核用碳化硅低温连接方法与流程

技术特征：
1.一种核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，包括以下步骤：将碳化硅粉体与烧结助剂混合，制得连接材料；在多个碳化硅待连接件之间设置所述连接材料，得到预连接件；对所述预连接件进行电流辅助加热处理，在1200℃～1700℃下进行连接。2.如权利要求1所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，所述碳化硅粉体的粒径为0.01μm～10μm。3.如权利要求1所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，所述烧结助剂选自ceo2、zro2、al2o3、sio2、y2o3、mgo、liyo2以及lacro3中的至少一种。4.如权利要求1所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，所述连接材料中，所述烧结助剂的质量分数为0.1％～40％。5.如权利要求1所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，所述连接材料的形态为粉料、浆料以及流延片中的至少一种。6.如权利要求1所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，所述电流辅助加热处理过程在真空环境或保护性气氛中进行。7.如权利要求1所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，在所述电流辅助加热处理过程中，峰值电流为100a～2000a；和/或所述电流辅助加热处理过程的时间为1min～10min。8.如权利要求1～7中任一项所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，在所述电流辅助加热处理过程中，对所述预连接件进行机械加压处理。9.如权利要求8所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，所述机械加压处理的压强为0.1mpa～1mpa。10.如权利要求1～7中任一项所述的核用碳化硅低温连接方法，其特征在于，完成连接后，所述连接材料所形成的连接层的厚度为1μm～500μm。

技术总结
本发明涉及一种核用碳化硅低温连接方法，包括步骤：将碳化硅粉体与烧结助剂混合，制得连接材料；在多个碳化硅待连接件之间设置连接材料，得到预连接件；对预连接件进行电流辅助加热处理，在1200℃～1700℃下进行连接。上述核用碳化硅低温连接方法采用碳化硅粉体与烧结助剂混合，作为碳化硅的连接材料，通过对预连接件进行电流辅助加热处理，能够实现核用碳化硅在较低温度和较低压力下的高强度连接。碳化硅接头在室温下的剪切强度为80MPa～200MPa，在1200℃高温下的剪切强度为90MPa～250MPa，碳化硅接头的漏率在1


技术研发人员：吴利翔 薛佳祥 廖业宏 任啟森 翟剑晗 刘洋
受保护的技术使用者：中广核研究院有限公司 中国广核集团有限公司 中国广核电力股份有限公司
技术研发日：2022.09.22
技术公布日：2022/11/29