加工装置的制作方法

1.本发明涉及具备差动排气装置的加工装置。


背景技术：

2.作为加工装置，已知有如下的装置：通过从聚焦离子束柱状体将聚焦离子束在试样表面进行扫描，检测从产生的聚焦离子束所碰撞的试样放射出的二次粒子(二次电子、二次离子等)，由此能够观察显微镜图像、对试样表面实施成膜加工。具体而言，聚焦离子束装置具有进行试样观察、蚀刻(溅射)、cvd(化学气相沉积)的功能等。
3.在这样的加工装置中，基于来自上述的显微镜图像的信息来向被修正基板表面的必要部位照射聚焦离子束，同时从另行设置在聚焦离子束柱状体的外侧的供给喷嘴供给cvd用气体，由此能够进行局部的成膜以进行加工、修正。
4.近年来，公开了具备在被修正基板的表面局部地形成真空空间的局部排气装置而不需要大型的真空腔室的加工装置(例如参照专利文献1)。该加工装置在聚焦离子束柱状体中的镜筒的前端开口部(下端部)形成有直接供给原料气体的原料气体流路(专利文献1的图4)。
5.在先技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：日本专利第5114960号公报


技术实现要素：

8.本发明要解决的问题
9.然而，在上述的现有的加工装置中，存在如下的问题：即便向聚焦离子束柱状体的镜筒的前端部直接供给原料气体，原料气体也难以到达被修正基板表面的被处理面，从而难以向被修理基板表面稳定地形成cvd成膜。
10.本发明鉴于上述的课题而作成，其目的在于提供能够对被处理基板进行可靠的成膜处理的加工装置。
11.用于解决课题的方案
12.为了解决上述的课题而达成目的，本发明的方案的加工装置具备：差动排气装置，其具备头部，该头部相对于被处理基板的被处理面而与该被处理面的任意区域对置，在所述头部中的与所述被处理面对置的对置面形成有多个环状槽，该多个环状槽围绕所述头部的中心，在所述头部的比所述多个环状槽中的最内侧的所述环状槽靠内侧的区域设置有开口部，该开口部形成能够对所述被处理面进行处理的处理用空间，在所述多个环状槽中的至少一个环状槽连结真空泵，在使所述对置面与所述被处理面对置的状态下，通过来自所述环状槽的吸气作用来将所述处理用空间设为高真空度；以及聚焦离子束柱状体，其配置在所述头部中的与所述对置面相反的一侧，具备与所述开口部连结而能够与所述处理用空间连通的镜筒，在所述镜筒内内置有聚焦离子束光学系统而使聚焦离子束穿过所述开口部
内来射出，所述加工装置的特征在于，在最内侧的所述环状槽连结有原料气体供给部，从该环状槽朝向所述被处理面喷出原料气体而能够使原料气体沿着该被处理面向所述处理用空间移动。
13.作为上述方案，优选所述头部具备头部主体和槽形成板，该槽形成板安装在该头部主体中的与所述被处理基板对置的一侧的面，所述槽形成板中的与所述被处理基板对置的面是所述对置面。
14.作为上述方案，优选在所述头部主体的与所述被处理基板对置的一侧的面的轮廓内呈岛状配置所述槽形成板，将由所述头部主体的与所述被处理基板对置的一侧的面和所述槽形成板的外周部形成的台阶部设为锥形形状。
15.作为上述方案，优选在所述头部主体的与所述被处理基板对置的一侧的面的轮廓内呈岛状配置所述槽形成板，将由所述头部主体的与所述被处理基板对置的一侧的面和所述槽形成板的外周部形成的台阶部的肩部设为倒圆角部。
16.作为上述方案，优选所述槽形成板由多个环状板构成，该多个环状板配置为围绕所述头部的中央。
17.作为上述方案，优选在所述镜筒的前端部内配置有微通道板，在所述微通道板上形成有供所述聚焦离子束通过的离子束通过口，将所述微通道板的所述离子束通过口的周边作为能够捕获从所述被处理基板产生的二次带电粒子的检测部。
18.作为上述方案，优选所述加工装置具备光学显微镜，该光学显微镜对形成于所述被处理基板的校准标记进行检测。
19.作为上述方案，优选所述加工装置在所述头部的附近隔开偏置距离而具备观察用显微镜，所述观察用显微镜用于观察所述被处理基板的被处理区域。
20.作为上述方案，优选所述加工装置具备多个所述聚焦离子束柱状体，所述聚焦离子束柱状体在前端部具备所述差动排气装置，各所述聚焦离子束柱状体以与将所述被处理基板的被处理面分割为多个的区域分别对置的方式配置。
21.作为上述方案，优选固定所述被处理基板的位置，使在前端部设置所述差动排气装置的所述聚焦离子束柱状体能够相对于所述被处理基板在x－y方向上移动。
22.发明效果
23.根据本发明，能够实现可对被处理基板进行可靠的成膜处理的加工装置。
附图说明
24.图1是本发明的第一实施方式的加工装置的剖视说明图。
25.图2是从斜下方观察构成本发明的第一实施方式的加工装置的差动排气装置的立体图。
26.图3是从斜下方观察构成本发明的第一实施方式的加工装置的槽形成板的立体图。
27.图4是从斜上方观察构成本发明的第一实施方式的加工装置的槽形成板的立体图。
28.图5是本发明的第一实施方式的变形例1的加工装置的剖视说明图。
29.图6是本发明的第一实施方式的变形例2的加工装置的剖视说明图。
30.图7是从斜下方观察本发明的第一实施方式的变形例3的加工装置的局部剖视立体图。
31.图8是本发明的第二实施方式的加工装置的主要部分剖视图。
32.图9是示意性地示出本发明的第二实施方式的变形例1的加工装置的说明图。
33.图10是表示本发明的第三实施方式的加工装置的主要部分剖视图。
34.图11是表示本发明的第四实施方式的加工装置的结构说明图。
35.图12是表示本发明的第五实施方式的加工装置的结构说明图。
36.图13是表示本发明的第六实施方式的加工装置的结构说明图。
37.图14是表示本发明的第七实施方式的加工装置的结构说明图。
具体实施方式
38.以下，参照附图对本发明的实施方式的加工装置的详细情况进行说明。需要说明的是，应留意附图是示意性的，各构件的尺寸、尺寸的比率、数目、形状等与实际上不同。另外，在附图相互之间也包括彼此的尺寸的关系、比率、形状不同的部分。
39.[第一实施方式]
[0040]
(加工装置的简要结构)
[0041]
图1示意性地示出第一实施方式的加工装置1的简要结构。加工装置1具备差动排气装置2、聚焦离子束柱状体(以下，也称为fib柱状体)3、基板支承台4和支承框架5。基板支承台4能够对作为被处理基板的光掩模6以载置的状态进行支承。基板支承台4是能够在x－y方向上移动的工作台。
[0042]
(差动排气装置的结构)
[0043]
以下，使用图2～图4来说明差动排气装置2的结构。需要说明的是，图2是从下方观察差动排气装置2的立体图。差动排气装置2具备头部7、未图示的真空泵和喷出泵。
[0044]
头部7由面积与光掩模6的被处理面6a的面积相比极其小的圆盘形状的两个金属板构成。头部7通过基板支承台4在x－y方向上移动而能够与被处理面6a的任意区域对置。
[0045]
如图1及图2所示，头部7具备头部主体8和安装在头部主体8中的与光掩模6对置的一侧的面8a上的槽形成板9。槽形成板9在头部主体8中的与光掩模6对置的一侧的面8a的轮廓内呈岛状配置。需要说明的是，在该实施方式中，将槽形成板9螺纹固定于头部主体8，但固定机构不限定于此。槽形成板9具有与光掩模6直接对置的对置面9a。
[0046]
如图2所示，在对置面(下表面)9a上以围绕头部7的中心的方式形成有四个环状槽10a、10b、10c、10d。在头部7的这多个环状槽10a、10b、10c、10d中的最内侧的环状槽10a的内侧区域形成有开口部11。该开口部11内形成处理用空间sp。在该开口部11能够对光掩模6的被处理面6a进行处理(基于聚焦离子束照射实现的成膜处理等)。在头部主体8的中央形成有与该开口部11连通的开口部8b。需要说明的是，在该说明中，将以围绕头部7的中心的方式形成的槽称为“环状槽”，其是包含圆形的环状的槽、方形的环状的槽且还包含环的一部分欠缺的例如c字形状的槽、间歇地呈环状排列的多个槽等在内的定义。
[0047]
如图1所示，后述的fib柱状体3的镜筒14以连通的方式与该开口部8b连结。另外，在头部主体8内形成有与槽形成板9上形成的环状槽10a、10b、10c、10d分别连通的连通路，在这些连通路上分别连结有连结管12a、12b、12c、12d。如图3及图4所示，在本实施方式中，
在槽形成板9的槽底部以贯通槽形成板9的方式形成有多个连通孔13a、13b、13c、13d。环状槽10a、10b、10c、10d通过这多个连通孔13a、13b、13c、13d而与头部主体8内的连通路连通。
[0048]
多个环状槽10a、10b、10c、10d中的至少一个以上的(在本实施方式中为三个)环状槽10b、10c、10d通过形成在头部主体8内的连通路而与连结管12b、12c、12d连接。这些连结管12b、12c、12d与未图示的真空泵连接。
[0049]
最内侧的环状槽10a通过连结管12a而与供给沉积气体(原料气体、cvd用气体)的未图示的原料气体供给部连接。头部7具备如下功能：在使对置面9a与被处理面6a对置的状态下，利用来自环状槽10b、10c、10d的空气吸引作用来使处理用空间sp成为高真空度。另外，头部7从最内侧的环状槽10a向这样被调整为高真空度的处理用空间sp可靠地供给原料气体，由此能够对与开口部11对置的被处理面6a的区域进行cvd成膜。
[0050]
顺带说一下，在现有的加工装置中，局部排气装置中的原料气体流路的吹出口与镜筒的前端开口部邻接地形成，因此存在cvd生成物容易堆积在吹出口附近的壁部这样的问题。由于该cvd生成物堆积的部位是镜筒的前端部，因此可能会对聚焦离子束造成影响。因此，在现有的加工装置中，需要对局部排气装置进行维护。这种情况下，需要定期地将局部排气装置从聚焦离子束柱状体拆下来进行堆积的cvd生成物的清洁。在局部排气装置上连接有排气系统的管、原料气体的供给系统的管等，因此存在拆下工序、清洁工序、安装工序需要花费长时间的课题。
[0051]
在现有的加工装置中，由于局部排气装置与被修正基板的设定间隙是窄到40μm这种程度的间隔，因此存在局部排气装置的下表面与被修理基板接触而需要更换的可能性。在这样的更换中，也存在花费长时间和大量的管理成本的课题。
[0052]
(聚焦离子束柱状体：fib柱状体)
[0053]
fib柱状体3配置在上述的头部7中的与对置面9a相反侧的面侧(上表面侧)，fib柱状体3的前端开口部以连通的方式与头部7的开口部8b、11连结。
[0054]
fib柱状体3具备与处理用空间sp连通的镜筒14和内置在镜筒14内的聚焦离子束光学系统15。从fib柱状体3的前端部能够以通过开口部11内的方式射出聚焦离子束ib。这样的fib柱状体3被支承框架5以悬吊的状态支承。
[0055]
聚焦离子束光学系统15具备产生离子束ib的离子源、使产生的离子束ib聚焦的聚光透镜、扫描离子束ib的偏转器以及使离子束ib聚焦的对物静电透镜等。作为离子源，主要使用镓(ga)离子源，但也可以通过对氩(ar)等稀有气体进行电感耦合等离子体(icp)化或者气体电场离子化来使用稀有气体离子源。作为离子束ib的透镜，优选使用电场透镜。
[0056]
作为cvd的沉积用气体，可以使用w(co)6。当向基板附近的w(co)6照射聚焦离子束时，其分解为w和co，w沉积在基板上。
[0057]
(第一实施方式的加工装置的动作及作用)
[0058]
在使用本实施方式的加工装置1来进行加工的情况下，设定为使光掩模6的被处理面6a相对于头部7的对置面9a保持着规定的间隙而平行地对置配置的状态。
[0059]
接着，使未图示的真空泵工作而经由连结管12b、12c、12d从三个环状槽10b、10c、10d进行吸引。由最内侧的环状槽10a的内侧的开口部11形成的处理用空间sp通过来自环状槽10b、10c、10d的吸引作用而成为高真空。
[0060]
这样，在处理用空间sp成为高真空的状态下，从未图示的原料气体供给部通过连
结管12a而将原料气体(cvd用气体)向最内侧的环状槽10a供给。由于环状槽10a位于处理用空间sp的附近，因此原料气体可靠地到达处理用空间sp。此时，原料气体沿着光掩模6的被处理面6a向处理用空间sp移动。即，原料气体稳定地存在于进行成膜的区域。
[0061]
若在该状态下从fib柱状体3朝向处理用空间sp照射离子束ib，则能够对与开口部11对置的被处理面6a的区域进行cvd成膜。
[0062]
(第一实施方式的加工装置的效果)
[0063]
在本实施方式的加工装置1中，能够利用差动排气装置2局部地设为高真空度，因此无需将光掩模6的被处理面6a整体配置在真空中。
[0064]
在本实施方式中，在差动排气装置2中，在最内侧的环状槽10a连结有原料气体供给部。通过从该环状槽10a朝向光掩模6的被处理面6a喷出原料气体，由此原料气体经由该被处理面6a而从开口部11到达处理用空间sp。因此，能够使原料气体可靠地到达面向处理用空间sp的被处理面6a而在聚焦离子束ib的作用下稳定地形成优质的cvd膜。
[0065]
另外，在本实施方式中，能容易地进行将槽形成板9从头部主体8拆下并更换的作业，因此无需拆下fib柱状体3、连结管12a、12b、12c、12d等，具有维护容易的效果。
[0066]
(第一实施方式的变形例1)
[0067]
图5所示的加工装置1a是上述的第一实施方式的加工装置1的变形例1。该加工装置1a将头部7的槽形成板9的外周面、即由头部主体8的面8a和槽形成板9的外周部形成的台阶部的外周面(壁面)形成为锥形面9b。该变形例1的加工装置1a的其他结构与上述的第一实施方式的加工装置1大致相同，具有同样的作用及效果。
[0068]
当差动排气装置2的对置面9a与光掩模6的被处理面6a之间的间隙为40μm这种程度的狭窄间隙时，若是在该狭窄间隙的区域发生紊流，则会成为振动产生等的主要原因。根据该变形例1，通过将槽形成板9的外周面形成为锥形面9b来缓和陡峭的台阶，由此不易发生紊流，能够抑制振动产生等。
[0069]
(第一实施方式的变形例2)
[0070]
图6示出上述的第一实施方式的变形例2的加工装置1b。该加工装置1b使头部7的槽形成板9的外周部的台阶带有圆角而形成为倒圆角部9c。该变形例2的加工装置1b的其他结构与上述的第一实施方式的加工装置1大致相同。
[0071]
根据该变形例2，通过将槽形成板9的台阶肩部形成为倒圆角部9c，由此与上述的变形例1同样地具有不易在对置面9a与被处理面6a之间发生紊流的作用，能够抑制装置的振动产生等。在该变形例2中，也具有与上述的第一实施方式的加工装置1同样的作用及效果。
[0072]
(第一实施方式的变形例3)
[0073]
图7是表示第一实施方式的变形例3的加工装置1c的局部剖视立体图。在该变形例3中，槽形成板9通过将五个环状板9d、9e、9f、9g、9h呈同心圆状配置而形成。在这些环状板9d、9e、9f、9g、9h中的相互相邻的环状板彼此之间形成有环状槽10a、10b、10c、10d。该变形例3的加工装置1c的其他结构与上述的第一实施方式的结构大致相同。
[0074]
根据该变形例3，能够通过微小地改变构成槽形成板9的环状板9d、9e、9f、9g、9h各自的厚度来调整差动排气功能。另外，只要将环状板9d、9e、9f、9g、9h中发生了损伤的部分更换即可，因此能够抑制维护成本。因此，能够容易地进行拆下并更换的作业。
[0075]
(第二实施方式)
[0076]
图8是表示第二实施方式的加工装置1d的主要部分剖视图。在本实施方式中，能够从头部7中的最外侧的环状槽10d朝向被处理面6a喷吹作为非活性气体的氮气(n2)来产生气幕(gas curtain)。这样，通过使用非活性气体，由此能够利用非活性气体对镜筒14内进行净化(purge)，从而改善环境。另外，在非活性气体的喷吹下，具有抵消基于差动排气产生的真空压的效果。需要说明的是，在本实施方式中，头部7由单一金属板构成。
[0077]
(第二实施方式的变形例1)
[0078]
图9是本发明的第二实施方式的变形例1的加工装置1e的剖视说明图。如图9所示，该加工装置1e在差动排气装置2的头部7的对置面9a的外侧沿着该对置面9a的外周缘环绕式地一体设置有浮起垫16。该浮起垫16经由连结管12e与供给作为非活性气体的氮气(n2)的未图示的喷出泵连接。该浮起垫16形成为扁平的环状的管形状，在下表面形成有多个狭缝状或圆形状的开口16a，能够从该开口喷出非活性气体。本实施方式的加工装置1e的其他结构与上述的第二实施方式的加工装置1d大致相同。
[0079]
浮起垫16朝向被处理面6a喷吹非活性气体来形成气幕。因此，浮起垫16对头部7向从被处理面6a离开的方向施力。这样，通过使用非活性气体，由此能够利用非活性气体对镜筒14内进行净化，从而改善环境。另外，在非活性气体的喷吹下，具有抵消基于差动排气产生的真空压的效果。
[0080]
[第三实施方式]
[0081]
图10是示意性示出本发明的第三实施方式的加工装置1f的说明图。该加工装置1f在镜筒14的前端部内具备聚焦离子束光学系统15的对物静电透镜15a和微通道板17。微通道板17配置在比对物静电透镜15a靠离子束下游侧(接近镜筒14的前端)的位置。如图10所示，微通道板17在中央开设有离子束通过口17a，其周边部被设为能够捕获从光掩模6产生的二次带电粒子p的检测部17b。
[0082]
需要说明的是，在使用该加工装置1f观察光掩模的被处理面6a的情况下，在停止了沉积气体(原料气体)的供给的状态下照射聚焦离子束ib。并且，由于聚焦离子束ib通过离子束通过口17a而向被处理面6a入射。于是，从被处理面6a产生的二次带电粒子p向检测部17b入射而产生电子。这样，将产生的电子利用雪崩电流放大而能够获得被处理面6a的表面的信息。因而，根据本实施方式的加工装置1f，能够以高灵敏度检测出被处理面6a的状态。
[0083]
根据本实施方式的加工装置1f，能够缩短对物静电透镜15a的工作距离(wd)，与现有那样在真空腔室内的从聚焦离子束光学系统离开的位置处配置闪烁器来进行检测的方法相比，能够提高二次带电粒子p的捕捉效率。
[0084]
若这样缩短对物静电透镜15a的工作距离，则难以在镜筒14的前端部附近另行配置沉积气体(原料气体)的喷嘴等结构物。然而，在本实施方式中，从环状槽10a向开口部11的附近的被处理面6a喷出沉积气体。因此，能够经由被处理面6a来向处理用空间sp导入沉积气体。因而，在本实施方式中，不会产生因工作距离缩短而难以进行沉积气体的供给这样的问题。在本实施方式中，原料气体能够可靠地到达面向处理用空间sp的被处理面6a而进行优质且稳定的cvd成膜。
[0085]
根据本实施方式，结果是能够缩短对物静电透镜15a的工作距离，因此聚焦离子束
光学系统15的聚焦效率也得以提高，还能够照射微细的聚焦离子束ib。
[0086]
另外，在本实施方式中，由聚焦离子束ib进行被处理面6a的状态的观察的光掩模6的位置与进行cvd成膜时的光掩模6的位置相同，因此，无需移动光掩模6。因此，能够避免伴随着光掩模6的移动而使得处理位置偏离的问题。
[0087]
[第四实施方式]
[0088]
图11示出本发明的第四实施方式的加工装置1g。加工装置1g具备x－y精密工作台25。x－y精密工作台25在至少四角的下部分别设置有支承腿26。在x－y精密工作台25之上设置有被x－y精密工作台25驱动而在x－y方向上移动的基板支承台4。在该基板支承台4之上载置有光掩模6。
[0089]
如图11所示，在x－y精密工作台25之上架设有支承框架20。在支承框架20的中央悬吊着fib柱状体3。在fib柱状体3的下端一体地设置有差动排气装置2。需要说明的是，fib柱状体3和差动排气装置2的结构与上述的第一实施方式的加工装置1的结构大致相同。
[0090]
在fib柱状体3连接有真空泵27，在真空泵27连接有真空泵控制电源28。另外，在x－y精密工作台25连接有工作台控制电源29。
[0091]
尤其是在本实施方式中，在与配置于x－y精密工作台25上的规定位置处的光掩模6的四角上形成的校准标记6b对应的上方位置，分别设置有光学校准显微镜30。
[0092]
在本实施方式中，使用差动排气装置2实现了局部真空空间，由此进行处理的区域以外的区域处于大气压，因此能够容易地设置光学校准显微镜。在本实施方式中，使用光掩模的四角的校准标记6b来进行校准，能够按照光学校准显微镜30的位置与fib柱状体3进行处理的处理位置之间的相对关系来确定坐标。
[0093]
因此，根据本实施方式的加工装置1g，不需要x－y精密工作台25为了进行校准而产生的行程。此外，根据该加工装置1g，能够缩短用于进行校准的移动时间。
[0094]
[第五实施方式]
[0095]
图12示出本发明的第五实施方式的加工装置1h。本实施方式的加工装置1h形成为以相对于fib柱状体3设定偏置(offset)距离的方式设置光学显微镜的31的结构。需要说明的是，在本实施方式中，不具备上述第四实施方式的加工装置1g中那样的光学校准显微镜30，但当然也可以附加光学校准显微镜30。
[0096]
在现有的加工装置中，利用设置在fib柱状体的外侧的电荷粒子检测器来检测从被照射了聚焦离子束的光掩模放射出的二次电子、二次离子，观察其强度的变化，从而将被处理基板的表面形状作为离子图像来观察。通常，使用该离子图像进行照射位置确认等。但是，由于二次带电粒子依赖于被处理基板的表面形状(倾斜角度)，因此仅表面形状作为离子图像被检测出来。因此，在表面形状的起伏少的情况下，会成为对比度低的离子图像，从而难以确认照射位置，导致位置精度降低。
[0097]
如图12所示，在本实施方式的加工装置1h中，能够利用差动排气装置2局部地设为高真空度，因此无需将光掩模6整体配置在真空中。因此，能够在fib柱状体3的附近设置光学显微镜31。因而，能够利用高分辨率的光学显微镜31从应由聚焦离子束进行处理的光掩模6的被处理面6a获取不仅表面的起伏信息还有颜色等信息。因此，在本实施方式中，能够容易地确认应由聚焦离子束进行处理的位置。需要说明的是，在本实施方式中，也可以取代光学显微镜31而使用激光显微镜等。
[0098]
只要预先确认离子束照射位置相对于这样的由光学显微镜31确认了的位置而言的位置偏移，则能够在根据应处理位置的光学图像进行了位置确认后马上将光掩模6安置到离子束照射位置。这样，在本实施方式中，针对起伏少的光掩模6的表面也能够指定照射位置，能够高精度地进行聚焦离子束照射。
[0099]
[第六实施方式]
[0100]
图13示出本发明的第六实施方式的加工装置1i。加工装置1i具备x－y精密工作台25、分别设置在x－y精密工作台25的至少四角的下部的支承腿26、基板支承台4、支承框架20、悬吊于该支承框架20的四个fib柱状体3以及设置在fib柱状体3的下端的差动排气装置2。
[0101]
在各fib柱状体3连接有真空泵27，在真空泵27连接有真空泵控制电源28。另外，在x－y精密工作台25连接有工作台控制电源29。
[0102]
尤其是在本实施方式中，四个fib柱状体3以与将光掩模分割为四个的区域对应的方式配置。在针对一片光掩模使用一个fib柱状体3的情况下，对基板支承台4来说需要产生基板面积的四倍的行程。相对于此，在本实施方式中，通过设置四个fib柱状体3，由此能够运转x－y精密工作台25以减少基板支承台4的可动行程，能够将装置的占有区域(footprint)抑制得小。
[0103]
[第七实施方式]
[0104]
图14示出本发明的第七实施方式的加工装置1j。该加工装置1j具备固定有基板支承台4的基板工作台32。基板工作台32分别在至少四角的下部设置有支承腿26。
[0105]
如图14所示，在基板工作台32之上架设有x－y龙门工作台33。在x－y龙门工作台33设置有能够在x－y方向上移动的可动块34。在可动块34固定有fib柱状体3和光学校准显微镜30。在fib柱状体3的下端一体地设置有差动排气装置2。需要说明的是，fib柱状体3和差动排气装置2的结构与上述的第一实施方式的加工装置1的结构大致相同。
[0106]
在fib柱状体3连接有真空泵27。另外，在可动块34连接有工作台控制电源35。
[0107]
尤其是在本实施方式中，通过将可动块34以能够在x－y方向上移动的方式设置于x－y龙门工作台33，由此能够在固定了光掩模6的位置的状态下使设置于可动块34的fib柱状体3和光学校准显微镜30移动。这样，由于能够固定光掩模6的位置，因此能够减小装置的占有区域。
[0108]
以上，对本发明的各实施方式进行了说明，根据本发明，能够可靠地维持头部7的处理用空间sp的高真空，因此能够提高该处理用空间中的处理作业的品质。另外，在头部7的对置面9a上，从围绕中央的开口部11的最内侧的环状槽10a喷出原料气体，因此能够在光掩模6上进行可靠的成膜处理。
[0109]
另外，在本发明中，通过在头部7安装槽形成板9，由此仅对槽形成板9进行更换、清洁即可，因此维护变得容易，能够削减设备成本进而是管理成本。
[0110]
[其他的实施方式]
[0111]
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但不应理解构成这些实施方式的公开的一部分的论述及附图会限定本发明。对本领域技术人员来说，能够根据该公开而知晓各种各样的替代实施方式、实施例及应用技术。
[0112]
在上述的实施方式中，形成于差动排气装置的环状槽的数目不限定于四根，只要
具备至少进行排气和吹出的两根以上的环状槽即可。另外，作为气体供给用的槽及排气用的槽，形成了圆形环状的环状槽10a、10b、10c、10d，但不限定于此，也可以形成例如四方形状的环状的槽等。
[0113]
在上述的实施方式中，作为被处理基板，适用了光掩模6来进行说明，但当然也可以适用于观察布线缺陷而需要进行成膜处理的各种显示器基板等。
[0114]
符号说明
[0115]
ib 聚焦离子束
[0116]
sp 处理用空间
[0117]
1、1a、1b、1c、1d、1e、1f、1g、1h、1i、1j 加工装置
[0118]
2 差动排气装置
[0119]
3 聚焦离子束柱状体(fib柱状体)
[0120]
4 基板支承台
[0121]
6 光掩模
[0122]
6a 被处理面
[0123]
7 头部
[0124]
8 头部主体
[0125]
8b 开口部
[0126]
9 槽形成板
[0127]
9a 对置面
[0128]
9b 锥形面
[0129]
9c 倒圆角部
[0130]
9d、9e、9f、9g、9h 环状板
[0131]
10a、10b、10c、10d 环状槽
[0132]
11 开口部
[0133]
14 镜筒
[0134]
15 聚焦离子束光学系统
[0135]
16 浮起垫
[0136]
17 微通道板
[0137]
17a 离子束通过口
[0138]
17b 检测部
[0139]
30 光学校准显微镜
[0140]
31 光学显微镜
[0141]
33 x－y龙门工作台。