
[0372]
2)向上述圆底烧瓶投入tmsbr(32ml，210mmol)、meoh(1.1ml)及甲苯(109ml)，过夜搅拌之后，在55℃下减压1小时30分钟，获得生成物13.0g(收率：81％)。
[0373]
8、sub1-61的合成例
[0374][0375]
将甘油(20.0g，832mmol)、1m koh(200ml)及tisi2(1wt％，2g)投入圆底烧瓶之后，在空气氛围下搅拌12小时。之后，添加12nhcl离心分离后，通过减压蒸馏去除过量的h2o之后，利用膜过滤器获得生成物25.5g(收率：98％)。
[0376]
另外，属于sub1的化合物可以是如下化合物，但非限制。
[0377]
[0378][0379]
下表1表示属于sub1的化合物的fd-ms(field desorption-mass spectrometry)值。
[0380]
【表1】
[0381]
[0382][0383]ⅲ、sub2的合成
[0384]
上述反应式1的sub2可通过trivedi p.，et al.eur j pharm sci.2019及liu d.，et al.bioorg.med.chem.2013中提出的反应路径合成，但非限制。
[0385]
1、sub2-1的合成例
[0386][0387]
溶解苄胺(3g，28mmol)及dcm(20ml)之后，添加nahco3溶液(1ml)，在0℃下进行搅拌。添加1.7m三光气溶液(1ml，在dcm中)，搅拌1小时之后，利用过滤漏斗和celite获得最终生成物3.3g(收率：100％)。
[0388]
2、sub2-6的合成例
[0389][0390]
溶解三光气(3g，10mmol)及dcm(20ml)，添加一次胺溶液(p-甲氧基苄胺/dcm＝(10mmol/20ml)之后，还添加二次胺溶液(三乙胺/dcm＝3ml/10ml)。之后，通过蒸馏法去除溶媒，添加dcm(20ml)、1,2-苯并异噻唑-3-酮(1.5g，10mmol)及thf(20ml)换流30分钟之后，通过蒸馏法去除溶媒。将残留物分散至丙酮(30ml)之后，添加通量h2o进行共2次减压过滤，获得最终生成物1.46g(收率：98％)。
[0391]
另外，属于sub2的化合物可以是如下化合物，但非限制。
[0392][0393][0394]
下表2表示属于sub2的化合物的fd-ms(field desorption-mass spectrometry)值。
[0395]
【表2】
[0396][0397][0398]ⅳ、final product的合成
[0399]
1、p-1的合成例
[0400][0401]
(1)inter1-1的合成示例
[0402]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)溶解于甲苯60ml，升温至150℃之后，投入sub1-1(6g，45mmol)，搅拌2小时。向反应液投入甲苯200ml之后，搅拌5分钟，利用离心分离器获得沉淀物inter1-1 2.94g(收率：98％)。
[0403]
(2)p-1的合成示例
[0404]
将从上述合成中获得的inter1-1(1g)溶解于氯仿10ml，在此添加sub2-1(1.8g，aldrich公司，异氰酸基苯)，搅拌2小时。之后，向上述溶液添加己烷，利用离心分离获得生成物0.96g(收率：96％)。通过测量1h-nmr(jeol公司)，通过在7～7.5ppm区域出现3个峰值，
确认反应的进行。
[0405]
2、p-4的合成例
[0406][0407]
将从上述合成中获得的inter1-1(1g)及sub2-9(2.4g，aldrich公司，4-异氰酸基-n,n-二甲基苯胺)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.98g(收率：98％)。通过测量1h-nmr(jeol公司)，通过在7～7.5ppm区域出现2个峰值，确认反应的进行。
[0408]
3、p-10的合成例
[0409][0410]
(1)inter1-2的合成示例
[0411]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)、sub1-7(7.5g)按照上述inter1-1的合成法合成，获得inter1-2 2.88g(收率：96％)。
[0412]
(2)p-10的合成示例
[0413]
将从上述合成中获得的inter1-2(1g)及sub2-5(2.2g，aldrich公司，1-异氰酸基-4-甲氧基苯)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.99g(收率：99％)。通过测量1h-nmr(jeol公司)，通过在7～7.5ppm区域出现2个峰值，确认反应的进行。
[0414]
4、p-27的合成例
[0415][0416]
(1)inter1-4的合成示例
[0417]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)、sub1-26(9.8g)按照上述inter1-1的合成法合成，获得inter1-4 2.70g(收率：90％)。
[0418]
(2)p-27的合成示例
[0419]
将从上述合成中获得的inter1-4(1g)及sub2-14(2.8g，aldrich公司，1-(4-异氰酸基苯基)-1h-吡咯)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.95g(收率：95％)。通过测量1h-nmr，通过在7.0～8.5ppm区域出现3个峰值，确认反应的进行。
[0420]
5、p-45的合成例
[0421][0422]
(1)inter1-5的合成示例
[0423]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)及sub1-34(3.7g)按照上述inter1-1的合成法合成，获得inter1-5 2.94g(收率：98％)。
[0424]
(2)p-45的合成示例
[0425]
将从上述合成中获得的inter1-5(1g)及sub2-34(3.0g，aldrich公司，1-(4-异氰酸基苯基)吡咯烷)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.97g(收率：97％)。通过测量1h-nmr，通过在7.0～7.5ppm区域出现2个峰值，确认反应的进行。
[0426]
6、p-47的合成例
[0427][0428]
(1)inter1-6的合成示例
[0429]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)及sub1-31(4.9g)按照上述inter1-1的合成法合成，获得inter1-6 2.91g(收率：97％)。
[0430]
(2)p-47的合成示例
[0431]
将从上述合成中获得的inter1-6(1g)及sub2-5(2.2g，aldrich公司，1-异氰酸基-4-甲氧基苯)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.98g(收率：98％)。通过测量1h-nmr(jeol公司)，通过在7～7.5ppm区域出现2个峰值，确认反应的进行。
[0432]
7、p-72的合成例
[0433][0434]
(1)inter1-9的合成示例
[0435]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)及sub1-44(7.5g)按照上述inter1-1的合成法合成，获得inter1-9 2.88g(收率：96％)。
[0436]
(2)p-72的合成示例
[0437]
将从上述合成中获得的inter1-9(1g)及sub2-1(1.8g，aldrich公司，异氰酸基苯)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.97g(收率：97％)。通过测量1h-nmr(jeol公司)，通过在7～8.0ppm区域出现3个峰值，确认反应的进行。
[0438]
8、p-82的合成例
[0439][0440]
(1)inter1-10的合成示例
[0441]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)及sub1-48(7.7g)按照上述inter1-1的合成法合成，获得inter1-10 2.79g(收率：93％)。
[0442]
(2)p-82的合成示例
[0443]
将从上述合成中获得的inter1-10(1g)及sub2-2(2.0g，aldrich公司，1-异氰酸基-4-甲基苯)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.95g(收率：95％)。通过测量1h-nmr(jeol公司)，通过在7～7.5ppm区域出现2个峰值，确认反应的进行。
[0444]
9、p-96的合成例
[0445][0446]
(1)inter1-11的合成示例
[0447]
将从上述合成中获得的无机纳米粒子结构体z-1(3g)及sub1-56(5.4g)按照上述inter1-1的合成法合成，获得inter1-11 2.76g(收率：92％)。
[0448]
(2)p-96的合成示例
[0449]
将从上述合成中获得的inter1-11(1g)及sub2-16(3.2g，aldrich公司，1-异氰酸基-4-苯氧基苯)按照上述p-1的合成法合成，获得生成物0.95g(收率：95％)。通过测量1h-nmr，通过在7.0～7.5ppm区域出现5个峰值，确认反应的进行。
[0450]
可参考上述合成方法制造如下述p-1至p-108的半导体纳米粒子-配体复合体，但根据本发明的实施例的半导体纳米粒子-配体复合体不受下述p-1至p-108的限制。在下述p-1至p-108中，上述z是指半导体纳米粒子的表面。为了便利，下述p-1至p-108表示一个配体与z配位结合的情况，但如上所述，根据本发明的实施例的配体或其他配体，可与作为半导体纳米粒子表面的z配位结合。
[0451]
[0452]
[0453]
[0454]
[0455]
[0456]
[0457]
[0458][0459]
感光树脂组合物的制造
[0460]
[实施例1]
[0461]
向20ml小瓶投入作为半导体纳米粒子-配体复合体的本发明的p-135重量份，作为光交联单体的m-1(eternal公司，em224)60重量份及作为引发剂的ingacure tpo(basf公司)5重量份，在室温下搅拌2小时，以制造感光树脂组合物。
[0462]
[实施例2]
[0463]
向20ml小瓶投入作为半导体纳米粒子-配体复合体的本发明的p-135重量份，作为光交联单体的m-1 57重量份，作为引发剂的ingacure tpo 5重量份及作为光扩散剂的氧化钛(iv)(sms公司)3重量份，在室温下搅拌2小时，以制造感光树脂组合物。
[0464]
[实施例3]至[实施例18]
[0465]
除作为上述半导体纳米粒子-配体复合体、光交联单体、引发剂及光扩散剂使用下述表3所示的物质及重量份之外，以与实施例1或实施例2相同的方法制造感光树脂组合物。
[0466]
[比较例1]至[比较例4]
[0467]
除在20ml小瓶中作为下述半导体纳米粒子-配体复合体、光交联单体、引发剂及光扩散剂使用下述表3所示的物质及重量份之外，以与实施例1相同的方法制造感光树脂组合物。
[0468]
[比较半导体纳米粒子-配体复合体c1]
[0469][0470]
[比较半导体纳米粒子-配体复合体c2]
[0471][0472]
在上述结构体重，z为半导体纳米粒子(inznp/znses)。
[0473]
上述制造的感光树脂组合物的组合概括如下述表3。
[0474]
【表3】
[0475][0476]
粘度测量方法
[0477]
在yellow room条件下，粘度计(brookfield公司)的试片夹持器上滴加上述制造的实施例及比较例的感光树脂组合物0.5ml，以20rpm测量1分钟。其测量结果如下述表4所示。
[0478]
薄膜形成方法
[0479]
在n2条件下，在50mmx50mm原玻璃上滴加上述制造的实施例及比较例的感光树脂组合物，利用旋涂机以500rpm涂布30秒之后，在100℃热板上进行1分钟的预烘，以形成薄膜。
[0480]
厚度测量方法
[0481]
如图1所示，利用3d profiler(nano system公司)设备，对上述制造的实施例及比较例的薄膜，测量相同glass内不同的5处位置的薄膜涂布性及厚度。其测量结果如下述表4及下述表5所示。
[0482]
薄膜量子效率(film qy)测量方法
[0483]
如图1所示，利用otsuka公司qe-2100，对上述制造的实施例及比较例的薄膜，测量相同glass内不同的5处位置的光变换率(color-conversion efficiency)。其测量结果如下述表4及下述表5所示。
[0484]
在如上制造的实施例及比较例中，感光树脂组合物及利用感光树脂组合物的薄膜的粘度、厚度及film qy的测量结果如下述表4所示。
qy的测量结果如下述表5所示。
[0491]
【表5】
[0492][0493]
从上述表5的结果可知，较之利用在本发明中制造的感光树脂组合物制造的薄膜，在比较例的情况下，效率低，薄膜的涂布不均匀。
[0494]
这是因为，在半导体纳米粒子-配体复合体的凝聚现象增加时，因半导体纳米粒子-配体复合体之间的相互作用，对量子效率产生影响，从而较之比较例1至比较例3，实施例1、实施例3、实施例4、实施例11及实施例12的感光树脂组合物的相容性高而出现的结果。
[0495]
尤其是，较之比较例3，在根据本发明制造的半导体纳米粒子-配体复合体的情况下，至少哟个芳基或杂环基被取代的氨基甲酸酯类化合物，相对于光交联单体的相容性，从而出现这样的结果。
[0496]
总而言之，可用本发明的半导体纳米粒子-配体复合体制造具备低粘度及高相容性的感光树脂组合物，从而可制造均匀的薄膜且具备优秀的量子效率。
[0497]
上述实施例仅用以说明本发明而非限制。因此，本说明书所公开的实施例用以说明本发明而非限制本发明，本发明的思想和范围不受这些实施例的限制。而在不脱离本发明的精神和范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。