边缘缺陷检测模组、显示面板及边缘缺陷检测方法与流程

技术特征：
1.一种应用于显示面板的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述显示面板包括中间区域和边缘区域，所述中间区域设置有像素单元，所述中间区域排布有多个数据线，所述数据线沿第二方向延伸；所述边缘缺陷检测模组包括：多个电源线，至少设置于所述显示面板的中间区域，所述电源线沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交；检测线，设置于所述显示面板的边缘区域，所述检测线沿第二方向延伸，所述检测线与所述多个电源线电性相连，被配置为在检测过程中向所述电源线提供测试信号。2.如权利要求1所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述检测线的一端连接有第一晶体管，所述第一晶体管包括栅极、源极和漏极，所述源极和漏极中的一个作为输入端，另一个作为输出端；所述测试信号被施加于所述输入端，所述输出端与所述检测线电性连接，将所述测试信号传导至所述检测线。3.如权利要求2所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述边缘缺陷检测模组还包括控制芯片，所述控制芯片设置在焊垫区，与所述第一晶体管电性相连，所述控制芯片包括：测试信号接口，与所述第一晶体管的输入端相连，向所述第一晶体管的输入端施加所述测试信号；栅控制信号接口，与所述第一晶体管的栅极相连，向所述第一晶体管的栅极施加栅控制信号。4.如权利要求3所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述控制芯片还包括：电源信号接口，与所述电源线电性相连，向所述电源线施加电源信号。5.如权利要求4所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述电源信号接口与所述电源线之间设置有第二晶体管，所述电源信号接口通过所述第二晶体管向所述电源线施加所述电源信号。6.如权利要求4所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述电源信号包括vdd信号。7.如权利要求4所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述显示面板还设置有电源干线，所述电源干线沿所述第二方向延伸，并与所述多个电源线电性连接。8.如权利要求1所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述显示面板左右两侧的边缘区域均设置有所述检测线，各个所述检测线独立工作。9.如权利要求1所述的边缘缺陷检测模组，其特征在于，所述电源线包括vdd电源线，所述第一方向为行方向；所述电源线与所述数据线设置在不同高度的膜层；所述电源线与所述数据线中的一个设置在第一源漏极层，另一个设置在第二源漏极层。10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至9任一项所述的边缘缺陷检测模组。11.一种边缘缺陷检测方法，应用于如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述边缘缺陷检测方法包括：向所述电源线施加测试信号；根据像素单元的发光状态，确定边缘区域有无缺陷以及缺陷所在的位置。12.如权利要求11所述的边缘缺陷检测方法，其特征在于，所述检测线的一端连接有第
一晶体管，所述第一晶体管包括栅极、源极和漏极，所述源极和漏极中的一个作为输入端，另一个作为输出端；所述测试信号被施加于所述输入端，所述输出端与所述检测线电性连接，将所述测试信号传导至所述检测线；所述边缘缺陷检测模组还包括控制芯片，所述控制芯片设置在焊垫区，与所述第一晶体管电性相连，所述控制芯片包括：测试信号接口，与所述第一晶体管的输入端相连，向所述第一晶体管的输入端施加所述测试信号；栅控制信号接口，与所述第一晶体管的栅极相连，向所述第一晶体管的栅极施加栅控制信号；其中，所述向所述电源线施加测试信号，包括：向所述第一晶体管的输入端施加所述测试信号，并同时向所述第一晶体管的栅极施加栅控制信号。13.如权利要求12所述的边缘缺陷检测方法，其特征在于，所述控制芯片还包括：电源信号接口，与所述电源线电性相连，向所述电源线施加电源信号；在向所述电源线施加测试信号时，同时通过所述电源信号接口向所述电源线施加电源信号，被施加的所述电源信号与所述测试信号的电压正负类型相反。14.如权利要求12所述的边缘缺陷检测方法，其特征在于，所述控制芯片还包括：电源信号接口，与所述电源线电性相连，向所述电源线施加电源信号；在向所述电源线施加测试信号时，所述电源信号接口保持为零电压。

技术总结
本申请涉及一种边缘缺陷检测模组、显示面板及边缘缺陷检测方法。其中，所述显示面板包括中间区域和边缘区域，所述中间区域设置有像素单元。所述中间区域排布有多个数据线，所述数据线沿第二方向延伸。所述边缘缺陷检测模组包括多个电源线和检测线。所述多个电源线至少设置于所述显示面板的中间区域。所述电源线沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相交。所述检测线设置于所述显示面板的边缘区域。所述检测线沿第二方向延伸，所述检测线与所述多个电源线电性相连，被配置为在检测过程中向所述电源线提供测试信号。通过上述边缘缺陷检测模组，不仅可判断显示面板的边缘区域是否存在缺陷，还能确定缺陷所在的位置。还能确定缺陷所在的位置。还能确定缺陷所在的位置。


技术研发人员：卢玉群 李杰 李泽亮 鲍建东 王伟 王玉林 赖韦霖 刘斌 秦少杰 丁彦红 周鑫
受保护的技术使用者：成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2022.08.25
技术公布日：2022/11/18