一种谐振器封装结构及方法与流程

技术特征：
1.一种谐振器封装方法，其特征在于，所述方法包括：提供谐振器，所述谐振器的顶电极图案上设置有第一键合层；提供封装晶圆，所述封装晶圆的第一衬底上设置有第二键合层和ipd结构，所述ipd结构与所述第二键合层连接；将所述第一键合层和所述第二键合层键合，以使所述谐振器和所述封装晶圆键合。2.根据权利要求1所述的谐振器封装方法，其特征在于，所述将所述第一键合层和所述第二键合层键合之后，所述方法还包括：刻蚀所述封装晶圆至露出所述第二键合层以形成引出孔；在所述引出孔内沉积引出金属层，并图案化所述引出金属层形成引出金属图案；在所述引出金属图案上连接设置有多个焊盘。3.根据权利要求2所述的谐振器封装方法，其特征在于，所述在所述引出金属图案上连接设置有多个焊盘之后，所述方法还包括：在多个所述焊盘上连接设置有多个焊球。4.根据权利要求1所述的谐振器封装方法，其特征在于，所述提供谐振器包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆包括单晶衬底以及在所述单晶衬底上依次设置的压电层、底电极图案和第三键合层；提供盖帽晶圆，所述盖帽晶圆包括第二衬底以及在所述第二衬底上设置的第四键合层；将所述第三键合层和所述第四键合层键合，以使所述器件晶圆和所述盖帽晶圆键合；去除所述单晶衬底以露出所述压电层；在所述压电层上形成顶电极层，并图案化所述顶电极层形成所述顶电极图案，其中，所述底电极图案、所述压电层和所述顶电极图案在层叠方向上的交叠区域作为谐振区域；在所述顶电极图案上形成所述第一键合层。5.根据权利要求1所述的谐振器封装方法，其特征在于，所述提供谐振器包括：在第二衬底上刻蚀形成第一凹槽，并在所述第一凹槽内沉积牺牲层，研磨所述牺牲层至与所述第二衬底表面平齐；在沉积有所述牺牲层的所述第二衬底上形成底电极层，并图案化所述底电极层形成底电极图案；在所述底电极图案上依次形成压电层和顶电极层，并图案化所述顶电极层形成所述顶电极图案，其中，所述底电极图案、所述压电层和所述顶电极图案在层叠方向上的交叠区域作为谐振区域；在所述顶电极图案上刻蚀形成释放孔，所述释放孔穿透所述压电层至露出所述牺牲层；经由所述释放孔刻蚀所述牺牲层至露出所述第一凹槽形成谐振腔；在所述顶电极图案上形成所述第一键合层。6.根据权利要求4或5所述的谐振器封装方法，其特征在于，所述在所述顶电极图案上形成所述第一键合层之后，所述方法还包括：图案化所述第一键合层以形成第二凹槽。7.根据权利要求1所述的谐振器封装方法，其特征在于，所述提供封装晶圆包括：
在所述第一衬底上形成所述第二键合层，并图案化所述第二键合层以形成第三凹槽；在所述第一衬底上形成所述ipd结构，其中，所述第二键合层环绕于所述ipd结构的外缘，且所述ipd结构的外缘与所述第二键合层的内缘连接。8.根据权利要求7所述的谐振器封装方法，其特征在于，所述ipd结构为电感或电容。9.根据权利要求8所述的谐振器封装方法，其特征在于，当所述ipd结构为电感时，所述电感的排布形式为绕圈排布，所述电感的材料为铁锡、铜、银或铟；或，当所述ipd结构为电容时，所述电容的投影形状为多边形与直线或曲线与直线的组合，所述电容包括两个电极板以及设置在两个所述电极板之间的介电材料，所述电极板的材料为铝、钼、铜、银、铟或钽，所述介电材料为二氧化硅、聚丙烯或聚苯乙烯。10.一种谐振器封装结构，其特征在于，包括第一衬底以及依次设置于所述第一衬底上的底电极图案、压电层、顶电极图案、第一键合层、第二键合层和第二衬底，所述第二衬底靠近所述第一衬底的一侧设置有ipd结构，所述ipd结构与所述第二键合层连接。

技术总结
一种谐振器封装结构及方法，涉及集成电路封装技术领域，该谐振器封装方法包括：提供谐振器，谐振器的顶电极图案上设置有第一键合层；提供封装晶圆，封装晶圆的第一衬底上设置有第二键合层和IPD结构，IPD结构与第二键合层连接；将第一键合层和第二键合层键合，以使谐振器和封装晶圆键合。该谐振器封装结构及方法能够简化封装工艺，且具有性能调控的功能。且具有性能调控的功能。且具有性能调控的功能。


技术研发人员：高超 蔡耀 邹杨 詹道栋 林炳辉 王雅馨 孙博文 孙成亮
受保护的技术使用者：武汉敏声新技术有限公司
技术研发日：2022.11.10
技术公布日：2023/2/3