极紫外掩模吸收体材料的制作方法

技术特征：
1.一种极紫外(euv)掩模坯料，包含：基板；多层堆叠，所述多层堆叠反射euv辐射，所述多层堆叠包含多个反射层对；覆盖层，所述覆盖层在反射uv辐射的所述多层堆叠上；及吸收体，所述吸收体在所述覆盖层上，所述吸收体包含第一层及第二层，所述第一层选自由以下所组成的群组：mo、nb、v、mo、nb和v的合金、mo的氧化物、nb的氧化物、v的氧化物、mo的氮化物、nb的氮化物和v的氮化物，所述第二层选自由以下所组成的群组：tasb、csb、sbn、tani、tacu和taru。2.如权利要求1所述的euv掩模坯料，其中所述第二层包含tasb。3.如权利要求2所述的euv掩模坯料，其中所述tasb包含从约21.9重量％至约78.2重量％的范围的钽和从约21.8重量％至约78.1重量％的范围的锑。4.如权利要求1所述的euv掩模坯料，其中所述第二层包含csb。5.如权利要求4所述的euv掩模坯料，其中所述csb包含从约0.3重量％至约3.6重量％的范围的碳和从约96.4重量％至约99.7重量％的范围的锑，或从约5.0重量％至约10.8重量％的范围的碳和从约89.2重量％至约95.0重量％的范围的锑。6.如权利要求1所述的euv掩模坯料，其中所述第二层包含sbn。7.如权利要求6所述的euv掩模坯料，其中所述sbn包含从约78.8重量％至约99.8重量％的范围的锑和从约0.2重量％至约21.2重量％的范围的氮。8.如权利要求1所述的euv掩模坯料，其中所述第二层包含tani。9.如权利要求8所述的euv掩模坯料，其中所述tani包含从约56.9重量％至约94.6重量％的范围的钽和从约5.4重量％至约43.1重量％的范围的镍。10.如权利要求1所述的euv掩模坯料，其中所述第二层包含tacu。11.如权利要求10所述的euv掩模坯料，其中所述tacu包含从约74.0重量％至约94.2重量％的范围的钽和从约5.8重量％至约26.0重量％的范围的铜，或从约13.0重量％至约65.0重量％的范围的钽和从约35.0重量％至87.0重量％的范围的铜。12.如权利要求1所述的euv掩模坯料，其中所述第二层包含taru。13.如权利要求12所述的euv掩模坯料，其中所述taru包含从约30.9重量％至约80.7重量％的范围的钽和从约19.3重量％至约69.1重量％的范围的钌。14.一种制造极紫外(euv)掩模坯料的方法，包含：在基板上形成反射euv辐射的多层堆叠，所述多层堆叠包含多个反射层对；在所述多层堆叠上形成覆盖层；和在所述覆盖层上形成吸收体，所述吸收体包含第一层及第二层，所述第一层选自由以下所组成的群组：mo、nb、v、mo、nb和v的合金、mo的氧化物、nb的氧化物、v的氧化物、mo的氮化物、nb的氮化物和v的氮化物，所述第二层选自由以下所组成的群组：tasb、csb、sbn、tani、tacu和taru。15.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层包含tasb，所述tasb包含从约21.9重量％至约78.2重量％的范围的钽和从约21.8重量％至约78.1重量％的范围的锑。16.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层包含csb，所述csb包含从约0.3重量％至约3.5重量％的范围的碳和从约96.5重量％至约99.7重量％的范围的锑，或从约5重量％
至约10.8重量％的范围的碳和从约89.2重量％至约95重量％的范围的锑。17.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层包含sbn，所述sbn包含从约78.8重量％至约99.8重量％的范围的锑和从约0.2重量％至约21.2重量％的范围的氮。18.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层包含tani，所述tani包含从约56.9重量％至约94.6重量％的范围的钽和从约5.4重量％至约43.1重量％的范围的镍。19.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层包含tacu，所述tacu包含从约74.0重量％至约94.2重量％的范围的钽和从约5.8重量％至约26.0重量％的范围的铜，或从约13.0重量％至约65.0重量％的范围的钽和从约35.0重量％至87.0重量％的范围的铜。20.如权利要求14所述的方法，其中所述第二层包含taru，所述taru包含从约30.9重量％至约80.7重量％的范围的钽和从约19.3重量％至约69.1重量％的范围的钌。

技术总结
公开了极紫外(EUV)掩模坯料、其制造方法和用于其的生产系统。EUV掩模坯料包含：基板；反射层的多层堆叠，在基板上；覆盖层，在反射层的多层堆叠上；及吸收体，在覆盖层上。吸收体包含第一层及第二层，第一层选自由以下所组成的群组：Mo、Nb、V、Mo、Nb和V的合金、Mo的氧化物、Nb的氧化物、V的氧化物、Mo的氮化物、Nb的氮化物和V的氮化物，第二层选自由以下所组成的群组：TaSb、CSb、SbN、TaNi、TaCu和TaRu。TaCu和TaRu。TaCu和TaRu。


技术研发人员：刘树围 刘世玉 阿泽丁
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.03.24
技术公布日：2022/12/2