一种氮化硅导热基板及其制备方法

技术特征：
1.一种氮化硅导热基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将氮化硅镁、氢化钇、β-si3n4晶种和α-si3n4粉体混合，球磨，无水乙醇作为球磨介质，经制粒、流延成型、排胶、烧结及后处理的步骤，得到氮化硅导热基板；或者将氮化硅镁、氢化钇、β-si3n4晶种和α-si3n4粉体按配比混合，球磨，无水乙醇作为球磨介质，经制粒、热压烧结成型、烧结及后处理的步骤，得到氮化硅导热基板。2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，氮化硅镁、氢化钇、β-si3n4晶种和α-si3n4粉体质量比为2-6:4-8:10:80。3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，当采用流延成型时，采用喷雾制粒进行制粒，将制粒后的粉体放入含成型粘结剂的浆料中，搅拌混匀，流延成型。4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，所述成型粘结剂为聚丙烯醇缩甲醛和聚乙烯醇缩丁醛酯，添加量为物料总重量的8％。5.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，当采用热压烧结成型时，采用机械震动或手工擦筛制粒方式进行制粒，将制粒后的粉体置于热压模具中，热压成型。6.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述排胶为真空排胶处理、通入保护气氛排胶处理或空气炉排胶处理。7.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，烧结温度为1650-2000℃。8.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，所述后处理为根据氮化硅导热基板对外形尺寸的不同要求，进行机械加工。9.一种氮化硅导热基板，其特征在于，由权利要求1-8任一项所述制备方法制备得到，原料包括氮化硅镁、氢化钇、β-si3n4晶种和α-si3n4粉体。

技术总结
本发明公开了一种氮化硅导热基板及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，针对解决氮化硅导热基板高导热性能问题，通过新的原料和新制备方法实现氮化硅的高强高导热性能。具体步骤如下：将氮化硅镁、氢化钇、β-Si3N4晶种和α-Si3N4粉体按目标配比加入到球磨罐中，将无水乙醇作为介质，完成球磨混料、烘干、造粒，通过流延气压和热压烧结两种方式制备氮化硅导热基板。本发明的氮化硅导热基板，不仅导热性能达到≥80 W


技术研发人员：叶超超 赵紫娟
受保护的技术使用者：潍坊学院
技术研发日：2022.11.21
技术公布日：2023/1/13