半导体纳米粒子-配体复合体、其制造方法、感光树脂组合物及光学薄膜与流程

技术特征：
1.一种包含以下述化学式1表示的配体的半导体纳米粒子-配体复合体：1)x是结合于半导体纳米粒子的表面的官能团，为
–
s(h)或-p＝o(oh)2或-cooh；2)r
a
为h；-l
4-o-r1；c1～c
20
的烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；3)l4选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；4)l1及l2相互独立地选自由单键；c6～c
30
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
30
的杂环基；c1～c
20
的亚烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；化学式a；及其组合构成的组；[化学式a]在上述化学式a中，4-1)*表示结合部位；4-2)q为o或s；4-3)k为1至12的整数；4-4)r3及r4相互独立地为氢或甲基；5)r1为上述化学式1-1；在上述化学式1-1中，6)l3选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；7)r2选自由氢；重氢、超重氢；卤素；氰基；硝基；c6～c
60
的芳基；芴基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c3～c
60
的脂环和c6～c
60
的芳环的稠环基；c1～c
50
的烷基；c2～c
20
的烯基；c2～c
20
的炔基；c1～c
30
的烷氧基；c6～c
30
的芳氧基；及-l'-n(r
a
)(r
b
)构成的组；8)l’选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；9)r
a
及r
b
相互独立地选自由c6～c
60
的芳基；芴基；c3～c
60
的脂环基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c1～c
50
的烷基；及其组合构成的组；10)a为0～5的整数；在a大于2的情况下，r2各为多个，彼此相同或不同，相邻的多个r2可彼此结合成环；
11)上述l1至l3、l’、r
a
及r
b
、r2的亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；及c1～c
10
的烷基；构成的组的一个以上的取代基取代。2.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子-配体复合体，其特征在于：以上述化学式1表示的配体可以下述化学式中的任一个表示：[化学式2-1][化学式2-2]在上述化学式2-1及化学式2-2中，1)x、l1～l4、r2及a与在根据权利要求1所述的化学式1中定义的一样；2)在上述化学式2-2中，各l3、r2或a相同或不同；3)上述l1至l4及r2的亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；及c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。3.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子-配体复合体，其特征在于：以上述化学式1表示的配体为下述化学式中的任一个：
4.根据权利要求1所述的半导体纳米粒子-配体复合体，其特征在于：上述半导体纳米粒子的粒子直径为1nm至30nm。5.一种半导体纳米粒子-配体复合体的制造方法，包括：利用以下述化学式3-1或化学式3-2表示的化合物，表面改性半导体纳米粒子表面的第一表面改性步骤；将利用以下述化学式3-1或化学式3-2表示的化合物表面改性的上述半导体纳米粒子的下述化学式3-1或化学式3-2的醇基(-oh)和异氰酸盐类化合物进行反应，以进行表面改性的第二表面改性步骤：
在上述化学式3-1或化学式3-2中，1)x是结合于半导体纳米粒子的表面的官能团，为
–
s(h)或-p＝o(oh)2或-cooh；2)l1及l2相互独立地选自由单键；c6～c
30
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
30
的杂环基；c1～c
20
的亚烷基；c1～c
20
的烷氧基；c1～c
20
的烷硫基；化学式b；及其组合构成的组；[化学式b]在上述化学式b中，2-1)*表示结合部位；2-2)q为o或s；2-3)k为1至12的整数；2-4)r3及r4相互独立地为氢或甲基；3)l4选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；在上述l1、l2及l4中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组的一个以上的取代基取代。6.根据权利要求5所述的半导体纳米粒子-配体复合体的制造方法，其特征在于：上述异氰酸盐类化合物以下述化学式9表示：[化学式9]在上述化学式9中，1)l3选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；2)r2选自由氢；重氢、超重氢；卤素；氰基；硝基；c6～c
60
的芳基；芴基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c3～c
60
的脂环和c6～c
60
的芳环的稠环基；c1～c
50
的烷基；c2～c
20
的烯基；c2～c
20
的炔基；c1～c
30
的烷氧基；c6～c
30
的芳氧基；及-l'-n(r
a
)(r
b
)构成的组；
3)l’选自由单键；c6～c
20
的亚芳基；包含从由o、n、s、si及p构成的组选择的至少一种杂环原子的c2～c
20
的杂环基；c3～c
20
的脂环基；c1～c
10
的亚烷基；c1～c
10
的烷氧基；c1～c
10
的烷硫基；及其组合构成的组；4)r
a
及r
b
相互独立地选自由c6～c
60
的芳基；芴基；c3～c
60
的脂环基；包含o、n、s、si及p中至少一种杂环原子的c2～c
60
的杂环基；c1～c
50
的烷基；及其组合构成的组；5)a为0～5的整数；6)在上述l3、l’、r2、r
a
及r
b
中，亚芳基、杂环基、亚烷基、烷氧基及烷硫基，还各可被选自由重氢；c6～c
10
的芳基；c2～c
10
的杂环基；c3～c
10
的脂环基；c1～c
10
的烷基构成的组一个以上的取代基取代。7.一种感光树脂组合物，包括：(a)根据权利要求1所述的半导体纳米粒子-配体复合体；(b)光交联单体；及(c)引发剂。8.根据权利要求7所述的感光树脂组合物，其特征在于：上述光交联单体为以下述化学式i表示的化合物：[化学式i]在上述化学式i中，1)r5至r8相互独立地为氢或甲基；2)n3及n4相互独立地为1至15的整数；n3 n4≥1。9.根据权利要求7所述的感光树脂组合物，其特征在于：上述光交联单体为以下述化学式表示化合物中的一种：
10.根据权利要求7所述的感光树脂组合物，其特征在于：还包括光扩散剂。11.根据权利要求10所述的感光树脂组合物，其特征在于：上述光扩散剂包括硫酸钡、碳酸钙、二氧化钛、氧化锆或其组合。12.根据权利要求10所述的感光树脂组合物，其特征在于：上述光扩散剂的含量为相对于上述感光树脂组合物总量的0.1重量％至10重量％。13.根据权利要求7所述的感光树脂组合物，其特征在于：相对于上述感光树脂组合物总量，包含上述半导体纳米粒子-配体复合体(a)10重量％至60重量％、上述光交联单体(b)
30重量％至90重量％及上述引发剂(c)0.1重量％至10重量％。14.一种光学薄膜，包括根据权利要求1所述的半导体纳米粒子-配体复合体且厚度为0.005μm至500μm。15.一种电发光二极管，包括根据权利要求14所述的光学薄膜。16.一种电子装置，包括：显示装置，包括根据权利要求14所述的光学薄膜；及控制部，驱动上述显示装置。17.一种电子装置，包括：显示装置，包括根据权利要求15所述的电发光二极管；及控制部，驱动上述显示装置。

技术总结
根据本发明的实施例，提供包含以化学式1表示的配体的半导体纳米粒子-配体复合体，从而可制造具备低粘度计相容性的感光树脂组合物，可利用上述感光树脂组合物提供具备均匀且明显优秀的量子效率的光学薄膜，可提供包括上述光学薄膜的电发光二极管及电子装置。述光学薄膜的电发光二极管及电子装置。述光学薄膜的电发光二极管及电子装置。


技术研发人员：李恃陌 辛钟汶 李昌珉 吴贤智
受保护的技术使用者：德山新勒克斯有限公司
技术研发日：2022.07.06
技术公布日：2023/2/6