一种钠离子层状氧化物正极材料及其制备方法和应用与流程

1.本发明属于钠离子电池技术领域，涉及一种钠离子层状氧化物正极材料及其制备方法和应用。


背景技术：

2.随着技术的发展进步，锂电池已经广泛应用于储能，电动汽车，消费类电子产品等领域，成为当前人类生活不可或缺的重要组成部分。但由于锂、镍等锂电池常用资源的储量限制，近年来锂电池原材料的价格不断上涨，严重降低了锂电池的性价比，影响了锂电池的应用。另外，由于人们对锂电池能量密度的不断追求，锂电池的安全性也成为人们关注的热点。
3.与锂电池相比，钠的储量远远高于锂，随着海水提钠等技术的不断成熟，钠的价格也会继续走低，这也是钠电池所具有的价格上的先天优势。锂电池由于易生成枝晶等原因，造成短路自燃的安全隐患，而钠电池不易形成枝晶，安全性远高于锂电池。综合考虑，虽然钠电池的能量密度、功率密度低于锂电池，但由于其特有的优势，钠电池有巨大的潜力填补锂电池与铅酸电池之间市场空白。当前，钠电池商品化的负极材料主要为硬碳等，正极材料主要分为普鲁士类、聚阴离子型、氧化物类等。氧化物材料由于其独特的结构及电化学性能，引起了广泛关注。
4.当前，应用于钠离子电池正极的氧化物材料主要有隧道型氧化物和层状氧化物两类。正极材料的性能与电池的性能直接相关，作为钠电正极材料，应具备较高的比容量、较高的氧化还原电位、较好的钠离子嵌入脱出性能、低廉的价格、良好的电导率、良好的结构稳定性等特点。当前，绝大多数氧化物只具备上述部分特点，无法满足全部要求。其中，层状氧化物材料虽然具有有利于钠离子嵌入脱出的层状结构，以及较高的比容量，但层状结构的稳定性较差，在循环过程中容易发生机构的塌陷，这严重影响了层状氧化物材料作为钠电正极材料的实际应用。如研究证明，层状氧化物的表面活性严重影响材料的循环性能。在电池的充放电循环过程中，由于较高的表面活性，层状材料在与电解液接触的过程中表面会发生由层状向岩盐相的转变，随着反应的进行，发生相变的部分会持续加大，直至完全阻碍离子通过，导致材料失效。与此同时，由于材料内部氧化还原反应的存在，氧会由内部向外扩散到表面，与电解液反应，进一步加剧层状结构相变的发生，导致结构坍塌，影响材料的循环性能。而在层状氧化物材料的表面构建包覆层，可将电解液与层状结构氧化物分离，有效避免二者的直接接触，从而减少副反应的发生，起到抑制相变，提高结构稳定性的作用。此种改善材料性能的方式也同样使用于钠离子电池。
5.常见的包覆层化合物有al2o3，mgo，tio2，alf3，napo3等，如cn114678509a公开了一种氟氧化物原位包覆的钠离子电池层状正极材料，为岩盐/层状异质结构，化学式表达为为na
x
tmo2@manb(o/f)c，manb(o/f)c为氟/氧化物，以岩盐相均匀包覆在层状金属氧化物natmo2的表面，其中tm为过渡金属ni、co、mn、cu、fe、ti中的至少一种，m则为li、na中的至少一种，n为过渡金属ni、co、mn、cu、ti、zn、al、zr、sn、sb、w、ta中的至少一种。再如
cn114744180a公开了一种复合包覆型钠离子电池正极材料，所述复合包覆型钠离子电池正极材料包括层状材料napni
x
mn
ym1-x-yo2-zfz
以及包覆在层状材料表面的复合包覆层，其中m是掺杂元素，m的化合价为n，且 2＜n＜ 4；0.6＜p＜1.05，0.3≤x≤0.8，0.1≤y≤0.6，0＜z≤0.1。层状材料表面的复合包覆层由b2o3、碳、al2o3、zro2组成。
6.但是由于钠电正极材料对水分等的敏感性，常规包覆方法应用于钠电时，增加了难度和成本，此外，由于包覆层与正极材料具有不同的组分和结构，包覆层的引入将不可避免地引入包覆层与正极材料的界面问题，影响其离子电导性。此外，由于材料结构不同，很难保证包覆层材料与正极材料在充放电过程中保持相同的膨胀系数，造成包覆层材料的破损或脱落。此外，层状氧化物材料表面具有较高的活性，极易与空气、水分等发生反应，引起相变，影响材料的性能，这也限制了层状氧化物正极材料的存储性能及应用环境。
7.因此，如何提升钠离子层状氧化物正极材料的结构稳定性，降低其表面活性，从而提升其电化学性能，是亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

8.本发明的目的在于提供一种钠离子层状氧化物正极材料及其制备方法和应用。本发明提供的正极材料，其在基体材料表面原位形成了na-o-m和/或m-o-m的贫钠相结构，起到包覆层作用，隔绝电解液的同时，还降低了正极材料的表面活性，提高了层状氧化物材料在与空气接触时的稳定性，从而提升了材料的倍率性能和循环性能。
9.为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
10.第一方面，本发明提供一种钠离子层状氧化物正极材料，所述钠离子层状氧化物正极材料包括基体内核以及位于基体内核表面的贫钠相保护层，所述基体内核的化学通式为namo2，其中，m包括ni、co、mn、fe、cu、ti或sn中的任意一种或至少两种的组合，所述贫钠相保护层中的贫钠相结构包括na-o-m和/或m-o-m。
11.本发明提供的正极材料，其在基体材料表面原位形成了na-o-m和/或m-o-m的贫钠相结构，即将基体材料的主材物质(并非单纯的只是针对于表面残余的杂相，如含钠的杂相等，而是形成了材料的主相的贫钠相结构)进行原位处理，实现预脱钠，且贫钠相结构稳定，包覆层与基体内核间无界面问题，不仅起到隔绝电解液的作用；同时，在样品高温烧结过程中，贫钠相的存在可有效阻止氧化钠从样品内部析出，在充放电过程中贫钠相可有效抑制氧从材料内部由内而外的析出，减少析出氧与电解液的反应，从而提升了材料的倍率性能和循环性能；此外，由于贫钠相的存在，有效降低了正极材料的表面活性，提高了层状氧化物材料在与空气接触时的稳定性。
12.优选地，所述贫钠相保护层的厚度为5～20nm，例如5nm、8nm、10nm、13nm、15nm、18nm或20nm等。
13.第二方面，本发明提供一种所述的钠离子层状氧化物正极材料的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
14.将钠离子基体材料与解构剂进行混合，烧结，洗涤，得到所述钠离子层状氧化物正极材料；
15.其中，所述钠离子基体材料的化学通式为namo2，其中，m包括ni、co、mn、fe、cu、ti或sn中的任意一种或至少两种的组合；所述混合过程包括固相混合和/或非水溶剂混合。
16.本发明提供的制备方法，将钠离子层状氧化物基体材料中加入解构剂进行混合包覆(固相混合或非水溶剂混合)，解构剂在烧结后会与基体材料表面的主体材料和杂相材料中的钠进行反应，得到易去除的含钠物质(即解构剂在后续会分解反应掉)，从而在后续洗涤过程中可以轻易去除，实现了在层状氧化物基体材料的表面预脱钠，原位构建得到了可作为包覆层的贫钠相结构，且贫钠相结构与基体材料之间无界面接触问题，避免了基体材料与电解液直接接触，还降低了基体材料的表面活性，提升了正极材料的倍率性能和循环稳定性。
17.本发明中，解构剂与基体材料混合包覆的过程中，必须在无水的环境下进行，而采用其他的混合方式，如水溶液的液相混合过程，则会导致易与水反应的本体材料与水接触后结构被破坏，从而导致材料的电化学性能损失；同时，在烧结后要进行洗涤，如果不进行洗涤，则无法真正的实现预脱钠，从而得不到原位构建的贫钠相结构。
18.本发明中，所述钠离子基体材料的制备方法是：将氢氧化物前驱体与钠源混合，烧结，得到钠离子基体材料。
19.优选地，所述氢氧化物前驱体的化学通式为m(oh)2，其中，m包括ni、co、mn或fe中的任意一种或至少两种的组合。
20.本发明提供的氢氧化物前驱体，采用常规的共沉淀法或固相反应法制备即可，不作特殊限定。
21.优选地，所述解构剂的质量为所述钠离子基体材料的0.001～7％，例如1％、1.5％、2％、2.5％、3％、3.5％、4％、4.5％、5％、5.5％、5.8％、6％、6.3％、6.5％、6.8％或7％等，优选为5.5～7％。
22.本发明中，解构剂的质量为所述基体材料的5.5～7％范围内时，可更好地实现解构剂在本体材料表面的均匀包覆，而质量过小，低于5.5％，不利于形成均匀连续的包覆层，质量过大，超过7％，又会导致包覆层的厚度，最终形成的保护层厚度过大，影响材料的电化学性能。
23.优选地，所述解构剂包括钼酸铵和/或氧化钼。
24.本发明提供的解构剂材料，包覆于(固相的或非水溶剂的包覆)基体材料表面后，烧结反应后在基体表面形成易溶的物质，通过简单的处理即可去除，例如钼酸铵与基体材料固相包覆再烧结后，得到钼酸钠包覆层状氧化物(钼酸铵与基体材料表面的主相材料和杂相材料均会反应)，而钼酸钠易溶于水，经过水洗即可去除，从而得到了贫钠相结构。
25.优选的，非水溶剂混合方法，是将钠离子基体材料、解构剂分散在非水溶剂中，混合后进行干燥，在钠离子基体材料表面形成包覆。非水溶剂可以是醇类溶剂、酮类溶剂等。
26.优选地，所述混合的方法包括球磨包覆，可以是固相球磨包覆或非水溶剂的球磨包覆。
27.本发明中，通过球磨包覆的包覆方法(将解构剂包覆于基体材料表面，通过固相球磨包覆或非水溶剂的球磨包覆)，球磨可以更好地融合解构剂与本体材料，从而使解构剂材料均匀地包覆于基体材料表面。
28.优选地，所述球磨包覆的转速为100～350r/min，例如100r/min、130r/min、150r/min、180r/min、200r/min、230r/min、250r/min、280r/min、300r/min、330r/min或350r/min等。
29.本发明中，球磨包覆过程中的转速过低，不利于实现解构剂的均匀包覆，而转速过高，又会导致本体材料颗粒被破坏。
30.优选地，所述球磨包覆的时间为1～3h，例如1h、1.5h、2h、2.5h或3h等。
31.本发明中，球磨包覆的时间过短，会影响解构剂包覆的均匀性，而球磨包覆时间过长，又会导致本体材料表面被破坏。
32.即本发明通过调控球磨包覆过程中的转速和时间，实现了解构剂与基体材料的均匀包覆，同时还提升了包覆的完整性。
33.优选地，所述球磨包覆的球料比为(0.5～2):1，例如0.5:1、1:1、1.5:1或2:1等。
34.优选地，所述烧结包括依次进行一次烧结和二次烧结。
35.本发明中，烧结过程分两步进行，一次烧结实现氧化钼的均匀包覆，而二次烧结可以进一步将转化后的氧化钼与基体材料的主相材料和杂相材料反应，得到易溶的含钠物质，而当原料为氧化钼时，则无需再进行一次烧结过程，其只进行二次烧结过程即可。
36.优选地，所述一次烧结的温度为250～350℃，例如250℃、260℃、270℃、280℃、290℃、300℃、310℃、320℃、330℃、340℃或350℃等。
37.优选地，所述一次烧结的时间为2～4h，例如2h、3h或4h等。
38.优选地，所述二次烧结的温度为600～850℃，例如600℃、630℃、650℃、680℃、700℃、730℃、750℃、780℃、800℃、830℃或850℃等。
39.优选地，所述二次烧结的时间为6～12h，例如6h、7h、8h、9h、10h、11h或12h等。
40.优选地，所述洗涤采用超声洗涤、离心洗涤或搅拌洗涤中的任意一种或至少两种的组合。
41.本发明中，通过简单的洗涤过程，即可实现基体材料表面预脱钠，从而得到在材料表面原位构建的贫钠相结构，避免了包覆层与基体内核的界面问题，包覆层紧密且均匀。
42.优选地，所述超声洗涤的时间为10～60min，例如10min、20min、30min、40min、50min或60min等。
43.优选地，所述洗涤后，进行干燥。
44.优选地，所述干燥后还包括进行真空烧结。
45.优选地，所述真空烧结的温度为100～250℃，例如100℃、110℃、120℃、130℃、140℃、150℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃、210℃、220℃、230℃、240℃或250℃等。
46.作为优选的技术方案，所述制备方法包括以下步骤：
47.将钠离子基体材料与解构剂以100～350r/min的转速进行球磨包覆1～3h，解构剂的质量为钠离子基体材料的5.5～7％，250～350℃下一次烧结2～4h，然后升温至600～850℃进行二次烧结6～12h，将二次烧结得到的产物进行洗涤，干燥，得到所述钠离子层状氧化物正极材料；
48.其中，所述解构剂包括钼酸铵和/或氧化钼；所述钠离子基体材料的化学通式为namo2，其中，m包括ni、co、mn、fe、cu、ti或sn中的任意一种或至少两种的组合；所述球磨包覆过程包括固相球磨包覆和/或非水溶剂球磨包覆混合。
49.第三方面，本发明还提供一种钠离子电池，所述钠离子电池包括如第一方面所述的钠离子层状氧化物正极材料。
50.相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
51.(1)本发明提供的正极材料，其在基体材料表面原位形成了na-o-m和/或m-o-m的贫钠相结构，起到包覆层作用，隔绝电解液的同时，还降低了正极材料的表面活性，提高了层状氧化物材料在与空气接触时的稳定性，从而提升了材料的倍率性能和循环性能；
52.电池中采用本发明提供的正极材料，制备正极材料过程中，调控球磨转速(100～350r/min)与解构剂的质量占比(5.5～7％)，电池在2.0-4.0v电压范围内，2c下的比容量可达107.9mah/g以上，5c下的比容量可达88.0mah/g以上，0.5c下循环100圈后的容量保持率可达87.90％以上，2c下循环300圈后的容量保持率可达58.5％以上；且电池采用放置10h后的正极材料时，在2.0-4.0v电压范围内，2c下的比容量可达107.0mah/g以上，5c下的比容量可达88.0mah/g以上，0.5c下循环100圈后的容量保持率可达87.60％以上，2c下循环300圈后的容量保持率可达58.5％以上。
53.(2)本发明提供的制备方法，在钠离子氧化物基体材料中加入解构剂进行包覆，解构剂在烧结后会与基体材料表面的主体材料和杂相材料中的钠进行反应，得到易去除的含钠物质(即解构剂在后续会分解反应掉)，从而在后续洗涤过程中可以轻易去除，实现了在层状氧化物基体材料的表面预脱钠，原位构建得到了可作为包覆层的贫钠相结构，且无需特殊处理包覆过程，制备过程简单易处理，适用于大规模生产。
附图说明
54.图1为实施例1提供的正极材料的制备流程示意图。
具体实施方式
55.下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
56.实施例1
57.本实施例提供一种钠离子层状氧化物正极材料，所述钠离子层状氧化物正极材料包括基体内核以及位于基体内核表面的贫钠相保护层，所述基体内核的化学式为na(ni
0.33
fe
0.33
mn
0.33
)o2，所述贫钠相保护层中的贫钠相结构包括岩盐相；所述贫钠相保护层的厚度为5nm。
58.所述钠离子层状氧化物正极材料的制备方法如下(制备流程如图1所示)：
59.将基体材料(na(ni
0.33
fe
0.33
mn
0.33
)o2)与钼酸铵((nh4)6mo7o
24
·
4h2o，其加入量为基体材料质量的5.5％)以球料比1:1的比例，在150r/min的转速下球磨包覆(固相)2h，然后将球磨后的物质在250℃下一次烧结3h，然后是升温至650℃二次烧结8h，得到二烧物料；将二烧物料100g，分散到500ml去离子水中，超声30min，然后离心，将离心得到的物质在80℃真空烘箱中干燥5h，得到所述正极材料。
60.实施例2
61.本实施例提供一种钠离子层状氧化物正极材料，所述钠离子层状氧化物正极材料包括基体内核以及位于基体内核表面的贫钠相保护层，所述基体内核的化学式为na(ni
0.33
fe
0.33
mn
0.33
)o2，所述贫钠相保护层中的贫钠相结构包括岩盐相；所述贫钠相保护层的厚度为20nm。
62.所述钠离子层状氧化物正极材料的制备方法如下：
63.将基体材料(na(ni
0.33
fe
0.33
mn
0.33
)o2)与钼酸铵((nh4)6mo7o
24
·
4h2o，其加入量为基体材料质量的7％)以球料比1:1的比例，在300r/min的转速下球磨包覆(固相)2h，然后将球磨后的物质在300℃下一次烧结2h，然后是升温至800℃二次烧结6h，得到二烧物料；将二烧物料100g，分散到500ml去离子水中，超声30min，然后离心，将离心得到的物质在80℃真空烘箱中干燥5h，得到所述正极材料。
64.实施例3
65.本实施例提供一种钠离子层状氧化物正极材料，所述钠离子层状氧化物正极材料包括基体内核以及位于基体内核表面的贫钠相保护层，所述基体内核的化学式为na(ni
0.33
fe
0.33
mn
0.33
)o2，所述贫钠相保护层中的贫钠相结构包括岩盐相；所述贫钠相保护层的厚度为13nm。
66.所述钠离子层状氧化物正极材料的制备方法如下：
67.将基体材料(na(ni
0.33
fe
0.33
mn
0.33
)o2)与钼酸铵((nh4)6mo7o
24
·
4h2o，其加入量为基体材料质量的6％)以球料比1:1的比例，在100r/min的转速下球磨包覆(固相)3h，然后将球磨后的物质在350℃下一次烧结2h，然后是升温至850℃二次烧结6h，得到二烧物料；将二烧物料100g，分散到500ml去离子水中，超声30min，然后离心，将离心得到的物质在80℃真空烘箱中干燥5h，得到所述正极材料。
68.实施例4
69.本实施例与实施例1的区别为，本实施例中钼酸铵的加入量为基体材料的质量的5％。
70.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
71.实施例5
72.本实施例与实施例1的区别为，本实施例中钼酸铵的加入量为基体材料的质量的7.5％。
73.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
74.实施例6
75.本实施例与实施例1的区别为，本实施例中球磨的转速为80r/min。
76.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
77.实施例7
78.本实施例与实施例1的区别为，本实施例中球磨的转速为350r/min。
79.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
80.实施例8
81.本实施例与实施例1的区别为，本实施例中干燥后，在150℃下进行真空烧结。
82.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
83.实施例9
84.本实施例与实施例1的区别为，本实施例基体内核的化学式为nani
0.68
mn
0.22
co
0.10
o2；
85.制备方法中，基体材料的化学式为nani
0.68
mn
0.22
co
0.10
o2，钼酸铵的加入量为基体材料的1％。
86.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
87.实施例10
88.本实施例与实施例9的区别为，钼酸铵的加入量为基体材料的2.5％。
89.其余制备方法与参数与实施例9保持一致。
90.实施例11
91.本实施例与实施例9的区别为，钼酸铵的加入量为基体材料的4％。
92.其余制备方法与参数与实施例9保持一致。
93.实施例12
94.本实施例与实施例9的区别为，钼酸铵的加入量为基体材料的5.5％。
95.其余制备方法与参数与实施例9保持一致。
96.实施例13
97.本实施例与实施例9的区别为，钼酸铵的加入量为基体材料的7％。
98.其余制备方法与参数与实施例9保持一致。
99.实施例14
100.本实施例与实施例1的区别为，将基体材料(na(ni
0.33
fe
0.33
mn
0.33
)o2)与钼酸铵((nh4)6mo7o
24
·
4h2o，其加入量为基体材料质量的7％)分散于乙醇中，搅拌蒸干，实现钼酸铵对基体材料的包覆。
101.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
102.实施例15
103.本实施例与实施例12的区别为，将基体材料(nani
0.68
mn
0.22
co
0.10
o2)与钼酸铵((nh4)6mo7o
24
·
4h2o，其加入量为基体材料质量的5.5％)分散于丙酮中，搅拌蒸干，实现钼酸铵对基体材料的包覆。
104.其余制备方法与参数与实施例12保持一致。
105.实施例16
106.本实施例与实施例1的区别为，将钼酸铵替换为氧化钼纳米颗粒(moo3，麦克林，m813107，纳米三氧化钼，99.95％，100nm，其加入量为基体材料质量的6.7％)。
107.烧结方案为直接升温至650℃二次烧结8h，得到二烧物料。
108.其余制备方法与参数与实施例1保持一致。
109.实施例17
110.本实施例与实施例12的区别为，将钼酸铵替换为氧化钼纳米颗粒(moo3，麦克林，m813107，纳米三氧化钼，99.95％，100nm，其加入量为基体材料质量的6.7％)。
111.烧结方案为直接升温至650℃二次烧结8h，得到二烧物料。
112.其余制备方法与参数与实施例12保持一致。
113.对比例1
114.本对比例与实施例1的区别为，本对比例中正极材料即为基体内核，表面不含贫钠相保护层。
115.对比例2
116.本对比例与实施例1的区别为，本对比例中的包覆过程为水溶液的液相包覆，具体为：
117.采用与实施例1相同的基体材料，取100g基体材料，将占基体材料质量5.5％的钼
酸铵((nh4)6mo7o
24
·
4h2o)溶解到100ml去离子水中，使用氨水(nh3·
h2o，30％)将溶液ph调节至9，将基体材料加入到溶液中，超声1h，之后将溶液温度保持在80℃搅拌蒸发，蒸干后在250℃下一次烧结3h，然后是升温至650℃二次烧结8h，得到二烧物料；
118.(3)将二烧物料100g，分散到500ml去离子水中，超声30min，然后离心，将离心得到的物质在80℃真空烘箱中干燥5h，得到所述正极材料。
119.对比例3
120.本对比例与实施例9的区别为，本对比例中正极材料即为基体内核，表面不含贫钠相保护层。
121.将实施例1-17与对比例1-3提供的钠离子层状氧化物正极材料与导电炭黑(super p)，聚偏二氟乙烯(pvdf)按照质量比8:1:1进行混料，得到浆料，然后涂布到铝箔形成正极片。将制备得到的正极极片与钠金属极片组装成钠离子扣式电池，将浓度为1mol/l的高氯酸钠溶解在聚碳酸酯(pc)/氟代碳酸乙烯酯(fec)中(质量比97:3，深圳友研)，得到电解液；扣电组装完成后，按如下步骤进行容量和循环等测试：静置2h；恒流充放电，充放电电压区间为2.0-4.0v，循环倍率为0.5c，2.0c，额定克容量为120mah/g，测试结果如表1所示。
122.表1
123.[0124][0125][0126]
从实施例1与实施例4和5、实施例12-13与实施例9-10的数据结果可知，制备过程
中，解构剂的质量为基体材料的质量的5.5～7％，可更好地实现钼酸钠的均匀包覆，并保持贫钠相保护层的合理厚度，而过大，会导致钼酸钠的厚度过大，形成的贫钠相保护层厚度过大，影响材料的电化学性能，过小又会导致形成的保护层不均匀，无法实现有效的保护。
[0127]
从实施例1与实施例6和7的数据结果可知，球磨包覆过程中，球磨转速过低，不利于形成均匀的包覆层，而转速过高，也会导致包覆层的形成不均匀(球磨机的转速过高也不好，无法形成均匀的反应)。
[0128]
从实施例1与实施例8的数据结果可知，干燥后再进行真空烧结，可进一步地提高包覆层材料的稳定性。
[0129]
从实施例1与对比例1、实施例9与对比例3的数据结果可知，不在钠离子氧化物正极材料表面原位形成贫钠层，则很难实现正极材料的稳定循环，导致较低的容量保持率。
[0130]
从实施例1与对比例2的数据结果可知，解构剂与基体材料采用液相包覆的方式进行包覆，会严重影响本体材料的结构完整性，本体材料在液相反应中与水溶液的接触会造成层状结构的不可逆破坏，从而导致正极材料的性能大幅降低。
[0131]
将实施例1-17与对比例1-3提供的正极材料在空气中放置10h，依据上述电池的制备方法同样制备得到扣式电池，进行同样的电化学性能测试，测试结果如表2所示。
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表2
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o-m的贫钠相结构，起到包覆层作用，隔绝电解液的同时，还降低了正极材料的表面活性，提高了层状氧化物材料在与空气接触时的稳定性，从而提升了材料的倍率性能和循环性能。
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申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。