光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置与流程

1.本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置。


背景技术：

2.在半导体制作过程中，光刻机在晶圆的一个层上放置光罩(mask)，光罩上具有设计好的光刻图形。随后，利用光刻胶感光后因化学反应形成耐蚀性的特点，光刻机透过光罩对晶圆进行曝光处理，能够将光罩上的光刻图形加工到晶圆的层上。
3.现有技术中，光罩上设置有至少一个特殊图案的标记，该标记可用于在光罩生产完成后，对光罩是否合格进行质量检测。
4.但是，采用现有技术，光罩上的标记的位置和形状较为单一，且多设置在光罩的边界上，导致了使用这些标记对光罩进行检测的精准度较低。


技术实现要素：

5.本公开提供一种光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置，用于解决对光罩进行检测时使用的标记导致精确度较低的技术问题。
6.本公开第一方面提供一种确定光罩标记的方法，包括：从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案；将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目标层对应的光罩上的标记；其中，所述标记用于在所述光罩生产完成后，检测所述光罩上所述标记的偏移量与预设阈值的关系；或者，所述标记用于检测所述光罩与所述晶圆的目标层是否对准。
7.在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从预设库中所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，确定与所述光罩的类型对应的至少一个图案为所述目标图案。
8.在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，数量最多的第一图案中的全部或者部分为所述目标图案。
9.在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，面积最小的第二图案中的全部或者部分为所述目标图案。
10.在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，与相邻图案距离最小的第三图案中的全部或者部分为所述目标图案。
11.在本公开第一方面一实施例中，所述从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案，包括：从所述预设库中，确定所述晶圆的所述目标层上的所有图案中，至少一个缺陷点图案为所述目标图案。
12.在本公开第一方面一实施例中，所述将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目
标层对应的光罩上的标记之后，还包括：通过模拟检测所述光罩上所述标记的偏移量与预设阈值的关系或者模拟检测所述光罩与所述晶圆的目标层是否对准，调整所述标记中图案的数量。
13.在本公开第一方面一实施例中，所述将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目标层对应的光罩上的标记之后，还包括：通过模拟检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准，且在检测时对所述光罩上的部分标记所在的位置进行扫描，使扫描次数最少且在模拟检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准时符合预设检测结果。
14.本公开第二方面提供一种光罩检测方法，包括：在晶圆的目标层的表面放置光罩；所述光罩设置有标记；所述标记包括所述晶圆的目标层上的所有图案中的至少一个目标图案；根据所述标记和所述至少一个目标图案，检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准。
15.在本公开第二方面一实施例中，所述标记是根据本公开第一方面任一项所述的确定光罩标记的方法确定的。
16.在本公开第二方面一实施例中，所述检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准，包括：对所述光罩上的部分标记所在的位置进行扫描，通过所述部分标记与对应的目标图案的位置关系，确定所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准。
17.本公开第三方面提供一种光罩检测方法，包括：确定光罩上的标记的偏移量；所述标记包括所述光罩对应的晶圆的目标层上的所有图案中的至少一个目标图案；根据所述偏移量与预设阈值的关系，对所述光罩进行检测。
18.在本公开第三方面一实施例中，所述标记是本公开第一方面任一项所述的确定光罩标记的方法确定的。
19.本公开第四方面提供一种确定光罩标记的装置，用于执行如本技术第一方面任一项所述的方法。
20.本公开第五方面提供一种光罩检测装置，用于执行如本技术第二方面或者第三方面任一项所述的方法。
21.本公开提供的光罩检测方法及装置、确定光罩标记的方法及装置，能够从预设库中确定晶圆表面的目标层上的至少一个目标图案，并将至少一个目标图案作为目标层对应的光罩的标记。由于所确定的标记是根据晶圆的目标层上已有的图案确定的，因此确定的标记能够更为准确地反应光罩的位置，后续在使用标记进行质量检测或者对准检测时，能够提高检测的精确度。
附图说明
22.为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
23.图1为一种技术中光罩上设置的标记的位置示意图；
24.图2为本公开提供的一种应用场景的示意图；
25.图3为本公开提供的一种确定光罩标记的方法一实施例的流程示意图；
26.图4为本公开提供的从目标层的所有图案中确定的第一图案作为至少一个目标图
案的示例图；
27.图5为本公开提供的从目标层的所有图案中确定第二图案作为至少一目标图案的示例图；
28.图6为本公开提供的从目标层的所有图案中确定第三图案作为至少一个目标图案的示例图；
29.图7为本公开提供的从目标层的所有图案中确定缺陷点图案作为至少一个目标图案的示例图；
30.图8为本公开提供的确定光罩标记方法一实施例的示例图；
31.图9为本公开提供的光罩检测方法一实施例的流程示意图；
32.图10为本公开提供的另一种应用场景的示意图；
33.图11为本公开提供的光罩检测方法另一实施例的流程示意图；
34.图12为本公开提供的一实施例中检测光罩是否与晶圆的目标层对准时的扫描示意图；
35.图13为本公开提供的另一实施例中检测光罩是否与晶圆的目标层对准时的扫描示意图。
具体实施方式
36.为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。此外，虽然本公开中公开内容按照示范性一个或几个实例来介绍，但应理解，可以就这些公开内容的各个方面也可以单独构成一个完整实施方式。
37.需要说明的是，本公开中对于术语的简要说明，仅是为了方便理解接下来描述的实施方式，而不是意图限定本公开的实施方式。除非另有说明，这些术语应当按照其普通和通常的含义理解。
38.本公开中说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似或同类的对象或实体，而不必然意味着限定特定的顺序或先后次序，除非另外注明。应该理解这样使用的用语在适当情况下可以互换，例如能够根据本公开实施例图示或描述中给出那些以外的顺序实施。
39.此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖但不排他的包含，例如，包含了一系列组件的产品或设备不必限于清楚地列出的那些组件，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它组件。
40.图1为一种技术中光罩上设置的标记的位置示意图。其中，由于光罩(mask)20中部通常设置有一些与晶圆表面对应的图案(pattern)，因此，标记201可以设置在光罩20的外围边界以及一些中线上。在一种技术中，标记201可以是英文字母“l”形、十字形、直线形、圆形或者方形等。光罩与晶圆的一个目标层相对应。
41.图2为本公开提供的一种应用场景的示意图，示出了图1所示的光罩20上的标记201的一种应用场景。其中，当光罩20生产完成后，检测设备301可用于对光罩20是否合格进
行检测。在一种实施例中，检测设备301可用于根据光罩20上的标记201的偏移量与预设阈值的关系，确定光罩20是否合格。例如，当偏移量小于预设阈值，则确定光罩20合格，可以进行后续处理；当偏移量大于预设阈值，则确定光罩20不合格，需要进行重做或者对光罩20进行调整等处理。
42.但是，在如图2所示的应用场景中，如果使用如图1所示的标记201对光罩20是否合格进行质量检测，由于光罩20上设置的标记201的位置和形状较为单一，且多设置在光罩20的边界上，导致了根据这些标记201对光罩进行质量检测的精确度较低。
43.因此，本公开针对上述技术问题，提供一种确定光罩上的标记的方法，以及根据标记对光罩进行检测的方法，能够将光罩对应的晶圆10的目标层上的图案作为标记201，使标记201能够更为准确地反应晶圆10的目标层上实际需要印制电路的图案等位置，以提高对光罩20进行质量检测时精确度。下面以具体地实施例对本公开的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。
44.图3为本公开提供的一种确定光罩标记的方法一实施例的流程示意图，如图3所示的方法可以由任一具有相关数据处理能力的电子设备执行，例如，电脑、服务器、工作站等，或者还可以由光刻机执行。本公开实施例中以电子设备作为执行主体作为示例，而非对其进行限定。如图3所示，本实施例提供的确定光罩标记的方法包括：
45.s101：电子设备从预设库中确定晶圆的目标层表面上的至少一个目标图案(pattern)。
46.在一种实施例中，预设库包括设计版图库。当设计人员完成对晶圆的设置后，电子设备可以通过运行电子设计自动化软件(electronic design automation，简称：eda)等方式，从预设库中确定晶圆的设计参数，从而通过设计参数确定晶圆表面的至少一个目标图案。
47.在一种实施例中，晶圆包括多个层(layer)，则s101中获取的可以是晶圆多个目标层上每个目标层的至少一个目标图案，也可以是晶圆一个目标层上的至少一个目标图案。
48.在一种实施例中，设计参数包括：晶圆的目标层所包括的所有图案，以及每个图案的位置参数等。
49.在一种实施例中，位置参数包括例如：每个图案的长度、宽度、面积、在目标层上的相对位置，该图案在目标层上与相邻图案之间的距离等。
50.在一种实施例中，目标图案为晶圆表面所有图案中，出现次数最多、面积最小或者与相邻图案之间距离最小的图案；或者，目标图案还可以是晶圆表面的缺陷点(weak point)图案等。
51.在一种实施例中，电子设备在确定光罩的标记时，可以根据该光罩的类型，确定光罩对应的目标层上不同的至少一个图案为目标图案。例如，光罩可以根据制程是否稳定等依据划分为不同的类型。则对于制程较为稳定的光罩，在s101中可以确定晶圆的目标层中，出现次数最多的图案的全部或者部分为晶圆上目标层的目标图案；对于制程不稳定的光罩，在s101中可以确定面积最小的图案或者与相邻图案距离最小的图案为晶圆上目标层的目标图案。其中，面积可以通过图案的长度乘以宽度(width)等参数衡量，距离可以通过图案与相邻图案之间空间(space)的长度等参数衡量。而对于一些制程中更关注缺陷点的光
罩，可以将晶圆的目标层的缺陷点的图案作为晶圆上该层的目标图案。
52.上述对光罩划分为不同的类型仅为示例，在实际工程应用中，光罩还可以根据不同的方式划分为不同类型。本公开对类型的具体划分和命名不做限定。
53.s102：电子设备将s101中确定的至少一个目标图案，作为晶圆的目标层对应的光罩上的标记。其中，标记可用于如图2所示的应用场景中，当光罩生产完成后，检测光罩上标记的偏移量与预设阈值的关系，进而对光罩是否合格进行检测。
54.可以理解的是，当通过s101-s102确定了晶圆表面多个目标层中，每个目标层的至少一个目标图案。在s102中，电子设备可以确定晶圆的多个目标层上每个目标层的至少一个目标图案为标记。
55.综上，本实施例提供的确定光罩标记的方法，能够从预设库中确定晶圆表面的目标层上的至少一个目标图案，并将至少一个目标图案作为目标层对应的光罩的标记。本实施例提供的方法所确定的标记，是根据晶圆的目标层上已有的图案确定的，因此确定的标记能够更为准确地反应光罩的位置，后续在使用标记进行质量检测时，能够提高检测的精确度。此外，本实施例提供的确定光罩标记的方法还具有较强的扩展性，能够适用于光罩在不同制程下，对应于不同晶圆的不同目标层的处理过程。
56.本公开针对不同类型的光罩，可以根据不同的光罩的类型确定晶圆的目标层上不同的至少一个目标图案，并将至少一个目标图案作为光罩的标记。下面结合附图4-图7，对本公开实施例提供的根据光罩不同的类型，从晶圆的目标层内所有图案中确定至少一个目标图案的不同的方法进行说明。
57.图4为本公开提供的从目标层的所有图案中确定的第一图案作为至少一个目标图案的示例图。如图4所示，当光罩的类型为第一类型，则电子设备在确定光罩对应的晶圆的目标层上的所有图案后，根据所有图案中不同图案的出现次数，从所有图案中将出现次数最多的第一图案201a中，全部或者部分第一图案201a作为晶圆在目标层上的至少一个目标图案。从而通过全部或者部分出现次数最多的第一图案201a作为标记，后续能够更为准确、有效地提高对光罩进行质量检测的精确度。
58.在一种实施例中，第一类型为光罩在制作过程中，制程较为稳定的层。例如，连接层(contact layer)等。第一类型可以是预设的、可以是提前确定的，或者是电子设备的用户通过鼠标、键盘等交互设备指定的。则当电子设备确定当前光罩的目标层的类型为第一类型后，即可根据光罩的类型对应的第一图案201a作为至少一个目标图案。
59.在本公开的实施例中，第一图案201a的形状、大小和数量不做限定。例如，在图4所示的示例中，第一图案201a可以为正方形，并且呈行列分布。或者，第一图案201a还可以为直线型，并依次排列分布等。
60.图5为本公开提供的从目标层的所有图案中确定第二图案作为至少一目标图案的示例图。如图5所示，当光罩的类型为第二类型，则电子设备在确定光罩对应的晶圆在目标层上的所有图案后，根据所有图案中不同图案的面积，将面积最小的第二图案201b中，全部或者部分第二图案201b作为晶圆在该目标层上的至少一个目标图案。从而通过面积最小的第二图案201b，作为标记，后续能够更为准确、有效地提高对光罩进行质量检测的精确度。
61.在一种实施例中，第二类型为光罩在制作过程中，制程较为不稳定的层。例如，线层(line layer)等。第二类型可以是预设的、可以是提前确定的，或者是电子设备的用户通
过鼠标、键盘等交互设备指定的。则当电子设备确定当前晶圆的目标层的类型为第二类型后，即可根据该光罩的类型对应的第二图案201b作为至少一个目标图案。
62.在本公开的实施例中，第二图案201b的形状、大小和数量不做限定。例如，在图5所示的示例中，第二图案201b可以为正方形，并且呈行列分布。则第二图案201b的面积可以通过每个图案的长度乘以宽度(width)表示。或者，第二图案201b还可以为直线型，并依次排列分布等。则第二图案201b的面积可以通过每个线的宽度(width)表示等。
63.图6为本公开提供的从目标层的所有图案中确定第三图案作为至少一个目标图案的示例图。如图6所示，当光罩的类型为第三类型，则电子设备在确定光罩对应的晶圆在目标层上的所有图案后，根据所有图案中不同图案与相邻图案之间的距离，将与相邻图案距离最小的第三图案201c中，全部或者部分第三图案201c作为晶圆10在该目标层上的至少一个目标图案。从而通过空间上距离最小的第三图案201c作为标记，后续能够更为准确、有效地提高对光罩进行质量检测的精确度。
64.在一种实施例中，第三类型为光罩在制作过程中，制程较为不稳定的层。例如，线层(line layer)等。第三类型可以是预设的、可以是提前确定的，或者是电子设备的用户通过鼠标、键盘等交互设备指定的。则当电子设备确定当前光罩的类型为第三类型后，即可根据该光罩的类型对应的第三图案201c作为至少一个目标图案。
65.在本公开的实施例中，第三图案201c的形状、大小和数量不做限定。例如，在图6所示的示例中，第三图案201c可以为正方形，并且呈行列分布。则第三图案201c的面积可以通过每个图案与相邻图案之间的距离(space)表示。或者，第三图案201c还可以为直线型，并依次排列分布等。则第二图案201b的面积可以通过垂直于每个线的延伸方向的距离(width)表示等。其中，在确定图案与相邻图案之间的距离时，相邻图案可以是与当前图案相同的图案，或者，相邻图案还可以是与当前图案不相同的图案。
66.图7为本公开提供的从目标层的所有图案中确定缺陷点图案作为至少一个目标图案的示例图。如图7所示，当光罩的类型为第四类型，则电子设备在确定光罩对应的晶圆在目标层上的所有图案后，根据所有图案中的缺陷点(weak point)图案201d中，全部或者部分缺陷点图案201d作为晶圆在该目标层上的至少一个目标图案。从而通过晶圆的目标层上的缺陷点图案201d作为标记，后续能够更为准确、有效地提高对光罩进行质量检测的精确度。
67.在一种实施例中，第四类型为光罩在制作过程中，通过缺陷点检测光罩质量的层，也可以解释为对光罩进行质量检测时更为关心的图案。第四类型可以是预设的、可以是提前确定的，或者是电子设备的用户通过鼠标、键盘等交互设备指定的。则当电子设备确定当前光罩的类型为第四类型后，即可根据该目标层的类型对应的缺陷点图案201d作为至少一个目标图案。
68.在本公开的实施例中，缺陷点图案201d的形状、大小和数量不做限定。例如，在图7所示的示例中，缺陷点图案201d可以为英文字母“s”形，且该缺陷点具体位于缺陷点图案201d的中部。在一种实施例中，电子设备可以通过热点模型(hotspot model)抓取得到晶圆上目标层的缺陷点图案。
69.在一种实施例中，电子设备通过如图3所示的方式，是根据晶圆上的图案确定光罩上的标记。因此，光罩上的标记与晶圆的目标层上的目标图案一一对应。具体地，光罩上的
标记与晶圆的目标层上的目标图案的形状相同、光罩上的标记与晶圆的目标层上的目标图案的大小相同、光罩上的标记的相对位置与晶圆的目标层上的目标图案的相对位置相同。
70.在一种实施例中，当电子设备通过上述图6-图9所示的方式确定出目标图案后，如果确定的目标图案的数量有多个，则可以通过模拟质量检测或者对准的方式，减少目标图案的数量，从而尽可能减少光罩上设置的标记的数量。
71.例如，图8为本公开提供的确定光罩标记的方法一实施例的示例图。如图8所示，以数量最多的第一图案101a为例，则当电子设备确定了晶圆10的目标层表面包括4行4列分布的共16个第一图案101a为出现次数最多的图案。随后，电子设备可以通过模拟检测光罩是否与晶圆的目标层对准的对准检测，并实时调整标记中包括的第一图案101a的数量，使标记中包括的第一图案101a的数量最少的情况下，还能够通过模拟检测光罩与晶圆是否对准时符合预设的检测结果。
72.例如，电子设备可以通过运行软件、脚本等方式，首先将如图8中的s1所示的全部16个第一图案101a作为标记，对光罩与晶圆的目标层是否对准进行验证。由于是模拟的检测，因此是否对准的结果是提前确定的，从而根据当前的16个标记是否能够与提前确定的检测结果相同，确定是否对标记的数量进行调整。假设使用当前的16个标记能够与提前确定的检测结果相同，则可以减少标记的数量，例如使用s2所示的全部16个第一图案101a中的12个作为标记，并使用包括对应的12个标记对光罩与晶圆的目标层是否对准进行验证。假设使用当前的12个标记能够与提前确定的检测结果相同，则可以继续减少标记的数量，例如使用s3所示的全部16个第一图案101a中的9个作为标记等。每次调整的数量不做限定，例如可以每次增加或者减少1个图案的方式进行调整。最终，得到可以使检测结果满足预设结果时，标记中包括的第一图案101a的数量最少。因此本实施例中在确定光罩上的标记时，能够确定的标记能够减少数量。因此，本实施例中确定的标记的数量较少，能够提高光罩进行质量检测、对准检测等检测时的速度和效率。
73.图9为本公开提供的光罩检测方法一实施例的流程示意图，如图9所示的方法可应用于如图2所示的场景中。如图9所示的方法可以由光刻机执行，或者，还可以由具有相关数据处理能力的电子设备执行，例如，电脑、服务器、工作站等。如图9所示，本实施例提供的光罩检测方法包括：
74.s201：确定光罩上的标记的偏移量。其中，标记包括光罩对应的晶圆的目标层上的所有图案中的至少一个目标图案。
75.在一些实施例中，本公开提供的光罩上的标记可以通过如图3所示的方法确定。其中，执行如图3所示的确定光罩标记的方法和图9所示的光罩检测方法可以由不同的设备执行，或者还可以由同一个设备执行。
76.s202：根据s101中确定的标记的偏移量与预设阈值的关系，对光罩进行质量检测。例如，当偏移量小于预设阈值，则确定光罩合格，可以进行后续处理；当偏移量大于预设阈值，则确定光罩不合格，需要进行重做或者对光罩进行调整等处理。
77.综上，本实施例提供的光罩检测的方法，能够根据光罩上根据晶圆的图案确定的标记，来检测光罩是否合格，由于标记是晶圆上已有的图案，更能够反应标记的实际位置以及与晶圆之间的位置关系等，因此能够提高对光罩进行质量检测的精确度。
78.图10为本公开提供的另一种应用场景的示意图，示出了本技术提供的光罩20上的
标记201的另一种应用场景。其中，光刻机302可以通过光罩20上的标记201与晶圆10上的标记101是否对准，进而确定晶圆10与其上设置的光罩20是否对准。如图10所示，本公开应用于半导体制作过程中。半导体具体可以是动态随机存储器(dynamic random access memory，简称：dram)等。光刻机可用于通过光刻的方式，在晶圆(chip)10上加工特定的光刻图形，该光刻图像可以是特定的电路等。如图10所示，光刻机首先在晶圆10上放置光罩20，光罩20上具有设计好的光刻图形202。随后，光刻机302透过光罩20对晶圆10进行曝光处理，能够将光罩20上的光刻图形202加工到晶圆10上的特定位置，在晶圆10上形成与光刻图形202相同的光刻图形102。随着半导体制程技术节点的缩小，对光罩20的设置的精度提出了越来越高的要求。为了保证光刻机能够将光罩20上的光刻图形202准确加工到晶圆10上的特定位置，光刻机在晶圆10上放置光罩20之后，还对光罩20与晶圆10之间进行对准检测。并最终在确定光罩20与晶圆10之间对准后，再通过光刻机302进行曝光处理。
79.在一些实施例中，光刻机302可以通过光罩20上的标记201与晶圆10上的标记101之间的位置关系，检测光罩20是否与晶圆10对准。如果根据检测结果确定光罩20与晶圆10之间存在偏差(bias)，则需要根据检测结果在制程上进行相对性的调整，例如实时调整光罩20的放置位置等。最终保证光罩20与晶圆10之间对准后，再通过光刻设备30进行曝光处理。
80.图11为本公开提供的光罩检测方法另一实施例的流程示意图，如图11所示的方法可应用于如图10所示的场景中。如图11所示的方法可以由光刻机执行，或者，还可以由具有相关数据处理能力的电子设备执行，例如，电脑、服务器、工作站等。本公开实施例中以光刻机作为执行主体作为示例，而非对其进行限定。如图11所示，本实施例提供的光罩检测方法包括：
81.s201：光刻机在晶圆的目标层的表面放置光罩。其中，光罩设置有标记。且标记包括光罩对应的晶圆的目标层上的所有图案中的至少一个目标图案。
82.在一些实施例中，本公开提供的光罩上的标记可以通过如图3所示的方法确定。其中，执行如图3所示的确定光罩标记的方法和图11所示的光罩检测方法可以由不同的设备执行，或者还可以由同一个设备执行。
83.s202：光刻机根据标记和标记对应的至少一个目标图案，检测光罩是否与晶圆的目标层对准。
84.随后，光刻机对晶圆的目标层放置的光罩进行扫描，根据光罩上的标记与标记对应的目标图案，确定光罩是否与晶圆的目标层对准。本公开实施例对检测光罩与晶圆对准的具体方式不做限定。例如可以根据每个标记与对应的目标图案之间的偏移量与预设阈值的比较结果，确定光罩与晶圆是否对准。
85.综上，本实施例提供的光罩检测的方法，能够根据光罩上根据晶圆的图案确定的标记，对光罩是否与晶圆的目标层对准进行对准检测。本实施例提供的光罩上的标记，既能用于对光罩进行质量检测，又能够用于对光罩与晶圆是否对准进行检测，从而丰富了标记能够实现的功能。
86.同时，由于标记包括晶圆的目标层上的至少一个目标图案，因此本实施例提供的光罩检测方法所使用的标记是晶圆上已有的图案，由于标记是晶圆上已有的图案，更能够反应标记的实际位置以及与晶圆之间的位置关系等，标记能够更为准确地反应晶圆上实际
需要印制电路的图案等位置是否对准，因此还能够提高对准检测的精确度。
87.在一种实施例中，电子设备在执行s302时，可以只对光罩上的部分标记所在的位置进行扫描，从而根据这部分标记的扫描结果，确定光罩是否与晶圆的目标层对准。例如，图12为本公开提供的一实施例中检测光罩是否与晶圆的目标层对准时的扫描示意图，其中，假设光罩上包括3行3列排列的共9个第一图案101a作为标记。则电子设备只对光罩上第二行s10和第三行s20的标记进行扫描，最终通过第二行s10和第三行s20的共6个标记的扫描结果，确定光罩是否与晶圆的目标层对准。因此，本实施例提供的光罩检测方法中对部分标记所在的位置进行扫描，能够减少扫描时所需扫描的标记的数量，能够进一步提高对光罩进行检测时的速度和效率。
88.在一种实施例中，上述对光罩进行检测时扫描的部分标记，可以是电子设备根据图3所示的方式确定光罩标记之后确定的。其中，电子设备可以通过模拟检测光罩是否与晶圆的目标层对准，并实时调整扫描过程中扫描的标记的数量，最终使得扫描的标记的数量最少的情况下，还能够通过模拟检测光罩与晶圆是否对准时合预设的检测结果。
89.在一种实施例中，电子设备可以通过模拟检测光罩是否与晶圆的目标层对准时，还可以调整扫描的次数，最终使得扫描次数最少的情况下，还能够通过模拟检测光罩与晶圆是否对准时合预设的检测结果。例如，图13为本公开提供的另一实施例中检测光罩是否与晶圆的目标层对准时的扫描示意图，其中，假设光罩包括多行排列的线型的第二图案101b作为标记，则电子设备在垂直于标记延伸方向扫描时，可以调整扫描的次数，并最终确定通过s21和s22的共2次对标记进行扫描，进而确定光罩是否与晶圆的目标层对准。
90.在前述实施例中，对本公开实施例提供的方法进行了介绍，而为了实现上述本公开实施例提供的方法中的各功能，作为执行上述方法的主体的设备或装置可以包括硬件结构和/或软件模块，以硬件结构、软件模块、或硬件结构加软件模块的形式来实现上述各功能。上述各功能中的某个功能以硬件结构、软件模块、还是硬件结构加软件模块的方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。
91.例如，本公开还提供一种确定光罩标记的装置，用于执行如图4所示的方法，包括：获取模块和确定模块，其中，获取模块用于从预设库中确定晶圆的目标层上的至少一个目标图案。确定模块用于将所述至少一个目标图案作为所述晶圆的目标层对应的光罩上的标记。
92.在一种实施例中，确定对准标记的装置还包括：第一调整模块，用于调整标记中图案的数量。
93.在一种实施例中，确定对准标记的装置还包括：第二调整模块，用于调整扫描次数。
94.本公开还提供一种光罩检测装置，可用于执行如图10所述的方法，包括：确定模块和检测模块，确定模块用于确定光罩上的标记的偏移量；检测模块用于根据所述偏移量与预设阈值的关系，对所述光罩进行检测。
95.本公开还提供一种光罩检测装置，可用于执行如图11所述的方法，包括：放置模块和检测模块。放置模块用于在晶圆的目标层的表面放置光罩。检测模块用于根据所述标记和所述至少一个目标图案，检测所述光罩是否与所述晶圆的目标层对准。
96.本实施例提供的装置的实现方式及原理可参照本公开前述实施例提供的方法，不
再赘述。
97.需要说明的是，应理解以上装置的各个模块的划分仅仅是一种逻辑功能的划分，实际实现时可以全部或部分集成到一个物理实体上，也可以物理上分开。且这些模块可以全部以软件通过处理元件调用的形式实现；也可以全部以硬件的形式实现；还可以部分模块通过处理元件调用软件的形式实现，部分模块通过硬件的形式实现。例如，处理模块可以为单独设立的处理元件，也可以集成在上述装置的某一个芯片中实现，此外，也可以以程序代码的形式存储于上述装置的存储器中，由上述装置的某一个处理元件调用并执行以上确定模块的功能。其它模块的实现与之类似。此外这些模块全部或部分可以集成在一起，也可以独立实现。这里所述的处理元件可以是一种集成电路，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤或以上各个模块可以通过处理器元件中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。
98.例如，以上这些模块可以是被配置成实施以上方法的一个或多个集成电路，例如：一个或多个特定集成电路(application specific integrated circuit，asic)，或，一个或多个微处理器(digital signal processor，dsp)，或，一个或者多个现场可编程门阵列(field programmable gate array，fpga)等。再如，当以上某个模块通过处理元件调用程序代码的形式实现时，该处理元件可以是通用处理器，例如中央处理器(central processing unit，cpu)或其它可以调用程序代码的处理器。再如，这些模块可以集成在一起，以片上系统(system-on-a-chip，soc)的形式实现。
99.在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。所述计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行所述计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本公开实施例所述的流程或功能。所述计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络、或者其他可编程装置。所述计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，所述计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线(例如同轴电缆、光纤、数字用户线(dsl))或无线(例如红外、无线、微波等)方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。所述计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。所述可用介质可以是磁性介质，(例如，软盘、硬盘、磁带)、光介质(例如，dvd)、或者半导体介质(例如固态硬盘solid state disk(ssd))等。
100.例如，本申还提供一种电子设备，包括：处理器以及存储器；其中，存储器中存储有计算机程序，处理器可以执行计算机程序。当处理器执行计算机程序时，处理器可用于执行如本公开前述实施例中任一方法中的步骤。
101.本公开还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被执行时可用于执行如本公开前述实施例中任一方法中的步骤。
102.本公开实施例还提供一种执行指令的芯片，所述芯片用于执行如本公开前述任一方法中的步骤。
103.本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程
序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
104.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。