一种双通道氮化镓功率器件、制备方法及芯片与流程

1.本技术属于半导体技术领域，尤其涉及一种双通道氮化镓功率器件、制备方法及芯片。


背景技术：

2.hemt(high electron mobility transistor；高电子迁移率晶体管)器件作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，具有大禁带宽度、强击穿电场、高电子饱和漂移速度和良好化学稳定性等一系列材料性能优势，是研制高性能功率电子器件的热门材料。
3.然而，氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt)由于没有寄生二极管，因此在高电感的应用条件下，其击穿电压能力较低，较容易发生击穿，对其应用造成了极大的限制。


技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种双通道氮化镓功率器件、制备方法及芯片，旨在解决现有的氮化镓功率器件击穿带电压较小的问题。
5.本技术实施例的第一方面提供了一种双通道氮化镓功率器件，所述双通道氮化镓功率器件包括：
6.半导体衬底；
7.第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层和所述第二沟道层均设于所述半导体衬底上，且所述第一沟道层和所述第二沟道层互不接触；
8.第一势垒层和第二势垒层，所述第一势垒层设于所述第一沟道层上，所述第二势垒层设于所述第二沟道层上；
9.第一盖帽层，设于所述第一势垒层上；
10.源极电极，设于所述第一沟道层上，且与所述第一势垒层的第一侧接触；
11.漏极电极，设于所述第一沟道层上，且与所述第一势垒层的第二侧接触；
12.栅极电极，设于所述第一盖帽层上；
13.阴极电极，设于所述第二沟道层上，且与所述第二势垒层的第二侧接触；
14.阳极电极，设于所述第二沟道层上，且与所述第二势垒层的第一侧接触；
15.第二盖帽层，设于所述第二势垒层上；其中，所述阴极电极、所述第二盖帽层以及所述阳极电极形成肖特基二极管；
16.多个电场调节单元，设于所述第二盖帽层内，用于与所述第二盖帽层进行横向耗尽。
17.在一个实施例中，所述第二盖帽层为p型氮化镓，所述电场调节单元为n型氮化镓，所述阳极电极为欧姆金属，所述阴极电极为肖特基金属；
18.或者所述第二盖帽层为n型氮化镓，所述电场调节单元为p型氮化镓，所述阳极电极为肖特基金属，所述阴极电极为欧姆金属。
19.在一个实施例中，多个所述电场调节单元平行设置。
20.在一个实施例中，相邻的所述电场调节单元之间的距离相等。
21.在一个实施例中，多个所述电场调节单元与所述阳极电极垂直设置。
22.在一个实施例中，所述阳极电极与所述阴极电极平行设置。
23.在一个实施例中，所述电场调节单元的离子掺杂浓度从所述阴极电极到所述阳极电极的方向逐渐变小。
24.在一个实施例中，所述电场调节单元的宽度从所述阴极电极到所述阳极电极的方向逐渐变小。
25.本技术实施例的第二方面提供了一种双通道氮化镓功率器件的制备方法，包括：
26.在半导体衬底上依次形成第一沟道层、第二沟道层；其中，所述第一沟道层和所述第二沟道层互不接触；
27.在所述第一沟道层上形成第一势垒层，在所述第二沟道层上形成第二势垒层；
28.在所述第一势垒层上形成第一盖帽层；
29.在所述第二势垒层上形成第二盖帽层；
30.在所述第二盖帽层内形成多个电场调节单元，用于与所述第二盖帽层进行横向耗尽；
31.在所述第一沟道层形成源极电极和漏极电极，在所述第一盖帽层上形成栅极电极；其中，所述源极电极与所述第一势垒层的第一侧接触，所述漏极电极与所述第一势垒层的第二侧接触；
32.在所述第二沟道层上形成阴极电极，在所述第二沟道层上形成阳极电极；其中，所述阴极电极与所述第二势垒层的第二侧接触，所述阳极电极与所述第二势垒层的第一侧接触，所述阴极电极、所述第二盖帽层以及所述阳极电极形成肖特基二极管。
33.本技术实施例的第三方面提供了一种芯片，包括至少一个如上述任一项所述的双通道氮化镓功率器件；或者所述芯片包括至少一个如上述所述的制备方法所制备的双通道氮化镓功率器件。
34.本技术实施例与现有技术相比存在的有益效果是：在双通道氮化镓功率器件工作期间，通过在第二盖帽层内设置的多个电场调节单元，多个电场调节单元可以与第二盖帽层形成横向耗尽，以此来提升第二盖帽层内的电场强度，以此来提升肖特基二极管的反向击穿电压，进而提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
附图说明
35.图1是本技术一个实施例提供的双通道氮化镓功率器件的俯视结构示意图；
36.图2是本技术一个实施例提供的双通道氮化镓功率器件的正视结构示意图；
37.图3是本技术一个实施例提供的双通道氮化镓功率器件的后视结构示意图；
38.图4是本技术一个实施例提供的双通道氮化镓功率器件的结构示意图；
39.图5是本技术一个实施例提供的双通道氮化镓功率器件的制备方法步骤示意图；
40.图6是本技术一个实施例提供的形成第一沟道层、第二沟道层的示意图；
41.图7是本技术一个实施例提供的形成第一势垒层、第二势垒层后的示意图；
42.图8是本技术一个实施例提供的形成第一盖帽层和第二盖帽层后的示意图；
43.图9是本技术一个实施例提供的形成多个电场调节单元后的示意图；
44.图10是本技术一个实施例提供的形成阴极电极、阳极电极、栅极电极、漏极电极以及源极电极的示意图。
具体实施方式
45.为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
46.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
47.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
48.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。
49.在本技术说明书中描述的参考“一个实施例”、“一些实施例”或“实施例”意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”、“在一个具体实施例中”、“在一个具体应用中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式组合特定的特征、结构或特性。
50.hemt(high electron mobility transistor；高电子迁移率晶体管)器件作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，具有大禁带宽度、强击穿电场、高电子饱和漂移速度和良好化学稳定性等一系列材料性能优势，是研制高性能功率电子器件的热门材料。
51.然而，氮化镓高电子迁移率晶体管(gan hemt)由于没有寄生二极管，因此在高电感的应用条件下，其击穿电压能力较低，较容易发生击穿，对其应用造成了极大的限制。
52.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种双通道氮化镓功率器件，参考图1、图2、图3所示，双通道氮化镓功率器件包括：半导体衬底10、第一沟道层20、第二沟道层30、第一势垒层40、第二势垒层50、第一盖帽层60、阴极电极70、阳极电极80、第二盖帽层90和多个电场调节单元100、源极电极110、漏极电极120、栅极电极130。
53.具体的，第一沟道层20和第二沟道层30均设于半导体衬底10上，且第一沟道层20和第二沟道层30互不接触。第一势垒层40设于第一沟道层20上，第二势垒层50设于第二沟道层30上。第一盖帽层60设于第一势垒层40上。源极电极110设于第一沟道层20上，且源极电极110与第一势垒层40的第一侧接触。漏极电极120设于第一沟道层20上，且漏极电极120与第一势垒层40的第二侧接触。栅极电极130设于第一盖帽层60上。阴极电极70设于第二沟
道层30上，且阴极电极70与第二势垒层50的第二侧接触。阳极电极80设于第二沟道层30上，且阳极电极80与第二势垒层50的第一侧接触。第二盖帽层90设于第二势垒层50上；其中，阴极电极70、第二盖帽层90以及阳极电极80形成肖特基二极管。多个电场调节单元100设于第二盖帽层90内，多个电场调节单元100用于与第二盖帽层90进行横向耗尽。
54.在本实施例中，第一沟道层20和第二沟道层30均设于半导体衬底10上，且第一沟道层20和第二沟道层30互不接触。可以理解的是，第一沟道层20和第二沟道层30位于同一水平面上，第一沟道层20和第二沟道层30的材质相同，第一沟道层20和第二沟道层30可以在半导体衬底10上一次一体形成，然后通过剪切的方式使得第一沟道层20和第二沟道层30互不接触。或者可以在第一沟道层20和第二沟道层30之间设置隔离材料使得第一沟道层20和第二沟道层30互不接触。通过设置第一沟道层20和第二沟道层30互不接触，可以使得第一沟道层20和第二沟道层30互不影响，减少第一沟道层20和第二沟道层30之间的相互干扰，使得第一沟道层20和第二沟道层30可以实现各自的功能，提升双通道氮化镓功率器件的稳定性。
55.在本实施例中，由于现有的双通道氮化镓功率器件一般没有寄生二极管，因此在高电感的应用条件下，其击穿电压能力较低，较容易发生击穿，对其应用造成了极大的限制。通过设置阴极电极70设于第二沟道层30上，且阴极电极70与第二势垒层50的第二侧接触；阳极电极80设于第二沟道层30上，且阳极电极80与第二势垒层50的第一侧接触；第二盖帽层90设于第二势垒层50上；阴极电极70、第二盖帽层90以及阳极电极80形成肖特基二极管。可以理解的是，第二盖帽层90分别与阳极电极80和阴极电极70接触，第二盖帽层90用于连接阳极电极80和阴极电极70，在工作状态时运输空穴，第二沟道层30的二维电子气(two-dimensional electron gas，2deg)用于运输电子，如此形成双通道肖特基二极管。
56.在本实施例中，阴极电极70、第二盖帽层90以及阳极电极80形成肖特基二极管；可以实现二极管的功能，可以作为双通道氮化镓功率器件的体二极管，可以设置阴极电极70与漏极电极120串联连接，或者阳极电极80与源极电极110串联连接。具体的，在不同的应用场景中，可以使得阴极电极70与漏极电极120连接，或者设置阳极电极80与源极电极110连接。需要说明的是，设置阴极电极70与漏极电极120连接或者设置阳极电极80与源极电极110连接，只能选择其中一种实施方式，例如，当设置阴极电极70与漏极电极120连接时，则不能设置阳极电极80与源极电极110连接，当设置阳极电极80与源极电极110连接时，则不能设置阴极电极70与漏极电极120连接。如此设置的目的是将阴极电极70、阳极电极80、第二沟道层30、第二势垒层50等形成的体二极管分别与漏极电极120或者源极电极110串联方式连接，而不是并联的方式连接。
57.在本实施例中，多个电场调节单元100设于第二盖帽层90内，多个电场调节单元100用于与第二盖帽层90进行横向耗尽。双通道氮化镓功率器件工作时，当在阳极电极80正偏时，第二盖帽层90对二维电子气(2deg)的耗尽作用减弱，二维电子气复苏，与肖特基二极管同步传输载流子，形成双通道运输，可大幅度降低导通电阻，其中第二盖帽层90主要运输空穴，2deg运输电子。当在阳极电极80反偏时，第二盖帽层90对二维电子气耗尽作用增强，二维电子气完全耗尽，二维电子气通道关闭，此时，反向击穿电压主要由肖特基二极管来承担，其第二盖帽层90内设置的多个电场调节单元100与第二盖帽层90形成横向耗尽，提升第二盖帽层90内的电场强度，以此来提升肖特基二极管的反向击穿电压，进而提升双通道氮
化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
58.在一个实施例中，第二盖帽层90为p型氮化镓，电场调节单元100为n型氮化镓，阳极电极80为欧姆金属，阴极电极70为肖特基金属。在本实施例中，通过采用阴极肖特基金属与p型氮化镓接触做出双通道肖特基二极管，使得在阳极电极80正偏时，第二盖帽层90对二维电子气(2deg)的耗尽作用减弱，二维电子气复苏，与肖特基二极管同步传输载流子，形成双通道运输，可大幅度降低导通电阻，其中第二盖帽层90主要运输空穴，2deg运输电子。当在阳极电极80反偏时，第二盖帽层90对二维电子气耗尽作用增强，二维电子气完全耗尽，二维电子气通道关闭，此时，反向击穿电压主要由第二盖帽层90承担，其第二盖帽层90内设置的多个电场调节单元100与第二盖帽层90形成横向耗尽，提升第二盖帽层90内的电场强度，以此来提升肖特基二极管的反向击穿电压，进而提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
59.在一个实施例中，第二盖帽层90为n型氮化镓，电场调节单元100为p型氮化镓，阳极电极80为肖特基金属，阴极电极70为欧姆金属。在本实施例中，通过采用阳极肖特基金属与n型氮化镓接触做出双通道肖特基二极管，其原理与上述阴极肖特基金属与p型氮化镓接触做出双通道肖特基二极管原理类似，在此不再赘述。
60.在一个实施例中，参考图1所示，多个电场调节单元100平行设置。
61.在本实施例中，多个电场调节单元100的主要作用是与第二盖帽层90形成横向耗尽，以此来提升第二盖帽层90内的电场强度，以第二盖帽层90为p型氮化镓，电场调节单元100为n型氮化镓为例，在阳极电极80反偏时，第二盖帽层90对二维电子气耗尽作用增强，二维电子气完全耗尽，二维电子气通道关闭，此时，反向击穿电压主要由第二盖帽层90承担，而第二盖帽层90中设置的多个电场调节单元100可以与第二盖帽层90形成横向耗尽，以此来提升第二盖帽层90内的电场强度。通过电场调节单元100平行设置，可以使得电场调节单元100与第二盖帽层90进行横向耗尽的更加均匀，效果更好，如此更加有利于提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
62.在一个实施例中，参考图1所示，相邻的电场调节单元100之间的距离相等。在本实施例中，通过设置相邻的电场调节单元100之间的距离相等，可以使得每个电场调节单元100与第二盖帽层90在进行横向耗尽时进行的程度相同，使得第二盖帽层90的电场在耗尽后更加均匀，避免了的第二盖帽层90中每个地方的电场强度不相同，导致器件性能不稳定的问题。
63.在一个实施例中，参考图1所示，多个电场调节单元100与阳极电极80垂直设置。
64.在本实施例中，当功率器件在工作状态时，阳极电极80和阴极电极70通过第二盖帽层90形成空穴通道，用于运送空穴，实现阳极电极80和阴极电极70之间的沟通，通过设置多个电场调节单元100与阳极电极80垂直设置，即多个电场调节单元100和空穴通道平行设置，可以使得电场调节单元100与第二盖帽层90在进行横向耗尽的更加充分，更加有利于提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
65.在一个实施例中，参考图1所示，阳极电极80与阴极电极70平行设置。具体的，多个电场调节单元100与阴极电极70同样垂直设置，即多个电场调节单元100和空穴通道平行设置，可以使得电场调节单元100与第二盖帽层90在进行横向耗尽的更加充分，更加有利于提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
66.在一个实施例中，电场调节单元100的离子掺杂浓度从阴极电极70到阳极电极80的方向逐渐变小。
67.具体的，靠近阴极电极70的电场调节单元100的离子掺杂浓度较大，靠近阳极电极80的电场调节单元100的离子掺杂浓度较小。因为在阴极电极70附近其电场强度较大，通过设置在靠近阴极电极70的电场调节单元100的离子掺杂浓度较大，可以使得在靠近阴极电极70附近的电场调节单元100与第二盖帽层90进行横向耗尽的更加充分；设置靠近阳极电极80的电场调节单元100的离子掺杂浓度较小，因为阳极电极80附近的电场强度较小，使得阳极电极80附近的电场调节单元100与第二盖帽层90的横向耗尽作用相对小一些。如此使得第二盖帽层90内的电场更加均匀，有利于提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
68.在一个实施例中，参考图4所示，电场调节单元100的宽度从阴极电极70到阳极电极80的方向逐渐变小。
69.具体的，电场调节单元100的形状可以为“梯形”状，其中，较大的下底面靠近阴极电极70，较小的上表面靠近阳极电极80。例如，w1为靠近阴极电极70的电场调节单元100的宽度，w2为靠近阳极电极80的电场调节单元100的宽度，其中，w1＞w2。通过设置在靠近阴极电极70的电场调节单元100的宽度较大，可以使得在靠近阴极电极70附近的电场调节单元100与第二盖帽层90进行横向耗尽的更加充分；设置靠近阳极电极80的电场调节单元100的宽度较小，因为阳极电极80附近的电场强度较小，使得阳极电极80附近的电场调节单元100与第二盖帽层90的横向耗尽作用相对小一些。如此使得第二盖帽层90内的电场更加均匀，有利于提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
70.在一个实施例中，电场调节单元100的厚度从阴极电极70方向到阳极电极80方向逐渐变小。在本实施例中，依据与上述同样的道理，通过设置电场调节单元100的厚度从阴极电极70方向到阳极电极80方向逐渐变小，可以使得第二盖帽层90内的电场更加均匀，有利于提升双通道氮化镓功率器件的反向击穿电压，提升功率器件的性能。
71.在一个实施例中，第一沟道层20和第二沟道层30为gan。
72.在本实施例中，第一沟道层20和第二沟道层30可以均由氮化镓材料制备，例如通过在半导体衬底10上沉积氮化镓材料或者外延生长氮化镓材料形成，其厚度和宽度相同。
73.在一个实施例中，第一势垒层40和第二势垒层50为algan。
74.在本实施例中，第一势垒层40和第二势垒层50可以均由氮镓化铝材料制备，例如通过在第一沟道层20上沉积氮镓化铝材料或者外延生长氮镓化铝材料形成第一势垒层40，在第二沟道层30上沉积氮镓化铝材料或者外延生长氮镓化铝材料形成第二势垒层50。
75.在一个实施例中，第一盖帽层60和第二盖帽层90为p-gan。
76.在本实施例中，通过在gan中掺杂p型掺杂剂就形成了p-gan，其中，p型掺杂剂可以为硼、镓、铝等。
77.在一个实施例中，n型氮化镓(n-gan)通过在gan中掺杂n型掺杂剂就形成，其中，n型掺杂剂可以为磷、砷、镁等。
78.在一个实施例中，阳极电极80为欧姆金属，阴极电极70为肖特基金属。
79.在一个实施例中，肖特基金属可以是铂、金、银的层或者导电的半导体层等。欧姆金属为ti、al、ti、au材料的组合。
80.在一个具体应用中，肖特基金属为ni、au材料的组合。
81.在一个实施例中，欧姆金属的ti、al、ti、au材料的厚度分别为15nm、250nm、50nm、150nm，肖特基金属的ni、au的厚度分别为70nm、30nm。
82.在本实施例中，通过设置阳极电极80为肖特基金属，使得阳极为肖特基接触，如此可以提供较高的肖特基势垒高度，通过设置肖特基金属的ni、au的厚度分别为70nm、30nm，进而进一步减小阳极电极80的泄漏电流，提供较高的正向阈值电压，进而提升双通道氮化镓功率器件的整体性能。
83.本技术实施还提供了一种双通道氮化镓功率器件的制备方法，参考图5所示，包括：步骤s10至步骤s60。
84.步骤s10：参考图6所示，在半导体衬底10上依次形成第一沟道层20、第二沟道层30；其中，第一沟道层20和第二沟道层30互不接触。
85.在本实施例中，在半导体衬底10上进行进行选择性刻蚀，分别刻蚀出第一沟道层20、第二沟道层30的位置，然后分别对应的在第一沟道层20、第二沟道层30的位置区域中填充相应的半导体材料，例如，在第一沟道层20、第二沟道层30区域填充gan材料。
86.在一个具体应用中，半导体衬底10为蓝宝石衬底。
87.步骤s20：参考图7所示，在第一沟道层20上形成第一势垒层40，在第二沟道层30上形成第二势垒层50。
88.在本实施例中，通过在第一沟道层20上外延形成第一势垒层40，在第二沟道层30上外延形成第二势垒层50，其中，第一势垒层40和第二势垒层50填充algan材料。
89.步骤s30：参考图8所示，在第一势垒层40上形成第一盖帽层60，在第二势垒层50上形成第二盖帽层90。
90.在本实施例中，第一盖帽层60和第二盖帽层90的材料均为p-gan。
91.步骤s40：参考图9所示，在第二盖帽层90内形成多个电场调节单元100，多个电场调节单元100用于与第二盖帽层90进行横向耗尽。
92.在本实施例中，通过离子注入的方式，在第二盖帽层90内指定区域进行相应离子的注入，例如，当第二盖帽层90为p型氮化镓时，则电场调节单元100的离子注入材料为n型氮化镓，当第二盖帽层90为n型氮化镓时，则电场调节单元100为p型氮化镓。
93.步骤s50：参考图10所示，在第一沟道层20形成源极电极110和漏极电极120，在第一盖帽层60上形成栅极电极130；其中，源极电极110与第一势垒层40的第一侧接触，漏极电极120与第一势垒层40的第二侧接触。
94.在一个具体应用中，采用掩膜确定源极电极110、漏极电极120、栅极电极130的形状，并在掩膜上淀积金属形成源极电极110、漏极电极120、栅极电极130。
95.步骤s60：参考图10所示，在第二沟道层30上形成阴极电极70，在第二沟道层30上形成阳极电极80；其中，阴极电极70与第二势垒层50的第二侧接触，阳极电极80与第二势垒层50的第一侧接触，阴极电极70、第二盖帽层90以及阳极电极80形成肖特基二极管。
96.在一个具体应用中，采用掩膜确定阴极电极70、阳极电极80的形状，并在掩膜上淀积金属形成阴极电极70、阳极电极80。
97.在一个实施例中，阳极电极80为欧姆金属，阴极电极70为肖特基金属。
98.在一个实施例中，肖特基金属可以是铂、金、银的层或者导电的半导体层等。欧姆
金属为ti、al、ti、au材料的组合。
99.在一个具体应用中，肖特基金属为ni、au材料的组合。
100.在一个实施例中，欧姆金属的ti、al、ti、au材料的厚度分别为15nm、250nm、50nm、150nm，肖特基金属的ni、au的厚度分别为70nm、30nm。
101.本技术实施还提供了一种芯片，包括至少一个如上述任一项的双通道氮化镓功率器件；或者芯片包括至少一个如上述的制备方法所制备的双通道氮化镓功率器件。
102.在本实施例中，芯片包括源极端、漏极端以及栅极端，还包括至少一个双通道氮化镓功率器件。由于双通道氮化镓功率器件包括多个电场调节单元100，电场调节单元100可以与第二盖帽层90进行横向耗尽，使得电场更加均匀，提升功率器件的性能，进而可以使得芯片可以用于较高的击穿电压。
103.在一个实施例中，当阴极电极70串联连接在漏极电极120时，则芯片的漏极端通过通孔与阳极电极80连接，芯片的源极端通过通孔与双通道氮化镓功率器件的源极电极110连接，芯片的源极端与栅极电极130连接。当阳极电极80串联连接在源极电极110时，则芯片的源极端通过通孔与阴极电极70连接，芯片的漏极端通过通孔与漏极电极120连接，芯片的源极端与栅极电极130连接。因此一般的芯片的源极端和漏极端下方没有器件，然而通过本技术的设计可以在增加空间位置需求的同时，提升芯片的击穿电压。并且本技术不利用额外光罩的前提下，做出本技术的双通道氮化镓功率器件，避免了繁琐的制造工艺。
104.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
105.以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。