辐射单元与天线的制作方法

1.本发明属于移动通信技术领域，具体涉及一种辐射单元与配置了所述辐射单元的天线。


背景技术：

2.随着移动通信技术的快速发展，移动通信网络从2g逐步发展至5g，甚至 6g。因每代移动通信网络均工作于不同的频段，所以在布置每代移动通信网络时都需配置对应的天线，以发射不同频段的信号。但是随着2g、3g、4g及5g 移动通信网络的工作，为节省基站的空间资源，将2g、3g、4g及5g分别对应的天线共基站设置，以提升基站利用率。
3.但为2g、3g、4g及5g均分别配置天线将会极大的增大基站的布置成本与维护成本，且多种天线同时布置将会极大地占据基站的空间资源，且多种天线之间将会产生严重的互耦作用，造成电磁辐射污染。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于解决上述问题至少之一而提供一种辐射单元与天线。
5.适应本发明的各个目的，本发明采用如下技术方案：
6.适应本发明的目的之一而提供一种辐射单元，包括多个辐射臂，该多个辐射臂共同限定辐射面，还包括与辐射面设于不同平面的谐振层，所述谐振层包括与辐射臂相对应的谐振器，所述谐振器包括开口环状件，所述开口环状件与其位置对应的辐射臂的臂体局部平行设置。
7.进一步的，所述开口环状件由多个环臂围设而成，所述辐射臂包括多个辐射枝节，开口环状件中至少一个环臂在辐射面上的投影与相对应的辐射臂的其中一个辐射枝节相平行。
8.进一步的，所述谐振器还包括设置于开口环状件之内的谐振环，所述谐振环的形状与所述开口环状件的形状相对应。
9.进一步的，所述开口环状件呈具有轴对称结构的规则几何形状。
10.进一步的，所述谐振器为实体带线或实体带线的互补结构。
11.所述谐振层与所述辐射面相平行设置，所述谐振层上设有多个谐振器，多个谐振器分别与多个辐射臂相对应设置。
12.进一步的，所述谐振层的数量为多个，沿所述辐射面的辐射前向和/或辐射后向平行层叠设置。
13.进一步的，辐射前向设置的多个谐振层中的谐振器的面积，沿辐射路径依次缩小或等大设置。
14.具体的，所述辐射单元还包括有向各个辐射臂对应馈电的馈电元件，至少一个所述谐振层与所述馈电元件容性耦合设置，所述馈电元件包括馈电耦合片，所述馈电耦合片与相对应的辐射臂和谐振器相耦合。
15.适应本发明的目的之一而提供一种天线，包括反射板及设置于反射板上的天线子阵，所述天线子阵包括如前一目的任意一项所述的辐射单元。
16.相对于现有技术，本发明具有多方面的优势，包括但不限于：
17.首先，本发明的辐射单元的辐射面与谐振层设置于不同平面上，使得设置于谐振层上的谐振器与设置于辐射面上的相对应的辐射臂相对应设置，谐振器的开口环状件与相对应的辐射臂的臂体局部平行设置，便于开口环状件与辐射臂相互耦合，拓展低频带宽，以适应宽频段的信号辐射，还可提升增益，提升辐射能力，所述谐振器的口径的较小便于辐射单元的小型化，便于设置于基站上，减少对天面资源的使用。
18.其次，本发明的辐射单元的谐振器的口径较传统的谐振器的口径小，使得辐射单元加载了谐振器，辐射单元的口径可缩小，使得天线阵列中辐射单元与相邻的辐射单元之间的间隙可增大，降低辐射单元之间的互耦作用，提升辐射单元的辐射性能。
19.再次，本发明的辐射单元的谐振器的开口环状件上设有开口，使得谐振器具有开口结构，使得谐振器具有超材料特性，辐射单元的提升负折射率等辐射性能。
20.另外，本发明的辐射单元还可通过控制辐射面与谐振层之间的距离，以控制辐射单元的低频带宽的拓展、增益的控制及定向辐射能力。
21.本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
22.本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
23.图1为本发明典型实施例的辐射单元的结构示意图。
24.图2为本发明典型实施例的辐射单元的第一介质板的仰视图。
25.图3为本发明典型实施例的辐射单元的侧视示意图。
26.图4为本发明典型实施例的辐射单元的俯视示意图。
27.图5为本发明一个实施例的谐振器的开口环状件与辐射臂之间结构示意图。
28.图6为本发明实施例一的辐射单元的谐振器的结构示意图。
29.图7为本发明实施例二的辐射单元的谐振器的结构示意图。
30.图8为本发明实施例三的辐射单元的谐振器的结构示意图。
31.图9为本发明一个实施例的辐射单元的谐振器的开口环状件的结构示意图。
32.图10为本发明一个实施例的辐射单元的结构示意图。
33.图11为发明另一实施例的辐射单元的结构示意图。
34.图12为本发明的辐射单元的馈电元件的结构示意图。
35.图13为当测试天线使用本发明的辐射单元，谐振层分别距离辐射面3mm、 6mm及12mm时的低频带宽与阻抗匹配性能的示意图。
36.图14为当测试天线使用本发明的辐射单元，谐振层分别距离辐射面3mm、 6mm及12mm时的增益性能的示意图。
37.图15为当测试天线使用本发明的辐射单元100时的驻波比和当测试天线使用未加载谐振层的辐射单元时的驻波比的相对比的示意图。
38.图16为当测试天线使用本发明的辐射单元时的驻波比和当测试天线使用未加载谐振层的辐射单元时的驻波比的相对比的示意图。
具体实施方式
39.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的实例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是实例性的，仅用于解释本发明而不能解释为对本发明的限制。
40.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
41.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
42.本发明提供了一种辐射单元，该辐射单元为其辐射臂配置谐振器，谐振器与相对应的辐射臂相层叠设置，以拓宽辐射单元的带宽，提升辐射单元的增益，且加载谐振器的口径较传统的谐振器的口径小，加载本发明的谐振器后，可缩小辐射单元的口径，使得辐射单元与相邻辐射单元组阵时的间距可扩大，降低与相邻辐射单元的互耦作用，降低互耦带来的电磁污染，便于与其它辐射单元组阵设置。
43.在本发明的典型实施例中，结合图1，所述辐射单元100包括辐射面110、谐振层120及馈电元件130，所述辐射面110与所述谐振层120相平行、且相重叠设置。
44.结合图2，所述辐射面110中设有多个辐射臂111，该多个辐射臂111共同限定所述辐射面110。所述多个辐射臂111设置于第一介质板140的其中一面上，也即是说，第一介质板140的设置辐射臂111的面为所述辐射面110。在本发明的典型实施例中，所述多个辐射臂111设置于第一介质板140的反面141上，也即是说第一介质板140的反面141为所述辐射面110。
45.在一个实施例中，所述辐射单元100为双极化辐射单元100，所述多个辐射臂111分为两组，该两组辐射臂111分别沿不同的极化方向设置，以构成双极化辐射单元100。
46.在本发明的典型实施例中，所述辐射单元100为双极化辐射单元100，所述多个辐射臂111分别两对，每对辐射臂111分别沿不同极化方向设置，每对辐射臂111包括两个相对设置的辐射臂111。所述辐射臂111具有多个辐射枝节 1111，辐射臂111由多个辐射枝节1111相连接而成。优选的，所述辐射臂111 由多个辐射臂111围成环状结构。
47.结合图3，所述谐振层120与所述辐射面110相平行设置，且所述谐振层 120不与所
述辐射面110设置于同一平面上。谐振层120与辐射面110相层叠设置，谐振层120在辐射面110上的投影与辐射面110相重叠或重合设置。且，还可通过调节谐振层120与辐射面110之间的距离，调节辐射单元100的低频带宽，加载谐振层120相当于延长了辐射臂111的电传输路径，谐振层120与辐射面100之间距离越近，谐振层120与辐射面110上辐射臂之间的能量耦合越强，则使得拓展低频带宽的能力越强。
48.具体言之，结合图4，所述谐振层120中设有多个谐振器121，该多个谐振器121对应辐射面110上的多个辐射臂111设置，也即是说，每个谐振器121 各对应一个辐射臂111，使得多个谐振器121也呈双极化设置，以充当寄生单元，增强辐射单元100的定向辐射性，拓展低频带宽与便于阻抗匹配。相对应的谐振器121与辐射臂111在位置上一一对应层叠设置，换而言之，谐振器121于辐射面110上的投影与相对应的辐射臂111相重叠或重合设置。
49.在一个实施例中，结合图5，所述谐振器121的摆放角度与其相对应的辐射臂111的摆放角度不同，谐振器121的摆放角度与相对应的辐射臂111的摆放角度之间具有0至90
°
的差值，使得谐振器121于辐射面110上的投影不与相对应的辐射臂111相重合，通过调整摆放角度，调节辐射单元100的低频带宽。优选的，谐振器121的摆放角度与相对应的辐射臂111的摆放角度之间的差值为0
°
或90
°
。
50.在一个实施例中，结合图5，所述谐振器121偏离相对应的辐射臂111的几何中心设置，谐振器121的几何中心不与相对应的辐射臂111的几何中心相对应，换而言之，谐振器121于辐射面110上的投影的几何中心不与相对应的辐射臂111的几何中心相对应，使得谐振器121于辐射面110上的投影与相对应的辐射臂111部分重合，或者，谐振器121于辐射面110上的投影相重合，但谐振器121于辐射面110上的投影偏离相对应的辐射臂111的几何中心，偏离的角度越大，则谐振器121拓展低频带宽的能力越强，以便于所述辐射单元100 拓展低频带宽。
51.结合图1与图4，所述谐振器121包括开口环状件1211与谐振环1212，所述谐振环1212设置于所述开口环状件1211之内。所述开口环状件1211包括耦合环12111与设置于耦合环12111上的开口12112，开口12112的设置使得耦合环12111为开环结构。
52.具体言之，所述耦合环12111由多个环臂12113围设而成，使得耦合环12111 呈多边形结构，所述开口12112设置于其中一个环臂12113上。优选的，所述耦合环12111呈具有轴对称结构的规则几何形状。例如，五边形、六边形、八边形灯等。
53.在本发明的典型实施例中，结合图5，所述开口环状件1211的耦合环12111 的至少一个环臂12113与相对应的辐射臂111的其中一个辐射枝节1111相平行设置，使得谐振器121与相对应的辐射臂111之间可相互耦合，提升辐射单元 100的辐射性能，且还可通过控制辐射臂111与相对应的谐振器121之间的距离，调节低频带宽，加载谐振器121相当于延长了辐射臂111的电传输路径，谐振器121与辐射臂111之间的距离越近，则能量耦合越强，低频带宽的拓展能力越强。
54.具体言之，所述耦合环12111包括第一环臂12114，辐射臂111包括第一辐射枝节1112，耦合环12111的第一环臂12114与相对应的辐射臂111的第一辐射枝节1112相平行，也即是说，第一环臂12114在辐射面110上的投影与第一辐射枝节1112相平行，以便于第一环臂12114与第一辐射枝节1112之间相互耦合，拓展低频带宽，提升辐射单元100的辐射性能。
55.进一步言之，耦合环12111还包括与第二环臂12115，第二环臂12115与第一环臂
12114分别朝不同方向延伸设置，辐射臂111还包括第二辐射枝节1113，第二辐射枝节1113的延伸方向与第一辐射枝节1112延伸方向不相同。耦合环 12111的第二环臂12115与相对应的辐射臂111的第二辐射枝节1113相平行，也即是说，第二环臂12115在辐射面110上的投影与第二辐射臂1113设置相平行设置，以便于第二环臂12115与第二辐射枝节1113之间相互耦合，拓展低频带宽，提升辐射单元100的辐射性能。
56.在进一步的实施例中，所述耦合环12111还包括多个环臂12113与辐射臂 111的相对应的辐射枝节1111相平行设置。
57.在一个实施例中，所述第一环臂12114在辐射面110上的投影与第一辐射枝节1112相重合，所述第二环臂12115在辐射面110上的投影与第二辐射枝节 1113相重合。
58.在一个实施例中，结合图5，所述辐射臂111的形状与相对应的谐振器121 的开口环状件1211的形状相对应，耦合环12111在辐射面110上的投影与相对应的辐射臂111部分重叠设置，以便于耦合环12111与相对应的辐射臂111之间相互耦合。且耦合环12111的至少一个环臂12113在辐射面110上的投影与辐射臂111的其中一个辐射枝节1111相交设置，辐射臂111的至少一个环臂 12113在辐射面110上的投影维持与辐射臂111的相对应的辐射枝节1111相平行。
59.在本发明的典型实施例中，结合图1与图4，所述谐振环1212的形状与所述耦合环12111的形状相对应，但谐振环1212未设有开口12112。谐振环1212 包括多个谐振臂1241，该多个谐振臂1241围设成所述谐振环1212。谐振环1212 的多个谐振臂1241分别与耦合环12111的多个环臂12113相对应平行设置，以便于谐振臂1241与相对应的环臂12113相耦合。
60.当辐射面110上的多个辐射臂111被激励产生电磁信号，电磁信号被投射至谐振环1212上，耦合环12111的环臂12113与谐振环1212的谐振臂1241上均会产生感应电流，从而具有电感效应。耦合环12111的环臂12113与谐振环 1212的相对应的谐振臂1241之间的缝隙可等效为电容，且耦合环12111上的开口12112也可等效为电容，使得耦合环12111与谐振环1212之间整体等效为rlc 电路，也即是说谐振器121等效为rlc电路。
61.通过调整耦合环12111的环臂12113与谐振环1212的相对应的谐振臂1241 之间的缝隙的距离，和调整耦合环12111上的开口12112的大小，从而可调整等效rlc电路的等效电容与等效电感值。因所述谐振环1212为完整的环状结构，使得谐振环1212可作为引向结构为辐射单元100提供一定的阻抗匹配。在部分实施例中，谐振环1212与耦合环12111共同构成谐振器121，使得谐振器121 成为了左手材料或超材料，具有较佳的负折射率，辐射单元100具有较佳的负折射率可提高其引向作用，增强辐射单元100的定向辐射性，从而提高辐射单元100的增益。
62.所述谐振器121与辐射面110相平行设置，谐振器121可拓展辐射单元100 的低频带宽，且使得辐射单元100小型化。通过谐振器121控制辐射单元100 的口径，使得辐射单元100与其它辐射单元100组阵设置时，可增大辐射单元100与相邻辐射单元100之间的间距，降低阵列间耦合度，从而改善互耦与方向图。
63.在本发明的典型实施例中，所述谐振器121具有多种形状，谐振器121的开口环状件1211的形状与相对应的谐振环1212的形状相对应。所述开口环状件1211的耦合环12111呈具有轴对称结构的规则几何形状，规则几何形状的耦合环12111有利于提高辐射单元100的一致性，提升辐射性能。例如，包括以下实施例的形状。
64.实施例一，结合图6，所述开口环状件1211的耦合环12111为矩形，矩形的耦合环12111上设有开口12112，以构成矩形状的开口环状件1211。所述开口环状件1211内设有谐振环1212，所述谐振环1212的形状与耦合环12111的形状相对应，也为矩形状。优选的，所述谐振环1212上也设有开口，谐振环1212 上的开口12121与所述开口环状件1211上的开口12111分别设置于谐振器121 的两侧。实施例一的谐振器121的开口环状件1211和谐振环1212均为矩形，便于开口环状件1211和谐振环1212之间相互耦合，拓展带宽，缩小辐射单元 100的口径。
65.实施例二，结合图7，所述开口环状件1211的耦合环12111为圆形，所述谐振环1212对应所述耦合环12111也为圆形。优选的，所述谐振环1212上也设有开口12121，谐振环1212上的开口12121与所述开口环状件1211上的开口 12112分别设置于谐振器121的两侧。实施例二的谐振器121的开口环状件1211 和谐振环1212均为圆形，便于开口环状件1211和谐振环1212之间相互耦合，拓展带宽，缩小辐射单元100的口径。
66.在实施例三中，结合图8，所述开口环状件1211的耦合环12111为八边形，所述谐振环1212对应耦合环12111也呈八边形状。相较于将耦合环12111与谐振环1212设置为圆形、方形，耦合环12111与谐振环1212为八边形的谐振器 121兼具耦合环为矩形的谐振器和耦合环为圆形的耦合环的谐振器的优势，可拓展低频带宽，缩小辐射单元100口径。优选的，所述耦合环12111还可为六边形、十边形等规则几何形状。
67.在一个变形的实施例中，结合图9，所述开口环状件1211上设有一对延伸枝节12116，所述一对延伸枝节12116设置于所述开口环状件1211的开口12112 的两侧上。所述延伸枝节12116向开口环状件1211内部延伸，以延伸开口环状件1211的电传输路径，提升辐射单元100的辐射性能。在进一步的实施例中，谐振器121不设有耦合环。
68.在本发明的典型实施例中，结合图3，可通过控制谐振层120与辐射面110 之间的距离，调整辐射单元100的低频带宽、增益及阻抗匹配等辐射性能。谐振层120距离辐射面110越近，则越便于辐射单元100的小型化，且还可拓展低频带宽，提升阻抗匹配能力。
69.具体言之，参见图14，当辐射单元100的谐振层120分别距离辐射面110 的距离为3mm、6mm及12mm时，可知谐振层120距离辐射面110的距离越近，则谐振器121与相对应的辐射臂111之间的耦合能力越强，谐振器121可等效延长相对应的辐射臂111的长度，使得辐射单元100的低频频点进一步降低，低频带宽拓展能力增强，阻抗带宽趋于平坦，辐射单元100可进一步小型化。
70.参见图15，当辐射单元100的谐振层120分别距离辐射面110的距离为3mm、 6mm及12mm时，可知谐振层120距离辐射面110越近，则辐射单元100的整体增益越高，谐振器121起到的引向作用越强，且辐射单元100的定向辐射能力越强。
71.在一个实施例中，结合图11与图12，所述谐振层120具有多个，该多个谐振层120均平行层叠设置，且设置于不同的平面上。所述多个谐振层120设置于辐射面110的同一侧或分别设置于辐射面110的两侧，通过在辐射面110的一侧或两侧设置多个谐振层120，可提高辐射单元增益，拓展低频带宽，提高辐射单元的辐射性能。例如，在辐射单元100上设置第一谐振层124与第二谐振层125。
72.具体言之，所述辐射面110的辐射方向为辐射前向，与辐射前向方向相反的一侧为辐射后向。所述多个谐振层120均设置于辐射面110的辐射前向或辐射后向，或者所述多个
谐振层120分别设置于辐射面110的辐射前向与辐射后向。
73.在一个实施例中，结合图11，当多个谐振层120设置辐射面110的同一侧时，按照距离辐射面110的近远程度，谐振层120上的谐振器121的大小依次缩小，也即是说，距离辐射面110越近的谐振层120上的谐振器121的面积越大，距离辐射面110越远的谐振层120上的谐振器121的面积越小。例如，在辐射单元100的同一侧上设置第一谐振层124与第二谐振层125，其中第一谐振层124距离辐射面110的距离较近，而第二谐振层125距离辐射面110的距离较远，第一谐振层124上的谐振器121的面积大于第二谐振层125上的谐振器的面积。
74.在进一步的实施例中，多个谐振层120设置于辐射面110的辐射前向，该多个谐振层120上的谐振器121的面积，沿辐射前向的辐射路径依次缩小设置或等大设置，所述辐射路径为辐射面110的信号辐射路径。优选的，在所述辐射面110的辐射前向设置两个谐振层120。
75.在本发明的典型实施例中，结合图3，所述谐振层120设置于第二介质板 150的其中一面上。所述第二介质板150与所述第一介质板140相平行层叠设置。所述第一介质板140通过多个第一支撑柱160支撑，以将第一介质板140安装于外部部件。在一个实施例中，所述外部部件为反射板180。
76.在一个实施例中，所述第二介质板150上设有多个第二支撑柱(未示出)，该多个第二支撑柱支撑于第一介质板140上或支撑于外部部件上。
77.在一个实施例中，所述谐振层120上的谐振器121为设置于第二介质板150 上的实体带线，具体为金属带线。
78.在另一个实施例中，结合图10，所述第二介质板150的设置谐振层120的一面上覆盖铜层151，谐振器121为蚀刻铜层151所形成的缝隙，以便于将谐振器121固设于谐振层120上，且便于生产制造所述谐振器121。
79.在本发明的典型实施例中，结合图13，所述馈电元件130为所述辐射臂111 与谐振层120耦合馈电。所述馈电元件130包括馈电线131和耦合馈电片132，所述馈电线131用于与外部线缆133相连接，所述馈电线131与所述耦合馈电片132相连接，所述耦合馈电片132设置于第一介质板140的正面142上，耦合馈电片132用于为设置于辐射面110上的辐射臂111与设置于谐振层120上的谐振器121耦合馈电。
80.在一个实施例中，所述耦合馈电片132呈扇形状，将耦合馈电片132设置扇形，可使得耦合馈电片132与辐射面110上的辐射臂111实现大面积能量耦合，且还可提高辐射单元100的隔离度和交叉极化指标。
81.在一个实施例中，结合图1与图2，因所述辐射单元100为双极化辐射单元 100，所述馈电元件130对应每一极化均设置了一个馈电线131与一个耦合馈电片132，也即是馈电元件130设有两个馈电线131与两个耦合馈电片132，以分别为对应极化的辐射臂111耦合馈电。优选的，所述一对馈电线131正交设置，于该一对馈电线131相交处，在第一介质板140上设置对应的金属化过孔，以避免该一对馈电线131相互干涉，影响辐射单元100的电气性能。
82.在一个实施例中，所述外部线缆133为同轴电缆，所述同轴电缆的内导体与所述馈电线131相连接，同轴电缆的外导体与设置于第一介质板140上的用于穿设同轴电缆的通孔相焊接。
83.参见图16，图16为当测试天线使用本发明的辐射单元100时的驻波比和当测试天
线使用未加载谐振层的辐射单元时的驻波比的相对比的示意图。从图16 中可以看出，当测试天线使用未加载谐振层的辐射单元时，驻波比几乎大于2，阻抗匹配很差；而当测试天线使用本发明的辐射单元100时，驻波比得到了显著改善，除了原有频段内的驻波比小于1.6，而且1.4ghz-1.7ghz的带宽也得到了拓展，且阻抗匹配能力也得到了极大地提升。
84.本发明还提供了一种天线，所述天线包括反射板与设置于反射板上的天线子阵，所述天线子阵包括多个彼此并联馈电的辐射单元，所述辐射单元为上文所述的辐射单元。
85.本发明还提供了一种基站，所述基站包括上文所述的天线。
86.综上所述，本发明的辐射单元对应辐射臂设有相平行层叠的谐振器，所述谐振器通过其开口环状件可拓展辐射单元的低频带宽，提高增益，且降低互耦作用，以便于与相邻的辐射单元组阵设置。
87.以上描述仅为本发明的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本发明中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本发明中发明的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。
88.尽管已经采用特定于结构特征和/或方法逻辑动作的语言描述了本主题，但是应当理解所附权利要求书中所限定的主题未必局限于上面描述的特定特征或动作。相反，上面所描述的特定特征和动作仅仅是实现权利要求书的示例形式。