改善功函数金属边界位移工艺的方法与流程

技术特征：
1.一种改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有鳍式结构，在所述衬底上形成覆盖所述鳍式结构的功函数金属层；步骤二、利用至少一种预处理气体电离为等离子体轰击所述功函数金属层，使得所述功函数金属层与底部抗反射涂层结合的紧密度增加；步骤三、形成覆盖所述功函数金属层的所述底部抗反射涂层以及位于所述底部抗反射涂层上的光刻胶层；步骤四、光刻打开所述光刻胶层及其下方的所述底部抗反射涂层，使得其下方的所述功函数金属层裸露，之后刻蚀去除裸露的所述功函数金属层。2.根据权利要求1所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤一中的所述鳍式结构为单晶硅层。4.根据权利要求1所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤一中的所述功函数金属层的材料为氮化钛。5.根据权利要求1所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤二中所述预处理气体为氮气与氢气的混合气体。6.根据权利要求5所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤二中所述氮气与所述氢气的体积比为5：1至7：3。7.根据权利要求6所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤二中所述氮气的与所述氢气的气体流量之比为500：100ml/min至700：300ml/min。8.根据权利要求7所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤二中利用所述氮气与所述氢气的混合气体电离为等离子体轰击所述功函数金属层30秒至5分钟。9.根据权利要求1所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤四中所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。10.根据权利要求1所述的改善功函数金属边界位移工艺的方法，其特征在于：步骤四中通过刻蚀去除裸露的所述功函数金属层定义出不同的阈值电压层。

技术总结
本发明提供一种改善功函数金属边界位移工艺的方法,提供衬底，衬底上形成有鳍式结构，在衬底上形成覆盖鳍式结构的功函数金属层；利用至少一种预处理气体电离为等离子体轰击功函数金属层，使得功函数金属层与底部抗反射涂层结合的紧密度增加；形成覆盖功函数金属层的底部抗反射涂层以及位于底部抗反射涂层上的光刻胶层；光刻打开光刻胶层及其下方的底部抗反射涂层，使得其下方的功函数金属层裸露，之后刻蚀去除裸露的功函数金属层。本发明增加一道等离子体预处理工艺，可以使功函数金属层与底部抗反射层结合得更紧密，减少湿法刻蚀对底部抗反射层底部侧方向的损耗，这样可以减少功函数金属层损失，提高器件性能。提高器件性能。提高器件性能。


技术研发人员：汪丹丹
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.10.14
技术公布日：2022/12/30