无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路

技术特征：
1.一种无电感的低温低噪声放大器电路，包括信号输入端，信号输出端，以及设置在信号输入端与信号输出端之间级联的多级放大单元，其中，信号输入端输入的信号耦合至初级放大单元的输入端，末级放大单元的输出信号耦合至信号输出端；其特征在于，末级放大单元，被配置为将其输出信号耦合至初级放大单元的输入端，以形成负反馈；每个前级放大单元，被配置为将其输出信号与一个恒流源输出的恒定电流共同耦合至其后一级放大单元的输入端，以向后一级放大单元提供偏置电压。2.如权利要求1所述的一种无电感的低温低噪声放大器电路，其特点在于，所述恒流源包括一个被配置为工作在恒流区的mos管；而且，所述mos管包括：连接至对应前级放大单元的供电电源输入端的第一输入和第二输入，以及将输出的恒定电流耦合至对应后一级放大单元的输入端的第一输出。3.如权利要求2所述的一种无电感的低温低噪声放大器电路，其特点在于，每个所述前级放大单元均包括一个负载电阻，并被配置为一端耦合至将所述前级放大单元的供电电源输入端，另一端耦合至所述前级放大单元的输出端。4.如权利要求1所述的一种无电感的低温低噪声放大器电路，其特点在于，所述初级放大单元包括多个三极管；而且，所述多个三极管被配置为基极共同连接至所述初级放大单元的输入端，集电极共同连接至所述初级放大单元的输出端，发射极均接地。5.如权利要求4所述的一种无电感的低温低噪声放大器电路，其特点在于，所述多级放大单元中其它各级放大单元均包括一个三极管，并被配置为基极连接至放大单元的输入端，集电极连接至放大单元的输出端，发射极接地。6.如权利要求1～5任一项所述的一种无电感的低温低噪声放大器电路，其特点在于，所述信号输入端输入的信号经一个输入电容耦合至初级放大单元的输入端；所述末级放大单元的输出信号经一个输出电容耦合至信号输出端。7.如权利要求1～5任一项所述的一种无电感的低温低噪声放大器电路，其特点在于，所述末级放大单元被配置为将其输出信号经一个负反馈电阻耦合至初级放大单元的输入端。8.如权利要求7所述的一种无电感的低温低噪声放大器电路，其特点在于，所述负反馈电阻被配置为具有将输入电阻匹配至50欧姆的电阻值。9.一种芯片，其特点在于，包括：硅衬底；以及，形成于所述硅衬底上的如权利要求1～8任一项所述的无电感的低温低噪声放大器电路，其中，所述无电感的低温低噪声放大器电路中晶体管采用sige工艺制作。10.一种射频前端电路，其特征在于，包括如权利要求9所述的芯片。

技术总结
本发明实施例提供了一种无电感的低温低噪声放大器电路、芯片及射频前端电路，该无电感的低温低噪声放大器电路由于采用无电感设计，能够直接提升芯片级LNA的集成度、Q值和噪声系数等性能指标；同时，一方面引入采用负反馈结构实现输入输出阻抗的最佳匹配，抑制寄生电容的影响，另一方面在多级放大单元的级间无电容，并结合恒流源进行直流耦合，可保证低频信号输入时的相位裕度足够大，进而实现电路整体的稳定。体的稳定。体的稳定。


技术研发人员：王成 吴瑞宏
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2022.09.02
技术公布日：2022/12/16