一种半导体MOS场效应管结构的制作方法

一种半导体mos场效应管结构
技术领域
1.本实用新型涉及场效应管技术领域，尤其涉及一种半导体mos场效应管结构。


背景技术：

2.mos场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻(最高可达1015ω)，它也分n沟道管和p沟道管，通常是将衬底(基板)与源极s接在一起，在mos场效应管工作使用时，需要将mos场效应管准确的安装在所对应的载板上。
3.中国专利公告号：公开了《一种方便插接的半导体mos场效应管》，包括壳体，所述壳体的上表面设置有连接片，所述连接片与所述壳体固定连接，所述壳体的下表面设置有漏极，所述漏极与所述壳体固定连接，所述壳体的下表面靠近所述漏极的左侧设置有栅极，所述栅极与所述壳体固定连接，所述壳体的下表面靠近所述栅极的左侧设置有源极，所述源极与所述壳体固定连接，所述壳体的外侧设置有固定座，所述固定座与所述壳体可拆卸连接，所述壳体的下表面靠近所述漏极的前表面设置有支撑座，所述支撑座与所述壳体固定连接，所述支撑座的下表面设置有插接框，所述插接框与所述支撑座固定连接，所述插接框的下表面设置有固定片，所述固定片与所述插接框固定连接，所述固定座的外侧设置有安装座，所述安装座与所述固定座固定连接，所述固定座远离所述安装座的一侧设置有安装扣，所述安装扣与所述固定座固定连接。
4.现有的mos场效应管在安装固定时，需要手动拿起mos场效应管进行摆放，由于其安装固定位置固定，且对接插入的可操作空间较小，使得场效应管不能够快速且准确的安装在固定地点，延长了场效应管的安装操作时间，增加了安装操作负担。


技术实现要素：

5.本实用新型的目的是提供采用在底座上设有凹陷部的结构，对mos场效应管的安装位置进行限位加固，提高安装操作准确性和便捷性的一种半导体mos场效应管结构。
6.为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种半导体mos场效应管结构，包括壳体，所述壳体的底部分别设置有源极、栅极和漏极：
7.所述壳体的顶部设置有连接片，且连接片上设有上位孔；
8.还包括底座，所述底座上设有与壳体相适配的凹陷部，且凹陷部上设有下位孔；
9.所述凹陷部的内壁且位于壳体的下方设有散热槽。
10.作为上述技术方案的进一步描述：
11.所述底座上且位于散热槽的两端均设有导流滑道。
12.作为上述技术方案的进一步描述：
13.所述凹陷部的内壁设置有限位块，所述连接片上设有与限位块相适配的限位槽。
14.作为上述技术方案的进一步描述：
15.所述壳体的外壁设置有若干个平行分布的散热片。
16.作为上述技术方案的进一步描述：
17.所述散热片的两侧外壁均设置有弧形的凸起部。
18.作为上述技术方案的进一步描述：
19.所述底座的两侧外壁均设置有耳架，且耳架上设有定位孔。
20.在上述技术方案中，本实用新型提供的一种半导体mos场效应管结构，具有以下有益效果：
21.该场效应管结构采用嵌入到凹陷部内的方式，可以将mos场效应管与底座进行准确的定位卡接，使得mos场效应管可以快速且准确的安装在工作位置，不会发生偏差的现象，同时在凹陷部内采用散热槽的结构，可以在mos场效应管的下方提供必要的热量散失通道，避免mos场效应管与底座之间发生热量聚集的现象，进而提高了mos场效应管的散热效果。
附图说明
22.为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1为本实用新型实施例提供的一种半导体mos场效应管结构的结构示意图；
24.图2为本实用新型实施例提供的连接片的背面结构示意图；
25.图3为本实用新型实施例提供的底座的结构示意图；
26.图4为本实用新型实施例提供的散热片的结构示意图。
27.附图标记说明：
28.1、连接片；11、限位槽；2、上位孔；3、底座；31、下位孔；32、限位块；33、散热槽；34、导流滑道；35、凹陷部；4、耳架；5、定位孔；6、壳体；7、源极；8、栅极；9、漏极；10、散热片；101、凸起部。
具体实施方式
29.为了使本领域的技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面将结合附图对本实用新型作进一步的详细介绍。
30.如图1-图4所示，一种半导体mos场效应管结构，包括壳体6，壳体6的底部分别设置有源极7、栅极8和漏极9：
31.壳体6的顶部设置有连接片1，且连接片1上设有上位孔2；
32.还包括底座3，底座3上设有与壳体6相适配的凹陷部35，且凹陷部35上设有下位孔31，首先将底座3安装在mos场效应管的安装基板上，然后将壳体6的底部准确凹陷部35的位置，将壳体6嵌入到凹陷部35内，即可对壳体6的安装位置起到定位夹持的作用，提高壳体6的安装准确性和便捷性，同时连接片1嵌入到凹陷部35内部后，上位孔2和下位孔31的位置重合，即可将螺钉贯穿上位孔2和下位孔31后，对mos场效应管起到进一步的加固作用；
33.凹陷部35的内壁且位于壳体6的下方设有散热槽33，可以在mos场效应管的下方提供必要的热量散失通道，避免mos场效应管与底座3之间发生热量聚集的现象，进而提高了mos场效应管的散热效果。
34.底座3上且位于散热槽33的两端均设有导流滑道34，导流滑道34的一端与散热槽33连接，另一端延伸至底座3的外壁，使得散热槽33内聚集的热量能够向两侧流动，并通过导流滑道34向外排出，从而避免壳体6内产生的热量在凹陷部35内发生聚集的现象。
35.凹陷部35的内壁设置有限位块32，连接片1上设有与限位块32相适配的限位槽11，当连接片1嵌入到凹陷部35内部后，限位块32会嵌入到限位槽11内，即可对连接片1和底座3起到初步定位的作用，使得mos场效应管在凹陷部35内处于初步定位的状态。
36.壳体6的外壁设置有若干个平行分布的散热片10，散热片10的两侧外壁均设置有弧形的凸起部101，散热片10上的凸起部101可以增大散热片10的表面积，使得散热片10可以有更大的散热面积，从而对壳体6内产生的热量起到高效的散热效果。
37.底座3的两侧外壁均设置有耳架4，且耳架4上设有定位孔5，当底座3安装在mos场效应管的安装基板上后，将螺钉贯穿定位孔5后固定在基板上，即可对底座3的位置进行加固。
38.以上只通过说明的方式描述了本实用新型的某些示范性实施例，毋庸置疑，对于本领域的普通技术人员，在不偏离本实用新型的精神和范围的情况下，可以用各种不同的方式对所描述的实施例进行修正。因此，上述附图和描述在本质上是说明性的，不应理解为对本实用新型权利要求保护范围的限制。


技术特征：
1.一种半导体mos场效应管结构，包括壳体(6)，所述壳体(6)的底部分别设置有源极(7)、栅极(8)和漏极(9)，其特征在于：所述壳体(6)的顶部设置有连接片(1)，且连接片(1)上设有上位孔(2)；还包括底座(3)，所述底座(3)上设有与壳体(6)相适配的凹陷部(35)，且凹陷部(35)上设有下位孔(31)；所述凹陷部(35)的内壁且位于壳体(6)的下方设有散热槽(33)。2.根据权利要求1所述的一种半导体mos场效应管结构，其特征在于：所述底座(3)上且位于散热槽(33)的两端均设有导流滑道(34)。3.根据权利要求1所述的一种半导体mos场效应管结构，其特征在于：所述凹陷部(35)的内壁设置有限位块(32)，所述连接片(1)上设有与限位块(32)相适配的限位槽(11)。4.根据权利要求1所述的一种半导体mos场效应管结构，其特征在于：所述壳体(6)的外壁设置有若干个平行分布的散热片(10)。5.根据权利要求4所述的一种半导体mos场效应管结构，其特征在于：所述散热片(10)的两侧外壁均设置有弧形的凸起部(101)。6.根据权利要求1所述的一种半导体mos场效应管结构，其特征在于：所述底座(3)的两侧外壁均设置有耳架(4)，且耳架(4)上设有定位孔(5)。

技术总结
本实用新型公开了一种半导体MOS场效应管结构，包括壳体，所述壳体的底部分别设置有源极、栅极和漏极：所述壳体的顶部设置有连接片，且连接片上设有上位孔，还包括底座，所述底座上设有与壳体相适配的凹陷部，且凹陷部上设有下位孔，所述凹陷部的内壁且位于壳体的下方设有散热槽。本实用新型中，该场效应管结构采用嵌入到凹陷部内的方式，可以将MOS场效应管与底座进行准确的定位卡接，使得MOS场效应管可以快速且准确的安装在工作位置，不会发生偏差的现象，同时在凹陷部内采用散热槽的结构，可以在MOS场效应管的下方提供必要的热量散失通道，避免MOS场效应管与底座之间发生热量聚集的现象，进而提高了MOS场效应管的散热效果。进而提高了MOS场效应管的散热效果。进而提高了MOS场效应管的散热效果。


技术研发人员：刘曦
受保护的技术使用者：深圳市伯乐马电子有限公司
技术研发日：2022.10.24
技术公布日：2023/2/6