一种显示基板及其制备方法、显示装置与流程

技术特征：
1.一种显示基板，其包括衬底基板、设置在所述衬底基板上的平坦层、以及设置在所述平坦层背离所述衬底基板一侧的发光器件；所述发光器件包括依次设置在所述平坦层背离所述衬底基板一侧的第一电极、发光层和第二电极；所述平坦层背离所述衬底基板的一侧具有环形凹槽；所述第一电极的边缘位于所述环形凹槽内。2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述环形凹槽的深度大于或等于所述第一电极的厚度。3.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述环形凹槽包括第一侧壁和第二侧壁；所述环形凹槽包括沿第一方向相对设置的第一槽部和第二槽部；所述第一槽部的宽度和所述第二槽部的宽度相等；所述第一槽部的宽度和所述第二槽部的宽度，与所述环形凹槽的第二侧壁在第一方向上的最大宽度的比值均位于0.045～0.055之间；所述环形凹槽包括沿第二方向相对设置的第三槽部和第四槽部；所述第三槽部的宽度和所述第四槽部的宽度相等；所述第三槽部的宽度和所述第四槽部的宽度，与所述环形凹槽的第二侧壁在第二方向上的最大宽度的比值均位于0.045～0.055之间。4.根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述第一电极的边缘在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述环形凹槽在所述衬底基板上的正投影。5.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述环形凹槽包括第一侧壁和第二侧壁；所述环形凹槽包括沿第一方向相对设置的第一槽部和第二槽部；所述第一槽部的深度和所述第二槽部的深度相同；所述第一槽部的深度和所述第二槽部的深度均大于所述第一电极的厚度，且所述第一槽部的深度和所述第二槽部的深度，与所述环形凹槽的第二侧壁在第一方向上的最大宽度的比值均位于0.062～0.073之间；所述环形凹槽包括沿第二方向相对设置的第三槽部和第四槽部；所述第三槽部的深度和所述第四槽部的深度相同；所述第三槽部的深度和所述第四槽部的深度均大于所述第一电极的厚度，且所述第三槽部的深度和所述第四槽部的深度，与所述环形凹槽的第二侧壁在第二方向上的最大宽度的比值均位于0.062～0.073之间。6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一电极的边缘在所述衬底基板上的正投影，覆盖所述环形凹槽在所述衬底基板上的部分正投影。7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述平坦层包括沿第三方向相对设置的第一表面和第二表面，且所述第一表面相比所述第二表面更接近所述衬底基板；所述第二表面包括沿第一方向相对设置的第一子表面和第二子表面，分别与所述第一子表面和第二子表面连接的第三子表面，远离所述衬底基板一侧、且与所述第一子表面连接的第四子表面，远离所述衬底基板一侧、且与所述第二子表面连接的第五子表面；所述第二子表面与所述第五子表面之间所形成的二面角为圆倒角或平倒角。8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括像素定义层；所述像素定义层包括第一子定义层和第二子定义层；所述第一子定义层设置在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧；所述第二子定义层设置在所述第一电极背离所述衬底基板的一侧；所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述环形凹槽在所述衬底基板上的正投影。9.根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述发光层和所述第二电极依次设置在所述
像素定义层和所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧。10.一种显示基板的制备方法，其中，包括：形成衬底基板，并在所述衬底基板上形成平坦层；在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧形成环形凹槽；在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧依次形成发光器件的第一电极、发光层和第二电极；其中，所述第一电极的边缘位于所述环形凹槽内。11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其中，所述在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧依次形成发光器件的第一电极、发光层和第二电极，包括：在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧形成所述第一电极；在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧形成第一子定义层，在所述第一电极背离所述衬底基板的的一侧形成第二子定义层，所述第一子定义层和所述第二子定义层为一体结构；将一体结构的所述第一子定义层和所述第二子定义层作为像素定义层；所述像素定义层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述环形凹槽在所述衬底基板上的正投影；在所述像素定义层和所述第一电极背离所述衬底基板的一侧，依次形成所述发光器件的发光层和第二电极。12.一种显示装置，其中，包括如权利要求1～9中任一项所述的显示基板。

技术总结
本公开提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其中，显示基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的平坦层、以及设置在平坦层背离衬底基板一侧的发光器件；发光器件包括依次设置在平坦层背离衬底基板一侧的第一电极、发光层和第二电极；平坦层背离衬底基板的一侧具有环形凹槽；第一电极的边缘位于环形凹槽内。于环形凹槽内。于环形凹槽内。


技术研发人员：尹钢 孙超超 秋钊 吴东升 曹世杰 於造林 刘贵堂 李凌霄
受保护的技术使用者：绵阳京东方光电科技有限公司
技术研发日：2022.08.15
技术公布日：2022/12/12