含阶梯结构的微电子装置及其存储装置、电子系统及方法与流程

技术特征：
1.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置成层的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层的横向边缘的梯级；柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构和所述阶梯结构且与竖直下伏于所述堆叠结构的源极层接触；以及导电接触结构，其与所述阶梯结构的所述梯级接触，所述导电接触结构个别地包括第一部分和竖直上覆于所述第一部分的第二部分，所述第二部分在所述柱结构竖直上方且其横向尺寸大于所述第一部分的横向尺寸。2.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第一部分的上表面与所述柱结构的上表面大体上共面。3.根据权利要求1所述的微电子装置，其进一步包括横向处于每一个别导电接触结构与竖直上覆于所述阶梯结构的介电材料之间的绝缘内衬材料。4.根据权利要求3所述的微电子装置，其中所述绝缘内衬材料包括与所述介电材料不同的材料组成。5.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述第二部分的横向尺寸是所述第一部分的横向尺寸的至少1.5倍大。6.根据权利要求1所述的微电子装置，其中所述柱结构包括与所述源极层电连通的导电材料。7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括竖直上覆于所述阶梯结构的氮化物内衬材料，所述导电接触结构竖直延伸穿过所述氮化物内衬材料。8.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的微电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述堆叠结构的存储器单元串。9.一种微电子装置，其包括：堆叠结构，其包括布置成层的交替的导电结构和绝缘结构；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层的横向末端的梯级；介电材料，其竖直上覆于所述阶梯结构；导电接触结构，其竖直延伸穿过所述介电材料，每一导电接触结构个别地与所述阶梯结构的所述梯级中的一个电连通；氧化物内衬材料，其横向处于所述介电材料与所述导电接触结构之间；以及氮化物材料，其横向邻近每一导电接触结构的下部部分，所述氮化物材料竖直处于所述介电材料与所述梯级之间。10.根据权利要求9所述的微电子装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述介电材料和所述堆叠结构的柱结构。11.根据权利要求10所述的微电子装置，其中所述柱结构包括导电材料。12.根据权利要求10所述的微电子装置，其中所述导电接触结构在所述柱结构上方竖直延伸。13.根据权利要求9所述的微电子装置，其中所述导电接触结构各自个别地包括与所述阶梯结构的所述梯级中的所述一个接触的第一部分和与所述第一部分接触的第二部分。14.根据权利要求13所述的微电子装置，其中所述第二部分的直径大于所述第一部分
的直径。15.根据权利要求9到14中任一权利要求所述的微电子装置，其中所述导电结构各自个别地包括与竖直相邻的绝缘结构接触的导电内衬材料和与所述导电内衬材料接触的导电材料。16.根据权利要求15所述的微电子装置，其中所述导电接触结构与所述导电结构的所述导电材料接触。17.一种存储装置，其包括：堆叠结构，其包括布置成层的竖直交错的导电结构和绝缘结构；存储器单元串，其竖直延伸穿过所述堆叠结构；阶梯结构，其在由包括所述层的横向末端的梯级限定的所述堆叠结构内；绝缘材料，其竖直上覆于所述阶梯结构；以及导电接触结构，其竖直延伸穿过所述绝缘材料，所述导电接触结构中的每一个个别地包括：第一部分，其与所述阶梯结构的所述梯级中的一个接触；以及第二部分，其竖直上覆于所述第一部分且与其电连通，所述第二部分的横向尺寸大于所述第一部分的横向尺寸。18.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述第二部分的直径是所述第一部分的直径的至少约两倍大。19.根据权利要求17所述的存储装置，其中所述第二部分的竖直高度小于所述第一部分的竖直高度。20.根据权利要求17所述的存储装置，其进一步包括氮化物材料，所述氮化物材料竖直上覆于所述阶梯结构且横向围绕所述导电接触结构中的每一个的所述第一部分的至少一部分。21.根据权利要求17到20中任一权利要求所述的存储装置，其进一步包括竖直延伸穿过所述绝缘材料和所述堆叠结构的柱结构，所述柱结构横向邻近所述导电接触结构。22.根据权利要求21所述的存储装置，其中所述导电接触结构中的每一个的所述第二部分在所述柱结构中的每一个的上部部分上方竖直延伸。23.根据权利要求21所述的存储装置，其中所述第一部分与所述第二部分之间的界面与所述柱结构的上表面大体上共面。24.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在阶梯结构上方形成第一绝缘内衬材料；在所述第一绝缘内衬材料上方形成第二绝缘内衬材料；形成穿过竖直上覆于所述阶梯结构的绝缘材料的第一开口且通过所述第一开口暴露所述第二绝缘内衬材料的部分；用牺牲材料填充所述第一开口以形成牺牲结构；形成穿过所述绝缘材料和所述阶梯结构且横向邻近所述牺牲结构的第二开口；用导电材料填充所述第二开口以形成柱结构；移除所述牺牲结构的所述牺牲材料以形成第三开口且暴露所述第二绝缘内衬材料；通过所述第三开口移除所述第二绝缘内衬材料和所述第一绝缘内衬材料的部分以暴
露竖直下伏于所述第三开口的所述梯级；以及在所述第三开口中形成额外导电材料且使其与阶梯结构的所述梯级电连通。25.根据权利要求24所述的方法，其中形成穿过竖直上覆于所述阶梯结构的绝缘材料的第一开口且暴露所述第二绝缘内衬材料的部分包括暴露包括氮化硅的第二绝缘内衬材料的部分。26.根据权利要求24所述的方法，其中用牺牲材料填充所述第一开口以形成牺牲结构包括形成包括多晶硅和钨中的一种的牺牲结构。27.根据权利要求24所述的方法，其进一步包括：在填充所述第二开口之后在所述牺牲结构和所述柱结构上方形成掩模材料；以及通过所述掩模材料暴露所述牺牲结构。28.根据权利要求27所述的方法，其中在所述第三开口中形成导电材料包括在所述第三开口中的每一个中形成导电接触结构，所述导电接触结构中的每一个个别地包括：第一部分，其与所述阶梯结构的所述梯级电连通；以及第二部分，其与所述第一部分电连通且其横向尺寸大于所述第一部分的横向尺寸。29.根据权利要求24到28中任一权利要求所述的方法，其中在所述第三开口中形成导电材料包括在所述第三开口中形成导电接触结构，所述导电接触结构的竖直高度大于所述柱结构的竖直高度。30.一种形成微电子装置的方法，所述方法包括：在堆叠结构中限定的阶梯结构的梯级上方形成牺牲结构，所述堆叠结构包括竖直交错的绝缘结构和额外绝缘结构的层；形成竖直延伸穿过上覆于所述阶梯结构和所述堆叠结构的介电材料的柱结构，所述柱结构横向邻近所述牺牲结构中的一些；通过上覆于所述牺牲结构和所述柱结构的掩模材料暴露所述牺牲结构；通过所述掩模材料移除所述牺牲结构以形成开口；以及在所述开口中形成导电材料。31.根据权利要求30所述的方法，其中形成牺牲结构包括形成将包括钨和多晶硅中的一种的所述牺牲结构。32.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括：形成竖直延伸穿过所述堆叠结构的槽；通过所述槽移除所述额外绝缘结构；以及在竖直相邻的绝缘结构之间形成导电结构。33.根据权利要求32所述的方法，其中在所述开口中形成导电材料包括形成与所述导电结构电连通的导电接触结构。34.根据权利要求30所述的方法，其中在阶梯结构的梯级上方形成牺牲结构包括在所述阶梯结构的所述梯级上方形成与氮化物内衬材料接触的所述牺牲结构。35.根据权利要求30到34中任一权利要求所述的方法，其中在所述开口中形成导电材料包括在所述开口中的每一个中形成导电接触结构，每一导电接触结构包括：第一部分，其与所述导电材料电连通；以及第二部分，其竖直上覆于所述第一部分且其横向尺寸大于所述第一部分的横向尺寸。
36.一种电子系统，其包括：输入装置；输出装置；处理器装置，其以可操作方式耦合到所述输入装置和所述输出装置；以及存储装置，其以可操作方式耦合到所述处理器装置且包括至少一个微电子装置结构，所述至少一个微电子装置结构包括：阶梯结构，其在堆叠结构内且包括布置成层的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列；柱结构，其竖直延伸穿过所述堆叠结构到达竖直下伏于所述堆叠结构的源极结构；以及导电接触结构，其与所述阶梯结构的导电结构电连通，所述导电接触结构在所述柱结构上方竖直延伸。

技术总结
本申请涉及含阶梯结构的微电子装置及其存储装置、电子系统及方法。一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列；阶梯结构，其在所述堆叠结构内且具有包括所述层的横向边缘的梯级；柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构和所述阶梯结构且与竖直下伏于所述堆叠结构的源极层接触；以及导电接触结构，其与所述阶梯结构的所述梯级接触，所述导电接触结构个别地包括第一部分和竖直上覆于所述第一部分的第二部分，所述第二部分在所述柱结构竖直上方且其横向尺寸大于所述第一部分的横向尺寸。还描述了相关微电子装置、存储装置和电子系统。存储装置和电子系统。存储装置和电子系统。


技术研发人员：罗双强 I
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.06.15
技术公布日：2022/12/16