一种磁体表面处理装置的制作方法

技术特征：
1.一种磁体表面处理装置，包括安装台（1），其特征在于：所述安装台（1）上端设置有循环运输机构（2），所述循环运输机构（2）传动连接有若干个吊装机构（3），所述吊装机构（3）至少设置有三个，所述安装台（1）前方设置有电泳槽（4），所述电泳槽（4）内侧壁安装有阳极板（5），所述电泳槽（4）内设置有打气机构（6），所述电泳槽（4）左端和右端共同安装有收集槽（7），所述安装台（1）位于收集槽（7）内侧，所述安装台（1）后端左部开有检修室（8），所述安装台（1）上端前部安装有阴极通电板（9），所述安装台（1）上端开有导向槽（10），所述导向槽（10）呈跑道形结构，所述导向槽（10）位于阴极通电板（9）内侧，所述安装台（1）上端安装有导向轨（11），所述导向轨（11）呈跑道形结构，所述导向轨（11）位于循环运输机构（2）和导向槽（10）之间；所述循环运输机构（2）包括链轮（21），所述链轮（21）设置有两个，两个所述链轮（21）呈左右对称分布，两个所述链轮（21）下端均安装有承托轮（22），两个所述链轮（21）之间共同安装有链条（23），所述检修室（8）下壁安装有电机（24），所述电机（24）输出端贯穿安装台（1）并与左侧的承托轮（22）下端固定连接；所述吊装机构（3）包括安装板（41），所述安装板（41）与链条（23）传动连接，所述安装板（41）远离链条（23）的一端安装有滑块（42），所述滑块（42）下端开有滑槽（43），所述滑槽（43）与导向轨（11）滑动连接，所述滑块（42）上端外侧穿插活动连接有安装杆（44），所述安装杆（44）下端安装有导向杆（45），所述导向杆（45）与导向槽（10）滑动连接，所述导向杆（45）另一端安装有吊篮（46）；所述导向槽（10）由高位水平部（31）、倾斜连接部（32）和低位水平部（33）组成，所述低位水平部（33）位于电泳槽（4）正后方，所述倾斜连接部（32）设置有两个，所述低位水平部（33）的左右端分别与两个倾斜连接部（32）相连，两个所述倾斜连接部（32）的另一端分别与高位水平部（31）的两端相连。2.根据权利要求1所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述滑块（42）下端到安装台（1）上端的距离等于阴极通电板（9）的厚度，所述阴极通电板（9）位于低位水平部（33）上方，且阴极通电板（9）的长度等于低位水平部（33）的长度。3.根据权利要求2所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述低位水平部（33）的长度小于电泳槽（4）内腔的长度，所述低位水平部（33）到高位水平部（31）的高度差大于吊篮（46）的高度。4.根据权利要求3所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述倾斜连接部（32）位于电泳槽（4）的正后方，且位于电泳槽（4）内腔左右侧壁之间。5.根据权利要求4所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述导向轨（11）采用绝缘材质制得，所述滑块（42）、安装杆（44）和吊篮（46）均采用导电材料制得。6.根据权利要求5所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述打气机构（6）包括第一支管道（51）和第二支管道（52），所述第一支管道（51）外表面与电泳槽（4）内腔后壁固定连接，所述第一支管道（51）外表面安装有若干个出气嘴，且出气嘴向右上方倾斜，所述第二支管道（52）外表面与电泳槽（4）内腔前壁固定连接，所述第二支管道（52）外表面安装有若干个出气嘴，且出气嘴向左下方倾斜，所述第一支管道（51）和第二支管道（52）右端共同安装有主管道（53），所述主管道（53）另一端安装有阀门（54）。7.根据权利要求6所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述第一支管道（51）和
第二支管道（52）前高后低设置。8.根据权利要求7所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述电泳槽（4）内填充有电泳涂料，且电泳涂料可以浸没吊篮（46），所述吊篮（46）呈镂空网状结构。9.根据权利要求8所述的一种磁体表面处理装置，其特征在于：所述链条（23）由若干个链节（231）组成，所述链节（231）外侧端面安装有连接板（232），所述连接板（232）与安装板（41）相匹配。

技术总结
本发明公开了一种磁体表面处理装置，涉及磁体生产技术领域，包括安装台，所述安装台上端设置有循环运输机构，所述循环运输机构传动连接有若干个吊装机构，所述吊装机构至少设置有三个，所述安装台前方设置有电泳槽，所述电泳槽内侧壁安装有阳极板，所述电泳槽内设置有打气机构，所述电泳槽左端和右端共同安装有收集槽，所述安装台位于收集槽内侧，所述安装台后端左部开有检修室，所述安装台上端前部安装有阴极通电板，所述安装台上端开有导向槽，所述导向槽呈跑道形结构。本发明通过设置循环机构、导向槽、导向轨和吊装机构相互配合共同实现了永磁体工件的不间断电泳，提高了生产效率，并且确保了永磁体工件涂层质量的整体平均性。性。性。


技术研发人员：陈东 陈传龙 周勇 王茂强
受保护的技术使用者：成都图南电子有限公司
技术研发日：2022.11.28
技术公布日：2022/12/30