系统以及火灾通知器的制作方法

本发明涉及系统以及火灾通知器。


背景技术：

提出了一种异常监视电路，其通过将由基准电压电路生成的基准电压与基于由基准电流电路生成的基准电流而生成的阈值电压进行比较，来监视基准电压是否正常(例如，参照专利文献1)。另外，已知有利用将火灾探测器等从机与接收机等主机连接的电源供给线，由主机检测来自从机的传输电流的方法。例如，主机基于在没有传输电流流过的空闲定时流过的负载电流来生成基准电压，通过比较器对所生成的基准电压和基于传输电流生成的电压进行比较，来检测传输电流(例如，参照专利文献2、3)。专利文献1：日本特开2015-207201号公报专利文献2：国际公开第2010/038480号专利文献3：国际公开第2010/038476号


技术实现要素：

然而，例如利用电阻将电流转换为电压并将转换后的电压与基准电压进行比较来判定向负荷电路供给的电源电流等电流是否充分。在搭载于火灾感测器的半导体集成电路内形成电压转换用的电阻的情况下，由于半导体制造工艺的变动而电阻值产生偏差，因此与基准电压的比较的精度降低。在使用分流电阻等外置部件的情况下，电阻的偏差变少，与基准电压的比较的精度提高。然而，在使用外置部件的情况下，成本增加，可靠性降低。所公开的技术的目的在于，利用搭载于火灾感测器等系统的半导体集成电路内的现有的晶体管的动作，并使用在半导体集成电路内形成的电阻以低成本且高精度判定电流。为了解决上述技术问题，本发明的一个方式的系统具备具有半导体集成电路的从机和经由电压线向所述从机公共电压的主机，所述半导体集成电路具有电流驱动电路和电流检测电路，所述电流驱动电路具有根据由栅极接收的控制信号而从所述电压线汲取电流的第1晶体管，并向所述主机输出数据作为所述电压线的电压的变化，所述电流检测电路检测向所述电压线供给的电流，所述电流检测电路具有：第1电阻元件和第2电阻元件，其一端分别与所述电压线连接，且电阻值彼此相同；第2晶体管，其与所述第1电阻元件的另一端连接，晶体管尺寸为所述第1晶体管的尺寸的n分之一，由栅极接收所述控制信号；电流源，其与所述第2电阻元件的另一端连接，流过向所述电压线供给的所期望电流的n分之一的基准电流；以及比较器，其通过将在第1输入处接收的所述第1电阻元件的另一端的电压与在第2输入处接收的所述第2电阻元件的另一端的电压进行比较，来判定是否向所述电压线供给了所述所期望的电流。为了解决上述技术性课题，本发明的一方式的火灾通知器具有从机和主机，所述
从机具有半导体集成电路和通过基于从电压线供给的电压生成的电源电压进行动作的控制部，所述主机经由电压线向所述从机供给电压，所述半导体集成电路具有电流驱动电路和电流检测电路，所述电流驱动电路具有根据由栅极接收的控制信号而从所述电压线汲取电流的第1晶体管，并向所述从机输出数据作为所述电压线的电压的变化，所述电流检测电路检测向所述电压线供给的电流，在所述电流检测电路检测到预定的电流的情况下，停止所述控制部的至少一部分电路的功能。利用搭载于火灾感测器的半导体集成电路内的现有的晶体管的动作，并且使用在半导体集成电路内形成的电阻，能够以低成本且高精度判定电流。
附图说明
图1是表示本发明的搭载于火灾感测器的半导体集成电路的第一实施方式的电路图。图2是表示图1的半导体集成电路的动作的一例的波形图。图3是表示本发明的搭载于火灾感测器的半导体集成电路的第二实施方式的电路图。图4是表示本发明的火灾通知系统的第一实施方式的框图。符号说明10 电流驱动电路12 基准电压生成电路20、30 电流检测电路40 调节器42 基准电压生成电路100、102 半导体集成电路110 发送电路120 控制部130 接收电路200 电流负荷电路1000 火灾通知系统1100 火灾接收器1200 火灾感测器acth、actl 激活信号amp1、amp2 放大器aout1、aout2 控制信号buf 缓冲部cmp 比较结果信号cmp1、cmp2 比较器cs1、cs2 电流源data 数据db 二极管桥
div1、div2 分压电压iref 基准电流iv11、iv12 反相器nm11、nm12、nm13、nm14 n沟道晶体管pm21、pm22 p沟道晶体管r11、r12、r13、r14、r15 电阻元件r21、r22、r23、r24 电阻元件sa 浪涌吸收器sio 串行输入输出端子va、vb 电压vin 输入电压线vout 输出电压线vref 基准电压。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式进行说明。以下，对传递电压的电压线、端子及节点使用与电压名或电流名相同的符号，对传递信号的信号线、端子及节点使用与信号名相同的符号。在各附图中，对相同的结构部分标注相同的符号，有时省略重复的说明。(搭载于火灾感测器的半导体集成电路的第一实施方式)图1是表示本发明的搭载于火灾感测器的半导体集成电路的第一实施方式的电路图。图1所示的半导体集成电路100具有发送电路110和控制部120。例如，半导体集成电路100搭载于后述的图4所示的火灾感测器1200。发送电路110具有电流驱动电路10和电流检测电路20。例如，半导体集成电路100具有如下功能：通过经由电源线vcc从未图示的主机供给的电源电压vcc进行动作，利用电源线vcc的电压的变化向主机发送数据data等信息。利用因从电源线vcc汲取电流而降低的电源电压vcc与不从电源线vcc汲取电流时的电源电压vcc的电位差，将数据data等信息发送给主机。即，半导体集成电路100输出数据作为电源线vcc的电压的变化。电源线vcc是电压线的一例。电流驱动电路10具有电阻元件r11、r12、反相器(inverter)iv11、iv12、n沟道晶体管nm11、nm12、nm13、基准电压生成电路12以及放大器amp1。电流检测电路20具有电阻元件r13、r14、n沟道晶体管nm14、电流源cs1及比较器cmp1。n沟道晶体管nm13是第一晶体管的一例，n沟道晶体管nm14是第二晶体管的一例。电阻元件r13是第一电阻元件的一例，电阻元件r14是第二电阻元件的一例。以下，也将n沟道晶体管简称为晶体管。此外，n沟道晶体管nm11、nm12是开关的一例。也可代替n沟道晶体管nm11、nm12而分别设置在控制端子接收到高电平时导通(on)的开关。此外，也可以代替n沟道晶体管nm11、nm12而设置电阻值根据控制端子接受的电压而变化的可变电阻元件。在电流驱动电路10中，反相器iv11输出使数据data的逻辑反相而得到的激活信号acth。反相器iv12输出将激活信号acth的逻辑反相而得到的激活信号actl。激活信号acth被输出到放大器amp1，激活信号actl被供给至晶体管nm12的栅极。在通过电流驱动电路10从电源线vcc引入电流时，激活信号acth、actl与数据data
的低电平对应地分别被设定为高电平、低电平。在不从电源线vcc引入电流时，激活信号acth、actl与数据data的高电平对应地分别被设定为低电平、高电平。电阻元件r11、r12及晶体管nm11串联连接在电源线vcc与接地线gnd之间。晶体管nm11在激活信号acth为高电平的期间导通。在晶体管nm11导通时，在电阻元件r11、r12的连接节点div1生成将电源电压vcc分压后的分压电压div1。即，电阻元件r11、r12作为分压电路进行动作。在晶体管nm11断开时，分压电压div1被设定为电源电压vcc。基准电压生成电路12生成基准电压vref，该基准电压vref是从电源电压vcc汲取电流时的电源电压vcc的低电平值。基准电压vref相对于从主机供给的电源电压vcc的低电平值被设定为式(1)所示的值。在式(1)中，符号r11、r12分别表示电阻元件r11、r12的电阻值。vref＝(电源电压vcc的低电平值)
×
r12/(r11 r12)
…
(1)放大器amp1在接收到高电平的激活信号acth时动作，在接收到低电平的激活信号acth时停止动作。放大器amp1对在-输入处接收的基准电压vref和在 输入处接收的分压电压div1进行差分放大。分压电压div1越高于基准电压vref，放大器amp1越提高控制电压aout1，分压电压div1越低于基准电压vref，放大器amp1越降低控制电压aout1。控制电压aout1被供给至晶体管nm13、nm14的栅极。晶体管nm12连接在控制线aout1与接地线gnd之间。晶体管nm12在接收到高电平的激活信号actl时导通，在接收到低电平的激活信号actl时断开。晶体管nm13的漏极与串行输入输出端子sio连接，源极与接地线gnd连接，通过栅极接收控制信号aout1。串行输入输出端子sio经由配置于半导体集成电路100的外部的电阻元件r15与电源线vcc连接。串行输入输出端子sio是用于在数据data为低电平时通过电流驱动电路10从电源线vcc汲取电流的端子。接着，对电流驱动电路10的动作进行说明。在数据data为高电平时，通过低电平的激活信号acth晶体管nm11断开，放大器amp1停止动作。另外，在数据data为高电平时，通过高电平的激活信号actl晶体管nm12导通，晶体管nm13的栅极被设定为低电平，晶体管nm13断开。由此，电流驱动电路10停止动作。另一方面，在数据data为低电平时，通过高电平的激活信号acth晶体管nm11导通，生成分压电压div1，放大器amp1进行动作。另外，在数据data为低电平时，通过低电平的激活信号actl晶体管nm12断开。由此，晶体管nm13根据在栅极接收的来自放大器amp1的控制信号aout1，经由串行输入输出端子sio从电源线vcc汲取电流。然后，电源线vcc被设置为低电平值。由此，向半导体集成电路100供给电源电压vcc的主机检测出电源电压vcc的降低，由此能够从半导体集成电路100接收数据data。在电流检测电路20中，电阻元件r13和晶体管nm14串联连接在电源线vcc与接地线gnd之间。晶体管nm14根据控制信号aout1进行动作。例如，晶体管nm14的栅极宽度被设定为晶体管nm13的栅极宽度的n分之1。即，符号n表示晶体管nm13的栅极宽度w13与晶体管nm14的栅极宽度w14之比w13/w14。例如，“n”是200，但也可以是100或50。晶体管nm14的元件尺寸及元件结构除了栅极宽度以外，与晶体管nm13的元件尺寸及元件结构相同。栅极宽度是晶体管尺寸的一例。
因此，能够根据来自放大器amp1的控制信号aout1，使在晶体管nm14的源极、漏极间流动的电流成为在晶体管nm13的源极、漏极间流动的电流的n分之1。此外，晶体管nm13、nm14在形成半导体集成电路100的半导体基板上形成于彼此相邻的位置。因此，即使在制造半导体集成电路100的半导体制造工艺变动的情况下，也能够使晶体管nm13、nm14的尺寸比固定。另外，形成于同一半导体基板上的晶体管nm13、nm14的电特性根据半导体基板的温度变化而以同样的趋势变化。其结果，能够高精度地设定晶体管nm13、nm14的电流比。电阻元件r14和电流源cs1串联连接在电源线vcc和接地线gnd之间。电阻元件r14的电阻值被设定为与电阻元件r13的电阻值相同的值。例如，电阻元件r13、r14利用形成于半导体基板的扩散层而形成为扩散层电阻。此时，电阻元件r13、r14在半导体基板中形成于彼此相邻的位置。因此，即使在制造半导体集成电路100的半导体制造工艺发生了变动的情况下，也能够使电阻元件r13、r14的形状(长度、宽度、厚度)相同，能够使电阻元件r13、r14的电阻值彼此相同。电流源cs1在激活信号acth为高电平时动作，经由电阻元件r14从电源线vcc引入基准电流iref。电流源cs1在激活信号acth为低电平时停止动作，停止经由电阻元件r14从电源线vcc引入基准电流iref。生成激活信号acth、actl的反相器iv11、iv12和晶体管nm11、nm12是在不向电源线vcc输出低电平值的数据时停止电流驱动电路10和电流源cs1的动作的动作控制电路的一例。电流源cs1被设计成流过供给至电源线vcc的所期望电流的n分之1的基准电流iref。此外，电流源cs1也可以被设计为，根据低电平的数据data，流过晶体管nm13从电源线vcc汲取的电流i1的设计值的n分之1的基准电流iref。在此，电流i1的设计值是在经由电源线vcc从电源电压vcc的供给源的电流供给为标准状态(typical)时，晶体管nm13从电源线vcc汲取的电流i1。在该实施方式中，能够减小在晶体管nm14的源极、漏极间流动的电流以及在电流源cs1流动的电流，因此能够使对发送电路110追加电流检测电路20的情况下的消耗电流的增加最小化。将比较器cmp1的-输入连接于电阻元件r13与晶体管nm14的连接节点va。将比较器cmp1的 输入连接于电阻元件r14与电流源cs1的连接节点vb。连接节点va的电压va由式(2)表示，连接节点vb的电压由式(3)表示。va＝vcc-(r13
×
i2)＝vcc-(r13
×
i1/n)
…
(2)vb＝vcc-(r14
×
iref)
…
(3)在式(2)、(3)中，符号r13、r14分别表示电阻元件r13、r14的电阻值。比较器cmp1通过将在-输入处接收的电压va与在 输入处接收的电压vb进行比较，来判定向电源线vcc供给的电流的大小。例如，当电压va大于电压vb时，即当电流i2小于基准电流iref时，比较器cmp1输出低电平的比较结果信号cmp。在电压va为电压vb以下时，即在电流i2为基准电流iref以上时，比较器cmp1输出高电平的比较结果信号cmp。此外，在电流源cs1停止动作时，电压va、vb被设定为高电平，因此比较器cmp1输出高电平的比较结果信号cmp。电流源cs1例如被设计成流过使控制部120正常动作所需的电源电流的最小值即
最小电源电流的n分之1的基准电流iref。在从主机经由电源端子vcc供给的电源电流比最小电源电流小时，电流i2《基准电流iref，电压va》vb。另一方面，在从主机向电源端子vcc的电源电流的供给为最小电源电流以上时，电流i2≥基准电流iref，电压va≤vb。这样，电流检测电路20利用作为从机的电流驱动电路10的晶体管nm13的动作，检测来自主机的电源电流是否比最小电源电流小。此时，无需将检测电流的高精度的分流电阻外置于半导体集成电路100，就能够高精度地检测出与电流i1对应的电流i2。由于能够削减外置于半导体集成电路100的部件，因此能够削减包含半导体集成电路100的系统(例如，从机)的成本，能够提高包含半导体集成电路100的系统的可靠性。控制部120包括实现作为半导体集成电路100的从机的功能的各种电路和驱动未图示的led(light emitting diode：发光二极管)等部件的led驱动器等功能部。例如，在比较结果信号cmp为高电平的情况下，控制部120判定来自主机的电源电流的供给充分，使控制部120内的所有电路和功能部进行动作。另一方面，在比较结果信号cmp为低电平的情况下，控制部120判定为来自主机的电源电流的供给不充分，停止控制部120内的功能部的至少一部分(例如，led驱动器)的动作。在比较结果信号cmp为低电平的情况下，控制部120不仅可以停止功能部的功能，而且也可以停止控制部120内的电路的至少一部分电路的功能。通过停止功能部或电路的一部分的动作，能够削减控制部120的功耗。其结果，即使在来自主机的电源电流的供给不充分的情况下，也能够使实现作为从机的功能所需的电路进行动作。图2是表示图1的半导体集成电路100的动作的一例的波形图。半导体集成电路100例如在不使控制部120动作的待机期间，使用电源线vcc向主机发送数据data。例如，半导体集成电路100以预定的周期交替地发送待机期间和控制部120进行动作的动作期间。此外，半导体集成电路100也可以在待机期间以外的期间发送数据data。半导体集成电路100在向主机传输数据data的情况下，使数据data的逻辑电平交替地变化为高电平和低电平。通过数据data从高电平向低电平的变化，电流驱动电路10开始动作，如上所述，晶体管nm13动作。而且，晶体管nm13从电源线vcc引入电流，由此电源电压vcc从高电平(例如24v)变化为低电平(例如6v)。主机根据电源电压vcc的变化，接收从作为从机的半导体集成电路100发送的数据data。例如，在来自主机的电源电流的供给不充分的情况下，与在晶体管nm13中流动的电流i1(引入电流)对应地在晶体管nm14中流动的电流i2小于基准电流iref。由此，供给到比较器cmp1的-输入的电压va比供给到比较器cmp1的 输入的电压vb高，比较器cmp1输出低电平的比较结果信号cmp。另一方面，在来自主机的电源电流的供给充分的情况下，流过晶体管nm14的电流i2比基准电流iref大，电压va比电压vb低，比较器cmp1输出高电平的比较结果信号cmp。以上，在本实施方式中，晶体管nm13、nm14形成在半导体基板上的彼此相邻的位置，因此即使在半导体制造工艺变动的情况下，也能够使晶体管nm13、nm14的尺寸比固定。另外，能够使晶体管nm13、nm14的电特性根据半导体基板的温度变化而以同样的趋势变化。因此，能够高精度地设定晶体管nm13、nm14的电流比。另外，由于设定为相同的电阻值的电阻元件r13、r14形成在半导体基板的彼此相邻的位置，因此即使在半导体制造工艺变动的情况下，也能够使电阻元件r13、r14的电阻值彼此相同。
因此，无需将高精度的分流电阻外置于半导体集成电路100，就能够高精度地检测电流i1的n分之1的电流i2，并作为电压va供给到比较器cmp1，从而能够生成与基准电流iref对应的电压vb。其结果，能够削减外置于半导体集成电路100的部件，能够削减包含半导体集成电路100的系统(例如，从机)的成本。另外，由于能够削减部件个数，因此能够提高包括半导体集成电路100的系统的可靠性。能够利用电流驱动电路10的晶体管nm13来判定向电源端子vcc供给的电源电流的大小，该电流驱动电路10利用电源线vcc的电压的变化向主机发送数据data等信息。由此，能够减小电流检测电路20的电路规模。在判定为电源电流不充分的情况下，通过停止控制部120内的至少一部分电路的功能，能够削减控制部120的功耗。其结果，即使在来自主机的电源电流的供给不充分的情况下，也能够使实现作为从机的功能所需的电路进行动作。仅在将数据data发送到主机的期间使电流源cs1动作，并判定电源电流是否充分，由此即使在设置电流检测电路20的情况下，也能够使半导体集成电路100的功耗的增加最小化。(搭载于火灾感测器的半导体集成电路的第二实施方式)图3是表示搭载于火灾感测器的半导体集成电路的另一实施方式的电路图。对于与图1所示的半导体集成电路100同样的要素，省略详细的说明。图3所示的半导体集成电路102具有电流检测电路30和调节器40。半导体集成电路102根据输入电压vin生成输出电压vout，将所生成的输出电压vout作为电源电压经由输出端子vout输出到电流负荷电路200。另外，半导体集成电路102将表示基于输出电压vout的电流供给能力的比较结果信号cmp输出到电流负荷电路200。没有特别限定，但是，例如输出电压vout是使电流负荷电路200动作的电源电压。并且，经由电压端子vout向电流负荷电路200供给电源电流。电流检测电路30具有p沟道晶体管pm21、电流源cs2、电阻元件r21、r22、比较器cmp2以及缓冲器buf。调节器40具有基准电压生成电路42、放大器amp2、p沟道晶体管pm22以及电阻元件r23、r24。p沟道晶体管pm22是第一晶体管的一例，p沟道晶体管pm21是第二晶体管的一例。电阻元件r21是第一电阻元件的一例，电阻元件r22是第二电阻元件的一例。以下，p沟道晶体管也简称为晶体管。在调节器40中，电阻元件r23、r24串联连接在输出电压线vout与接地线gnd之间，在电阻元件r23、r24的连接节点生成对输出电压vout进行分压而得到的分压电压div2。基准电压生成电路42生成与输出电压vout的期待值时的分压电压div2相同的值的基准电压vref。接地线gnd是被设定为低于输入电压vin的电压的低电压线的一例。放大器amp2在-输入处接收基准电压vref，并且在 输入处接收分压电压div2。分压电压div2越高于基准电压vref，放大器amp2越提高控制电压aout2，分压电压div1越低于基准电压vref，放大器amp2越降低控制电压aout2。控制电压aout2被供给至晶体管pm21、pm22的栅极。晶体管pm22连接在输入电压线vin与输出电压线vout之间。由此，晶体管pm22根据由栅极接收的来自放大器amp2的控制信号aout2，流过电流i1，从而生成输出电压vout，经由输出端子vout作为电源电流供给到电流负荷电路200。在电流检测电路30中，晶体管pm21和电阻元件r21串联连接在输入电压线vin与接
地线gnd之间。晶体管pm21根据控制信号aout2进行动作。例如，晶体管pm21被设定为晶体管pm22的栅极宽度的n分之1。例如，“n”是200，但也可以是100或50。晶体管pm21的元件尺寸以及元件结构除了栅极宽度以外，与晶体管pm22的元件尺寸以及元件结构相同。因此，能够根据来自放大器amp2的控制信号aout2，使在晶体管pm21的源极、漏极间流动的电流成为在晶体管pm22的源极、漏极间流动的电流的n分之1。此外，晶体管pm21、pm22在形成有半导体集成电路100的半导体基板上形成于彼此相邻的位置。因此，即使在制造半导体集成电路100的半导体制造工艺变动的情况下，也能够使晶体管pm21、pm22的尺寸比固定。另外，形成在同一半导体基板上的晶体管pm21、pm22的电特性根据半导体基板的温度变化而以同样的趋势变化。其结果，能够高精度地设定晶体管pm21、pm22的电流比。电流源cs2和电阻元件r22串联连接在输入电压线vin和接地线gnd之间。电阻元件r22的电阻值被设定为与电阻元件r21的电阻值相同的值。例如，电阻元件r21、r22利用形成于半导体基板的扩散层而形成。电阻元件r21、r22在半导体基板中形成于彼此相邻的位置，因此即使在半导体制造工艺变动的情况下，也能够使电阻元件r21、r22的电阻值彼此相同。电流源cs2从输入电压线vin引入基准电流iref，该输入电压线vin从输入电压vin的供给源被供给输入电压vin。电流源cs2例如被设计为流过向输入电压线vin供给的所期望的电流的n分之1的基准电流iref。在该实施方式中，能够减小在晶体管pm21的源极、漏极间流动的电流以及在电流源cs2流动的电流，因此能够使对半导体集成电路102追加电流检测电路30的情况下的消耗电流的增加最小化。比较器cmp2的 输入连接于晶体管pm21与电阻元件r21的连接节点va。比较器cmp2的-输入连接于电流源cs2与电阻元件r22的连接节点vb。连接节点va的电压va由式(4)表示，连接节点vb的电压由式(5)表示。va＝r21
×
i2＝r21
×
i1/n
……
(4)vb＝r22
×
iref
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(5)在式(4)、(5)中，符号r21、r22分别表示电阻元件r21、r22的电阻值。比较器cmp2通过将在 输入处接收的电压va与在-输入处接收的电压vb进行比较，来判定向输入电压线vin供给的电流的大小。当电压va大于电压vb时，即电流i2大于基准电流iref时，比较器cmp2输出高电平的比较结果信号cmp。当电压va为电压vb以下时，即电流i2小于基准电流iref以下时，比较器cmp2输出低电平的比较结果信号cmp。如上所述，电流源cs2例如被设计为流过供给到输入电压线vin的所期望的电流的n分之1的基准电流iref。因此，在电流i1比所期望的电流小时，电流i2《基准电流iref，电压va《vb。另一方面，在电流i1为所期望的电流以上时，电流i2≥基准电流iref，电压va≥vb。这样，电流检测电路30利用调节器40的晶体管pm22的动作，检测出向电流负荷电路200供给的电流i1是否比所期望的电流小。此时，与第一实施方式同样地，无需将检测电流的高精度的分流电阻外置于半导体集成电路102，就能够高精度地检测出与电流i1对应的电流i2。由于可以削减外置于半导体集成电路102的部件，所以能够削减包含半导体集成电路102的系统的成本，并且可以提高包含半导体集成电路102的系统的可靠性。在比较结果信号cmp为高电平的情况下，电流负荷电路200判定为从调节器40供给
的电源电流充分，使电流负荷电路200内的所有电路进行动作。另一方面，在比较结果信号cmp为低电平的情况下，电流负荷电路200判定为从调节器40供给的电源电流不充分，停止电流负荷电路200的至少一部分电路的功能。其结果，即使在从调节器40供给的电源电流不充分的情况下，也能够使实现作为电流负荷电路200的功能所需的最小化的电路进行动作。以上，在该实施方式中，晶体管pm21、pm22形成于半导体基板上的彼此相邻的位置，因此即使在半导体制造工艺变动的情况下，也能够使晶体管pm21、pm22的尺寸比固定。另外，能够使晶体管pm21、pm22的电特性根据半导体基板的温度变化而以同样的趋势变化。因此，能够高精度地设定晶体管pm21、pm22的电流比。另外，由于被设定为相同的电阻值的电阻元件r21、r22形成在半导体基板的彼此相邻的位置，因此即使在半导体制造工艺变动的情况下，也能够使电阻元件r21、r22的电阻值彼此相同。因此，无需将高精度的分流电阻外置于半导体集成电路102，就能够高精度地检测出电流i1的n分之1的电流i2，并作为电压va供给到比较器cmp2，从而能够生成与基准电流iref对应的电压vb。其结果，能够削减外置于半导体集成电路102的部件，能够削减包含半导体集成电路102的系统的成本。另外，由于可以削减部件个数，所以可以提高包含半导体集成电路102的系统的可靠性。此外，能够利用将输出电压vout向电流负荷电路200供给的调节器40的晶体管pm22，判定向电流负荷电路200供给的电源电流的大小。由此，能够减小电流检测电路30的电路规模。在判定为电源电流不充分的情况下，停止电流负荷电路200内的电路的至少一部分的电路的功能，由此能够削减电流负荷电路200的功耗。其结果，即使在来自调节器40的电源电流的供给不充分的情况下，也能够使必要最小化的电路动作。(火灾通知系统的第一实施方式)图4是表示火灾通知系统的第一实施方式的框图。图4所示的火灾通知系统1000具有火灾接收器1100和火灾感测器1200。火灾感测器1200具有二极管桥db、浪涌吸收器sa以及半导体集成电路100。半导体集成电路100具有包含电流驱动电路10和电流检测电路20的发送电路110、控制部120和接收电路130。火灾接收器1100经由电源线向火灾感测器1200供给电源电压，经由电源线向火灾感测器1200发送数据，并经由电源线从火灾感测器1200接收数据。例如，在检测到火灾时，火灾感测器1200向火灾接收器1100发送表示火灾的发生的数据。火灾接收器1100作为火灾通知系统1000的主机进行动作，火灾感测器1200作为火灾通知系统1000的从机进行动作。而且，火灾通知系统1000作为具有主机和从机的火灾通知器发挥功能。火灾感测器1200经由二极管桥db从火灾接收器1100接收电源电压。浪涌吸收器与半导体集成电路100的电源端子vcc连接。发送电路110与图1所示的发送电路110相同，控制部120与图1所示的控制部120相同。即，发送电路110具有图1所示的电流驱动电路10和电流检测电路20。控制部120包括实现半导体集成电路100的作为火灾感测器1200的功能的各种电路和驱动未图示的led等部件的led驱动器等功能部。在比较结果信号cmp为高电平的情况下，控制部120判定为来自主机的电源电流的供给充分，使控制部120内的所有电路和功能部进行动作。另一方面，在比较结果信号cmp处于低电平的情况下，控制部120判定来自主机
的电源电流的供应不充分，停止控制部120内的至少一部分电路的功能(例如，led驱动器的动作)。在比较结果信号cmp为低电平的情况下，控制部120可以停止控制部120内的电路的一部分的动作。通过停止至少一部分电路的动作，可以削减控制部120的功耗。其结果，即使在来自主机的电源电流的供给不充分的情况下，也能够使实现作为从机的功能所需的电路进行动作。
70.以上，在该实施方式中，利用从火灾感测器1200向火灾接收器1100发送数据的期间，能够判定从火灾接收器1100供给的电源电流是否充分。因此，能够根据电源电流的供给量，使控制部120以适当的状态进行动作。例如，在比较结果信号cmp表示电源电流的供给量少的情况下，停止控制部120的至少一部分电路的功能，由此可以削减功耗。图1所示的晶体管nm13、nm14形成在半导体基板上的彼此相邻的位置，因此即使在半导体制造工艺变动的情况下，也能够使晶体管nm13、nm14的尺寸比固定。另外，能够使晶体管nm13、nm14的电特性根据半导体基板的温度变化而以同样的趋势变化。因此，能够高精度地设定晶体管nm13、nm14的电流比。另外，由于被设定为相同的电阻值的电阻元件r13、r14形成在半导体基板的彼此相邻的位置，因此即使在半导体制造工艺变动的情况下，也能够使电阻元件r13、r14的电阻值彼此相同。因此，无需将高精度的分流电阻外置于半导体集成电路100，就能够高精度地检测与电流i1对应的电流i2，并作为电压va供给到比较器cmp1，从而能够生成与基准电流iref对应的电压vb。其结果，能够削减外置于半导体集成电路100的部件，能够削减包含半导体集成电路100的火灾感测器1200的成本。另外，由于能够削减部件个数，因此能够提高包含半导体集成电路100的火灾感测器1200的可靠性。以上，基于各实施方式进行了本发明的说明，但本发明并不限定于上述实施方式所示的要件。关于这些点，能够在不损害本发明的主旨的范围内进行变更，能够根据其应用方式适当地确定。