一种带绝缘的IGBT吸收电容的制作方法

一种带绝缘的igbt吸收电容
技术领域
1.本实用新型涉及电容器技术领域，具体而言，涉及一种带绝缘的igbt吸收电容。


背景技术：

2.目前igbt吸收电容多采用两侧焊片式结构(例如cn216562783u、cn212010738u等)，其基本结构是在金属化薄膜形成的芯子两端各焊接一个焊片作为正极和负极，再将芯子装在外壳内，最后灌装环氧树脂密封。
3.现有的igbt吸收电容为了和市面上其它电气模块配合，igbt吸收电容的两焊片之间的间距通常很小(一般为6mm左右)，对于高压产品，这个间距容易因爬电距离不够导致两个电极被连通，而且igbt吸收电容的应用环境复杂，两焊片之间容易因水露或其他污染导致两个电极被连通，存在较大拉弧风险。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种带绝缘的igbt吸收电容，能够将两个电极隔开，增加爬电距离，提高抗污染能力，大大降低了拉弧风险。
5.本实用新型的实施例通过以下技术方案实现：
6.一种带绝缘的igbt吸收电容，包括芯子和外壳，芯子设于外壳内部，芯子的两端焊接有焊片，焊片的一端伸出外壳外，还包括绝缘挡板，绝缘挡板连接于外壳的两相对侧壁之间，两个所述焊片各设于绝缘挡板的一侧。
7.可选地，所述绝缘挡板与所述外壳的侧壁卡接。
8.可选地，所述外壳的内侧壁设有第一卡槽，第一卡槽与所述绝缘挡板的端部配合。
9.可选地，所述绝缘挡板的至少一端底部设有第二卡槽，第二卡槽的一侧与所述外壳的外侧配合，第二卡槽的另一侧与所述第一卡槽配合。
10.可选地，所述外壳连接所述绝缘挡板的内侧壁设有凸条，所述第一卡槽设于凸条上。
11.可选地，所述绝缘挡板的两端底部设有第三卡槽，第三卡槽与所述外壳的侧壁配合。
12.可选地，所述焊片伸出所述外壳的一端设有卡接部，卡接部与外壳的侧壁配合。
13.可选地，所述焊片位于所述外壳内部的部分设有一个或多个通孔。
14.可选地，所述绝缘挡板顶部到所述外壳端面的距离大与所述焊片伸出外壳部分的顶部到外壳端面的距离。
15.本实用新型至少具有如下优点和有益效果：本实用新型中，两个焊片作为两个电极，通过设置的绝缘挡板能够将能够两个电极隔开，增加了两电极间的爬电距离，降低了拉弧风险；而且绝缘挡板能够阻断水露等其他污染，避免两电极因污染而被连通，进一步降低了拉弧风险。
附图说明
16.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
17.图1为本实用新型提供的一种带绝缘的igbt吸收电容的结构示意图；
18.图2为本实用新型提供的一种带绝缘的igbt吸收电容的爆炸图；
19.图3为本实用新型提供的一种带绝缘的igbt吸收电容灌装环氧树脂密封后的结构示意图；
20.图标：1-芯子，2-外壳，201-凸条，201a-第一卡槽，3-焊片，301-卡接部，302-通孔，303-安装孔，4-绝缘挡板，401-第二卡槽，5-环氧树脂。
具体实施方式
21.请参考图1-3，一种带绝缘的igbt吸收电容，包括芯子1和外壳2，芯子1设于外壳2内部，芯子1的两端焊接有焊片3，芯子1的两端面喷涂金属，以便于焊接焊片3，焊片3作为安装电极伸出外壳2外，焊片3伸出外壳2的一端上设有安装孔303。
22.焊片3伸出外壳2的一端设有卡接部301，卡接部301与外壳2的侧壁配合，设置的卡接部301便于芯子1及焊片3焊接后的整体与外壳2组装，即在组装时使卡接部301与外壳2的侧壁卡合即可将，灌装环氧树脂5时也不需要再使用其他工具来定位焊片3及芯子1的整体，简化了工艺。
23.igbt吸收电容还包括绝缘挡板4，绝缘挡板4连接于外壳2的两相对侧壁之间，两个焊片3各设于绝缘挡板4的一侧，组装时，焊接焊片3后将焊片3及芯子1的整体放入外壳2内，再连接好绝缘挡板4，最后通过灌装环氧树脂5密封。灌装后，绝缘挡板4顶部到外壳2端面的距离大与焊片3伸出外壳2部分的顶部到外壳2端面的距离，本实施绝缘挡板4的顶部高出位于外壳2外部的焊片3顶部1-5mm，灌装密封后绝缘挡板4嵌入环氧树脂5中，与芯子1、焊片3和外壳2形成一个整体。
24.本领域技术人员应当知晓，igbt吸收电容安装使用时，外壳2有焊片3伸出的一端朝下，即绝缘挡板4朝下，与图3所示的朝向刚好相反。设置的绝缘挡板4能够将能够将两个电极隔开，增加了两电极间的爬电距离，降低了拉弧风险；而且绝缘挡板4能够阻断水露等其他污染，避免两电极因污染而被连通，进一步降低了拉弧风险。
25.此外，容易理解的是，绝缘挡板4为由绝缘材料制成的硬质板，绝缘材料例如可以是聚丙烯、聚乙烯等。
26.绝缘挡板4与外壳2的侧壁卡接，本实施例中，外壳2的内侧壁设有第一卡槽201a，第一卡槽201a与绝缘挡板4的端部配合，即组装时可将绝缘挡板4卡入第一卡槽201a中即可将绝缘挡板4定位，便于组装。
27.进一步地，本实施例绝缘挡板4靠近两焊片3的一端底部设有第二卡槽401，第二卡槽401的一侧与外壳2的外侧配合，第二卡槽401的另一侧与第一卡槽201a配合，如此设置，即使得绝缘挡板4伸出外壳2靠近焊片3一侧，可将两焊片3沿外壳2侧壁连通的路径隔开，即也增加了该路径上的爬电距离和抗污染能力。本实施例中，绝缘挡板4伸出外壳2的侧壁2mm
以上，保证绝缘效果。
28.在上述基础上，外壳2连接绝缘挡板4的内侧壁设有凸条201，第一卡槽201a设于凸条201上，第一凸条201的设置可避免第一卡槽201a直接设于外壳2的侧壁上而导致外壳2的强度降低。
29.焊片3位于外壳2内部的部分设有一个或多个通孔302，本实施例中，两个焊片3上各设有一个通孔302，在灌装密封时，环氧树脂5可进入通孔302中，使得焊片3位于外壳2内部的部分更好地与环氧树脂5形成一个整体。
30.以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。


技术特征：
1.一种带绝缘的igbt吸收电容，包括芯子(1)和外壳(2)，芯子(1)设于外壳(2)内部，芯子(1)的两端焊接有焊片(3)，焊片(3)的一端伸出外壳(2)外，其特征在于：还包括绝缘挡板(4)，绝缘挡板(4)连接于外壳(2)的两相对侧壁之间，两个所述焊片(3)各设于绝缘挡板(4)的一侧。2.根据权利要求1所述的带绝缘的igbt吸收电容，其特征在于：所述绝缘挡板(4)与所述外壳(2)的侧壁卡接。3.根据权利要求2所述的带绝缘的igbt吸收电容，其特征在于：所述外壳(2)的内侧壁设有第一卡槽(201a)，第一卡槽(201a)与所述绝缘挡板(4)的端部配合。4.根据权利要求3所述的带绝缘的igbt吸收电容，其特征在于：所述绝缘挡板(4)的至少一端底部设有第二卡槽(401)，第二卡槽(401)的一侧与所述外壳(2)的外侧配合，第二卡槽(401)的另一侧与所述第一卡槽(201a)配合。5.根据权利要求3或4所述的带绝缘的igbt吸收电容，其特征在于：所述外壳(2)连接所述绝缘挡板(4)的内侧壁设有凸条(201)，所述第一卡槽(201a)设于凸条(201)上。6.根据权利要求1-4任意一项所述的带绝缘的igbt吸收电容，其特征在于：所述焊片(3)伸出所述外壳(2)的一端设有卡接部(301)，卡接部(301)与外壳(2)的侧壁配合。7.根据权利要求1-4任意一项所述的带绝缘的igbt吸收电容，其特征在于：所述焊片(3)位于所述外壳(2)内部的部分设有一个或多个通孔(302)。8.根据权利要求1-4任意一项所述的带绝缘的igbt吸收电容，其特征在于：所述绝缘挡板(4)顶部到所述外壳(2)端面的距离大与所述焊片(3)伸出外壳(2)部分的顶部到外壳(2)端面的距离。

技术总结
本实用新型涉及电容器技术领域，本实用新型提供了一种带绝缘的IGBT吸收电容，包括芯子和外壳，芯子设于外壳内部，芯子的两端焊接有焊片，焊片的一端伸出外壳外，还包括绝缘挡板，绝缘挡板连接于外壳的两相对侧壁之间，两个所述焊片各设于绝缘挡板的一侧。本实用新型能够将两个电极隔开，增加爬电距离，提高抗污染能力，大大降低了拉弧风险。大大降低了拉弧风险。大大降低了拉弧风险。


技术研发人员：腾朋 黄灵春
受保护的技术使用者：四川中星电子有限责任公司
技术研发日：2022.06.25
技术公布日：2022/12/9