适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置及AOI设备的制作方法

技术特征：
1.一种适用于碳化硅fab厂的aoi的晶圆吸附装置，其特征在于，包括：吸附台面，在aoi设备的吸附台面上用于吸附晶圆的上表面开设多个pv孔，所述pv孔设置在吸附台面边缘处，在aoi设备上位于吸附台面的外边缘处设置多个用于升降晶圆的顶杆升降孔。2.根据权利要求1所述的适用于碳化硅厂的aoi设备的晶圆吸附装置，其特征在于：所述pv孔设置为3个，pv孔均匀分布在吸附台面的边缘内侧。3.根据权利要求1所述的适用于碳化硅厂的aoi设备的晶圆吸附装置，其特征在于：所述顶杆升降孔设置为3个，顶杆升降孔均匀分布在吸附台面的边缘外侧，且顶杆升降孔与pv孔交错设置。4.根据权利要求1所述的适用于碳化硅厂的aoi设备的晶圆吸附装置，其特征在于：所述吸附台面的上表面为灰色磨砂陶瓷面。5.根据权利要求1所述的适用于碳化硅fab厂的aoi的晶圆吸附装置，其特征在于：所述吸附台面的上表面尺寸小于6寸碳化硅晶圆的尺寸，所述pv孔和顶杆升降孔位于被吸附碳化硅晶圆边缘1-2cm宽度的环装无效区域内。6.一种适用于碳化硅fab厂的aoi设备，其特征在于：包括权利要求1-5任一项所述的适用于碳化硅fab厂的aoi的晶圆吸附装置。

技术总结
本发明提供了一种适用于碳化硅FAB厂的AOI的晶圆吸附装置及AOI设备，包括：吸附台面，在AOI设备的吸附台面上用于吸附晶圆的上表面开设多个PV孔，所述PV孔设置在吸附台面边缘处，在AOI设备上位于吸附台面的外边缘处设置多个用于升降晶圆的顶杆升降孔。本发明取消传统硅晶圆AOI设备上的PV凹槽，在吸附台面的上表面边缘处设置PV孔，解决了PV凹槽对碳化硅晶圆质量检测造成的干扰，且不影响对碳化硅晶圆的吸附效果。的吸附效果。的吸附效果。


技术研发人员：王旭东
受保护的技术使用者：淄博绿能芯创电子科技有限公司
技术研发日：2022.08.04
技术公布日：2022/12/16