1.本发明属于电力电子技术领域，具体涉及电力半导体器件。
背景技术：
2.电力半导体器件作为电能转换系统的关键环节，是实现电能高效利用的保障。在大功率全控型器件中，集成门极换流晶闸管是将外部门极端通过多叠层板与门极驱动电路集成封装，继承了绝缘栅双极晶体管和门极可关断晶闸管的器件结构优点，凭借低通态损耗、大功率容量和高可靠性等特点在直流断路器、海上风力发电、柔性直流输电等场合应用。
3.当今市场需求对集成门极换流晶闸管功率容量不断提高，而功率等级的提升与其门极硬驱动能力紧密相关。由于集成门极换流晶闸管是多元胞并联集成的功率器件，在开通时，为使所有元胞能同时导通，硬驱动触发要求门极开通电路提供强触发脉冲，并且在完全导通后，若阳极电流小于擎住电流，器件会发生自关断，所以还需设置门极维持电路提供一个较小的门极后沿电流，以保证所有元胞持续导通。而且若集成门极换流晶闸管的门极开通触发电流达不到要求，会出现元胞不均匀导通，导致局部过热，使器件损坏。
4.因此有必要对集成门极换流晶闸管的导通触发电路中的门极开通和维持电路设计展开深入研究，提升其硬驱动能力，进而提高可靠性。
技术实现要素：
5.本发明所要解决的技术问题在于克服上述现有技术的缺点，提供一种体积小、充电时间短、电流变化率高、能产生强触发脉冲电流的集成门极换流晶闸管的导通触发装置。
6.解决上述技术问题所采用的技术方案是：
7.它具有用于产生开关电流的开通电路。
8.它还具有维持电路，该电路与开通电路相连。
9.本发明的开通电路由场效应管m1、场效应管m4、二极管d1、晶闸管t、线圈l1、电容c1连接构成，场效应管m1的漏极接20v电源正极、源极接二极管d1的负极并通过线圈l1接晶闸管t的控制极g、栅极接集成门极换流晶闸管的控制电路，晶闸管t的阳极a接集成门极换流晶闸管的控制电路、阴极k接电容c1的一端和二极管d1的正极，场效应管m4的源极接20v电源负极和晶闸管t的阴极k以及维持电路、漏极接晶闸管t的控制极g、栅极接集成门极换流晶闸管的控制电路。
10.本发明的维持电路由场效应管m2、场效应管m3、二极管d2、二极管d3、线圈l2连接构成，场效应管m3的漏极接电源20v正极、源极通过线圈l2接晶闸管t的控制极g、栅极接集成门极换流晶闸管的控制电路，场效应管m3的漏极接晶闸管t的阴极k和二极管d1的正极,，二极管d2的负极接场效应管m2的源极和二极管d3的负极、正极接场效应管m4的源极和电容c1的另一端。
11.由于本发明采用了将开通电路与维持电路组合，用最少的零部件优化了电路结
断开，线圈l2会通过门极、关断电容组c1和二极管d3来放电，电容c1回收部分电能。
技术特征：
1.一种集成门极换流晶闸管的导通触发装置，其特征在于：它具有用于产生开关电流的开通电路；它还具有维持电路，该电路与开通电路相连。2.根据权利要求1所述的集成门极换流晶闸管的导通触发装置，其特征在于：所述的开通电路由场效应管m1、场效应管m4、二极管d1、晶闸管t、线圈l1、电容c1连接构成，场效应管m1的漏极接20v电源正极、源极接二极管d1的负极并通过线圈l1接晶闸管t的控制极g、栅极接集成门极换流晶闸管的控制电路，晶闸管t的阳极a接集成门极换流晶闸管的控制电路、阴极k接电容c1的一端和二极管d1的正极，场效应管m4的源极接20v电源负极和晶闸管t的阴极k以及维持电路、漏极接晶闸管t的控制极g、栅极接集成门极换流晶闸管的控制电路。3.根据权利要求1所述的集成门极换流晶闸管的导通触发装置，其特征在于：所述的维持电路由场效应管m2、场效应管m3、二极管d2、二极管d3、线圈l2连接构成，场效应管m3的漏极接电源20v正极、源极通过线圈l2接晶闸管t的控制极g、栅极接集成门极换流晶闸管的控制电路，场效应管m3的漏极接晶闸管t的阴极k和二极管d1的正极,，二极管d2的负极接场效应管m2的源极和二极管d3的负极、正极接场效应管m4的源极和电容c1的另一端。
技术总结
一种集成门极换流晶闸管的导通触发装置，它具有用于产生开关电流的开通电路；它还具有维持电路，该电路的输入端与开通电路的输出端相连。由于本发明采用了将开通电路与维持电路组合，用最少的零部件优化了电路结构，提高了电路的功率密度和储能电感数量，缩短了电流充电时间。本发明具有结构简单、零部件少、功率密度高、充电时间短等优点，可用于集成门极换流晶闸管的控制装置。晶闸管的控制装置。晶闸管的控制装置。
技术研发人员：高旭明
受保护的技术使用者：高旭明
技术研发日：2022.11.07
技术公布日：2023/2/3
再多了解一些
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