半导体器件

技术特征：
1.一种半导体器件，其具备配线结构，所述配线结构具有绝缘层、导电性配线以及扩散阻挡层，所述扩散阻挡层在所述绝缘层与所述导电性配线之间以与所述绝缘层和所述导电性配线这两者接触的方式配设，其中，所述绝缘层含有硅氧化物和/或包含c、n以及h中的至少一种以上元素的硅氧化物，所述导电性配线含有cu和/或co，所述扩散阻挡层由具有包含合计为90质量％以上的第一金属以及第二元素的非晶质结构的合金构成，所述第一金属为选自co、ru以及mo中的任一种，当所述第一金属为co时，所述第二元素为选自zr、al以及nb中的一种或两种以上，当所述第一金属为ru时，所述第二元素为zr，当所述第一金属为mo时，所述第二元素为选自y以及b中的一种或两种。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述扩散阻挡层的厚度为5nm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一金属为co，所述第二元素为选自zr、al以及nb中的一种或两种以上。4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一金属为ru，所述第二元素为zr。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述第一金属为mo，所述第二元素为选自y以及b中的一种或两种。

技术总结
提供一种半导体器件，其具备配线结构，该配线结构具有兼具扩散阻挡功能和衬垫功能的单层的扩散阻挡层。半导体器件具备配线结构，所述配线结构具有绝缘层、导电性配线、以及在绝缘层与导电性配线之间以与绝缘层和导电性配线这两者接触的方式配设的扩散阻挡层，其中，扩散阻挡层由具有包含合计为90质量％以上的第一金属以及第二元素的非晶质结构的合金构成，第一金属为选自Co、Ru以及Mo中的任一种，当第一金属为Co时，第二元素为选自Zr、Al以及Nb中的一种或两种以上，当第一金属为Ru时，第二元素为Zr，当第一金属为Mo时，第二元素为选自Y以及B中的一种或两种。自Y以及B中的一种或两种。自Y以及B中的一种或两种。


技术研发人员：小池淳一 矢作政隆 山田裕贵
受保护的技术使用者：国立大学法人东北大学
技术研发日：2020.06.04
技术公布日：2023/2/3