电子设备及控制方法与流程

1.本技术涉及电子技术领域，特别涉及一种电子设备及控制方法。


背景技术：

2.随着电子技术的发展，智能手机和平板电脑等电子设备在人们日常生活中扮演着越来越重要的角色，实现着越来越多的功能，例如但不限于电子设备可以实现近场通信(near field communication，nfc)功能。
3.并且，随着电子技术的发展，电子设备可以实现折叠、滑动、抽拉等新形态，这些新形态使得电子设备上的nfc天线的环境较为复杂，nfc天线不能适应电子设备不同形态的变化。


技术实现要素：

4.本技术提供了一种电子设备及控制方法，nfc天线可以适应电子设备不同形态变化，nfc天线对通信环境的适应性更强。
5.第一方面，本技术提供了一种电子设备，包括：
6.第一本体；
7.第一导体结构，设置于所述第一本体；
8.第二本体，可相对所述第一本体运动，以使所述第二本体可与所述第一本体处于相互靠近的第一状态或者相互远离的第二状态；
9.第二导体结构，设置于所述第二本体；及
10.近场通信芯片，设置于所述第一本体或所述第二本体，所述近场通信芯片用于提供差分激励电流；其中，
11.在所述第一状态下，所述近场通信芯片与所述第一导体结构、所述第二导体结构中的至少一个电连接并传输所述差分激励电流；
12.在所述第二状态下，所述近场通信芯片与所述第二导体结构、所述第一导体结构中的至少一个电连接并传输所述差分激励电流，所述近场通信芯片在所述第二状态和所述第一状态下电连接的导体结构不同。
13.第二方面，本技术实施例提供了一种控制方法，应用于电子设备，所述电子设备包括第一本体、第二本体、第一导体结构、第二导体结构和近场通信芯片，所述第一导体结构设置于所述第一本体，所述第二导体结构设置于所述第二本体，所述第二本体可相对所述第一本体运动，以使所述第二本体可与所述第一本体处于相互靠近的第一状态或者相互远离的第二状态；所述控制方法包括：
14.确定所述第一本体和所述第二本体的当前状态，所述当前状态为所述第一状态或所述第二状态；
15.在所述第一状态下，控制所述近场通信芯片与所述第一导体结构、所述第二导体结构中的至少一个电连接并传输所述差分激励电流；
16.在所述第二状态下，控制所述近场通信芯片与所述第二导体结构、所述第一导体结构中的至少一个电连接并传输所述差分激励电流，所述近场通信芯片在所述第二状态和所述第一状态下电连接的导体结构不同。
17.本技术的电子设备及控制方法，电子设备的第一导体结构设置于第一本体，第二导体结构设置于第二本体，当第一本体和第二本体处于相互靠近的第一状态时，近场通信芯片可以在第一导体结构、第二导体结构中选择合适的导体结构并与之电连接以传输差分激励电流；当第一本体和第二本体处于相互远离的第二状态时，近场通信芯片可以在第一导体结构、第二导体结构中选择不同的导体结构并与之电连接以传输差分激励电流；从而，近场通信芯片可以在电子设备的不同形态下选择不同的导体结构支持nfc信号的传输，电子设备的nfc天线更能适应其形态的变化，电子设备对通信环境的适应性更强。
附图说明
18.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本技术实施例提供的电子设备的第一种结构示意图。
20.图2为图1所示的电子设备的另一形态的结构示意图。
21.图3为图2所示的电子设备的又一形态的结构示意图。
22.图4为本技术实施例提供的电子设备的第二种结构示意图。
23.图5为图4所示的电子设备的另一形态的结构示意图。
24.图6为图4所示的电子设备的第一种电路结构示意图。
25.图7为图4所示的电子设备的第二种电路结构示意图。
26.图8为图4所示的电子设备的第三种电路结构示意图。
27.图9为本技术实施例提供的电子设备的第三种结构示意图。
28.图10为图9所示的电子设备的另一形态的结构示意图。
29.图11为图9所示的电子设备的第一种电路结构示意图。
30.图12为图9所示的电子设备的第二种电路结构示意图。
31.图13为图9所示的电子设备的第三种电路结构示意图。
32.图14为图9所示的电子设备的第四种电路结构示意图。
33.图15为图14所示的电子设备的第一种电连接示意图。
34.图16为图14所示的电子设备的第二种电连接示意图。
35.图17为图14所示的电子设备10的第三种电连接示意图
36.图18为图9所示的电子设备处于第一状态时的第一种电连接示意图。
37.图19为图9所示的电子设备处于第二状态时的第一种电连接示意图。
38.图20为图9所示的电子设备处于第二状态时的第二种电连接示意图。
39.图21为图9所示的电子设备处于第一状态时的第二种电连接示意图。
40.图22为本技术实施例提供的电子设备的第四种结构示意图。
41.图23为本技术实施例提供的控制方法的第一种流程示意图。
42.图24为本技术实施例提供的控制方法的第二种流程示意图。
43.图25为本技术实施例提供的控制方法的第三种流程示意图。
具体实施方式
44.下面将结合本技术实施例中的附图1至附图25，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
45.本技术实施例提供了一种电子设备10及控制方法。该控制方法可以应用于电子设备10中，也即该控制方法的执行主体可以本技术实施例提供的电子设备10。其中，请参阅图1，图1为本技术实施例提供的电子设备10的第一种结构示意图。电子设备诸如图1的电子设备10可为计算设备诸如膝上型计算机、包含嵌入式计算机的计算机监视器、平板电脑、蜂窝电话、媒体播放器、或其他手持式或便携式电子设备、较小的设备(诸如腕表设备、挂式设备、耳机或听筒设备、被嵌入在眼镜中的设备或者佩戴在用户的头部上的其他设备，或其他可佩戴式或微型设备)、电视机、不包含嵌入式计算机的计算机显示器、游戏设备、导航设备、嵌入式系统(诸如其中具有显示器的电子设备被安装在信息亭或汽车中的系统)、实现这些设备中的两个或更多个设备的功能的设备、或其他电子设备。在图1的示例性配置中，电子设备10是便携式设备，诸如蜂窝电话、媒体播放器、平板电脑、或者其他便携式计算设备。如果需要，其他配置可用于电子设备10。图1的示例仅是示例性的。
46.如图1所示，电子设备10可以包括第一本体100和第二本体200，第二本体200可以相对第一本体100运动，第二本体200可相对第一本体100相互靠近而使得第一本体100与第二本体200处于第一状态，第二本体200也可相对第一本体100相互远离而使得第一本体100与第二本体200处于第二状态。电子设备10还可以包括柔性屏组件300。柔性屏组件300的一端可以与第一本体100固定连接，柔性屏组件300的另一端可以与第二本体200固定连接，比如柔性屏组件300可以直接与第一本体100或第二本体200固定连接，柔性屏组件300也可以但不限于通过连接件(诸如传动带、传动齿条)与第一本体100或第二本体200固定连接。
47.可以理解的是，第一本体100、第二本体200可为电子设备10中的电子器件提供支撑作用，以将电子设备10中的电子器件安装到一起。例如，第一本体100和第二本体200可以对柔性屏组件300起到支撑作用。再例如电子设备10中的摄像头、受话器、电路板、电源等电子器件都可以安装到第一本体100、第二本体200上进行固定。
48.第一本体100、第二本体200可以包括中空的框体结构，也可以包括薄板状或薄片状的结构，例如，第一本体100和第二本体200可以包括类似框体、抽屉或者梳齿的结构。可以理解的是，第一本体100、第二本体200上可以但不限于设置有转轴等折叠式的结构、滑轨、滑道等抽拉式或滑动式的结构，以使得第一本体100、第二本体200可以进行折叠转动、滑动、抽拉等操作而实现第一本体100、第二本体200的相对运动。这些折叠式、抽拉式或滑动式的结构可以参见相关技术的说明，在此不进行详述。
49.其中，第一本体100和第二本体200可以在彼此靠近或彼此远离的方向上相对运动，第一本体100和第二本体200在相互运动过程中可以带动全部的或者部分的柔性屏组件300一起运动(例如，当第一本体100和第二本体200均可以运动时，此时全部的柔性屏组件
300可以随第一本体100、第二本体200的相互运动而运动；当第一本体100、第二本体200中的一个本体运动而另一个本体不运动时，此时部分的柔性屏组件300可以随固定不动的本体而固定不动、另一部分柔性屏组件300可以随运动的本体而运动)。柔性屏组件300可以随第一本体100、第二本体200的运动而展开或收缩，以使得第一本体100与第二本体200在相互靠近的第一状态与相互远离的第二状态之间切换时，柔性屏组件300可以展开状态、中间状态和收缩状态中任意切换。
50.如图1所示，当第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，柔性屏组件300可处于收缩状态。示例性的，电子设备10可以包括相背的第一侧和第二侧，其中第一侧可以为电子设备10的正面，第二侧可以为电子设备10的背面，当柔性屏组件300处于收缩状态时，柔性屏组件300的一部分可以位于电子设备10的第一侧，柔性屏组件300的一部分可以位于电子设备10的第二侧。
51.请结合图1并请参阅图2，图2为图1所示的电子设备10的另一形态的结构示意图。当第一本体100和第二本体200在彼此远离的方向上相对运动、并从第一状态向第二状态过渡时，柔性屏组件300可处于中间状态而使得柔性屏组件300可以同时裸露在电子设备10的第一侧和第二侧。
52.请结合图1并请参阅图3，图3为图2所示的电子设备10的又一形态的结构示意图。当第一本体100和第二本体200在彼此远离的方向上相对运动并处于相互远离的第二状态时，柔性屏组件300可全部均裸露到电子设备10的第一侧，柔性屏组件300可处于展开状态。
53.需要说明的是，本技术实施例中第一本体100和第二本体200的第一状态可以与上述柔性屏组件300的收缩状态为同一状态，也可与上述柔性屏组件300的中间状态为同一状态；同理，第一本体100和第二本体200的第二状态可以与上述柔性屏组件300的展开状态为同一状态，也可为上述柔性屏组件300的中间状态；凡是满足第一状态下第一本体100和第二本体200之间的距离小于第二状态下第一本体100和第二本体200之间的距离的方案均在本技术实施例的保护范围内。
54.需要理解的是，在本技术的描述中，诸如“第一”、“第二”等术语仅用于区分类似的对象，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
55.基于上述电子设备10的结构，请结合图1至图3并请参考图4和图5，图4为本技术实施例提供的电子设备10的第二种结构示意图，图5为图4所示的电子设备10的另一形态的结构示意图。电子设备10还可以包括近场通信芯片400、第一导体结构500和第二导体结构600。
56.其中，第一导体结构500可以设置于第一本体100，第一本体100可以承载第一导体结构500。第二导体结构600可以设置于第二本体200，第二本体200可以承载于第二导体结构600。当第一本体100和第二本体200相对运动时，第一导体结构500可随第一本体100、第二导体结构600可随第二本体200相对运动。
57.可以理解的是，第一本体100可与第二本体200相对运动，既可以是第一本体100固定不动而第二本体200可相对第一本体100靠近或远离运动，也可以是第二本体200固定不动而第一本体100可相对第二本体200靠近或远离运动，还可以是第一本体100和第二本体200均可以运动而实现二者的相互靠近或者远离运动。本技术实施例对第一本体100和第二本体200的具体运动方式不进行限定。
58.其中，近场通信芯片400可以与第一导体结构500或者第二导体结构600设置于同一本体上，例如，如图4和图5所示，近场通信芯片400可以与第一导体结构500一起设置于同一第一本体100，第一本体100可以同时承载第一导体结构500和近场通信芯片400。当然，在其他的实施例中，近场通信芯片400还可以与第二导体结构600一起设置于同一第二本体200，第二本体200可以同时承载第二导体结构600和近场通信芯片400。
59.近场通信芯片400可以提供差分激励电流。近场通信芯片400可以根据电子设备10的当前状态选择与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个(一个或两个)直接或间接电连接，以使得第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个可以传输差分激励电流。
60.可以理解的是，差分激励电流包括两个电流信号，这两个电流信号的振幅相同，并且相位相反，或者理解为两个电流信号的相位相差180度。此外，差分激励电流为平衡信号。可以理解的，模拟信号在传输过程中，如果被直接传送就是非平衡信号；如果把原始的模拟信号反相，然后同时传送反相的模拟信号和原始的模拟信号，反相的模拟信号和原始的模拟信号就叫做平衡信号。平衡信号在传送过程中经过差动放大器，原始的模拟信号和反相的模拟信号相减，得到加强的原始模拟信号，由于在传送过程中，两条传送线路受到相同的干扰，在相减的过程中，减掉了相同的干扰信号，因此平衡信号的抗干扰性能更好。
61.请结合图4、图5并请参考图6至图8，图6为图4所示的电子设备10的第一种电路结构示意图，图7为图4所示的电子设备10的第二种电路结构示意图，图8为图4所示的电子设备10的第三种电路结构示意图。近场通信芯片400可以包括第一差分信号端410和第二差分信号端420。例如，第一差分信号端410可以为近场通信芯片400的正( )端口，第二差分信号端420可以为近场通信芯片400的负(-)端口。第一差分信号端410和第二差分信号端420可以提供差分激励电流。近场通信芯片400提供的差分激励电流可以经由第一差分信号端410输出到导体结构(例如第一导体结构500、第二导体结构600以及后文的第三导体结构700)中，并经由第二差分信号端420回流到近场通信芯片400中，从而形成导电回路。
62.第一导体结构500可以包括间隔设置的第一电连接点510和第二电连接点520。如图6所示，第一电连接点510可以直接或间接与近场通信芯片400的一个差分信号端例如第二差分信号端420电连接，第二电连接点520可以直接或间接与近场通信芯片400的另一个差分信号端例如第一差分信号端410电连接，从而近场通信芯片400可与第一导体结构500电连接并通过第一导体结构500传输差分激励电流以实现nfc功能。
63.第二导体结构600可以包括间隔设置的第三电连接点610和第四电连接点620。如图7所示，第三电连接点610可以直接或间接与近场通信芯片400的一个差分信号端例如第二差分信号端420电连接，第四电连接点620可以直接或间接与近场通信芯片400的另一个差分信号端例如第一差分信号端410电连接，从而近场通信芯片400可与第二导体结构600电连接并通过第二导体结构600传输差分激励电流以实现nfc功能。
64.近场通信芯片400还可以同时与第一导体结构500和第二导体结构600直接或间接电连接。如图8所示，第一导体结构500的第二电连接点520可以直接或间接与近场通信芯片400的一个差分信号端例如第一差分信号端410电连接，第一导体结构500的第一电连接点510可以直接或间接与第二导体结构600的第四电连接点620电连接，第二导体结构的第三电连接点610可以直接或间接与近场通信芯片400的另一个差分信号端例如第二差分信号
端420电连接，从而近场通信芯片400可与第一导体结构500、第二导体结构600电连接并共同传输差分激励电流以实现nfc功能。
65.当第一本体100和第二本体200处于第一状态下，近场通信芯片400可与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个(一个或两个)电连接并传输差分激励电流；当第一本体100和第二本体200处于第二状态下，近场通信芯片400可与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个电连接并传输差分激励电流，并且，近场通信芯片400在第二状态和第一状态下电连接的导体结构不同。可以理解的是，导体结构不同，既可以包括两种状态下近场通信芯片400电连接的导体结构的数量不同，也可以是指两种状态下近场通信芯片400电连接的导体结构的数量相同但电连接的导体结构不同。例如，在某一状态下，近场通信芯片400可与一个导体结构电连接，在另一状态下，近场通信芯片400可与两个导体结构电连接；再例如，在某一状态下，近场通信芯片400可与一个导体结构电连接，在另一状态下，近场通信芯片400可与另一导体结构电连接。
66.示例性的，如图4所示，当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互靠近；此时，如图7所示，近场通信芯片400可以与第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流。如图5所示，当第一本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互远离；此时，如图6所示，近场通信芯片400可以与第一导体结构500直接或间接电连接并传输差分激励电流，从而，第一状态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
67.再示例性的，如图4所示，当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互靠近；此时，如图6所示，近场通信芯片400可以与第一导体结构500直接或间接电连接并传输差分激励电流。如图5所示，当第一本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互远离；此时，如图7所示，近场通信芯片400可以与第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流，从而，第一状态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
68.又示例性的，如图4所示，当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互靠近；此时，如图6或图7所示，近场通信芯片400可以与第一导体结构500或第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流。如图5所示，当第一本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互远离；此时，如图8所示，近场通信芯片400可以与第一导体结构500和第二导体结构600直接或间接电连接并共同传输差分激励电流，从而，第一状态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
69.还示例性的，如图4所示，当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互靠近；此时，如图8所示，近场通信芯片400可以与第一导体结构500和第二导体结构600直接或间接电连接并共同传输差分激励电流。如图5所示，当第一本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，第一导体结构500与第二导体结构600也可相互远离；此时，如图6或图7所示，近场通信芯片400可以与第一导体结构500或第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流，从而，第一状
态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
70.可以理解的是，以上附图仅为近场通信芯片400设置于第一本体100为例对本技术实施例进行的说明。需要说明的是，近场通信芯片400也可以设置于第二本体200，第二本体200也可以承载近场通信芯片400。此时，近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600的电连接方式、以及近场通信芯片400在第一状态及第二状态下选择电连接的导体结构的方式均可以参见前述的说明，在此不进行详述。
71.本技术实施例的电子设备10，第一导体结构500设置于第一本体100，第二导体结构600设置于第二本体200，当第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，近场通信芯片400可以在第一导体结构500和第二导体结构600中选择合适的导体结构并与之电连接以传输差分激励电流；当第一本体100和第二本体200处于相互远离的第二状态时，近场通信芯片400可以在第一导体结构500、第二导体结构600中选择不同的导体结构并与之电连接以传输差分激励电流；从而，近场通信芯片400可以在电子设备10的不同形态下选择不同的导体结构支持nfc信号的传输，电子设备10的nfc天线更能适应其形态的变化，电子设备10对通信环境的适应性更强。
72.其中，请参考图9和图10，图9为本技术实施例提供的电子设备10的第三种结构示意图，图10为图9所示的电子设备10的另一形态的结构示意图。电子设备10还可以包括第三导体结构700。
73.第三导体结构700可以设置于第一本体100或者第二本体200。例如，图9和图10中第三导体结构700可以设置于第一本体100，第一本体100可以承载于第三导体结构700，第三导体结构700可以与第一导体结构500设置于同一本体(第一本体100)上。当然，第三导体结构700也可以设置于第二本体200，第二本体200可以承载第三导体结构700，第三导体结构700可以与第二导体结构600设置于同一本体(第二本体200)上。
74.请结合图9、图10并请参考图11至图13，图11为图9所示的电子设备10的第一种电路结构示意图，图12为图9所示的电子设备10的第二种电路结构示意图，图13为图9所示的电子设备10的第三种电路结构示意图。第三导体结构700可以与近场通信芯片400直接或间接电连接，第三导体结构700还可以与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个电连接，以与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个共同传输差分激励电流。
75.例如，如图11和图12所示，第三导体结构700可以包括间隔设置的第五电连接点710和第六电连接点720，该第五电连接点710可以直接或间接与近场通信芯片400的一个差分信号端例如第一差分信号端410电连接，该第六电连接点720可以直接或间接与第一导体结构500(第二电连接点520)或第二导体结构600(第四电连接点620)电连接，第三导体结构700可以与第一导体结构500或第二导体结构600共同传输差分激励电流。
76.再例如，如图13所示，第三导体结构700的第五电连接点710可以直接或间接与近场通信芯片400的一个差分信号端例如第一差分信号端410电连接，第三导体结构700的第六电连接点720可以直接或间接与第二导体结构600的第四电连接点620电连接(也可与第一导体结构500的第二电连接点520电连接，后续电连接关系可随之调整)，第二导体结构600的第三电连接点610可与第一导体结构500的第二电连接点520电连接，第一导体结构500的第一电连接点510可与近场通信芯片400的另一个差分信号端例如第二差分信号端420电连接，从而，第三导体结构700可以与第一导体结构500和第二导体结构600共同传输
差分激励电流。
77.可以理解的是，第三导体结构700可以是线圈结构，例如可为nfc线圈，此时，一方面，nfc线圈占据的空间也较小；另一方面，第三导体结构700传输激励电流的路径可以较长，可以提升第三导体结构700支持nfc信号的感应面积。
78.可以理解的是，第三导体结构700可以是第一本体100、第二本体200上的辐射枝节结构。第一本体100、第二本体200上的导体结构可以通过开缝隙或者其他形式形成辐射枝节结构并可以作为本技术实施例的第三导体结构700。此时，第三导体结构700可以复用第一本体100、第二本体200上原有的部件，第三导体结构700可实现复用。
79.需要说明的是，以上仅为本技术实施例的第三导体结构700的示例性举例，第三导体结构700还可以但不限于为贴片天线结构、pcb板天线结构等形式，本技术实施例对此不进行限定。
80.需要说明的是，第一导体结构500、第二导体结构600也可如第三导体结构700一样例如但不限于为线圈结构、辐射枝节结构、贴片天线结构、pcb板天线结构等。第一导体结构500、第二导体结构600、第三导体结构700中的一个、两个或三个导体结构的形式可以相同或者不同。本技术实施例对三个导体结构的具体形式不进行限定。
81.本技术实施例的第三导体结构700可与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个共同传输差分激励电流，差分激励电流的传输路径较长，nfc信号的感应面积更大。
82.其中，第三导体结构700可以设置于第一状态下第一本体100未被第二本体200遮挡的区域或者第二本体200未被第一本体100遮挡的区域。例如，如图4、图5、图9和图10所示，第一本体100上可以设有第一区域110，当第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，该第一区域110位于第二本体200在第一本体100上的投影区域之外，第一区域110未被第二本体200遮挡，此时，第三导体结构700可以设置于该第一区域110。
83.当然，若当第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，第二本体200上存在未被第一本体100遮挡的第二区域210，该第二区域210可以位于第一本体100在第二本体200的投影区域之外，此时，第三导体结构700也可以设置于该第二区域210。
84.可以理解的是，该第一区域110和第二区域210可以是第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态下未被对方遮挡的区域。实际生产中，该第一区域110、第二区域210可以但不限于是电子设备10上与转轴、齿轮、轨道等结构对应的区域。
85.本技术实施例的电子设备10，第三导体结构700设置于第一本体100和第二本体200相互靠近时未被对方遮挡的区域，无论第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态还是相互远离的第二状态，电子设备10的形态改变对第三导体结构700的天线环境的影响较小，第三导体结构700传输差分激励电流的性能较稳定；并且，当第三导体结构700与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个共同传输nfc信号时，第一导体结构500、第二导体结构600可以扩大nfc信号的感应面积，使得电子设备10在较大区域范围内都可以感应nfc信号，提升电子设备10nfc信号的感应能力。
86.其中，请再次参考图9、图10并请参考图14，图14为图9所示的电子设备10的第四种电路结构示意图。电子设备10还可以包括地系统800。
87.地系统800可以是电子设备10上电势为零的结构或者区域。第一导体结构500、第
二导体结构600、第三导体结构700可以与地系统800直接或间接电连接。例如，地系统800上可以包括间隔设置的第一接地点810、第二接地点820和第三接地点830，该第一接地点810和第三接地点830之间可以形成第一导电路径840，第二接地点820与第三接地点830之间形成第二导电路径850。第一导体结构500的第二电连接点520可以与第一接地点810直接或间接电连接，第二导体结构600的第四电连接点620可以与第二接地点820直接或间接电连接，第三导体结构700的第六电连接点720可以与第三接地点830电连接。
88.结合图14并请参考图15，图15为图14所示的电子设备10的第一种电连接示意图，当近场通信芯片400的第二差分信号端420与第一导体结构500的第一电连接点510直接或间接电连接时，例如第二差分信号端420通过第一导通路径m1与第一电连接点510电连接时，第三导体结构700、第一导电路径840和第一导体结构500可以共同形成供差分激励电流传输的第一导电回路s1。
89.结合图14并请参考图16，图16为图14所示的电子设备10的第二种电连接示意图，当近场通信芯片400的第二差分信号端420与第二导体结构600的第三电连接点610直接或间接电连接时，例如第二差分信号端420通过第二导通路径m2与第三电连接点610电连接时，第三导体结构700、第二导电路径850和第二导体结构600可以共同形成供差分激励电流传输的第二导电回路s2。
90.结合图14并请参考图17，图17为图14所示的电子设备10的第三种电连接示意图，当第一导体结构500和第二导体结构600相互串联时(此时其中一个导体结构可与地系统800断开电连接)，近场通信芯片400的第二差分信号端420可与串联后的第一导体结构500和第二导体结构600直接或间接电连接，第三导体结构700、地系统800、第二导体结构600和第一导体结构500可以共同形成供差分激励电流传输的第三导电回路s3。例如第二差分信号端420通过第一导通路径m1与第一导体结构500的第一电连接点510电连接时，第三导体结构700、第二导电路径850、第二导体结构600和第一导体结构500可以共同形成供差分激励电流传输的第三导电回路s3。需要说明的是，本技术实施例中第二差分信号端420也可通过第二导通路径m2与第二导体结构600的第三电连接点610电连接，以使得第三导体结构700、第一导电路径840、第一导体结构500和第二导体结构600也可以共同形成供差分激励电流传输的第三导电回路s3。
91.可以理解的是，地系统800可以设置于第一本体100、第二本体200中的至少一个。例如电子设备10的第一本体100和第二本体200上均设置有地系统800，两个本体上的地系统800可以电连接成整体，此时，第一导体结构500可以与第一本体100上的地系统800区域电连接，第二导体结构600可以与第二本体200上的地系统800区域电连接，第三导体结构700可以与第一本体100或者第二本体200上的地系统800区域电连接。
92.可以理解的是，地系统800所在的平面与第一导体结构500、第二导体结构600或第三导体结构700所在的平面可以共面或者存在高度差。例如，第一导体结构500、第二导体结构600、第三导体结构700可以但不限于设置于第一本体100、第二本体200的壳体区域，地系统800可以设置于第一本体100、第二本体200的主板区域，以使得导体结构与地系统800之间存在高度差，此时，第一导电回路s1、第二导电回路s2、第三导电回路s3具有沿电子设备10厚度方向的路径，nfc感应区域在电子设备10正面和背面的感应灵敏度相差不大，用户可以在电子设备10的正面或背面均可以进行nfc感应功能，电子设备10的nfc性能更优。
93.本技术实施例的电子设备10，第一导体结构500、第二导体结构600、第三导体结构700可以与地系统800电连接，电子设备10可以通过地系统800上的第一导电路径840、第二导电路径850传输差分激励电流，从而差分激励电流的传输路径更长，nfc信号的感应面积更大。
94.其中，如图14至图17所示，电子设备10还可以包括切换电路900，该切换电路900可以分别与近场通信芯片400、第一导体结构500、第二导体结构600直接或间接电连接，切换电路900可以导通近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个。
95.例如，如图14所示，近场通信芯片400的另一个差分信号例如第二差分信号端420可以与切换电路900的第一端口a电连接，切换电路900的第二端口b可以与第一导体结构500或者第二导体结构600电连接。如图15所示，当切换电路900的第二端口b与第一导体结构500导通时，第二端口b可与第一导体结构500之间形成第一导通路径m1，切换电路900可通过第一导通路径m1将第一导体结构500与近场通信芯片400导通。如图16所示，当切换电路900的第二端口b与第二导体结构600导通时，第二端口b可与第二导体结构600之间形成第二导通路径m2，切换电路900可通过第二导通路径m2将第二导体结构600与近场通信芯片400导通。
96.可以理解的是，切换电路900还可以包括可控制第一导体结构500、第二导体结构600与地系统800电连接的第一切换支路(图未示)以及可控制第一导体结构500与第二导体结构600电连接的第二切换支路(图未示)。例如在图17中，第一导体结构500的第二电连接点520与地系统800的第一接地点810中可以设置第一切换支路，该第一切换支路可以控制第一导体结构500与地系统800导通或者断开连接；第一导体结构500的第二电连接点520与第二导体结构600的第三电连接点610之间可设置第二切换支路，该第二切换支路可以控制第一导体结构500和第二导体结构600电连接。需要说明的是，以上仅为切换电路900的示例性举例，本技术实施例的切换电路900的结构并不局限于，本技术实施例对此不进行限定。
97.可以理解的是，切换电路900可以设置于第一本体100或者设置于第二本体200。切换电路900可以与近场通信芯片400设置于同一本体上，例如但不限于切换电路900集成于近场通信芯片400。当然，切换电路900也可以与近场通信芯片400设置于不同的本体上，例如电子设备10的主板设置于第一本体100，近场通信芯片400设置于第二本体200上，切换电路900设置于主板上。本技术实施例对切换电路900的具体设置位置不进行限定。
98.可以理解的是，该切换电路900可以包括一个或多个切换开关，例如切换电路900可以包括单刀双掷开关，通过单刀双掷开关的多个触点之间的导通与断开可以形成第一导通路径m1或者第二导通路径m2，或者使得其他部件之间导通或断开连接。
99.可以理解的是，该切换电路900也可以是阻通电路。该阻通电路的多个端部可分别与近场通信芯片400、第一导体结构500、第二导体结构600电连接，电子设备10可以对阻通电路的参数进行调整，使得不同状态下近场通信芯片400、第一导体结构500、第二导体结构600、第三导体结构700、地系统800之间导通或者断开连接，以形成电子设备10所需的电连接关系。例如，某一状态下，该阻通电路可以将近场通信芯片400与第一导体结构500导通并形成第一导通路径m1、而断开近场通信芯片400与第一导体结构500的连接；另一状态下，该阻通电路可以将近场通信芯片400与第二导体结构600导通并形成第二导通路径m2、而断开近场通信芯片400与第二导体结构600的连接。
100.可以理解的是，该阻通电路可以包括一个或多个电阻、电容、电感等电子器件，本技术实施例对阻通电路的结构不进行限定。
101.需要说明的是，以上仅为本技术实施例的切换电路900的示例性说明，本技术实施例的切换电路900的具体结构并不局限于此，其他可实现将近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个导通或断开连接的结构均在本技术实施例的保护范围内。
102.本技术实施例的电子设备10通过切换电路900分别导通近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600，既可以简化近场通信芯片400与多个导体结构之间的走线布局，也可以简化近场通信芯片400与多个导体结构之间的切换控制。
103.其中，近场通信芯片400(或者切换电路900)可以通过柔性连接件与第一导体结构500、第二导体结构600电连接，以适应第一本体100和第二本体200的相对运动。例如，当近场通信芯片400(或者切换电路900)与第一导体结构500设置于同一本体而与第二导体结构600设置于不同的本体时，近场通信芯片400(或者切换电路900)可以通过柔性连接件与第二导体结构600电连接，近场通信芯片400(或者切换电路900)可以通过柔性连接件或者非柔性连接件与第一导体结构500电连接。反之，近场通信芯片400(或者切换电路900)可以通过柔性连接件与第一导体结构500电连接而通过柔性连接件或者非柔性连接件与第二导体结构600电连接。其中，柔性连接件可以但不限于为fpc连接件。
104.其中，近场通信芯片400(或者切换电路900)也可以通过触点相接触连接而实现电连接的方式与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个电连接，以适应第一本体100和第二本体200的相对运动。例如，第一本体100上设有与第一导体结构500电连接的第一电触点，第二本体200上设有与第二导体结构600电连接的第二电触点，近场通信芯片400(或者切换电路900)上设有第三电触点；当第一本体100和第二本体200相互靠近处于第一状态时，第三电触点可断开与第一电触点的电连接，第二电触点可与第三电触点靠近并接触连接而实现电连接，从而近场通信芯片400(或者切换电路900)可通过第二电触点与第三电触点的连接实现与第二导体结构600的电连接；当第一本体100和第二本体200相互远离并处于第二状态时，第三电触点可恢复与第一电触点的电连接而实现与第一导体结构500的电连接。
105.需要说明的是，以上仅为本技术实施例的近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600电连接的示例性举例，其他可适应第一本体100和第二本体200运动的电连接方式也可用于本技术实施例，本技术实施例对此不进行具体的限定。
106.需要说明的是，近场通信芯片400、第一导体结构500、第二导体结构600与第三导体结构700之间的电连接方式，也可以但不限于柔性连接件或者电触点接触的方式。本技术实施例对此也不进行具体的限定。
107.基于上述电子设备10的结构，请结合图9并请参考图18，图18为图9所示的电子设备10处于第一状态时的第一种电连接示意图。当第一本体100和第二本体200相互靠近处于第一状态时，至少部分第一导体结构500可与第二本体200重叠，至少部分第一导体结构500在第二本体200上的投影可被第二本体200遮挡；至少部分第二导体结构600可不与第一本体100重叠，至少部分第二导体结构600在第一本体100上的投影可以位于第一本体100之外。此时，近场通信芯片400可与第二导体结构600电连接并传输差分激励电流，例如，近场
通信芯片400可与第二导体结构600、第三导体结构700、地系统800共同形成第二导电回路s2并共同传输差分激励电流。
108.可以理解的是，当第一本体100和第二本体200相互靠近时，第二本体200可以位于第一本体100的远离电子设备10的显示面(柔性显示屏)的一侧，例如第二本体200和第一本体100为可转动翻折结构；第二本体200也可以位于第一本体100的空腔内，例如第二本体200和第一本体100为可滑动或抽拉的抽屉、梳齿结构；此时，第二本体200可以遮挡至少部分第一本体100，位于第一本体100上的第一导体结构500受到第二本体200的遮挡影响而使其nfc性能下降；同时，第二本体200也可以增加第一导体结构500与电子设备10背面之间的距离或者可以增加第一导体结构500与电子设备10显示面之间的距离，使得用户在电子设备10正面和背面通过第一导体结构500感应nfc信号的灵敏度不同，用户有可能在某一面上不能感应nfc信号，从而位于第一本体100上的第一导体结构500受到第二本体200的厚度影响而使其nfc性能下降。而位于第二本体200上的第二导体结构600相较于第一导体结构500的nfc性能更优，近场通信芯片400与性能更优的第二导体结构600电连接并传输差分激励电流，电子设备10的nfc性能更优。
109.可以理解的是，第一导体结构500和第二导体结构600可以设置于电子设备10的边框上，例如，第一本体100包括第一边框120，第一导体结构500可以相对于第一边框120的顶部边框设置；第二本体200包括第二边框220，第二导体结构600可以相对于第二边框220的顶部边框设置，一方面，第一导体结构500、第二导体结构600更靠近外部自由空间，其作为nfc信号辐射枝节的性能更优；另一方面，当第一本体100和第二本体200相互靠近时，第一导体结构500、第二导体结构600中更容易形成某一导体结构未被遮挡的状态，电子设备10的设计更简单。
110.可以理解的是，请结合图18并请参考图19，图19为图9所示的电子设备10处于第二状态时的第一种电连接示意图。当第一本体100和第二本体200相互远离处于第二状态，第一导体结构500和第二导体结构600相互远离，此时，近场通信芯片400可与第一导体结构500电连接并传输差分激励电流。
111.可以理解的是，近场通信芯片400可以与第一导体结构500一起设置于第一本体100，如图19所示，当第一本体100和第二本体200处于相互远离的第二状态时，近场通信芯片400与第一导体结构500电连接，近场通信芯片400与第一导体结构500的电连接走线不需要跨越不同本体，二者之间的电连接布局更简单。当然，近场通信芯片400也可以与第二导体结构600一起设置于第二本体200，此时，当第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，近场通信芯片400与第二导体结构600的电连接走线也不需要跨越不同本体，二者之间的电连接布局也更简单。
112.需要说明的是，第一状态下，近场通信芯片400可如图18所示与第三导体结构700、第二导体结构600电连接并传输差分激励电流；此时，第二状态下，近场通信芯片400既可以如图19所示与第三导体结构700、第一导体结构500电连接并传输差分激励电流，近场通信芯片400还可以同时与第三导体结构700、第一导体结构500、第二导体结构600电连接并传输差分激励电流。本技术实施例对第二状态下的电连接关系不进行限定。
113.本技术实施例的电子设备10，近场通信芯片400在第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，选择未被第一本体100遮挡的第二导体结构600共同传输差分激
励电流，可以保证电子设备10具有较优的nfc性能。
114.基于上述电子设备10的结构，请结合图14并请参考图20，图20为图9所示的电子设备10处于第二状态时的第二种电连接示意图。当第一本体100和第二本体200相互远离处于第二状态，近场通信芯片400可与第一导体结构500、第二导体结构600相互串联并共同传输差分激励电流。
115.可以理解的是，第一导体结构500可以相对第一边框120的顶部边框设置、第二导体结构600可以相对第二边框220的顶部边框设置，第三导体结构700可设置于第一本体100，当第一本体100和第二本体200相互远离处于第二状态时，第一导体结构500的末端与第二导体结构600的首端之间的距离较近；此时，近场通信芯片400的第二差分信号端420(或者切换电路900)可与第一导体结构500的第一电连接点510电连接，第一导体结构500的第二电连接点520可断开与地系统800的电连接而与第二导体结构600的第三电连接点610电连接，第二导体结构600的第四电连接点620可与地系统800的第二接地点820电连接，地系统800的第三接地点830可与第三导体结构700的第六电连接点720电连接，第三导体结构700的第五电连接点710可与近场通信芯片400的第一差分信号端410电连接，从而，近场通信芯片400、第三导体结构700、地系统800、第二导体结构600和第一导体结构500可以形成第三导电回路s3，以共同传输差分激励电流。
116.可以理解的是，当第一本体100和第二本体200相互远离处于第二状态时，第一导体结构500的末端与第二导体结构600的首端的距离较近，第一本体100靠近第二本体200的边框(例如第一本体100的右部边框)与第二本体200靠近第一本体100的边框(例如第二本体200的左部边框)也较近，此时，可以在第一本体100的右部边框或者第二本体200的左部边框设置电连接区域，第一导体结构500、第二导体结构600均可与该电连接区域电连接，从而实现第一导体结构500与第二导体结构600的电连接。当然，第一本体100和第二本体200也可以通过其他的方式实现电连接，例如但不限于通过柔性连接件实现电连接，本技术实施例对此不进行限定。
117.可以理解的是，请结合图18、图20并请参考图21，图21为图9所示的电子设备10处于第一状态时的第二种电连接示意图。当第一本体100和第二本体200相互靠近处于第一状态时，近场通信芯片400可与第一导体结构500或第二导体结构600电连接并传输差分激励电流，例如，近场通信芯片400可与第一导体结构500、第三导体结构700、地系统800共同形成第一导电回路s1并共同传输差分激励电流；近场通信芯片400也可与第二导体结构600、第三导体结构700、地系统800共同形成第二导电回路s2并共同传输差分激励电流。
118.可以理解的是，当第三导体结构700设置于第二本体200时，通过调节几个导体结构和近场通信芯片400的相对位置，也可以形成上述第三导电回路s3，具体的电连接方式在此不进行详述。
119.需要说明的是，图18至图21仅为电子设备10处于第一状态、第二状态的电连接方式的示例性说明，本技术实施例的方案并不局限于。其他可实现本技术发明目的的方案均可以在本技术实施例的保护范围内。
120.本技术实施例的电子设备10，近场通信芯片400在第一本体100和第二本体200处于相互远离的第二状态时，与第一导体结构500和第二导体结构600形成第三导电回路s3并共同传输差分激励电流，该第三导体回路的覆盖范围更广，nfc信号的感应面积更广，可以
保证电子设备10具有较优的nfc性能。
121.基于上述电子设备10的结构，请参考图22，图22为本技术实施例提供的电子设备10的第四种结构示意图。电子设备10还可以包括第一非近场通信芯片1100、第二非近场通信芯片1200中的一个或两个。
122.第一非近场通信芯片1100可以提供第一非近场通信激励电流，第一导体结构500可与第一非近场通信芯片1100直接或间接电连接，以传输第一非近场通信激励电流。例如，第一导体结构500上还可以设置第七电连接点530，第一非近场通信芯片1100可与第七电连接点530电连接，第一非近场通信激励电流可以在第一导体结构500上流动并可通过第二电连接点520回地。
123.第二非近场通信芯片1200可以提供第二非近场通信激励电流，第二导体结构600可与第二非近场通信芯片1200直接或间接电连接，以传输第二非近场通信激励电流。例如，第二导体结构600上还可以设置第八电连接点630，第二非近场通信芯片1200可与第八电连接点630电连接，第二非近场通信激励电流可以在第二导体结构600上流动并可通过第四电连接点620回地。
124.可以理解的是，第一非近场通信激励信号、第二非近场通信激励信号可为非平衡信号。第一非近场通信激励信号、第二非近场通信激励信号可以但不限于为蜂窝网络信号、无线保真(wireless fidelity，wi-fi)信号、全球定位系统(global positioning system，gps)信号、蓝牙(bluetooth，bt)信号等。相应的，第一非近场通信芯片1100、第二非近场通信芯片1200可以但不限于为蜂窝通信芯片、wi-fi通信芯片、gps通信芯片、bt通信芯片等。
125.可以理解的是，第一非近场通信芯片1100、第二非近场通信芯片1200可以是传输相同无线信号的芯片，也可以是传输不同无线信号的芯片，本技术实施例对此不进行限定。
126.需要说明的是，电子设备10还可以包括第三非近场通信芯片(图未示)，该第三非近场通信芯片可以提供第三非近场通信激励电流，第三导体结构700可与第三非近场通信芯片直接或间接电连接，以传输第三非近场通信激励电流。第三非近场通信芯片的相关方案可以参见第一非近场通信芯片1100、第二非近场通信芯片1200的说明，在此不在详述。
127.可以理解的是，当本技术实施例的第一导体结构500、第二导体结构600、第三导体结构700仅支持nfc信号的传输时，三个导体结构可以不与地系统800电连接并不接地；当第一导体结构500、第二导体结构600、第三导体结构700复用为支持非nfc信号的传输时，三个导体结构可以与地系统800电连接并实现接地。可以通过切换电路900或者其他的开关电路控制各个导体结构与地系统800之间的导通与断开连接。本技术实施例在此不进行说明。
128.本技术实施例的第一导体结构500、第二导体结构600既可以传输差分激励电流，也可以传输非近场通信激励电流，第一导体结构500、第二导体结构600可以实现复用，能减少电子设备10传输无线信号的导体结构的数量，实现电子设备10的小型化设计。
129.需要说明的是，以上仅为本技术实施例的电子设备10的示例性举例，电子设备10的结构并不局限于，例如但不限于电子设备10还可以包括电路板、电池。该电路板可以设置于第一本体100、也可以设置于第二本体200；电池可以设置于第一本体100，也可以设置于第二本体200。可以理解的是，电路板、电池的结构可以参见相关技术中的说明，在此不进行详细的说明。
130.需要说明的是，本技术实施例的上述实施例，在不相冲突的前提下可以任意组合，
组合后的方案也在本技术实施例的保护范围内。
131.基于上述电子设备10的结构，本技术实施例还提供一种控制方法，该控制方法可以应用于上述任一实施例的电子设备10中。请参考图23，图23为本技术实施例提供的控制方法的第一种流程示意图，电子设备10包括第一本体100、第二本体200、第一导体结构500、第二导体结构600和近场通信芯片400，第一导体结构500可以设置于第一本体100，第二导体结构600设置于第二本体200，近场通信芯片400可以设置于第一本体100或第二本体200。第二本体200可相对第一本体100运动，以使第二本体200可与第一本体100处于相互靠近的第一状态或者相互远离的第二状态。控制方法包括：
132.在101中，确定第一本体100和第二本体200的当前状态，该当前状态为第一状态和第二状态；
133.如图1至图3所示，第一本体100和第二本体200相对运动可使第一本体100和第二本体200处于不同的状态。电子设备10可以通过对第一本体100、第二本体200的运动参数进行检测，以确定第一本体100和第二本体200的当前状态。
134.例如，电子设备10可以获取电机、马达、齿轮的转动参数，通过转动参数来确定电子设备10的当前状态。再例如，电子设备10可以获取霍尔元件例如圆形磁铁的转动参数来确定电子设备10的当前状态。又例如，可以在第一本体100或者第二本体200上设置多个特征点，每一特征点与第一本体100和第二本体200相对运动的距离相关联，摄像组件采集的包含特征点的图像，通过对图像中识别的特征点的图像确定第一本体100和第二本体200的运动距离从而可以确定出第一本体100和叠本体的当前状态。
135.需要说明的是，以上仅为确定第一本体100、第二本体200当前状态的示例性举例，其他可以确定当前状态的方案均可在本技术实施例的保护范围内。本技术实施例对此不进行具体的限定。
136.在102中，在第一状态下，控制近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个电连接并传输差分激励电流；
137.在103中，在第二状态下，控制近场通信芯片400与第二导体结构600、第一导体结构500中的至少一个电连接并传输差分激励电流，近场通信芯片400在第二状态和第一状态下电连接的导体结构不同。
138.当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，近场通信芯片400可以与第一导体结构500直接或间接电连接并传输差分激励电流。当第一本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，近场通信芯片400可以与第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流，从而，第一状态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
139.当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，近场通信芯片400可以与第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流。当第一本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，近场通信芯片400可以与第一导体结构500直接或间接电连接并传输差分激励电流，从而，第一状态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
140.当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，近场通信芯片400可以与第一导体结构500或第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流。当第一
本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，近场通信芯片400可以与第一导体结构500和第二导体结构600直接或间接电连接并共同传输差分激励电流，从而，第一状态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
141.当第一本体100和第二本体200相互靠近而处于第一状态时，近场通信芯片400可以与第一导体结构500和第二导体结构600直接或间接电连接并共同传输差分激励电流。当第一本体100和第二本体200相互远离而处于第二状态时，近场通信芯片400可以与第一导体结构500或第二导体结构600直接或间接电连接并传输差分激励电流，从而，第一状态和第二状态下，近场通信芯片400电连接的导体结构不同。
142.可以理解的是，当电子设备10包括第三导体结构700时，第三导体结构700可以与近场通信芯片400电连接，以使第三导体结构700与近场通信芯片400、第一导体结构500共同形成第一导电回路s1并传输差分激励电流；第三导体结构700也可与近场通信芯片400、第二导体结构600共同形成第二导电回路s2并传输差分激励电流。当然，第三导体结构700也可以与近场通信芯片400、第一导体结构500、第二导体结构600共同形成第三导电回路s3并传输差分激励电流。
143.本技术实施例的控制方法，当第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，近场通信芯片400可以在第一导体结构500和第二导体结构600中选择一导体结构并与之电连接以传输差分激励电流；当第一本体100和第二本体200处于相互远离的第二状态时，近场通信芯片400可以在第一导体结构500和第二导体结构600中选择另一导体结构并与之电连接以传输差分激励电流；从而，近场通信芯片400可以在电子设备10的不同形态下选择不同的导体结构支持nfc信号的传输，电子设备10的nfc天线更能适应其形态的变化，电子设备10对通信环境的适应性更强。
144.其中，第一状态下，至少部分第二导体结构600在第一本体100上的投影可位于第一本体100之外，第一状态下至少部分第二导体结构600未被遮挡。此时，在第一状态下，控制近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个电连接并传输差分激励电流，包括：在第一状态下，控制近场通信芯片400与第二导体结构600电连接并传输差分激励电流。
145.其中，第一状态下，至少部分第一导体结构500在第二本体200上的投影可位于第二本体200之外，第一状态下至少部分第一导体结构500未被遮挡。此时，在第一状态下，控制近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600中的至少一个电连接并传输差分激励电流，包括：在第一状态下，控制近场通信芯片400与第一导体结构500电连接并传输差分激励电流。
146.其中，在第二状态下，控制近场通信芯片400与第二导体结构600、第一导体结构500中的至少一个电连接并传输差分激励电流，包括：在第二状态下，控制近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600相互串联并传输差分激励电流。
147.基于此，请参考图24，图24为本技术实施例提供的控制方法的第二种流程示意图。至少部分第二导体结构600可在第一本体100上的投影可位于第一本体100之外，第一状态下至少部分第二导体结构600未被遮挡。此时，控制方法包括：
148.在201中，确定第一本体100和第二本体200的当前状态，该当前状态为第一状态或第二状态；
149.在202中，在第一状态下，控制近场通信芯片400与第二导体结构600电连接并传输差分激励电流；
150.在203中，在第二状态下，控制近场通信芯片400与第一导体结构500电连接并传输差分激励电流。
151.本技术实施例的电子设备10，近场通信芯片400在第一本体100和第二本体200处于相互靠近的第一状态时，选择未被第一本体100遮挡的第二导体结构600共同传输差分激励电流，可以保证电子设备10具有较优的nfc性能。
152.请参考图25，图25为本技术实施例提供的控制方法的第三种流程示意图，至少部分第二导体结构600可在第一本体100上的投影可位于第一本体100之外，第一状态下至少部分第二导体结构600未被遮挡。此时，控制方法包括：
153.在301中，确定第一本体100和第二本体200的当前状态，该当前状态未第一状态或第二状态；
154.在302中，在第一状态下，控制近场通信芯片400与第二导体结构600电连接并传输差分激励电流；
155.在303中，在第二状态下，控制近场通信芯片400与第一导体结构500、第二导体结构600相互串联并传输差分激励电流。
156.本技术实施例的控制方法，近场通信芯片400在第一本体100和第二本体200处于相互远离的第二状态时，与第一导体结构500和第二导体结构600形成第三导电回路s3并共同传输差分激励电流，该第三导体回路的覆盖范围更广，nfc信号的感应面积更广，可以保证电子设备10具有较优的nfc性能。
157.需要说明的是，以上仅为本技术实施例的控制方法的示例性说明，上述控制方法的实施例与上述电子设备10的实施例为同一发明构思下的不同主题的实施例，在不冲突的前提下，上述电子设备10的任意实施例均可以应用于上述控制方法的实施例中并进行任意组合，组合后的实施例依然在本技术实施例的保护范围内。
158.以上对本技术实施例提供电子设备及控制方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。同时，对于本领域的技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。