半导体结构的制作方法及半导体结构与流程

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。


背景技术：

2.在一些工艺制程中，衬底以及设置于衬底上的一些材料层在栅氧化制程之前形成，衬底和这些材料层对氧非常敏感，在栅氧化制程过程中，如果未对这些结构进行保护或者保护不当，极易导致这些结构被氧化，影响半导体器件的性能。
3.常规方案中，通常形成双层氧化物层用于阻挡氧扩散，以保护衬底等结构，但是，双层氧化物层对于氧的阻挡效果有限，仍存在衬底等结构被氧化的风险。


技术实现要素：

4.以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
5.根据本公开的第一方面，提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
6.提供基底；
7.在所述基底的第一区域形成保护层；
8.在所述基底的第二区域形成栅氧层，在形成所述栅氧层的过程中，所述保护层被氧化为氧化物层。
9.在一个实施例中，在所述基底的第一区域形成保护层，包括：
10.在所述基底的顶面依次形成第一材料层和第二材料层，所述第一材料层覆盖所述基底的顶面，所述第二材料层覆盖所述第一材料层的顶面；
11.去除覆盖于所述基底的第二区域的所述第一材料层和所述第二材料层，被保留的位于所述基底的第一区域的所述第一材料层和所述第二材料层形成所述保护层；
12.所述保护层被氧化为氧化物层包括：至少所述第二材料层被氧化为氧化物层。
13.在一个实施例中，去除覆盖于所述基底的第二区域的所述第一材料层和所述第二材料层，包括：
14.形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖位于所述基底的第一区域的所述第二材料层的顶面；
15.以所述第一光刻胶层为掩膜，去除所述第二区域的部分所述第一材料层和部分所述第二材料层。
16.在一个实施例中，所述第一材料层的材料包括氧化物。
17.在一个实施例中，所述第二材料层的材料包括多晶硅，所述氧化物层的材料包括sio2；或
18.所述第二材料层的材料包括氮化物，所述氧化物层的材料包括sio2和/或si2n2o。
19.在一个实施例中，在所述基底的第二区域形成所述栅氧层时，工艺温度为1073k～
1373k。
20.在一个实施例中，所述第二区域包括第一子区域和第二子区域，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层；
21.在所述基底的第二区域形成栅氧层，包括：
22.去除位于所述第一子区域的保护层；
23.在所述第一子区域形成第一栅氧层，在形成所述第一栅氧层的过程中，位于所述第一区域和所述第二子区域的所述保护层被氧化为氧化物层；
24.去除位于所述第二子区域的所述氧化物层，以暴露出所述基底的第二子区域的顶面；
25.形成第二栅氧层，所述第二栅氧层覆盖所述基底的第二子区域的顶面；
26.在所述第一栅氧层和所述第二栅氧层的顶面形成高k介质层，所述高k介质层还覆盖所述第一区域的所述氧化物层顶面；
27.去除所述第一区域的氧化物层和所述高k介质层。
28.在一个实施例中，去除位于所述第二子区域的所述氧化物层，包括：
29.形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述第一栅氧层的顶面以及所述第一区域的所述氧化物层的顶面，覆盖于所述第二子区域的所述氧化物层被暴露出来；
30.以所述第二光刻胶层为掩膜，去除覆盖于所述第二子区域的所述氧化物层，暴露出所述基底的第二子区域的顶面。
31.在一个实施例中，在垂直于所述基底上表面的方向上，所述第一栅氧层的厚度大于所述第二栅氧层的厚度；
32.所述提供基底，还包括：
33.在所述第二子区域中用于形成p型晶体管的区域上形成沟道材料层。
34.在一个实施例中，提供基底，包括：
35.提供衬底；
36.在所述衬底的第一区域形成存储有源区及贯穿所述存储有源区的埋入式字线；
37.在所述衬底的第二区域形成外围有源区。
38.根据本公开的第二方面，提供了一种半导体结构，包括：
39.基底，包括第一区域和第二区域；
40.氧化物层，覆盖所述基底的第一区域的顶面；
41.栅氧层，覆盖所述基底的第二区域的顶面。
42.在一个实施例中，所述氧化物层的材料包括sio2和si2n2o中的至少一种。
43.在一个实施例中，所述第二区域包括第一子区域和第二子区域；所述半导体结构还包括：
44.位于所述第一子区域的输入输出晶体管，所述输入输出晶体管包括覆盖所述基底的第一子区域顶面的第一栅氧层；
45.位于所述第二子区域的核心晶体管，所述核心晶体管包括覆盖所述基底的第二子区域的顶面的第二栅氧层；
46.在垂直于所述基底上表面的方向上，所述第一栅氧层的厚度大于所述第二栅氧层的厚度。
47.在一个实施例中，所述核心晶体管还包括沟道材料层，所述沟道材料层位于所述基底的第二区域的第二子区域与所述第二栅氧层之间。
48.在一个实施例中，所述基底的第一区域包括存储有源区及贯穿所述存储有源区的埋入式字线；
49.所述基底的第二区域包括外围有源区。
50.本公开提供的半导体结构的制作方法及半导体结构中，通过在基底上形成能够与氧反应并生成氧化物层的保护层，以在栅氧化制程的过程中，保护层能够通过化学反应的方式吸收氧以减少氧含量，并且吸收氧后的保护层形成氧化物层还能够以物理方式阻挡氧，实现充分保护基底；并且，去除氧化物层的工艺与常规技术兼容，不会对后续制程产生影响。
51.在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
52.并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
53.图1是根据一示例性实施例示出的半导体结构的制作方法的流程图。
54.图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
55.图3是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
56.图4是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
57.图5是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
58.图6是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
59.图7是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
60.图8是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
61.图9是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
62.图10是根据一示例性实施例示出的半导体结构的示意图。
63.附图标记：
64.100、基底；
65.110、第一区域；120、第二区域；121、第一子区域；122、第二子区域；
66.111、字线；112、隔离结构；113、介质层；
67.200、保护层；210、第一材料层；220、第二材料层；
68.300、栅氧层；310、第一栅氧层；320、第二栅氧层；
69.400、氧化物层；
70.500、沟道材料层；
71.600、第一光刻胶层；700、第二光刻胶层；
72.800、高k介质层。
具体实施方式
73.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
74.在一些工艺制程中，衬底以及设置于衬底上的一些材料层，比如sige，在栅氧化制程之前形成，衬底和这些材料层对氧非常敏感，在栅氧化制程过程中，如果未对这些结构进行保护或者保护不当，极易导致这些结构被氧化，影响半导体器件的性能。
75.形成双层氧化物层用于阻挡氧扩散，以保护衬底等结构，但是，双层氧化物层对于氧的阻挡效果有限，仍存在衬底等结构被氧化的风险。
76.为了解决在栅氧化制程工艺过程中，现在的保护层不能够对基底进行有效保护的问题，本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括：提供基底；在基底的第一区域形成保护层；在基底的第二区域形成栅氧层，在形成栅氧层的过程中，保护层被氧化为氧化物层。本公开中，通过在基底上形成能够与氧反应并生成氧化物层的保护层，以在栅氧化制程的过程中，保护层能够通过化学反应的方式吸收氧以减少氧含量，并且吸收氧后的保护层形成氧化物层还能够以物理方式阻挡氧，实现充分保护基底，并且去除氧化物层的工艺与常规技术兼容，不会对后续制程产生影响。
77.本公开实施例对半导体结构不做限制，下面将以半导体结构为动态随机存储器(dram)为例进行介绍，但本实施例并不以此为限，本实施例的半导体结构还可以为其他的结构。其中，图1示出了根据本公开一示例性实施例提供的半导体结构的制作方法的流程图，图2至图10为半导体结构的制作方法的各个阶段的示意图，下面结合图2至图10对半导体结构的制作方法进行介绍。
78.根据本公开一示例性实施例，如图1所示，本公开实施例提供了一种半导体结构的制作方法，制作方法包括如下步骤：
79.步骤s100、提供基底。
80.该步骤中，如图2所示，基底100包括衬底，以及设置于衬底上的元器件，元器件比如晶体管、电容器等。
81.其中，衬底用于支撑设置在其上的元器件，衬底的材料可以为硅(si)、锗(ge)、或锗化硅(sige)、碳化硅(sic)；也可以是绝缘体上硅(soi)，绝缘体上锗(goi)；或者还可以为其它的材料，例如砷化镓等
ⅲ‑ⅴ
族化合物。
82.步骤s200、在基底的第一区域形成保护层。
83.该步骤中，如图2所示，可以采用物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积或外延生长等方式在基底100的第一区域110的顶面形成保护层200。
84.在一个实施例中，在基底100的第一区域110形成保护层200，具体可以包括以下步骤：
85.步骤s210、在基底的顶面依次形成第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层覆盖基底的顶面，第二材料层覆盖第一材料层的顶面。
86.该步骤中，如图2所示，首先，可以采用沉积、外延生长等工艺在基底100的整个顶
面(包括第一区域110和第二区域120)形成第一材料层210，第一材料层210的材料为氧化物，氧化物可以为金属氧化物也可以为非金属氧化物，比如二氧化硅(sio2)。接着，可以采用沉积、外延生长等工艺在第一材料层210的顶面形成第二材料层220，第二材料层220的材料可以是多晶硅(poly si)或者氮化物(nitride)，多晶硅和氮化物能够与氧发生反应，以在栅氧化制程过程中吸收氧，从而提升保护层的氧阻挡能力。
87.在一些实施例中，氮化物包括氮化硅，比如可以是si3n4。
88.在一些实施例中，第二材料层的厚度小于第一材料层的厚度，以使得第一材料层210能够保证衬底等结构与环境中的氧隔绝，且第二材料层220在形成栅氧层的过程中能够完全氧化为氧化物层并阻挡氧在保护层中的扩散，提升后续去除氧化物层的效率。
89.其中，为了提升第一材料层和第二材料层的结构可靠性，在形成第一材料层之前，可以对基底顶面进行化学机械抛光，在形成第二材料层之前，可以对第一材料层的顶面进行化学机械抛光。
90.步骤s220、去除覆盖于基底的第二区域的第一材料层和第二材料层，被保留的位于基底的第一区域的第一材料层和第二材料层形成保护层。
91.该步骤中，参照图2和图8，可以采用光刻、刻蚀工艺去除覆盖于基底100的第二区域120的第一材料层210和第二材料层220，暴露出基底100的第二区域120的顶面，进而可以在基底100的第二区域120上形成栅氧层300(参照图8)。保留的位于第一区域110顶面的第一材料层210和第二材料层220形成保护层200。
92.需要说明的是，去除覆盖第二区域120顶面的第一材料层210和第二材料层220时，可以一次性去除第二区域120上的全部第一材料层210和第二材料层220。
93.也可以先去除第二区域120上的部分第一材料层210和部分第二材料层220，并在被去除第一材料层210和第二材料层220的位置完成指定制程工艺后，再去处第二区域120上的另一部分第一材料层210和第二材料层220，从而在后续的栅氧化制程中，可以根据半导体器件中不同位置的性能需求，以在基底的第二区域上形成不同厚度的栅氧层，使得把半导体器件具有最优的性能。例如，在核心区(core)可以形成较薄的栅氧层，使得半导体器件具有更快的响应速度，而在输入输出区(i/o)可以形成较厚的栅氧层，以满足输入输出区的高电压需求，避免出现隧穿漏电流。
94.该步骤中，本公开实施例中示例性地示出了由第一材料层和第二材料层形成保护层的方案，这并不对本公开的技术方案产生限定，保护层还可以为三层、四层或者更多层的叠层结构。
95.在一些实施例中，在基底的顶面形成第一材料层和第二材料层交替堆叠的保护层，例如保护层可以包括至少两层第一材料层和至少一层第二材料层。
96.步骤s300、在基底的第二区域形成栅氧层，在形成栅氧层的过程中，保护层被氧化为氧化物层。
97.该步骤中，参照图4和图5，以及图7和图8，可以采用热氧化等工艺在基底100的第二区域120形成栅氧层300，栅氧层300的材料比如可以是二氧化硅(sio2)。其中，在形成栅氧层300的过程中，保护层200能够被氧化为氧化物层400。当保护层200为第一材料层210和第二材料层220构成的双层结构时，位于上层的第二材料层220被氧化形成氧化物层400。
98.以第二材料层200的材料为si3n4为例，第二材料层220与氧反应形成氧化物层400
的化学反应式包括：
99.si3n4(s) 3/2o2(g)
→
3sio(g) 2n2(g)；
100.si3n4(s) 3o2(g)
→
3sio2(s) 2n2(g)；
101.si3n4(s) 5o2(g)
→
3sio2(s) 4no(g)；
102.4si3n4(s) 3o2(g)
→
6si2n2o(s) 2n2(g)。
103.其中，(s)表示该物质为固体，(g)表示该物质为气体。
104.当工艺温度为1073k～1373k时，si3n4能够被氧化为氧化物，在一个实际场景中，每消耗的si3n4能够生成氧化物。在一些实施例中，第二材料层200的厚度为栅氧层300厚度的0.44-1.5倍，栅氧层300可由一步形成，也可以分步形成。
105.由上可知，栅氧化制程过程中，保护层200能够与氧发生化学反应以减小氧含量，且在吸收氧后的保护层200能够氧化形成氧化物层400，氧化物层400对氧具有物理阻挡作用，与常规方案相比，本公开方案中的保护层200能够通过化学、物理方式对氧进行有效阻挡。
106.本公开实施例中，在基底上形成能够与氧反应并生成氧化物层的保护层，从而在栅氧化制程的过程中，保护层能够先通过化学反应的方式吸收氧以减少氧含量，保护层氧化后形成的氧化物层又能以物理方式阻挡氧，从而有效避免基底被氧化；并且，去除氧化物层的工艺与常规技术兼容，不会对后续制程产生影响。
107.在一个示例性实施例中，本实施例是对上述实施例中步骤s220的进一步说明，步骤s220具体可以包括以下步骤：
108.步骤s221、形成第一光刻胶层，第一光刻胶层覆盖位于基底的第一区域的第二材料层的顶面。
109.该步骤中，如图2和图3所示，光刻胶可以是正性光刻胶(positive photoresist)，也可以是负性光刻胶(photolithography negative glue)，以光刻胶层的材料为正性光刻胶为例，首先，可以在基底上形成光刻胶层，接着，可以在基底上方(图2中所示z方向)设置光罩(未示出)，光罩至少遮挡基底100的第一区域110，然后，可以通过曝光去除未被光罩遮挡的光刻胶层，保留的光刻胶层形成第一光刻胶层600。
110.步骤s222、以第一光刻胶层为掩膜，去除第二区域的部分第一材料层和第二材料层。
111.该步骤中，如图3和图4所示，可以第一光刻胶层600为掩膜，采用刻蚀工艺去除未被第一光刻胶层600覆盖的第一材料层210和第二材料层220，以暴露出基底100的第二区域120的至少部分顶面。
112.在一个实施例中，如图4所示，可以去除覆盖基底100的第二区域120的部分第一材料层210和第二材料层220。例如，基底100的第二区域120包括第一子区域121和第二子区域122，并且后道工艺中形成的栅氧层300包括第一栅氧层310和第二栅氧层320，第一栅氧层310位于第一子区域121上，第二栅氧层320位于第二子区域122上，第一子区域121比如外围电路的输入输出区(i/o)，第二子区域122比如外围电路的核心区(core)，由于输入输出区和核心区的工作电压不同，可以将外围电路的输入输出区和核心区可以设置不同厚度的栅氧层300，以使得输入输出区和核心区均具有最佳的性能。
113.在一个实施例中，步骤s300具体可以包括以下步骤：
114.步骤s310、去除位于第一子区域的保护层。
115.该步骤中，如图3和图4所示，可以通过光刻、刻蚀工艺去除位于第一子区域121的保护层，以暴露出基底100的第一子区域121的顶面。
116.步骤s320、在第一子区域形成第一栅氧层，在形成第一栅氧层的过程中，位于第一区域和第二子区域的保护层被氧化为氧化物层。
117.该步骤中，如图5所示，使用栅氧化制程工艺在第一子区域121上形成第一栅氧层310，其中，基于输入输出区(i/o)处的工作电压较高，因此，可以在第一子区域121上形成较厚的第一栅氧层310，以避免栅氧层过薄时对电子的阻挡效果差，导致发生隧穿漏电流。
118.需要说明的是，参照图4和图5，栅氧化制程工艺作用于基底100的整个顶面，在栅氧化制程工艺过程中，基底100的第一子区域121上能够形成第一栅氧层310，覆盖于基底100的第一区域110和第二子区域122的第二材料层220能够被氧化，第二材料层220与氧发生化学反应使得氧含量降低，第二材料层220能够被氧化形成氧化物层400。
119.以第二材料层220的材料为多晶硅为例，则氧化形成的氧化物层400的材料包括sio2。
120.以第二材料层220的材料为si3n4为例，则氧化形成的氧化物层400的材料包括sio2和si2n2o中的任意一种或多种。
121.步骤s330、去除位于第二子区域的氧化物层，以暴露出基底的第二子区域的顶面。
122.该步骤中，如图6和图7所示，可以采用光刻、刻蚀工艺去除覆盖于第二子区域122上的第一材料层210和氧化物层400，基底100的第二子区域122的顶面暴露出来，从而能够在第二子区域122的顶面上形成第二栅氧层320(参照图8)。
123.在一个示例中，步骤s330具体可以包括以下步骤：
124.步骤s331、形成第二光刻胶层，第二光刻胶层覆盖第一栅氧层的顶面以及第一区域的氧化物层的顶面，覆盖于第二子区域的氧化物层暴露出来。
125.该步骤中，如图6所示，可以在基底100的第一区域110、第一子区域121的顶面形成第二光刻胶层700，而覆盖于基底100的第二子区域122上的氧化物层400的顶面暴露出来。形成第二光刻胶层的方式可以与步骤s221中形成第一光刻胶层600的方式相同，此处不再赘述。
126.步骤s332、以第二光刻胶层为掩膜，去除覆盖于第二子区域的氧化物层，暴露出基底的第二子区域的顶面。
127.该步骤中，如图6和图7所示，其中步骤s332的实现方式与步骤s222的实现方式相同，此处不再赘述。
128.步骤s340、形成第二栅氧层，第二栅氧层覆盖基底的第二子区域的顶面。
129.该步骤中，如图8所示，可以采用栅氧化制程工艺在基底100的第二子区域122的顶面形成第二栅氧层320，基底100的第二子区域122可以是核心区(core)，核心区的工作电压交底，形成较薄的栅氧层，使得半导体器件具有更快的响应速度。
130.在一些实施例中，形成第一栅氧层310的过程中，保护层中的部分第二材料层220被氧化成氧化物层400，形成第二栅氧层320的过程中，保护层中的剩余全部第二材料层220被氧化成氧化物层400。
131.步骤s350、在第一栅氧层和第二栅氧层的顶面形成高k介质层，高k介质层还覆盖
第一区域的氧化物层顶面。
132.该步骤中，如图9所示，可以通过沉积工艺在半导体器件的顶面形成高k介质层800(high-k)，也即高k介质层800能够覆盖第一栅氧层310、第二栅氧层320以及覆盖第一区域110的氧化物层400的顶面。
133.需要说明的是，形成高k介质层800的工艺比如hkmg工艺，其中hk表示high-k(高介电常数)，mg表示metal gate(金属栅极)，也即，使用高k介质材料代替或叠加常规技术中的氧化物材料制成的栅氧层，并使用金属栅极代替多晶硅栅极，高k介质层能够提高栅氧厚度，避免出现隧穿漏电流，提升半导体器件的性能。高k介质层的材料包括但不限于氧化铪、氧化铝、氧化镧或氧化坦等。
134.步骤s360、去除第一区域的氧化物层和高k介质层。
135.该步骤中，如图10所示，可以通过光刻、刻蚀等工艺去除位于第一区域110的氧化物层400和高k介质层800，以暴露出基底100的第一区域110的顶面。
136.可以理解的是，由于基底的第一区域(存储有源区)可以采用埋入式字线，从而在第一区域处无需进行栅氧化制程工艺，因此，在基底的第二区域完成栅氧化制程工艺之后，可以将第一区域的氧化物层和高k介质层去除。
137.在一些实施例中，基底的第一区域在形成保护层200之前还形成有介质层113，介质层113用于进一步保护第一区域110的衬底。
138.在一个示例性实施例中，本实施例是对上述实施例中步骤s100的进一步说明，提供基底具体可以包括以下步骤：
139.步骤s110、提供衬底。
140.步骤s120、在衬底的第一区域形成存储有源区和贯穿存储有源区的埋入式字线。
141.该步骤中，参照图2，比如通过离子注入的方式在衬底的第一区域(参照基底100的第一区域110)形成p阱区、n阱区和浅沟槽隔离结构112(shallow trench isolation，sti)，以及凹入衬底中的埋入式字线111(buried word line)，埋入式字线111可以沿图2中所示y方向贯穿存储有源区，可用于形成1t1c(即每个基础存储单元仅包括一个晶体管和一个电容器)存储阵列的有源区。
142.步骤s130、在衬底的第二区域形成外围有源区。
143.该步骤中，参照图2，可以通过离子注入等方式在衬底的第二区域(参照基底100的第二区域120)形成p阱区、n阱区等，进而可以形成p型晶体管、n型晶体管。
144.根据本公开一示例性实施例，如图2至图8所示，本公开提供了一种半导体结构，半导体结构包括基底100和栅氧层300，以及在保护层200。
145.本实施例中，如图8所示，基底100包括第一区域110和第二区域120。参照图8，基底100的第一区域110比如半导体器件的存储有源区，存储有源区又被称为阵列区(array)，存储有源区包括阵列排布的多个存储单元，每个存储单元包括晶体管、电容器等，多个晶体管和电容器通过十字交叉设置的字线和位线连接，进而可以通过字线和位线选中任一个存储单元，以在该存储单元中进行数据读写，此处不对字线和位线的原理过多赘述。
146.参照图8，基底100的第二区域120比如半导体器件的外围有源区，外围有源区又被称为外围电路区，外围有源区中设置有n型晶体管(nmos，negative channel metal-oxide-semiconductor)、p型晶体管(pmos，positive channel metal-oxide-semiconductor)、电
容器等。第二区域120的第一子区域121为输入输出区(i/o)，第二子区域122为核心区(core)。
147.本实施例中，如图8所示，氧化物层400覆盖基底100的第一区域110的顶面。由前述实施例可知，氧化物层400由保护层200在栅氧化制程过程中氧化形成。保护层200包括上下堆叠的第一材料层210和第二材料层220时，氧化物层400可以是位于上层的第二材料层220氧化形成。
148.本实施例中，如图8所示，栅氧层300覆盖基底100的第二区域120的顶面，栅氧层的形成材料包括二氧化硅等。栅氧层的厚度可以不同，例如，在基底100的第二区域120的第二子区域122(核心区)可以设置较薄的第二栅氧层320，在第二区域120的第一子区域121(输入输出区)可以设置较厚的第一栅氧层310。
149.本公开实施例中，保护层覆盖于基底的第一区域，且保护层能够与氧反应生成氧化物层，在栅氧化制程的过程中，保护层能够通过化学反应的方式吸收氧以减少氧含量，并且吸收氧后形成的氧化物层再以物理方式阻挡氧，以充分保护基底，并且，去除氧化物层的工艺与常规技术兼容，不会对后续制程产生影响。
150.在一个实施例中，如图8所示，位于第一子区域121中设置有输入输出晶体管，输入输出晶体管包括覆盖于基底100的第一子区域121的第一栅氧层310，第二子区域122中设置有核心晶体管，核心晶体管包括覆盖于基底100的第二子区域122的第二栅氧层320，第一栅氧层310的厚度(图2中所示z方向，即垂直于基底上表面的方向)大于第二栅氧层320，已在前述实施例中进行说明，此处不再赘述。
151.其中，如图8所示，核心晶体管还包括沟道材料层500，沟道材料层500位于基底100的第二区域的第二子区域122与第二栅氧层320之间。例如，部分沟道材料层500位于第二子区域122中p型晶体管上，沟道材料层500的材料比如可以是锗化硅、碳化硅中的任意一种或多种，沟道材料层500与衬底的晶格常数不同，能够产生应力以提高了p型晶体管的沟道区中电子空穴的迁移率。
152.在一个实施例中，如图2所示，基底100包括p阱区、n阱区和浅沟槽隔离结构112(shallowtrench isolation，sti)，以及凹入衬底中的埋入式字线111(buried word line，bwz)，埋入式字线111可以沿图2中所示y方向贯穿存储有源区，可用于形成1t1c(即每个基础存储单元仅包括一个晶体管和一个电容器)存储阵列的有源区。
153.在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例性的实施例”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。
154.在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
155.在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
156.可以理解的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本公开中用于描述各
种结构，但这些结构不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个结构与另一个结构区分。
157.在一个或多个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的多个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。
158.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。