抗辐射硅基二氧化硅光波导器件

技术特征：
1.一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，其特征在于，包括：衬底(1)；下包层(2)，生长在所述衬底(1)上；芯层(3)，生长在所述下包层(2)上，在所述芯层(3)中设有光波导器件(5)；上包层(4)，生长在所述芯层(3)上；其中，所述芯层(3)的折射率大于所述下包层(2)和上包层(4)的折射率，所述芯层(3)、上包层(4)和下包层(2)的材料为掺杂氟的二氧化硅材料。2.根据权利要求1所述的一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，其特征在于，所述芯层(3)的材料中掺杂锗。3.根据权利要求1所述的一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，其特征在于，所述上包层(4)的材料中还掺杂硼和磷。4.根据权利要求1所述的一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，其特征在于，所述衬底(1)为石英或者硅材料。5.根据权利要求1所述的一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，其特征在于，所述光波导器件(5)包括阵列波导光栅、光分路器、混频器中的单个器件或者多个器件的集成。

技术总结
本公开提供了一种抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，衬底(1)；下包层(2)，生长在所述衬底(1)上；芯层(3)，生长在所述下包层(2)上，在所述芯层(3)中设有光波导器件(5)；上包层(4)，生长在所述芯层(3)上；其中，所述芯层(3)的折射率大于所述下包层(2)和上包层(4)的折射率，所述芯层(3)、上包层(4)和下包层(2)的材料为掺杂氟的二氧化硅材料。该抗辐射硅基二氧化硅光波导器件，在芯层和上下包层中掺杂氟，氟的引入增大较高能量状态缺陷结构的断网几率，随着氟含量的增加，缺陷浓度将随之下降，缺陷吸收能显著降低，减少了辐射致衰减带来的光损耗，提高了光波导器件的抗辐射性能。提高了光波导器件的抗辐射性能。提高了光波导器件的抗辐射性能。


技术研发人员：崔鹏伟 王玥 张家顺 安俊明
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2022.10.20
技术公布日：2023/1/31