利用位线的写入辅助方案的制作方法

技术特征：
1.一种装置，包括：多个存储器单元；电源节点，被配置成从电源向所述多个存储器单元中的一个存储器单元提供功率以存储数据；位线，被配置成在写入操作中向所述一个存储器单元提供写入数据；放电电路，被配置成基于所述写入数据使所述电源节点对所述位线选择性地放电。2.根据权利要求1所述的装置，还包括：写入驱动器，被配置成基于所述写入数据来驱动所述位线，所述放电电路还被配置成响应于所述写入数据处于使所述写入驱动电路对所述位线充电的状态，使所述电源节点对所述位线放电。3.根据权利要求2所述的装置，所述放电电路被配置成使所述电源节点对所述位线放电，以将所述位线上拉到高于所述写入驱动器对所述位线充电的电平。4.根据权利要求2所述的装置，还包括：隔离晶体管，被配置成在所述放电电路使所述电源节点对所述位线放电时，将所述电源节点与所述电源隔离。5.根据权利要求4所述的装置，其中将所述电源节点与所述电源隔离的所述隔离晶体管将所述电源节点隔离以免被上拉。6.根据权利要求4所述的装置，所述多个存储器单元被布置为多个列，所述电源节点被配置成向所述多个列中的一部分提供功率。7.根据权利要求6所述的装置，所述多个列中的所述一部分是一列。8.根据权利要求6所述的装置，还包括：选自以下中的一项的设备：计算系统、移动计算系统、物联网设备、虚拟现实系统或增强现实系统，所述设备包含所述多个存储器单元、所述电源节点、所述位线和所述放电电路。9.根据权利要求8所述的装置，所述放电电路包括放电晶体管，所述放电晶体管被配置成响应于所述写入数据处于使所述写入驱动电路对所述位线充电的所述状态而导通，以使所述电源节点对所述位线放电。10.根据权利要求9所述的装置，所述放电晶体管包括p型晶体管。11.根据权利要求9所述的装置，所述放电电路还包括：控制晶体管，所述控制晶体管被配置成基于指示所述写入操作的信号而导通，以使得所述电源节点能够放电。12.根据权利要求11所述的装置，所述控制晶体管和所述放电晶体管被配置成串联地使所述电源节点放电。13.根据权利要求12所述的装置，所述控制晶体管和所述放电晶体管是p型晶体管。14.根据权利要求11所述的装置，所述放电电路包括第二放电晶体管，所述控制晶体管被耦合到所述电源节点、所述放电晶体管和所述第二放电晶体管，响应于所述写入数据处于使所述写入驱动电路对所述位线充电的所述状态，所述放电晶体管被电连接到所述位线，以使所述电源节点对所述位线放电，响应于所述写入数据处于使所述写入驱动电路对互补位线充电的第二状态，所述第二放电晶体管被电连接到所述位线的所述互补位线，以使所述电源节点对所述互补位线放电。
15.根据权利要求14所述的装置，所述控制晶体管、所述放电晶体管和所述第二放电晶体管是p型晶体管。16.一种利用写入辅助方案写入存储器单元的方法，包括：从电源经由电源节点向多个存储器单元中的一个存储器单元提供功率以存储数据；在写入操作中，经由位线向所述一个存储器单元提供写入数据；基于所述写入数据，使所述电源节点对所述位线选择性地放电。17.根据权利要求16所述的方法，还包括：通过写入驱动器基于所述写入数据来驱动所述位线；响应于所述写入数据处于使所述写入驱动电路对所述位线充电的状态，通过放电电路使所述电源节点对所述位线放电。18.根据权利要求17所述的方法，通过所述放电电路使所述电源节点对所述位线放电包括：将所述位线上拉到高于所述写入驱动器对所述位线充电的电平。19.根据权利要求17所述的方法，还包括：在所述放电电路使所述电源节点对所述位线放电时，通过隔离晶体管将所述电源节点与所述电源隔离。20.根据权利要求19所述的方法，其中将所述电源节点与所述电源隔离的所述隔离晶体管将所述电源节点隔离以免被上拉。21.根据权利要求19所述的方法，所述多个存储器单元被布置为多个列，所述方法还包括：经由所述电源节点，从所述电源向所述多个列中的一部分提供功率，以存储数据。22.根据权利要求21所述的方法，所述多个列中的所述一部分是一列。23.根据权利要求21所述的方法，还包括：响应于所述写入数据处于使所述写入驱动电路对所述位线充电的所述状态，将所述放电电路的放电晶体管导通，以使所述电源节点对所述位线放电。24.根据权利要求23所述的方法，所述放电晶体管包括p型晶体管。25.根据权利要求23所述的方法，还包括：基于指示所述写入操作的信号，将所述放电电路的控制晶体管导通，以使得所述电源节点能够放电。26.根据权利要求25所述的方法，由串联的所述控制晶体管和所述放电晶体管使所述电源节点放电。27.根据权利要求26所述的方法，所述控制晶体管和所述放电晶体管是p型晶体管。28.根据权利要求25所述的方法，还包括：响应于所述写入数据处于使所述写入驱动电路对互补位线充电的第二状态，通过所述放电电路的第二放电晶体管，使所述电源节点对所述位线的所述互补位线放电。29.根据权利要求28所述的方法，所述控制晶体管、所述放电晶体管和所述第二放电晶体管是p型晶体管。

技术总结
提出了具有改进的写入辅助方案的方法和装置。装置包括：电源节点，被配置成将来自电源的功率提供给一个存储器单元以存储数据；位线，被配置成在写入操作中向一个存储器单元提供写入数据；以及放电电路，被配置成基于写入数据使电源节点对位线选择性地放电。利用写入辅助方案写入存储器单元的方法包括：经由电源节点，向一个存储器单元提供来自电源的功率以存储数据；在写入操作中，经由位线向一个存储器单元提供写入数据；以及基于写入数据，使电源节点对位线选择性地放电。源节点对位线选择性地放电。源节点对位线选择性地放电。


技术研发人员：郑春明 梁斌 C-J
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2021.04.27
技术公布日：2022/12/2