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一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法与流程

2022-11-28 10:55:25 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:a、残靶清洗:将使用后剩余ito靶材即残靶作为原料,将残靶用纯水清洗干净并晾干;b、研磨和过筛:对清洗干净的靶材进行研磨粉碎,过筛备用;c、部分溶解过筛粉:按溶解步骤b过筛粉质量分数10%~20%的比例加入盐酸溶液,加热反应至溶液ph值≥2;d、中和:用碳酸氢铵溶液调节溶液ph值在6~7之间;e、过滤、清洗:将上述反应完毕溶液进行液固分离,滤渣用纯水洗涤至无氯离子;f、造粒:往上述滤渣中加入粘接剂,搅拌均匀,干燥造粒;g、将造粒粉体放入金属模具中预压成型,压力为40~60mpa;h、将成型好的素坯放入烧结炉内,在400~450℃常压气氛下分解碱式碳酸铟,保温3~6小时,在600~700℃常压气氛下分解粘结剂,保温3~6小时,在常压或无压氧气气氛下,温度为950~1450℃进行烧结,保温4~8小时;得到低密度的ito蒸镀靶材。2.根据权利要求1所述的一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法,其特征在于:制得的低密度ito蒸镀靶材纯度大于99.99%,靶材相对密度为58%~62%。3.根据权利要求1或2所述的一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法,其特征在于:步骤b中,过筛是指过200~300目筛。4.根据权利要求1或2所述的一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法,其特征在于:步骤c中,盐酸溶液的浓度为3mol/l~4mol/l,加热反应的温度是70~80℃。5.根据权利要求1或2所述的一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法,其特征在于:步骤e中,用1%的硝酸银溶液检测氯离子。6.根据权利要求1或2所述的一种低密度ito蒸镀靶材的制备方法,其特征在于:步骤f中,粘结剂是聚乙烯醇溶液。

技术总结
本发明涉及一种低密度ITO蒸镀靶材的制备方法,以ITO残靶作为原料,通过清洗、研磨、过筛,然后按比例酸解、沉淀、清洗、掺脂、造粒,经成型后在常压下分解、脱脂,在常压或无压的氧气气氛中烧结而成。本发明以残靶作为原料,采用酸浸泡部分溶解后加入碳酸氢铵反应生成碱式碳酸铟,一可以改善粉末特性,使经酸浸泡后未完全溶解的残靶粉末粒径更加均匀并具有球状特性,二可以利用生成的碱式碳酸铟在分解时形成疏松多空的靶材结构,三可以利用碱式碳酸铟分解生成的氧化铟的更佳掺杂性能和晶粒生长性能,制造的靶材相对密度为58%-62%,具有晶相均匀、疏松多空、性能稳定且不易开裂的特性。本发明具有节约资源、成本低、工艺简单的优点。工艺简单的优点。


技术研发人员:王凯 谭泽旦 姚远 黄誓成 张倍维 廖政堂 莫斌 农浩 韦林超
受保护的技术使用者:广西晶联光电材料有限责任公司
技术研发日:2022.07.22
技术公布日:2022/11/25
再多了解一些

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