等离子体处理装置的制作方法

1.本发明涉及一种等离子体处理装置。


背景技术：

2.提案有一种技术，其在基片处理装置中，在处理腔室的外侧设置磁屏蔽，以降低外部磁场的影响而使等离子体的均匀性提高(专利文献1)。此外，作为磁屏蔽，提案有使用以坡莫合金等为代表的磁导性物质的方式(专利文献2)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2004-022988号公报
6.专利文献2：日本特开2005-249658号公报


技术实现要素：

7.发明要解决的技术问题
8.本发明提供能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的等离子体处理装置。
9.用于解决技术问题的技术方案
10.本发明的一方式的等离子体处理装置包括：壁为多层结构的等离子体处理容器，其中，多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口，其设置在等离子体处理容器的壁，对等离子体处理容器内送入送出基片；和配置在等离子体处理容器内的基片支承部。
11.发明效果
12.依照本发明，能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
附图说明
13.图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。
14.图2是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
15.图3是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
16.图4是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
17.图5是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
18.图6是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
19.图7是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。
20.图8是表示本实施方式的磁屏蔽用遮盖件的一个例子的图。
21.附图标记说明
22.1 等离子体处理装置
23.10 等离子体处理腔室
24.10a 侧壁
25.11 基片支承部
26.20 气体供给部
27.31 rf电源
28.31a 第一rf生成部
29.31b 第二rf生成部
30.40 排气系统
31.101 屏蔽部件
32.102、105、109、121、125、127 屏蔽层
33.103 送入送出口
34.104 开闭件
35.108 挡板
36.120 母材
37.122、126 保护膜
38.123 阳极氧化覆膜
39.124、129 覆盖层
40.128 烧结体
41.140 遮盖件
42.w 基片。
具体实施方式
43.以下，基于附图，对公开的等离子体处理装置的实施方式详细地进行说明。另外，公开的技术并不由以下的实施方式限定。
44.近年来，随着半导体器件向微小化发展，越来越不能忽视地磁对等离子体的影响。此外，在具有多个等离子体处理装置的基片处理系统中，存在由于相邻的其它等离子体处理装置产生的磁场的影响，而等离子体发生不均的情况。对此，考虑利用磁屏蔽覆盖等离子体处理装置，但是很难利用磁屏蔽覆盖基片的送入送出口。此外，在利用磁屏蔽覆盖整个基片处理系统的情况下，很难屏蔽其它等离子体处理装置产生的磁场。因此，人们期望一种屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场的技术。
45.[等离子体处理装置的结构]
[0046]
以下，对作为等离子体处理装置1的一个例子的电容耦合等离子体处理装置的结构例进行说明。图1是表示本发明的一个实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。如图1所示，电容耦合等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。此外，等离子体处理装置1包含基片支承部11和气体导入部。气体导入部构成为能够向等离子体处理腔室10内导入至少一个处理气体。气体导入部包含喷淋头13。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置在基片支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。侧壁10a接地。喷淋头13和基片支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电
绝缘。
[0047]
等离子体处理腔室10在侧壁10a的内侧具有屏蔽部件101。屏蔽部件101的上部向水平方向内侧延伸，与喷淋头13的周缘部接触。屏蔽部件101为多层结构，其在内部包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的屏蔽层102。此外，在侧壁10a，设置有用于送入送出基片w的送入送出口103。在送入送出口103，设置有用于对送入送出口103进行开闭的开闭件104。
[0048]
开闭件104与屏蔽部件101同样为多层结构，其在内部包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的屏蔽层105。开闭件104由升降部件106和驱动机构107上下驱动，对送入送出口103进行开闭。即，在开闭件104关闭的状态下，从基片支承部11的周缘部至屏蔽部件101和开闭件104的水平方向的距离大致相同。即，从等离子体处理空间10s至磁屏蔽的距离均匀。由此，能够在等离子体处理腔室10的全周均匀地进行包含地磁在内的环境磁场的屏蔽，也能够消除由在等离子体处理空间10s生成的磁场被磁屏蔽阻隔而引起的不均。此外，等离子体处理空间10s成为受到包含地磁在内的环境磁场及其它装置的影响的水平方向的磁力线被屏蔽的状态。另外，即使是对等离子体处理腔室10的开口部进行开闭的其它机构，例如闸门等，也能够采用与开闭件104同样的多层结构。
[0049]
在等离子体处理腔室10的底部，以包围基片支承部11的方式，配置有具有多个通气孔的环状的挡板108。挡板108防止等离子体从等离子体处理空间10s向气体排出口10e泄漏。此外，挡板108与屏蔽部件101和开闭件104同样为多层结构，其在内部包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的屏蔽层109。
[0050]
基片支承部11包含主体部111和环状组件112。主体部111具有用于支承基片(晶片)w的中央区域(基片支承面)111a和用于支承环状组件112的环状区域(环支承面)111b。主体部111的环状区域111b在俯视时包围主体部111的中央区域111a。基片w配置在主体部111的中央区域111a上，环状组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基片w的方式配置在主体部111的环状区域111b上。在一个实施方式中，主体部111包含基座和静电吸盘。基座包含导电性部件。基座的导电性部件作为下部电极发挥作用。静电吸盘配置在基座上。静电吸盘的上表面具有基片支承面111a。环状组件112包含一个或多个环状部件。一个或多个环状部件中的至少一者为边缘环。此外，虽然省略图示，但是基片支承部11也可以包含能够将静电吸盘、环状组件112和基片w中的至少一者调节成目标温度的温度调节模块。温度调节模块也可以包含加热器、传热介质、流路或者它们的组合。在流路中，供盐水或气体那样的传热流体流动。此外，基片支承部11也可以包含能够对基片w的背面与基片支承面111a之间供给传热气体的传热气体供给部。
[0051]
喷淋头13构成为能够将来自气体供给部20的至少一个处理气体导入等离子体处理空间10s内。喷淋头13具有至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b和多个气体导入口13c。被供给到气体供给口13a的处理气体通过气体扩散室13b从多个气体导入口13c被导入等离子体处理空间10s内。此外，喷淋头13包含导电性部件。喷淋头13的导电性部件作为上部电极发挥作用。另外，气体导入部除了包含喷淋头13之外，还可以包含在形成于侧壁10a的一个或多个开口部安装的一个或多个侧面气体注入部(sgi：side gas injector)。
[0052]
气体供给部20也可以包含至少一个气体源21和至少一个流量控制器22。在一个实施方式中，气体供给部20构成为能够将至少一个处理气体从与之分别对应的气体源21经由
与之分别对应的流量控制器22供给到喷淋头13。各流量控制器22例如也可以包含质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。而且，气体供给部20也可以包含对至少一个处理气体的流量进行调制或使其脉冲化的至少一个流量调制器。
[0053]
电源30包含经由至少一个阻抗匹配电路与等离子体处理腔室10耦合的rf电源31。rf电源31构成为能够对基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件供给生成源rf信号和偏置rf信号那样的至少一个rf信号(rf电功率)。由此，从被供给到等离子体处理空间10s的至少一个处理气体形成等离子体。因此，rf电源31能够作为等离子体生成部的至少一部分发挥作用。此外，通过对基片支承部11的导电性部件供给偏置rf信号，能够在基片w产生偏置电位，将所形成的等离子体中的离子成分吸引到基片w。
[0054]
在一个实施方式中，rf电源31包含第一rf生成部31a和第二rf生成部31b。第一rf生成部31a构成经由至少一个阻抗匹配电路与基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件耦合，能够生成等离子体生成用的生成源rf信号(生成源rf电功率)。在一个实施方式中，生成源rf信号具有13mhz～150mhz的范围内的频率。在一个实施方式中，第一rf生成部31a也可以构成为能够生成具有不同的频率的多个生成源rf信号。所生成的一个或多个生成源rf信号被供给到基片支承部11的导电性部件和/或喷淋头13的导电性部件。第二rf生成部31b构成为经由至少一个阻抗匹配电路与基片支承部11的导电性部件耦合，能够生成偏置rf信号(偏置rf电功率)。在一个实施方式中，偏置rf信号具有比生成源rf信号低的频率。在一个实施方式中，偏置rf信号具有400khz～13.56mhz的范围内的频率。在一个实施方式中，第二rf生成部31b构成为能够生成具有不同频率的多个偏置rf信号。所生成的一个或多个偏置rf信号被供给到基片支承部11的导电性部件。此外，在各种实施方式中，生成源rf信号和偏置rf信号中的至少一个信号也可以被脉冲化。
[0055]
另外，电源30也可以包含与等离子体处理腔室10耦合的dc电源32。dc电源32包含第一dc生成部32a和第二dc生成部32b。在一个实施方式中。第一dc生成部32a构成为与基片支承部11的导电性部件连接，能够生成第一dc信号。所生成的第一dc信号被施加到基片支承部11的导电性部件。在一个实施方式中，第一dc信号也可以被施加到静电吸盘内的电极那样的其它电极。在一个实施方式中，第二dc生成部32b构成为与喷淋头13的导电性部件连接，能够生成第二dc信号。所生成的第二dc信号被施加到喷淋头13的导电性部件。在各种实施方式中，第一和第二dc信号也可以被脉冲化。另外，第一和第二dc生成部32a、32b既可以在设置有rf电源31的基础上设置，也可以代替第二rf生成部31b而设置第一dc生成部32a。
[0056]
排气系统40例如能够与设置于等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40也可以包含压力调节阀和真空泵。利用压力调节阀调节等离子体处理空间10s内的压力。真空泵也可以包含涡轮分子泵、干式泵或它们的组合。
[0057]
[屏蔽部件的结构]
[0058]
下面，使用图2至图7，对屏蔽部件101、开闭件104和挡板108的结构进行说明。另外，在以下的说明中，屏蔽部件101、开闭件104和挡板108中，以屏蔽部件101为代表对结构进行说明。
[0059]
图2至图7是示意性地表示本实施方式的屏蔽部件的结构的一个例子的图。如图2所示，屏蔽部件101在母材120的暴露于等离子体的表面侧形成屏蔽层121和保护膜122。此外，屏蔽部件101在母材120的不暴露于等离子体的表面侧形成阳极氧化覆膜123。即，屏蔽
部件101成为具有母材120、屏蔽层121、保护膜122和阳极氧化覆膜123的多层结构。母材120是由铝合金等含铝材料构成的层，确保机械强度。
[0060]
屏蔽层121对应于图1所示的屏蔽层102、105、109，是由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层。另外，在以下的说明中，作为对应的屏蔽层102，包含屏蔽层105、109。屏蔽层121通过对母材120进行喷镀或蒸镀、薄板(片材)的接合等而形成。接合包含机械接合、化学接合(粘接)、冶金接合(焊接)。此处，铝的磁导率μ≈1.257
×
10-6
[h/m]，相对磁导率(比磁导率)μ/μ0≈1.00，因此屏蔽层121为磁导率和相对磁导率比其(铝)高的材料即可。作为具有高于铝的磁导率的材料，例如能够列举上述的坡莫合金和电磁钢(硅钢)。坡莫合金的磁导率μ≈1.0
×
10-2
[h/m]，相对磁导率μ/μ0≈100000。此外，电磁钢(硅钢)的磁导率μ≈5.0
×
10-3
[h/m]，相对磁导率μ/μ0≈4000。屏蔽层121除此以外例如还能够使用铁(fe)、镍(ni)、钴(co)等或包含它们的合金作为具有高于铝的磁导率的材料。此外，关于屏蔽层121的厚度，因为越厚越能够获得屏蔽效果，所以能够配合用途而适当地调整。
[0061]
保护膜122是具有耐等离子体性的层，是屏蔽部件101的最内侧的层。保护膜122例如是通过喷镀、cvd(chemical vapor deposition：化学气相沉积)或pvd(physical vapor deposition：物理气相沉积)形成的膜。此外，保护膜122例如是氧化膜，也可以是含硅膜。另外，氧化膜还包含阳极氧化覆膜。而且，保护膜122也可以是包含iii族元素和镧系元素中的一个或多个元素的化合物的膜。此处，作为iii族元素，能够使用钇、钪和镧中的一个或多个元素。此外，作为镧系元素，能够使用铈、镝和铕中的一个或多个元素。此外，作为化合物，能够使用氧化钇(y2o3)、sc2o3、sc2f3、yf3、la2o3、ceo2、eu2o3和dyo3中的一个或多个化合物。此外，保护膜122优选为在等离子体处理中不产生颗粒的材质。
[0062]
保护膜122在通过喷镀形成的情况下，例如通过陶瓷喷镀覆膜处理而形成。在陶瓷喷镀覆膜处理中，例如使用包含上述元素的氧化物等的陶瓷，通过热喷涂形成陶瓷喷镀覆膜。此外，也可以在喷涂之后，进行烧结退火处理。这样，通过在屏蔽层121的内侧形成保护膜122，屏蔽层121被母材120与保护膜122夹在中间，因此能够将因金属污染、电特性和热传导性等问题而不能直接使用的坡莫合金等具有高的磁导率的材料放入等离子体处理腔室10内。
[0063]
另外，作为屏蔽部件101的多层结构，也可以采用图3所示的屏蔽部件101a那样的结构。屏蔽部件101a在母材120的暴露于等离子体的表面侧形成有屏蔽层121(对应于屏蔽层102。)、由与母材120相同的铝合金等含铝材料构成的层即覆盖层124、和保护膜122。此外，屏蔽部件101a与屏蔽部件101同样，在母材120的不暴露于等离子体的表面侧形成有阳极氧化覆膜123。此外，母材120和覆盖层124也可以替换多层结构中的配置。即，屏蔽层121为被铝合金等母材120和覆盖层124夹在中间的状态。这样，在屏蔽部件101a中，即使在保护膜122剥落的情况下也还有覆盖层124或母材120，因此能够防止屏蔽层121露出到等离子体处理空间10s而产生金属污染。此外，与屏蔽部件101a一致，开闭件104a和挡板108a也采用同样的多层结构。
[0064]
另外，作为屏蔽部件101的多层结构，也可以采用图4所示的屏蔽部件101b那样的结构。屏蔽部件101b在母材120的暴露于等离子体的表面侧形成有保护膜122。此外，屏蔽部件101b在母材120的不暴露于等离子体的表面侧，形成有屏蔽层125(对应于屏蔽层102。)和保护膜126。屏蔽层125与屏蔽层121同样，是由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成
的层。屏蔽层125通过对母材120进行喷镀或蒸镀、膜的粘接等形成。保护膜126与保护膜122同样，例如通过喷镀、cvd或pvd形成陶瓷喷镀覆膜等保护膜。即，屏蔽部件101b因为屏蔽层125位于母材120的不暴露于等离子体的表面侧，所以不能在这些表面侧形成母材120的铝的阳极氧化覆膜。因此，在屏蔽层125的不暴露于等离子体的表面侧，取代阳极氧化覆膜，形成有保护膜126。此外，与屏蔽部件101b一致，开闭件104b和挡板108b也采用同样的多层结构。
[0065]
另外，作为屏蔽部件101的多层结构，也可以为图5所示的屏蔽部件101c那样的结构。屏蔽部件101c以屏蔽层127(对应于屏蔽层102。)为母材，在屏蔽层127的暴露于等离子体的表面侧形成有保护膜122。此外，在屏蔽层127的不暴露于等离子体的表面侧形成有保护膜126。屏蔽层127与屏蔽层121同样，是由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层。保护膜122和保护膜126与屏蔽部件101b同样，例如，通过喷镀、cvd或pvd形成陶瓷喷镀覆膜等保护膜。在屏蔽部件101c中，屏蔽层127为母材且具有(一定)厚度，因此能够进一步提高磁屏蔽效果。此外，与屏蔽部件101c一致，开闭件104c和挡板108c也采用同样的多层结构。
[0066]
另外，作为屏蔽部件101的多层结构，也可以为如图6所示的屏蔽部件101d那样的结构。屏蔽部件101d以烧结体128为母材，在烧结体128的不暴露于等离子体的表面侧，形成有屏蔽层125(对应于屏蔽层102。)、由铝合金等含铝材料构成的层即覆盖层129、和阳极氧化覆膜123。此外，关于烧结体128的暴露于等离子体的表面侧，烧结体128自身发挥与保护膜122同样的作用。即，烧结体128是具有耐等离子体性的层，由包含上述各种元素的氧化物等陶瓷形成。此外，烧结体128也可以包含si、sio2等。此外，烧结体128是由于暴露于等离子体处理空间10s的等离子体而消耗的消耗材料，在消耗了的情况下，更换屏蔽部件101d。
[0067]
屏蔽层125与屏蔽层121同样，是由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层。屏蔽层125通过对烧结体128进行喷镀或蒸镀、膜的粘接等而形成。覆盖层129通过对屏蔽层125进行喷镀或蒸镀、膜的粘接等而形成。在屏蔽部件101d中，因为覆盖层129由铝合金等含铝材料构成，所以能够在覆盖层129上形成阳极氧化覆膜123。此外，也可以取代阳极氧化覆膜123，与保护膜122同样，例如通过喷镀、cvd或pvd形成陶瓷喷镀覆膜等保护膜。另外，与屏蔽部件101d一致，开闭件104d和挡板108d也采用同样的多层结构。
[0068]
另外，作为屏蔽部件101的多层结构，也可以为图7所示的屏蔽部件101e那样的结构。屏蔽部件101e以烧结体128为母材，在烧结体128的不暴露于等离子体的表面侧，形成有屏蔽层125(对应于屏蔽层102。)和保护膜126。此外，烧结体128的暴露于等离子体的表面侧与屏蔽部件101d同样，烧结体128自身发挥与保护膜122相同的作用。屏蔽层125与屏蔽部件101d同样，是由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层。屏蔽层125通过对烧结体128进行喷镀或蒸镀、膜的粘接等而形成。保护膜126与屏蔽部件101b同样，例如通过喷镀、cvd或pvd形成陶瓷喷镀覆膜等保护膜。在屏蔽部件101e中，不使用由铝合金等含铝材料构成的层。即，原本在屏蔽、开闭件的部件中使用烧结体或sio2、si和sic等块状材料的情况下，也可以在该块状材料通过喷镀或蒸镀、膜的粘接等形成(涂层)坡莫合金等的层。此外，与屏蔽部件101e一致，开闭件104e和挡板108e也采用同样的多层结构。
[0069]
[磁屏蔽用遮盖件的追加]
[0070]
在本实施方式中，在等离子体处理腔室10中，在侧壁10a的内侧设置有屏蔽部件
101，但也可以进一步设置覆盖等离子体处理腔室10的磁屏蔽用遮盖件。图8是表示本实施方式的磁屏蔽用遮盖件的一个例子的图。如图8所示，遮盖件140以覆盖等离子体处理腔室10的侧面和上表面的方式配置。此外，遮盖件140在与送入送出口103对应的位置设置有开口，能够对等离子体处理腔室10进行基片w的送入送出。遮盖件140例如由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成。而且，也可以在遮盖件140的内表面侧和外表面侧，作为防损伤和污染以及外观部件实施树脂涂层、涂装等。通过进一步设置遮盖件140，能够进一步提高磁屏蔽效果。
[0071]
另外，在上述的实施方式中，在屏蔽部件101的上部，在向水平方向内侧延伸的部分及挡板108的内部也设置有屏蔽层102、109，不过也可以省略在水平方向上延伸设置的屏蔽层102、109。即，因为地磁及从相邻的其它装置产生的磁场的磁力线主要为水平方向，所以如果能够利用沿屏蔽部件101和开闭件104的垂直方向延伸设置的屏蔽层102、105充分地进行屏蔽，就能够省略在水平方向上延伸设置的屏蔽层102、109。
[0072]
另外，在上述的实施方式中，在等离子体处理腔室10的侧壁10a的内侧设置有屏蔽部件101，不过并不限定于此。例如，也可以由屏蔽部件101构成侧壁10a自身。
[0073]
以上，依照本实施方式，等离子体处理装置1包括：壁(侧壁10a、屏蔽部件101)为多层结构的等离子体处理容器(等离子体处理腔室10)，其中，多层结构包含由具有高于铝的磁导率的材料构成的层；送入送出口103，其设置在等离子体处理容器的壁，对等离子体处理容器内送入送出基片w；和配置在等离子体处理容器内的基片支承部11。其结果是，能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。此外，能够抑制在等离子体处理空间10s中生成的磁场的不均。
[0074]
另外，依照本实施方式，在送入送出口103具有开闭件104，其为多层结构且对送入送出口103进行开闭。其结果是，对于送入送出口103也能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
[0075]
另外，依照本实施方式，多层结构还包含由含铝材料构成的层。其结果是，能够使等离子体处理腔室10轻量(质量轻)，并且提高热和电特性。
[0076]
另外，依照本实施方式，多层结构还包含由氧化物的烧结体构成的层。其结果是，作为等离子体处理腔室10的母材，能够使用氧化物的烧结体。
[0077]
另外，依照本实施方式，多层结构还在暴露于等离子体的表面形成有耐等离子体性的层。其结果是，能够防止由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层对等离子体处理空间10s的金属污染等，并且能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
[0078]
另外，依照本实施方式，多层结构还在不暴露于等离子体的表面形成有具有耐等离子体性的层。其结果是，能够防止由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层的露出。
[0079]
另外，依照本实施方式，具有耐等离子体性的层为氧化膜。其结果是，能够防止由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层的露出。
[0080]
另外，依照本实施方式，具有耐等离子体性的层为含硅膜。其结果是，能够防止由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层的露出。
[0081]
另外，依照本实施方式，具有耐等离子体性的层为含有iii族元素和镧系元素中的
一个或多个元素的化合物的膜。其结果是，能够防止由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层的露出。
[0082]
另外，依照本实施方式，具有耐等离子体性的层为通过喷镀、cvd或pvd形成的膜。其结果是，能够防止由坡莫合金等具有高于铝的磁导率的材料构成的层的露出。
[0083]
另外，依照本实施方式，具有耐等离子体性的层为阳极氧化覆膜。其结果是，能够保护由含铝材料构成的层。
[0084]
另外，依照本实施方式，多层结构从暴露于等离子体的表面侧起依次包括具有耐等离子体性的层(保护膜122)、由具有高于铝的磁导率的材料构成的层(屏蔽层121)、由含铝材料构成的层(母材120)和阳极氧化覆膜123。其结果是，能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
[0085]
另外，依照本实施方式，多层结构从暴露于等离子体的表面侧起依次包括具有耐等离子体性的层(保护膜122)、由第一含铝材料构成的层(覆盖层124)、由具有高于铝的磁导率的材料构成的层(屏蔽层121)、由第二含铝材料构成的层(母材120)和阳极氧化覆膜123。其结果是，能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
[0086]
另外，依照本实施方式，具有高于铝的磁导率的材料为坡莫合金。其结果是，能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
[0087]
另外，依照本实施方式，具有高于铝的磁导率的材料为电磁钢。其结果是，能够屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
[0088]
另外，依照本实施方式，还包括覆盖等离子体处理容器的、由具有高于铝的磁导率的材料构成的遮盖件。其结果是，能够进一步屏蔽包含地磁在内的环境磁场和来自其它装置的磁场。
[0089]
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均为例示而并非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附权利要求及其主旨的情况下能够以各种各样的方式进行省略、替换、变更。
[0090]
另外，在上述的实施方式中，以使用电容耦合型等离子体作为等离子体源对基片w进行蚀刻等处理的电容耦合等离子体处理装置1为例进行了说明，但所公开的技术并不限定于此。只要是使用等离子体对基片w进行处理的装置即可，等离子体源不限定于电容耦合等离子体，例如能够使用电感耦合等离子体、微波等离子体、磁控管等离子体等任意等离子体源。