具有改进的闭锁抗扰度的电荷泵单元和包括其的电荷泵以及相关系统、方法和设备与流程

技术特征：
1.一种设备，包括：cmos结构；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述cmos结构处；以及电路，所述电路被布置成至少部分地响应于所述第一晶体管的第一端子处的电压与所述第一晶体管的第二端子处的电压之间的关系而将屏蔽电压施加到所述第一晶体管的本体触点。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路被配置为施加所述屏蔽电压，所述屏蔽电压表现出由所述第一端子处的所述电压表现出的电压电平和由所述第二端子处的所述电压表现出的电压电平中的较低者。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路包括设置在所述cmos结构处的第二晶体管和设置在所述cmos结构处的第三晶体管。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二晶体管被布置成至少部分地响应于所述第二端子处的所述电压表现出比由所述第一端子处的所述电压表现出的电压电平更高的电压电平而接通，并且至少部分地响应于所述第一端子处的所述电压表现出比由所述第二端子处的所述电压表现出的所述电压电平更高的电压电平而关断。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述第三晶体管被布置成至少部分地响应于所述第一端子处的所述电压表现出比由所述第二端子处的所述电压表现出的电压电平更高的电压电平而接通，并且至少部分地响应于所述第二端子处的所述电压表现出比由所述第二端子处的所述电压表现出的所述电压电平更高的电压电平而关断。6.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一晶体管的所述第一端子和所述第二端子分别是所述第一晶体管的漏极和源极。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述第二晶体管的漏极和所述第一晶体管的所述本体触点电耦合，并且所述第二晶体管的栅极和所述第一晶体管的所述源极电耦合。8.根据权利要求3所述的设备，其中所述第三晶体管的漏极和所述第一晶体管的所述本体触点电耦合，并且所述第三晶体管的栅极和所述第一晶体管的所述漏极电耦合。9.根据权利要求3所述的设备，其中所述第二晶体管被布置成至少部分地响应于所述第二端子处的电压表现出比由所述第一端子处的电压表现出的电压电平更高的电压电平而接通，并且至少部分地响应于所述第一端子处的所述电压表现出比由所述第二端子处的所述电压表现出的所述电压电平更高的电压电平而关断。10.根据权利要求3所述的设备，其中所述第三晶体管被布置成至少部分地响应于所述第一端子处的电压表现出比由所述第二端子处的电压表现出的电压电平更高的电压电平而接通，并且至少部分地响应于所述第二端子处的所述电压表现出比由所述第一端子处的所述电压表现出的所述电压电平更高的电压电平而关断。11.根据权利要求1所述的设备，其中所述cmos结构包括n阱和p衬底，并且所述本体触点电耦合到所述n阱。12.根据权利要求1所述的设备，其中所述cmos结构包括p阱、深n阱和p衬底，并且所述本体触点电耦合到所述p阱和所述深n阱。13.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路被配置为施加所述屏蔽电压，所述屏蔽电压表现出由所述第一端子处的所述电压表现出的电压电平和由所述第二端子处的所述
电压表现出的电压电平中的较高者。14.一种方法，包括：向电荷泵单元的输入节点提供输入电压；以及至少部分地响应于电荷转移晶体管的第一端子处的电压与所述电荷转移晶体管的第二端子处的电压之间的关系而将屏蔽电压施加到所述电荷转移晶体管的本体触点。15.根据权利要求14所述的方法，包括：至少部分地响应于所述电荷转移晶体管的所述第一端子处的所述电压与所述电荷转移晶体管的所述第二端子处的所述电压之间的第一关系而将所述屏蔽电压施加到所述电荷转移晶体管的所述本体触点，所述屏蔽电压表现出第一电压电平；以及至少部分地响应于所述电荷转移晶体管的电耦合到所述电荷泵单元的所述输入节点的所述第一端子处的所述电压与所述电荷转移晶体管的电耦合到所述电荷泵单元的内部节点的所述第二端子处的所述电压之间的第二关系而将所述屏蔽电压施加到所述电荷转移晶体管的所述本体触点，所述屏蔽电压表现出第二电压电平，其中所述电荷转移晶体管的所述第一端子电耦合到所述电荷泵单元的所述内部节点，以及其中所述电荷转移晶体管的所述第二端子电耦合到所述电荷泵单元的所述输入节点。16.根据权利要求15所述的方法，包括：至少部分地响应于由所述电荷泵单元的所述第一端子处的所述电压表现出的电压电平低于由所述电荷泵单元的所述第二端子处的所述电压表现出的电压电平而观察所述第一关系。17.根据权利要求15所述的方法，包括：至少部分地响应于由所述电荷泵单元的所述第二端子处的所述电压表现出的电压电平低于由所述电荷泵单元的所述第一端子处的所述电压表现出的电压电平而观察所述第二关系。18.根据权利要求14所述的方法，所述方法包括：至少部分地响应于所述电荷转移晶体管的所述第一端子处的电压与所述电荷转移晶体管的第二端子处的电压之间的第一关系而将所述屏蔽电压施加到所述电荷转移晶体管的所述本体触点，所述屏蔽电压表现出第一电压电平；以及至少部分地响应于所述电荷转移晶体管的电耦合到所述电荷泵单元的输出节点的所述第一端子处的所述电压与所述电荷转移晶体管的电耦合到所述电荷泵单元的内部节点的所述第二端子处的所述电压之间的第二关系而将所述屏蔽电压施加到所述电荷转移晶体管的所述本体触点，所述屏蔽电压表现出第二电压电平，其中所述电荷转移晶体管的所述第一端子电耦合到所述电荷泵单元的所述输出节点，以及其中所述电荷转移晶体管的所述第二端子电耦合到所述电荷泵单元的所述内部节点。19.根据权利要求18所述的方法，包括：至少部分地响应于由所述电荷泵单元的所述第二端子处的所述电压表现出的电压电平高于由所述电荷泵单元的所述第一端子处的所述电压表现出的电压电平而观察所述第一关系。
20.根据权利要求18所述的方法，包括：至少部分地响应于由所述电荷泵单元的所述第一端子处的所述电压表现出的电压电平高于由所述电荷泵单元的所述第二端子处的所述电压表现出的电压电平而观察所述第二关系。21.一种设备，包括：电荷泵；以及控制回路，所述控制回路被配置为调节所述电荷泵的输出电压，其中所述电荷泵包括至少一个电荷转移开关，所述至少一个电荷转移开关包括：cmos结构；第一晶体管，所述第一晶体管设置在所述cmos结构处；以及电路，所述电路被布置成响应于所述第一晶体管的第一端子处的电压与所述第一晶体管的第二端子处的电压之间的关系而将电压施加到所述第一晶体管的本体触点。22.根据权利要求21所述的设备，其中所述控制回路包括负反馈回路，所述负反馈回路被配置为通过控制泵送信号来调节所述电荷泵的所述输出电压，所述电荷泵被配置为响应于所述泵送信号而操作。23.根据权利要求21所述的设备，其中所述电荷泵包括至少一个电荷泵单元，并且所述控制回路被配置为通过控制泵送信号来调节所述至少一个电荷泵单元的所述输出电压，所述至少一个电荷泵单元被配置为响应于所述泵送信号而操作。24.根据权利要求23所述的设备，其中所述控制回路被配置为至少部分地响应于所述至少一个电荷泵单元的观察到的输出电压而控制所述泵送信号。25.根据权利要求23所述的设备，其中所述控制回路被配置为至少部分地响应于所述电荷泵的观察到的输出电压而控制所述泵送信号。26.根据权利要求21所述的设备，其中所述电荷泵包括两个或更多个电荷泵单元，并且所述控制回路包括两个或更多个负反馈回路，所述两个或更多个负反馈回路被单独配置为通过控制泵送信号来调节所述两个或更多个电荷泵单元的相应输出电压，所述两个或更多个电荷泵单元被配置为响应于所述泵送信号而操作。27.根据权利要求26所述的设备，其中所述控制回路被配置为至少部分地响应于所述两个或更多个电荷泵单元中的相应电荷泵单元的输出电压的状态而控制所述泵送信号。

技术总结
公开了一种用于电荷泵的电荷泵单元，该电荷泵单元可以表现出改进的闭锁抗扰度。电路可以布置在该电荷泵单元处以至少部分地响应于电荷转移晶体管的第一端子处的电压与该电荷转移晶体管的第二端子处的电压之间的关系而将电压施加到这种电荷泵单元的该电荷转移晶体管的本体触点。包括一个或多个此类电荷泵单元的电荷泵可以包括控制回路，该控制回路被配置为至少部分地响应于该电荷泵的输出电压的状态而控制泵送信号。状态而控制泵送信号。状态而控制泵送信号。


技术研发人员：T
受保护的技术使用者：微芯片技术股份有限公司
技术研发日：2021.05.12
技术公布日：2023/1/13