反激式开关电源吸收电路、变压器漏感吸收方法以及芯片与流程

1.本发明涉及电气技术领域，尤其涉及一种反激式开关电源吸收电路、变压器漏感吸收方法以及芯片。


背景技术：

2.在反激式开关电源中，由于变压器漏感的存在，反激式开关电源在开关管关断瞬间会产生很大的尖峰电压，该尖峰电压会耦合感应到副边并提供给负载，使得副边和开关管承受较高的电压应力，严重时可能导致负载或开关管损坏，影响整个系统的运行稳定和安全，并产生电磁干扰问题，因此，需要对尖峰电压采取钳位吸收等方式抑制。
3.传统的吸收尖峰电压的方法，包括：通过rcd(residual current device，剩余电流装置)吸收电路的二极管和电容进行电压的钳位，使尖峰电压变低变缓，同时，利用耗能原件(例如电阻)泄放吸收的能量。
4.然而，现有的rcd吸收电路虽然能改善耐压问题并优化电磁干扰特性，但是，电容吸收的能量只是以热的形式释放掉了，电源转换效率难以得到提升，存在电源转换效率较低的问题。


技术实现要素：

5.本技术提供了一种反激式开关电源吸收电路、变压器漏感吸收方法以及芯片，可以解决电源转换效率较低的问题。本技术提供如下技术方案：
6.第一方面，本技术提供了一种电反激式开关电源吸收电路，包括：变压器，所述变压器包括原边线圈np和副边线圈ns；
7.原边子电路，所述原边子电路包括与所述原边线圈np连接的储能支路和与所述原边线圈np连接的吸收支路，所述储能支路导通时，所述原边线圈np储能，所述吸收支路导通时，吸收所述变压器的漏感能量；
8.副边子电路，所述副边子电路与副边线圈ns连接，所述副边线圈ns导通时为与所述副边线圈ns连接的负载提供输出电压vout。
9.可选地，所述储能支路包括第一开关管q1，所述第一开关管q1与所述原边线圈np串联；
10.所述吸收支路包括第二开关管q2、吸收模块、吸收电容c3和电源电容c5，所述第二开关管q2和所述吸收电容c3串联后与原边线圈np并联设置。
11.可选地，所述吸收模块包括：
12.采样vs端，连接于所述吸收电容c3和所述第二开关管q2之间；
13.控制gate端，连接于所述第二开关管q2的控制端，用于控制所述第二开关管q2的导通和关断；
14.接地gnd端，与所述原边线圈np和所述第一开关管q1连接；
15.电源vdd端，与所述电源电容c5连接后接地，在储能支路导通时，获取供吸收模块
正常工作的电源vdd电压；
16.所述吸收模块，用于：在所述第一开关管q1断开，即储能支路断开的情况下，获取所述采样vs端的电压信号vs和所述接地gnd端的gnd电压信号；在所述电压信号vs小于所述gnd电压信号预设电压阈值的情况下，控制所述第二开关管q2导通，以使所述吸收电容c3吸收变压器的漏感能量，并在所述吸收电容c3完成吸收所述漏感能量之后，为与所述副边子电路的输出端连接的负载供电。
17.可选地，所述储能支路和所述吸收支路不同时工作。
18.可选地，所述吸收模块包括电源子模块、模拟比较器cmp、延时模块td、与门电路and、驱动子模块drv，其中，电源子模块包括power单元以及单相导通二极管d1和所述电源电容c5；
19.所述电源子模块的一端连接所述吸收模块的采样vs端，为所述吸收模块采样电压信号vs；
20.所述模拟比较器cmp的反相输入端与所述采样vs端连接，所述模拟比较器cmp的同相输入端接入参考电压vref；
21.所述模拟比较器cmp的输出端与所述与门电路and的第一输入端连接；
22.所述延时模块td的一端与所述模拟比较器cmp的输出端连接，所述延时模块td的另一端与所述与门电路and的第二输入端连接；
23.所述与门电路and的输出端与所述驱动子模块drv连接；
24.所述驱动子模块drv的输出端与所述吸收模块的控制gate端连接。
25.可选地，响应于接收到的所述电压信号vs，所述模拟比较器cmp用于在所述电压信号vs小于所述参考电压vref预设电压阈值的情况下，输出第一高电平信号至所述延时模块td和所述与门电路and；
26.响应于接收到的所述第一高电平信号，所述延时模块td用于输出第二高电平信号至所述与门电路and；
27.响应于接收到的所述第一高电平信号和所述第二高电平信号，所述与门电路and用于输出第三高电平信号至所述驱动子模块drv；
28.响应于接收到的所述第三高电平信号，所述驱动子模块drv用于输出驱动信号至所述吸收模块的控制gate端，以使与所述控制gate端连接的所述第二开关管q2在接收到所述驱动信号为高电平后导通。
29.可选地，所述延时模块td还包括计时器；
30.响应于所述延时模块td接收到的所述第一高电平信号，所述计时器用于基于预设时长开始倒计时，在倒计时结束的情况下输出结束信号st；
31.响应于所述结束信号st，所述延时模块td还用于输出第一低电平信号至所述与门电路and。
32.可选地，响应于接收到的所述第一低电平信号，所述与门电路and还用于输出第二低电平信号；
33.响应于接收到的所述第二低电平信号，所述驱动子模块drv还用于输出第三低电平信号至所述控制gate端，以使与所述控制gate端连接的所述第二开关管q2在接收到所述第三低电平信号后关断。
34.可选地，所述预设时长小于所述副边线ns的放电时长。
35.第二方面，提供一种上述反激式开关电源吸收电路的变压器漏感吸收方法，包括：
36.在所述第一开关管q1断开，即储能支路断开的情况下，获取所述吸收支路中的吸收模块的采样vs端的电压信号vs和所述吸收模块的接接地gnd端的gnd电压信号；
37.在所述电压信号vs小于所述gnd电压信号预设电压阈值的情况下，通过所述吸收模块控制与所述吸收模块的控制gate端连接的第二开关管q2导通；
38.在所述第二开关管q2导通的情况下，通过所述吸收支路中的吸收电容c3吸收变压器的漏感能量，并在所述吸收电容c3完成吸收所述漏感能量之后，为与副边子电路的输出端连接的负载供电。
39.第三方面，提供一种反激式开关电源的吸收芯片，包括上述反激式开关电源吸收电路的所述吸收模块。
40.可选地，所述吸收芯片包括采样vs端，控制gate端，接地gnd端和电源vdd端。
41.可选地，所述吸收芯片还包括第二开关管q2。
42.可选地，所述吸收芯片还包括采样vs端，接地gnd端以及电源vdd端。
43.本技术的有益效果在于：包括变压器，变压器包括原边线圈np和副边线圈ns；原边子电路，原边子电路包括储能电路和吸收电路，储能支路包括第一开关管q1，吸收支路包括第二开关管q2、吸收芯片和吸收电容c3；副边子电路，副边子电路与副边线圈ns连接；在第一开关管关闭的情况下，获取吸收芯片的vs端的电压信号vs和吸收芯片的gnd端的gnd电压；在电压信号vs小于gnd电压的情况下，控制第二开关管导通，以使变压器漏感电流为吸收电容充电；吸收电容在漏感电流为0的情况下，与寄生电容谐振；在谐振过程中，为与副边子电路的输出端连接的负载供电。解决电源转换效率较低的问题。通过吸收芯片吸收漏感能量，以供与副边子电路连接的负载使用，可以提高电源转换效率。
44.另外，吸收芯片能够有效解决原边子电路中的第一开关管关闭后，其漏端的尖峰电压问题，从而减小尖峰电压对电路中的器件的冲击损害，一方面，可以保护电路中的器件的安全性，另一方面可以使用耐压较低的开关管，以降低电路成本。
45.另外，通过吸收电容吸收漏感电流，在漏感电流为0的情况下，与寄生电容谐振，并在谐振过程中，为与副边子电路的输出端连接的负载供电，避免了通过电阻对能量进行消耗，可以减少电路发热。
46.另外，吸收芯片在原边线圈导通时，通过输入电压给吸收芯片供电，无需额外供电，一方面，可以降低电路的复杂度，另一方面，可以节省资源。
47.另外，使用第二开关管代替二极管，可以减小吸收能量时的导通压降，从而进一步提高电源的转换效率。
附图说明
48.为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
49.图1是反激式开关电源不带吸收电路的部分波形图；
50.图2是现有典型rcd吸收电路的系统示意图；
51.图3是图2的部分电压波形图；
52.图4是本技术的一个实施例提供的反激式开关电源吸收电路的结构示意图；
53.图5是图4的部分电压波形图；
54.图6是图4中吸收模块的具体结构示意图；
55.图7是本技术的一个实施例提供的吸收芯片的具体结构示意图；
56.图8是本技术的一个实施例提供的反激式开关电源吸收电路的变压器漏感吸收方法的流程图。
具体实施方式
57.下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
58.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。
59.在申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的，或者是针对部件本身在竖直、垂直或重力方向上而言的；同样地，为便于理解和描述，“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外，但上述方位词并不用于限制本技术。
60.首先，对本技术涉及的若干名词进行介绍。
61.尖峰电压：在反激式开关电源中，由于变压器漏感的存在，反激式开关电源在开关管关断瞬间会产生很大的尖峰电压，此电压会耦合感应到副边提供给负载，使得副边和开关管承受较高的电压应力，严重时可能导致负载或开关管损坏，影响整个系统的运行稳定和安全，并产生电磁干扰问题，必须采取钳位吸收等抑制方。未做rcd吸收电路的开关管漏端电压波形示意图如图1中的vd波形所示，图中vin波形为输入电压，vor波形为副边线圈在原边线圈的反射电压，vspike波形为漏感产生的尖峰电压。
62.现有的典型的rcd吸收电路的系统示意图如图2所示，开关管q1漏端电压vd1波形示意图如图3中vd1实线所示，二极管d5阴极电压va1波形示意图如图3中vd1虚线所示，参考图2和图3，其工作原理如下：由于变压器漏感lk的存在，变压器在初级关断的瞬间(对应图3中的时刻t1)无法把能量直接传递到副边线圈，原边线圈的电流不会马上下降为零，而是继续给开关管q1漏极到地的寄生电容cds充电，漏极电压快速上升，直至漏极电压vd1大于输入电压vin与副边输出电压在原边线圈上的反射电压vor之和(对应图3中的时刻t2)，即vd1》vin vor，副边线圈才导通，线圈上的能量转移至副边线圈给负载供电；此时，由于原边线圈漏感的存在，会继续给寄生电容cds充电，漏极电压vd1继续上升，直至漏极电压vd1比吸收电路二极管阴极电压va1还大一个二极管d5的导通压降时，即vd1》va1 vdio，漏极电压vd1被吸收电路钳位，同时漏感电流开始向吸收电路的电容c3充电，va1电压缓慢上升，直至漏感电流减小为0(对应图3中的时刻t3)。上述过程结束后，寄生电容cds上的能量继续参与谐振，直至能量被消耗完，而漏感向吸收电容c3充的电则由吸收电路中的耗能器件电阻r消
耗完(对应图3中的时刻t4)。
63.电源子模块：电源子模块是可以直接贴装在印刷电路板上的电源供应器，其特点是可为专用集成电路(asic)、数字信号处理器(dsp)、微处理器、存储器、现场可编程门阵列(fpga)及其他数字或模拟负载提供供电。一般来说，这类模块称为负载(pol)电源供应系统或使用点电源供应系统(pups)。由于模块式结构的优点甚多，因此模块电源广泛用于交换设备、接入设备、移动通讯、微波通讯以及光传输、路由器等通信领域和汽车电子、航空航天等。
64.二极管：二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能，即给二极管阳极加上正向电压时，二极管导通。当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管是最早诞生的半导体器件之一，其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中，都可以找到二极管的踪迹。
65.模拟比较器(comparator，cmp)：将模拟量与一标准值进行比较。当高于该值时，输出高(或低)电平，反之，则输出低(或高)电平。例如，将一温度信号接于运放的同相端，反相端接一电压基准(代表某一温度)，当温度高于基准值时，运放输出高电平，控制加热器关闭，反之当温度信号低于基准值时，运放输出低电平，将加热器接通。这一运放就是一个简单的比较器，因为输入与输出同相，称为同相比较器。
66.反射电压：反射电压是指指反激开关电源中，当开关管断开时变压器中储存的能量没有被副边及时吸收，此时会返回到原边，会导致开关电源效率低，开关管容易击穿。
67.下面对本技术提供的反激式开关电源吸收电路进行详细介绍。
68.如图4所示，本技术的实施例提供的反激式开关电源吸收电路，至少包括：变压器110、原边子电路120和副边子电路130。其中，变压器110包括原边线圈np和副边线圈ns。
69.本实施例中，原边子电路120包括与原边线圈np连接的储能支路和与原边线圈np连接的吸收支路，储能支路和吸收支路不同时工作。储能支路导通时，原边线圈np储能，吸收支路导通时，吸收所述变压器的漏感能量。
70.其中，储能支路包括第一开关管q1，第一开关管q1与原边线圈np串联；吸收支路包括第二开关管q2、吸收模块、吸收电容c3和电源电容c5，第二开关管q2和吸收电容c3串联后与原边线圈np并联设置。
71.实际实现时，电源电容c5也可以设置在吸收模块的内部，本实施例不对电源电容c5与吸收模块之间的位置关系作限定。
72.参考图4，本实施例中，吸收模块包括采样vs端、控制gate端、接地gnd端和电源vdd端。
73.其中，采样vs端连接于吸收电容c3和第二开关管q2之间；控制gate端连接于第二开关管q2的控制端，用于控制第二开关管q2的导通和关断；接地gnd端，与原边线圈np和第一开关管q1连接；电源vdd端与电源电容c5连接后接地，在储能支路导通时，获取供吸收模块正常工作的电源vdd电压。
74.其中，吸收电容c3可以是无极性的电容，第二开关管q2包括寄生二极管dq2。
75.本实施例中，吸收模块用于：在第一开关管q1断开，即储能支路断开的情况下，获取吸收模块的采样vs端的电压信号vs和接地gnd端的gnd电压信号；在电压信号vs小于gnd电压信号预设电压阈值的情况下，控制第二开关管q2导通，以使吸收电容c3吸收变压器的漏感能量，并在吸收电容c3完成吸收漏感能量之后，为与副边子电路130的输出端连接的负载供电。
76.其中，预设电压阈值为预先设置的一个电压值，该电压值可以是100微伏、150微伏或者200微伏等，本实施例不对预设电压阈值的实现方式作限定。
77.另外，本实施例中，第一开关管q1的寄生电容cds在谐振过程中，为与副边子电路130的输出端连接的负载供电。
78.副边子电路130与副边线圈ns连接，副边线圈ns导通时为与副边线圈ns连接的负载提供输出电压vout。
79.另外，为了保证反激式开关电源吸收电路能够正常工作，反激式开关电源吸收电路还包括输入电压子电路140。输入电压子电路140与原边子电路120连接，用于为原边子电路120提供输入电压vin。
80.如图4所示，可选地，输入电压子电路140为全波桥式整流电路，具体包括二极管d1、二极管d2、二极管d3、二极管d4、电容c1和电容c2。其中，电容c1可以是无极性的电容。
81.参考图5，由于变压器漏感的存在，在第一开关管q1关断的瞬间(即图5中的时刻t1)无法将能量直接传递到副边线圈ns，此时，原边线圈np中的电流不会马上下降为零，而是继续给第一开关管q1漏极到地的寄生电容cds充电，漏极电压vd2快速上升，直至漏极电压vd2大于输入电压vin与副边子电路120的输出电压在原边线圈np上的反射电压vor之和(即图5中的时刻t2)，此时，漏极电压vd2可以通过下式表示：
82.vd2》vin vor
83.式中，vd2为第一开关管q1漏极的漏极电压，vin为输入电压，vor为副边子电路120的输出电压在原边线圈np上的反射电压。
84.此时，副边线圈ns才导通，原边线圈np上的能量转移至副边线圈ns，并给与副边子电路120的输出端连接的负载供电。
85.同时，由于变压器漏感的存在，会继续给寄生电容cds充电，导致漏极电压vd2继续上升，直至漏极电压vd2比第二开关管q2体二极管阴极的电压信号vs还大一个体二极管导通压降vq2(参考图5中的电压信号vs波形)，此时，漏极电压vd2可以通过下式表示：
86.vd2》vs vq2
87.式中，vd2为第一开关管q1漏极的漏极电压；vs为第二开关管q2体二极管的阴极的电压信号vs，即，吸收模块的采样vs端检测到的电压；vq2为第二开关管q2体二极管导通压降。
88.吸收模块检测到电压信号vs小于接地gnd端的gnd电压信号时，吸收模块将第二开关管q2导通，此时，漏极电压vd2与电压信号vs几乎一致，漏感电流开始向吸收电容c3充电，电压信号vs缓慢上升，直至漏感电流减小为0(即图5中的时刻t3)。之后，吸收电容c3、寄生电容cds与漏感继续谐振，吸收电容c3上收集的能量在谐振过程中传递至副边线圈ns并为负载供电，直至能量被消耗完(即图5中的时刻t4)。当延时模块td计时结束后，第二开关管q2断开，电压信号vs(即图5中虚线标识的vs信号波形，)一直恒定不会下降，而漏极电压vd2
因为电路中带有负载，因此电流会下降，从而漏极电压vd2也会略有下降。
89.如图6所示，吸收模块包括电源子模块、模拟比较器cmp、延时模块td、与门电路and和驱动子模块drv。其中，电源子模块包括power单元、单相导通二极管d1和电源电容c5。
90.本实施例中，电源子模块的一端连接吸收模块的采样vs端，为吸收模块采样电压信号vs。
91.模拟比较器cmp的反相输入端与采样vs端连接，模拟比较器cmp的同相输入端接入参考电压vref；模拟比较器cmp的输出端与与门电路and的第一输入端连接。
92.延时模块td的一端与模拟比较器cmp的输出端连接，延时模块td的另一端与与门电路and的第二输入端连接；同时，与门电路and的输出端与驱动子模块drv连接；驱动子模块drv的输出端与吸收模块的控制gate端连接。
93.其中，驱动子模块drv通过吸收模块的控制gate端与第二开关管q2连接，以控制第二开关管q2导通或者关闭。
94.本实施例中，在原边线圈np导通的情况下，电压信号vs为输入电压vin与吸收电容c3上的电压之和。
95.在储能支路断开的情况下，原边线圈np关断，在吸收模块中，当模拟比较器cmp检测到电压信号vs低于参考电压vref时，模拟比较器cmp会输出高电平至与门电路and的一端以及延时模块td。
96.其中，参考电压vref的电压值包括-330毫伏，在实际实现时，可以根据实际情况设置参考电压vrfe的电压值，本实施例不对参考电压vref的电压值作限定。
97.延时模块td在接收到模拟比较器cmp输出的高电平后，会默认输出高电平信号至与门电路and的另一端。与门电路and在接收到延时模块td输出的高电平信号后，会输出高电平至驱动模块drv。
98.驱动模块drv在接收到延时模块td输出的高电平信号后，输出高电平驱动信号至吸收模块的控制gate端，以使第二开关管q2被导通。
99.具体地，在原边线圈np关断的情况下，响应于接收到的电压信号vs，模拟比较器cmp用于在电压信号vs小于参考电压vref预设电压阈值的情况下，输出第一高电平信号至延时模块td和与门电路and；响应于接收到的第一高电平信号，延时模块td用于输出第二高电平信号至与门电路and；响应于接收到的第一高电平信号和第二高电平信号，与门电路and用于输出第三高电平信号至驱动子模块drv；响应于接收到的第三高电平信号，驱动子模块drv用于输出驱动信号至吸收模块的控制gate端，以使与控制gate端连接的第二开关管q2在接收到驱动信号为高电平后导通。
100.本实施例中，在延时模块td在接收到模拟比较器cmp输出的高电平后，会默认输出高电平信号至与门电路and的另一端的同时，延时模块td还会开始倒计时。
101.在延时模块td倒计时结束的情况下，延时模块td将会输出低电平信号至与门电路and。与门电路and在接收到延时模块td发送的低电平信号后，会随即会输出低电平信号至驱动子模块drv。驱动子模块drv在接收到与门电路and发送的低电平信号后，会输出低电平驱动信号至吸收模块的控制gate端，以使第二开关管q2关断。
102.具体地，延时模块td还包括计时器；响应于延时模块td接收到的第一高电平信号，计时器用于基于预设时长开始倒计时，在倒计时结束的情况下输出结束信号st；响应于结
束信号st，延时模块td还用于输出第一低电平信号至与门电路and。响应于接收到的第一低电平信号，与门电路and还用于输出第二低电平信号；响应于接收到的第二低电平信号，驱动子模块drv还用于输出第三低电平信号至控制gate端，以使与控制gate端连接的第二开关管q2在接收到第三低电平信号后关闭。
103.其中，预设时长小于副边线圈ns的放电时长，具体地，预设时长小于副边线圈ns的放电时长的最小值。本实施例中，预设时长的取值范围在50ns至2us之间。实际实现时，预设时长可以根据实际情况来设定，本实施例不对预设时长的取值范围作限定。
104.综上所述，本实施例提供的反激式开关电源吸收电路，包括变压器，变压器包括原边线圈np和副边线圈ns；原边子电路，原边子电路包括储能电路和吸收电路，储能支路包括第一开关管q1，吸收支路包括第二开关管q2、吸收芯片和吸收电容c3；副边子电路，副边子电路与副边线圈ns连接；在第一开关管关闭的情况下，获取吸收芯片的vs端的电压信号vs和吸收芯片的gnd端的gnd电压；在电压信号vs小于gnd电压的情况下，控制第二开关管导通，以使变压器漏感电流为吸收电容充电；吸收电容在漏感电流为0的情况下，与寄生电容谐振；在谐振过程中，为与副边子电路的输出端连接的负载供电。解决电源转换效率较低的问题。通过吸收芯片吸收漏感能量，以供与副边子电路连接的负载使用，可以提高电源转换效率。
105.另外，吸收芯片能够有效解决原边子电路中的第一开关管关闭后，其漏端的尖峰电压问题，从而减小尖峰电压对电路中的器件的冲击损害，一方面，可以保护电路中的器件的安全性，另一方面可以使用耐压较低的开关管，以降低电路成本。
106.另外，通过吸收电容吸收漏感电流，在漏感电流为0的情况下，与寄生电容谐振，并在谐振过程中，为与副边子电路的输出端连接的负载供电，避免了通过电阻对能量进行消耗，可以减少电路发热。
107.另外，吸收芯片在原边线圈导通时，通过输入电压给吸收芯片供电，无需额外供电，一方面，可以降低电路的复杂度，另一方面，可以节省资源。
108.另外，使用第二开关管代替二极管，可以减小吸收能量时的导通压降，从而进一步提高电源的转换效率。
109.图7是本技术一个实施例提供的反激式开关电源的吸收芯片，包括反激式开关电源吸收电路中的吸收模块。
110.可选地，吸收芯片包括采样vs端，控制gate端，接地gnd端和电源vdd端。
111.可选地，吸收芯片还包括第二开关管q2，此时，吸收芯片还包括采样vs端，接地gnd端和电源vdd端。
112.实际实现时，第二开关管q2也可以设置在吸收芯片的外部，本实施例不对第二开关管q2与吸收芯片之间的位置关系作限定。
113.本实施例的相关说明详见上述反激式开关电源吸收电路的实施例，本实施例在此不再赘述。
114.图8是本技术一个实施例提供的用于反激式开关电源吸收电路的变压器漏感吸收方法的流程图。该方法至少包括以下几个步骤：
115.步骤801，在第一开关管q1断开，即储能支路断开的情况下，获取吸收支路中的吸收芯片的采样vs端的电压信号vs和吸收芯片的接地gnd端的gnd电压信号。
116.步骤802，在电压信号vs小于gnd电压信号预设电压阈值的情况下，通过吸收芯片控制与吸收芯片的控制gate端连接的第二开关管q2导通。
117.步骤803，在第二开关管q2导通的情况下，通过吸收支路中的吸收电容c3吸收变压器的漏感能量，并在吸收电容c3完成吸收漏感能量之后，为与副边子电路的输出端连接的负载供电。
118.本实施例的相关说明详见上述反激式开关电源吸收电路的实施例，本实施例在此不再赘述。
119.综上所述，本实施例提供的变压器漏感吸收方法，在储能支路断开的情况下，通过吸收芯片控制第二开关管导通，以使吸收电容吸收变压器的漏感能量，为副边子电路的输出端连接的负载供电，可以提高电源转换效率。
120.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
121.显然，上述所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，可以做出其它不同形式的变化或变动，都应当属于本技术保护的范围。