超导互连结构及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种超导互连结构的制备方法，其特征在于，包括：形成贯穿衬底的通孔；及将超导材料的粉末填入所述通孔并熔融所述粉末以获得完全填充所述通孔的超导连接元件。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在真空环境中将超导材料的粉末填入所述通孔并熔融所述粉末。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在还原性氛围中将超导材料的粉末填入所述通孔并熔融所述粉末。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述还原性氛围利用h2、co、甲酸蒸汽中之一形成。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将超导材料的粉末填入所述通孔并熔融所述粉末的步骤，包括：将所述通孔的一侧封堵并加热；将超导材料的粉末填入所述通孔内熔融，其中，所述粉末的粒径小于所述通孔的直径。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述超导材料包括铟、氮化钛、铌、氮化铌、钽中至少之一。7.一种超导互连结构，其特征在于，包括：贯穿衬底的通孔；及形成于所述通孔内的超导连接元件，所述超导连接元件完全填充所述通孔。8.根据权利要求7所述的超导互连结构，其特征在于，所述超导连接元件的内部无孔隙。9.根据权利要求7所述的超导互连结构，其特征在于，所述超导连接元件的内部无氧化物杂质。10.根据权利要求7至9中任一项所述的超导互连结构，其特征在于，所述超导连接元件包括铟、氮化钛、铌、氮化铌、钽中至少之一。11.根据权利要求7至9中任一项所述的超导互连结构，其特征在于，所述通孔的直径≥50微米。

技术总结
本申请公开了一种超导互连结构及其制备方法，涉及量子计算技术领域。所述制备方法包括：形成贯穿衬底的通孔；及将超导材料的粉末填入所述通孔并熔融所述粉末以获得位于所述通孔内的超导连接元件。所述超导互连结构包括：贯穿衬底的通孔；及形成于所述通孔内的超导连接元件，所述超导连接元件完全填充所述通孔。相对于现有技术中先对衬底刻蚀形成通孔，然后利用PVD、CVD、ALD等方式对硅通孔进行沉积镀膜制备互连结构，本申请将超导材料的粉末填入通孔并熔融所述粉末，即可在通孔内形成超导连接元件，从而获得超导互连结构，相对于相关技术本申请提高了硅通孔的填充效率，有助于实现基于TSV的互连结构的快速制备。现基于TSV的互连结构的快速制备。现基于TSV的互连结构的快速制备。


技术研发人员：杨晖 沈龙
受保护的技术使用者：合肥本源量子计算科技有限责任公司
技术研发日：2022.04.14
技术公布日：2022/12/5