一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法

技术特征：
1.一种具有空腔结构的电子器件，其特征在于，包括器件基体和封盖层，所述器件基体的至少一个表面开设有空腔结构；所述器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。2.根据权利要求1所述的具有空腔结构的电子器件，其特征在于，具有空腔结构的电子器件为硅光芯片或微环调制器。3.根据权利要求1所述的具有空腔结构的电子器件，其特征在于，所述空腔结构的开口尺寸为1～10μm，所述空腔结构的深度为20～100μm。4.根据权利要求1所述的具有空腔结构的电子器件，其特征在于，所述封盖层为氧化硅、氮化硅、聚酰亚胺树脂(pi)、光敏介质材料、干膜或石墨烯中的一种或多种。5.根据权利要求1至4所述的具有空腔结构的电子器件，其特征在于，所述封盖层的厚度大于2μm。6.一种具有空腔结构的电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。7.根据权利要求6所述的具有空腔结构的电子器件的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积或光刻胶侧向堆积形成封盖层。8.根据权利要求7所述的具有空腔结构的电子器件的制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积形成封盖层，包括如下步骤：步骤a：将器件基体传入沉积腔室；步骤b：对沉积腔室中的器件基体进行加热；步骤c：向沉积腔室内通入反应气体；步骤d：反应气体与等离子体反应，形成封盖层。9.根据权利要求7所述的具有空腔结构的电子器件的制备方法，其特征在于，采用光刻胶喷涂形成封盖层，包括如下步骤：步骤a：在器件基体的表面侧向堆积光刻胶；步骤b：对光刻胶进行烘烤和固化，形成封盖层。10.根据权利要求6至9任一项所述的具有空腔结构的电子器件的制备方法，其特征在于，在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口之后，还包括如下步骤：对形成有封盖层的器件基体进行封装工艺。

技术总结
本发明公开了一种具有空腔结构的电子器件及其制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中具有空腔结构的电子器件采用标准的微电子组装技术存在污染或者损坏空腔结构的问题。本发明的电子器件，包括器件基体和封盖层，器件基体的至少一个表面开设有空腔结构，器件基体设有空腔结构的表面覆盖封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的制备方法包括如下步骤：在器件基体设有空腔结构的表面形成封盖层，使得封盖层封盖空腔结构的开口。本发明的电子器件和制备方法能够保证空腔结构的完整性和洁净度，进而能够提高电子器件的整体稳定性。的整体稳定性。的整体稳定性。


技术研发人员：薛海韵 刘丰满 戴凤伟 唐波 杨妍
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2021.05.13
技术公布日：2022/11/15