显示装置及制造显示装置的方法与流程

显示装置及制造显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年5月13日提交的第10-2021-0062120号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的以引用的方式在此并入，就如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
3.本公开涉及显示装置及制造显示装置的方法。


背景技术：

4.近年来，随着对信息显示的兴趣的增加，对显示装置的研究和开发在不断地进行。


技术实现要素：

5.本公开的一方面提供了显示装置，其中可以提高显示装置中的电信号的可靠性，并且其中可以提高发光效率。
6.本公开不限于以上描述的方面，并且本领域技术人员将从以下描述和附图清楚地理解未提及的其它方面。
7.根据本公开的一些实施方式，显示装置包括：基板；第一电极和第二电极，在基板上并且彼此间隔开；发光元件，在第一电极和第二电极之间；第一堤图案和第二堤图案，在显示装置的显示方向上突出，第一接触电极和第二接触电极，将发光元件分别电连接到第一电极和第二电极，第一接触电极包括第一接触透光层；以及第一反射电极，包括第一反射层和第一透光层，第一透光层包括与第一接触透光层相同的材料，第一反射电极的至少一部分在第一堤图案上。
8.第一反射电极可以与第一接触电极间隔开。
9.显示装置还可以包括第二反射电极，第二反射电极的至少一部分在第二堤图案上，并且第二反射电极包括第二透光层和第二反射层。
10.第一透光层可以包括与第二透光层相同的材料，其中，第一反射层包括与第二反射层相同的材料。
11.第一透光层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和氧化铟锡锌(itzo)中的任一种。
12.第一反射层可以包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti和cu中的任一种。
13.第一透光层可以在第一反射层与第一堤图案之间。
14.第一接触透光层的厚度可以小于或等于第一透光层的厚度。
15.显示装置还可以包括：第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；以及第二绝缘层，第二绝缘层的至少一部分在发光元件上，并且第二绝缘层包括无机材料。
16.显示装置还可以包括：第一绝缘层，在第一电极和第二电极上；以及第二绝缘层，
第二绝缘层的至少一部分在发光元件上，并且第二绝缘层包括有机材料，其中第二接触电极包括第二接触透光层，并且其中第一接触透光层和第二接触透光层包括相同的材料。
17.根据本公开的其它实施方式，显示装置包括：基板；第一电极和第二电极，在基板上并且彼此间隔开；发光元件，在第一电极和第二电极之间；第一堤图案和第二堤图案，在显示装置的显示方向上突出；以及第一接触电极和第二接触电极，将发光元件分别电连接到第一电极和第二电极，第一接触电极包括第(1-1)区域、第(2-1)区域、在第(1-1)区域中的第一接触透光层、在第(2-1)区域中包括与第一接触透光层相同的材料的第一透光层以及在第(2-1)区域中位于第一透光层上的第一反射层。
18.第一接触电极可以在第(1-1)区域中电连接到第一电极，并且在第(2-1)区域中在第一堤图案上。
19.第二接触电极可以包括：第(1-2)区域；第(2-2)区域；第二接触透光层，在第(1-2)区域中并且在第(1-2)区域中电连接到第二电极；第二透光层，在第(2-2)区域中包括与第二接触透光层相同的材料；以及第二反射层，在第(2-2)区域中位于第二透光层上，其中第一接触透光层在第(1-1)区域中电连接到第一电极。
20.根据本公开的其它实施方式，制造配置成在显示方向上发射光的显示装置的方法可以包括：在基板上定位彼此间隔开的第一电极和第二电极；在基板上定位发光元件；定位在显示装置的显示方向上突出的第一堤图案和第二堤图案；形成基础电极以覆盖第一堤图案和第二堤图案中的每个的至少一部分，基础电极包括基础透光层和在基础透光层上的基础反射层；去除基础反射层的至少一部分；以及提供第一接触电极，第一接触电极包括接触透光层并且将发光元件和第一电极电连接，接触透光层包括与基础透光层相同的材料，。
21.该方法还可以包括：在基础电极上形成基础光刻胶层；以及使用包括全色调区域和半色调区域的掩模对基础光刻胶层执行光刻胶工艺，包括在第一堤图案上提供第一反射电极，在第二堤图案上提供第二反射电极，提供电连接到发光元件的未蚀刻接触电极，在第一反射电极和第二反射电极上形成第一光刻胶层以及在未蚀刻接触电极上形成第二光刻胶层。
22.第一反射电极和第二反射电极的位置可以对应于全色调区域的位置，其中未蚀刻接触电极的位置对应于半色调区域的位置。
23.该方法还可以包括通过暴露未蚀刻接触电极的至少一部分来去除第二光刻胶层。
24.提供第一反射电极可以包括提供第一透光层和位于第一透光层上的第一反射层，其中提供未蚀刻接触电极包括提供接触透光层和在接触透光层上的接触反射层，并且其中提供第一接触电极包括在提供未蚀刻接触电极之后通过去除接触反射层来暴露接触透光层的至少一部分。
25.可以在定位第一电极和第二电极之后执行定位第一堤图案和第二堤图案。
26.第一电极和第一反射电极可以彼此间隔开，其中第一接触电极的接触透光层将第一电极和发光元件电连接。
附图说明
27.附图被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的原理。
28.图1是示出根据一些实施方式的发光元件的立体图。
29.图2是示出根据一些实施方式的发光元件的剖视图。
30.图3是示出根据一些实施方式的显示装置的平面图。
31.图4是示出根据第一实施方式的像素的平面图。
32.图5是沿图4的线i-i’截取的剖视图。
33.图6是示出反射电极和第一接触电极的堆叠结构的剖视图。
34.图7是示出根据第二实施方式的像素的平面图。
35.图8是沿图7的线ii-ii’截取的剖视图。
36.图9是示出根据第三实施方式的像素的平面图。
37.图10是沿图9的线iii-iii’截取的剖视图。
38.图11至图15以及图17至图21是示出用于解释制造显示装置的方法的工艺操作的剖视图。
39.图16是示出在制造显示装置的方法中去除接触反射层的工艺的剖视图。
具体实施方式
40.本说明书中描述的实施方式旨在向本公开所属领域的技术人员清楚地解释本公开的精神。因此，本公开不限于本文中所描述的实施方式。本公开的范围应被解释为包括不背离本公开的精神的修改或变化。
41.本说明书中使用的术语选自当前考虑本公开的功能而广泛使用的一般术语。然而，这可以根据本公开所属领域的技术人员的意图或习惯或新技术的出现而变化。然而，与此不同，当以任意含义定义和使用特定术语时，将单独描述该术语的含义。因此，本说明书中使用的术语应基于贯穿本说明书的术语和内容的实际含义而不是术语的名称来解释。
42.通过参考实施方式的详细描述和附图，可以更容易地理解本公开内容的一些实施方式的方面和实现本公开内容的方法。在下文中，将参考附图更详细地描述实施方式。然而，所描述的实施方式可以具有各种修改并且可以以各种不同的形式来实施，并且不应被解释为仅限于本文中所示的实施方式。相反，提供这些实施方式作为示例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达本公开的方面，并且应理解，本公开涵盖本公开的思想和技术范围内的所有修改、等同和替换。因此，可以不描述对于本领域的普通技术人员完全理解本公开的各方面不是必需的工艺、元件和技术。
43.除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，相同的附图标记、字符或其组合表示相同的元件，并且因此，将不再重复其描述。此外，可以不示出与实施方式的描述不相关或无关的部分以使描述清楚。
44.在附图中，为了清楚起见，可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。此外，在附图中通常提供交叉影线和/或阴影的使用来澄清相邻元件之间的边界。因此，存在或不存在交叉影线或阴影都不传达或指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或要求，除非另有说明。
45.本文中参考作为实施方式的示意性图示和/或中间结构的剖视图示来描述各种实施方式。这样，由例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化将是预料到的。此外，本文中公开的具体结构或功能描述仅仅是为了描述根据本公开的构思的实施方式的目的。因
此，本文中公开的实施方式不应被解释为限于区域的特定示出的形状，而是包括由例如制造导致的形状的偏差。
46.例如，示出为矩形的植入区域通常在其边缘处具有圆化特征或弯曲特征和/或植入浓度的梯度，而不是从植入区域到非植入区域的二元变化。同样，通过植入形成的掩埋区域可以导致在掩埋区域和通过其进行植入的表面之间的区域中的一些植入。
47.因此，附图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，并且不旨在进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，所描述的实施方式可以以各种不同的方式进行修改，所有这些都不背离本公开的精神或范围。
48.在详细描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施方式的透彻理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等效布置的情况下实践各种实施方式。在其它情况下，以框图的形式示出了公知的结构和装置，以便避免不必要地模糊各种实施方式。
49.为了易于解释，可以在本文中使用诸如“以下”、“下方”、“下部”、“之下”、“上方”、“上部”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。应理解，除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用中或在操作中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“以下”或“之下”的元件将随之被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“下方”和“之下”可以包括上方和下方两种定向。该装置可以以其它方式定向(例如，旋转90度或处于其它定向)，并且应相应地解释本文中使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置在第二部分“上”时，这表示第一部分布置在第二部分的上侧或下侧处，而不限于其基于重力方向的上侧。
50.此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”意指从顶部观察目标部分，并且短语“在截面上”意指从侧部观察通过垂直切割目标部分而形成的截面。
51.应理解，当元件、层、区域或组件被称为“形成在另一元件、层、区域或组件上”、“在另一元件、层、区域或组件上”、“连接到另一元件、层、区域或组件”或者“联接到另一元件、层、区域或组件”时，其可直接形成在另一元件、层、区域或组件上、直接在另一元件、层、区域或组件上、直接连接到另一元件、层、区域或组件或者直接联接到另一元件、层、区域或组件，或者间接形成在另一元件、层、区域或组件上、间接在另一元件、层、区域或组件上、间接连接到另一元件、层、区域或组件或者间接联接到另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或多个居间的元件、层、区域或组件。此外，这可以共同意指直接或间接联接或连接以及整体或非整体联接或连接。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电联接”到另一层、区域或组件时，其可以直接电连接或联接到另一层、区域和/或组件，或者可存在居间的层、区域或组件。然而，“直接连接/直接联接”或“直接在
……
上”是指一个组件直接连接或联接另一组件，或者直接在另一组件上，而没有居间的组件。同时，描述组件之间的关系(诸如，“在
……
之间”、“直接在
……
之间”或“与
……
相邻”和“直接与
……
相邻”)的其它表述可以类似地解释。此外，还应理解，当元件或层被称为“在两个元件或层之间”时，其可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间的元件或层。
52.出于本公开的目的，诸如
“……
中的至少一个”的表述在元素列表之后时，修饰整个元素列表，而不修饰列表中的单个元素。例如，“x、y和z中的至少一个”以及“选自由x、y和
z组成的组中的至少一个”可以解释为仅x、仅y、仅z，x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如以xyz、xyy、yz和zz为例，或者其任何变型。类似地，诸如“a和b中的至少一个”的表述可以包括a、b或者a和b。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。例如，诸如“a和/或b”的表述可以包括a、b或者a和b。
53.应当理解，尽管可以在本文中使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离本公开的精神和范围的情况下，以下描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。作为“第一”元件的元件的描述可以不需要或暗示第二元件或其它元件的存在。还可以在本文中使用术语“第一”、“第二”等来区分不同类别或组的元件。为了简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
54.在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于矩形坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。这同样适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
55.本文中使用的术语仅出于描述特定实施方式的目的，且不旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式“一个”和“一种”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“包括(includes)”和“包括(including)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组的存在或添加。
56.如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”、“近似”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。如本文中使用的，“约”或“近似”包括所陈述的值并且意指在本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意指在所陈述的值的一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。此外，当描述本公开的实施方式时，“可以”的使用是指“本公开的一个或多个实施方式”。
57.当一个或多个实施方式可以不同地实现时，特定的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
58.除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还应理解，诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关技术和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此定义。
59.在本说明书中，当确定与本公开相关的公知配置或功能的详细描述可能使本公开的主题模糊时，将根据需要省略其详细描述。
60.本公开涉及显示装置及制造显示装置的方法。在下文中，将参考图1至图21描述根据实施方式的显示装置及制造显示装置的方法。
61.图1和图2示出了根据一些实施方式的包括在显示装置中的发光元件ld。图1是示出根据一些实施方式的发光元件ld的立体图。图2是示出根据一些实施方式的发光元件ld的剖视图。图1和图2示出了具有柱状形状的发光元件ld，但是发光元件ld的类型和/或形状不限于此。在下文中，为了便于描述，将基于其中发光元件ld具有柱状形状的一些实施方式来描述本公开。
62.参考图1和图2，发光元件ld可以包括第一半导体层11、第二半导体层13以及插置在第一半导体层11和第二半导体层13之间的有源层12。例如，当发光元件ld延伸的方向被称为长度l的方向时，发光元件ld可以包括沿长度l的方向顺序堆叠的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。
63.根据一些实施方式，发光元件ld可以具有柱状形状。柱状形状可以包括在长度l的方向上为长的杆状形状或棒状形状(例如，其具有大于1的纵横比)，诸如圆形柱或多边形柱，并且截面的形状不受特别限制。
64.根据一些实施方式，发光元件ld可以包括第一端ep1和第二端ep2。例如，第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以与发光元件ld的第一端ep1相邻。第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以与发光元件ld的第二端ep2相邻。
65.根据一些实施方式，发光元件ld可以具有纳米级到微米级的尺寸。例如，发光元件ld可以具有从纳米级到微米级的直径d(或宽度)和/或长度l。然而，发光元件ld的尺寸不限于此。
66.第一半导体层11可以是第一导电类型半导体层。例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。作为示例，第一半导体层11可以包括n型半导体层，n型半导体层包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的任何一种半导体材料，并且掺杂有诸如si、ge、sn等的第一导电类型掺杂剂。
67.有源层12可以位于第一半导体层11上，并且可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。有源层12的位置可以根据发光元件ld的类型而不同地改变。
68.在一些实施方式中，可以在有源层12上和/或在有源层12下形成掺杂有导电掺杂剂的包层。例如，包层可以由algan层或inalgan层形成。根据一些实施方式，诸如algan和inalgan的材料可以用于形成有源层12。
69.第二半导体层13可以位于有源层12上，并且可以包括与第一半导体层11不同类型的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括p型半导体层，p型半导体层包括inalgan、gan、algan、ingan、aln和inn中的至少一种半导体材料，并且可以掺杂有诸如mg等的第二导电类型掺杂剂。
70.当高于阈值电压的电压被施加到发光元件ld的两端时，可以在电子-空穴对在有源层12中耦合时从发光元件ld发射光。通过使用此原理控制发光元件ld的光发射，发光元件ld可以用作各种发光器件(包括显示装置的像素)的光源。
71.根据一些实施方式，发光元件ld还可以包括设置在发光元件ld的表面上的绝缘膜inf。绝缘膜inf可以由单个膜或双个膜形成，但是本公开不限于此，并且绝缘膜inf可以由多个膜形成。
72.根据一些实施方式，绝缘膜inf可以暴露发光元件ld的具有不同的相应极性的两端。例如，绝缘膜inf可以暴露位于发光元件ld的第一端ep1和第二端ep2处的第一半导体层
11和第二半导体层13中的每个的一端。
73.根据一些实施方式，绝缘膜inf可以包括硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)、铝氧化物(alo
x
)和钛氧化物(tio
x
)中的至少一种绝缘材料，但是本公开不限于此。
74.根据一些实施方式，绝缘膜inf可以确保发光元件ld的电稳定性。此外，即使当多个发光元件ld定位成彼此相邻时，也可以减小或防止在发光元件ld之间可能发生的不希望的短路的可能性。
75.根据一些实施方式，除了第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和/或围绕它们的绝缘膜inf之外，发光元件ld还可以包括另外的组件。例如，发光元件ld还可以包括位于第一半导体层11、有源层12和/或第二半导体层13的一端侧上的一个或多个磷光体层、有源层、半导体层和/或电极层。例如，发光元件ld的第一端ep1和第二端ep2处还可以分别定位有接触电极层。
76.图3是示出根据一些实施方式的显示装置的平面图。
77.在图3中，将描述使用参考图1和图2描述的发光元件ld作为光源的显示装置。
78.根据一些实施方式的显示装置可以配置成发射光。根据示例，根据一些实施方式的显示装置可以在显示方向上(例如，在第三方向dr3上)发射(或提供)光。
79.在下文中，为了便于描述，将主要描述根据一些实施方式的包括在显示装置中的显示面板pnl。
80.显示面板pnl可以包括像素pxl，像素pxl包括发光元件ld。为了方便起见，在图3中，通过集中于显示区域da简要地示出了显示面板pnl的结构。在一些实施方式中，显示面板pnl上还可以定位有驱动电路单元(例如，扫描驱动器和数据驱动器)、布线和/或焊盘。
81.参考图3，显示面板pnl可以包括基板sub以及位于基板sub上的像素pxl。根据示例，像素pxl可以包括第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3。
82.基板sub可以构成显示面板pnl的基础构件，并且可以是刚性基板或刚性膜，或者柔性基板或柔性膜。根据一些实施方式，基板sub可以是由玻璃或钢化玻璃制成的刚性基板、由塑料或金属或至少一个绝缘层制成的柔性基板(或薄膜)。然而，基板sub的材料和/或物理特性不受特别限制。
83.显示面板pnl可以包括显示区域da和非显示区域nda。非显示区域nda可以意指除了显示区域da之外的区域。
84.显示区域da可以意指其中定位有像素pxl的区域。非显示区域nda可以意指其中没有定位像素pxl的区域。连接到显示区域da的像素pxl的各种布线、焊盘和/或内置电路单元可以位于非显示区域nda中。像素pxl可以根据条纹或布置结构(例如，矩阵结构、结构或rgbg结构)布置，但本公开不限于此(是韩国三星显示有限公司的注册商标)。
85.根据一些实施方式，发射不同颜色的光的两种或更多种类型的像素pxl可以位于显示区域da中。例如，用于发射第一颜色的光的第一像素pxl1、用于发射第二颜色的光的第二像素pxl2以及用于发射第三颜色的光的第三像素pxl3可以布置在显示区域da中。
86.根据一些实施方式，彼此相邻定位的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素
pxl3中的至少一个可以构成能够发射各种颜色的光的一个像素单元。例如，第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的每个可以是用于发射相应颜色(例如，预定颜色)的光的子像素。例如，第一像素pxl1可以是用于发射红光的红色像素，第二像素pxl2可以是用于发射绿光的绿色像素，并且第三像素pxl3可以是用于发射蓝光的蓝色像素。然而，构成每个像素单元的像素pxl的颜色、类型和/或数量不限于特定的示例。
87.像素pxl可以包括至少一个光源。光源可以由控制信号(例如，扫描信号和数据信号)以及电力源驱动。根据一些实施方式，光源可以是以上参考图1和图2描述的发光元件ld。
88.根据一些实施方式，像素pxl可以配置为有源像素。然而，适用于显示装置的像素pxl的类型、结构和/或驱动方法不受特别限制。例如，每个像素pxl可以由具有各种结构和/或驱动方法的无源或有源型发光显示装置的像素组成。
89.在下文中，将参考图4至图10来描述根据一些实施方式的包括在显示装置中的像素pxl。
90.图4至图6是示出根据第一实施方式的像素pxl的图。图7和图8是示出根据第二实施方式的像素pxl的图。图9和图10是示出根据第三实施方式的像素pxl的图。
91.首先，将参考图4至图6描述根据第一实施方式的像素pxl。
92.图4是示出根据第一实施方式的像素pxl的平面图。图4中所示的像素pxl可以是以上参考图3描述的第一像素pxl1、第二像素pxl2和第三像素pxl3中的任一个。图5是沿图4的线i-i’截取的剖视图。
93.参考图4，像素pxl可以包括第一电极elt1、第二电极elt2、发光元件ld、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2和反射电极rel。根据示例，反射电极rel可以包括第一反射电极rel1和第二反射电极rel2。
94.根据一些实施方式，第一电极elt1和第二电极elt2可以彼此间隔开，以限定其中可以定位发光元件ld的沟槽区域。例如，第一电极elt1的至少一部分可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在第一方向dr1上与第二电极elt2间隔开。第二电极elt2的至少一部分可以在第二方向dr2上延伸，并且可以在第一方向dr1上与第一电极elt1间隔开。在这种情况下，第一方向dr1和第二方向dr2可以彼此不平行(或者可以基本上垂直)。
95.根据一些实施方式，第一电极elt1和第二电极elt2可以用作发光元件ld的对准电极。例如，可以在第一电极elt1和第二电极elt2之间形成电场，并且可以基于电场将发光元件ld布置在第一电极elt1和第二电极elt2之间。根据一些实施方式，当在平面上观察时，第一电极elt1和第二电极elt2可以不与发光元件ld重叠。
96.根据一些实施方式，第一电极elt1可以通过第一接触部分cnt1电连接到另一布线(例如，如图5中所示的桥接图案brp)。第二电极elt2可以通过第二接触部分cnt2电连接到另一导线(例如，如图5中所示的电力线pl)。
97.根据一些实施方式，第一电极elt1可以不位于第一堤图案bnp1上，和/或第二电极elt2可以不位于第二堤图案bnp2上。例如，如图5中所示，第一电极elt1和第二电极elt2可以平坦地布置在钝化层psv上。
98.根据一些实施方式，发光元件ld可以布置成基本上平行的结构。然而，发光元件ld的布置结构不限于此。
99.根据一些实施方式，发光元件ld的至少一部分可以位于第一电极elt1和第二电极elt2之间。发光元件ld可以位于限定为第一电极elt1和第二电极elt2之间的区域的沟槽区域中。
100.根据一些实施方式，发光元件ld可以通过第一接触电极cne1电连接到第一电极elt1。发光元件ld可以通过第二接触电极cne2电连接到第二电极elt2。
101.根据一些实施方式，发光元件ld可以基于通过第一接触电极cne1提供的电信号并且基于通过第二接触电极cne2提供的电信号来发射光。
102.根据一些实施方式，第一反射电极rel1可以定位成与第一接触电极cne1相邻。第一反射电极rel1可以在第一方向dr1上与第一接触电极cne1间隔开。
103.根据一些实施方式，第一反射电极rel1的至少一部分可以位于第一堤图案bnp1上。
104.根据一些实施方式，当在平面上观察时，第一反射电极rel1的至少一部分可以与第一电极elt1重叠。当在平面上观察时，第一反射电极rel1可以不与第一接触电极cne1重叠。
105.根据一些实施方式，第二反射电极rel2可以定位成与第二接触电极cne2相邻。第二反射电极rel2可以在第一方向dr1上与第二接触电极cne2间隔开。
106.根据一些实施方式，第二反射电极rel2的至少一部分可以位于第二堤图案bnp2上。
107.根据一些实施方式，当在平面上观察时，第二反射电极rel2的至少一部分可以与第二电极elt2重叠。当在平面上观察时，第二反射电极rel2可以不与第二接触电极cne2重叠。
108.根据一些实施方式，第一反射电极rel1、第一接触电极cne1和第二反射电极rel2可以在相同的工艺中形成。以下将参考图11至18对其进行详细描述。
109.图5示出了根据第一实施方式的像素pxl。
110.参考图5，像素pxl可以包括基板sub、像素电路单元pcl和显示元件单元dpl。
111.基板sub可以构成像素pxl的基础表面。基板sub可以是刚性或柔性基板。根据示例，基板sub可以包括刚性材料或柔性材料，但不限于特定示例。
112.像素电路单元pcl可以位于基板sub上。根据示例，像素电路单元pcl可以包括缓冲层bfl、背栅电极bge、晶体管tr、栅极绝缘层gi、第一层间绝缘层ild1、第二层间绝缘层ild2、桥接图案brp、电力线pl、第一接触部分cnt1、第二接触部分cnt2和钝化层psv。
113.根据一些实施方式，缓冲层bfl可以位于基板sub上。缓冲层bfl可以减少或防止杂质从外部扩散。缓冲层bfl可包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和诸如铝氧化物(alo
x
)的金属氧化物中的至少一种。
114.根据一些实施方式，背栅电极bge可以位于基板sub上。当在平面上观察时，背栅电极bge可以与栅电极ge重叠。
115.根据一些实施方式，晶体管tr可以是薄膜晶体管。根据一些实施方式，晶体管tr可以是驱动晶体管。晶体管tr可以包括有源层act、第一晶体管电极te1、第二晶体管电极te2和栅电极ge。
116.根据一些实施方式，有源层act可以指半导体层。有源层act可以位于缓冲层bfl
上。有源层act可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
117.根据一些实施方式，有源层act可以包括与第一晶体管电极te1接触的第一接触区域和与第二晶体管电极te2接触的第二接触区域。第一接触区域和第二接触区域可以是掺杂有杂质的半导体图案。第一接触区域和第二接触区域之间的区域可以是沟道区域。沟道区域可以是未掺杂杂质的本征半导体图案。
118.根据一些实施方式，栅电极ge可以位于栅极绝缘层gi上。栅电极ge的位置可以对应于有源层act的沟道区域的位置。例如，栅电极ge可以位于有源层act的沟道区域上，且栅极绝缘层gi插置在栅电极ge和有源层act之间。
119.根据一些实施方式，栅极绝缘层gi可以位于有源层act上。栅极绝缘层gi可以包括无机材料。根据示例，栅极绝缘层gi可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。根据一些实施方式，栅极绝缘层gi可以包括有机材料。
120.根据一些实施方式，第一层间绝缘层ild1可以位于栅电极ge上。与栅极绝缘层gi一样，第一层间绝缘层ild1可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。
121.根据一些实施方式，第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2可以位于第一层间绝缘层ild1上。第一晶体管电极te1可以穿透栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1以接触有源层act的第一接触区域，并且第二晶体管电极te2可以穿透栅极绝缘层gi和第一层间绝缘层ild1以接触有源层act的第二接触区域。根据示例，第一晶体管电极te1可以是源电极，并且第二晶体管电极te2可以是漏电极，但是本公开不限于此。
122.根据一些实施方式，第二层间绝缘层ild2可以位于第一晶体管电极te1和第二晶体管电极te2上。与第一层间绝缘层ild1和栅极绝缘层gi一样，第二层间绝缘层ild2可以包括无机材料。无机材料可以包括作为构成第一层间绝缘层ild1和栅极绝缘层gi的材料的材料，例如，硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)和铝氧化物(alo
x
)中的至少一种。根据一些实施方式，第二层间绝缘层ild2可以包括有机材料。
123.根据一些实施方式，桥接图案brp可以位于第二层间绝缘层ild2上。桥接图案brp可以通过穿透第二层间绝缘层ild2的接触孔连接到第一晶体管电极te1。
124.根据一些实施方式，电力线pl可以位于第二层间绝缘层ild2上。电力线pl可以通过第二接触部分cnt2连接到第二电极elt2。
125.根据一些实施方式，钝化层psv可以位于第二层间绝缘层ild2上。钝化层psv可以覆盖桥接图案brp和电力线pl。钝化层psv可以以包括有机绝缘层、无机绝缘层或位于无机绝缘层上的有机绝缘层的形式设置，但不限于此。
126.根据一些实施方式，连接到桥接图案brp的一个区域的第一接触部分cnt1和连接到电力线pl的一个区域的第二接触部分cnt2可以形成在钝化层psv中。
127.显示元件单元dpl可以位于像素电路单元pcl上。显示元件单元dpl可以包括第一电极elt1、第二电极elt2、第一绝缘层ins1、第一堤部bnk1、第二堤部bnk2、第一堤图案bnp1、第二堤图案bnp2、发光元件ld、第二绝缘层ins2、第一接触电极cne1、第二接触电极cne2、第一反射电极rel1、第二反射电极rel2和第三绝缘层ins3。
128.第一电极elt1和第二电极elt2可以位于钝化层psv上。根据示例，当在平面上观察
时，第一电极elt1和第二电极elt2可以彼此不重叠。
129.根据一些实施方式，第一电极elt1可以通过第一接触部分cnt1电连接到桥接图案brp。第二电极elt2可以通过第二接触部分cnt2电连接到电力线pl。
130.根据一些实施方式，第一电极elt1和第二电极elt2可以在相同的工艺中形成。例如，第一电极elt1和第二电极elt2可以包括相同的材料。
131.根据一些实施方式，第一电极elt1和第二电极elt2可以包括导电材料。例如，第一电极elt1和第二电极elt2可以包括已知的导电材料中的一种。然而，根据一些实施方式，第一电极elt1和第二电极elt2可以不包括反射材料。例如，第一电极elt1和第二电极elt2可以不包括al或ag。在这种情况下，可以提高显示装置中的电信号的可靠性。这将在以下更详细地描述。
132.根据一些实施方式，可以通过第一电极elt1提供第一电信号，并且可以通过第二电极elt2提供第二电信号。在这种情况下，第一电信号和第二电信号可以形成电场，并且可以基于所形成的电场来布置发光元件ld。
133.第一绝缘层ins1可以位于钝化层psv上。第一绝缘层ins1可以覆盖第一电极elt1和第二电极elt2。根据示例，第一绝缘层ins1可以包括硅氧化物(sio
x
)、硅氮化物(sin
x
)、硅氮氧化物(sio
x
ny)、铝氧化物(alo
x
)和/或钛氧化物(tio
x
)中的任何一种。然而，本公开不限于此。
134.第一堤部bnk1和第二堤部bnk2可以是限定像素pxl的发射区域的结构。根据示例，发射区域可以限定为由第一堤部bnk1和第二堤部bnk2围绕的区域。
135.根据一些实施方式，第一堤部bnk1和第二堤部bnk2可以在显示装置的显示方向(例如，第三方向dr3)上突出。根据示例，第一堤部bnk1和第二堤部bnk2可以包括有机材料和/或无机材料。
136.第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2可以位于钝化层psv上。根据示例，第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2可以位于第一绝缘层ins1上。
137.根据一些实施方式，第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2可以在显示装置的显示方向上突出。
138.根据一些实施方式，第一反射电极rel1可以位于第一堤图案bnp1上，并且第二反射电极rel2可以位于第二堤图案bnp2上。因此，第一反射电极rel1和第二反射电极rel2可以反射从发光元件ld发射的光，以提高像素pxl的发光效率。
139.发光元件ld可以位于第一绝缘层ins1上。发光元件ld可以位于由第一电极elt1和第二电极elt2限定的沟槽区域中。
140.根据一些实施方式，发光元件ld的一端可以定位成面对第一电极elt1，并且发光元件ld的另一端可以定位成面对第二电极elt2。
141.根据一些实施方式，发光元件ld的一端可以连接到第一接触电极cne1。发光元件ld的另一端可以连接到第二接触电极cne2。
142.第二绝缘层ins2的至少一部分可以位于发光元件ld上。第二绝缘层ins2的至少一部分可以与发光元件ld的有源层12重叠。
143.根据一些实施方式，在制造工艺期间，第二绝缘层ins2的至少一部分可以设置在发光元件ld的后表面上，以填充由第一绝缘层ins1的台阶限定的空腔(或凹槽)。根据示例，
第二绝缘层ins2可以包括无机材料。
144.第一接触电极cne1可以位于第一绝缘层ins1上。第一接触电极cne1可以电连接到发光元件ld。根据示例，第一接触电极cne1可以通过第一接触孔ch1电连接到第一电极elt1。
145.第二接触电极cne2可以位于第一绝缘层ins1上。第二接触电极cne2可以电连接到发光元件ld。根据示例，第二接触电极cne2可以通过第二接触孔ch2电连接到第二电极elt2。
146.根据一些实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括透明导电材料。根据示例，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和/或氧化铟锡锌(itzo)中的任何一种。稍后将参考图6描述第一接触电极cne1和第二接触电极cne2的详细结构。
147.根据一些实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在不同的工艺中形成。例如，在图案化第一接触电极cne1之后，可以图案化第二接触电极cne2。
148.第一反射电极rel1可以位于第一堤图案bnp1上。第二反射电极rel2可以位于第二堤图案bnp2上。
149.根据一些实施方式，第一反射电极rel1和第二反射电极rel2可以包括反射材料。第一反射电极rel1和第二反射电极rel2可以反射从发光元件ld发射的光。
150.根据一些实施方式，第一反射电极rel1可以不直接(或物理地)连接到第一电极elt1。例如，第一反射电极rel1和第一电极elt1可以物理地彼此间隔开。
151.根据一些实施方式，第二反射电极rel2可以不直接(或物理地)连接到第二电极elt2。例如，第二反射电极rel2和第二电极elt2可以物理地彼此间隔开。
152.根据一些实施方式，设置成用作相对于发光元件ld的反射阻挡肋的第一反射电极rel1和第二反射电极rel2可以与第一电极elt1和第二电极elt2物理地分离。因此，可以提高显示装置中的电信号的可靠性。
153.根据示例，在实验上，当第一电极elt1位于第一堤图案bnp1上以用作反射阻挡肋时，其可以适合包括例如基于al的材料的反射材料，以确保反射率。然而，第一电极elt1可以用作反射阻挡肋，并且同时，第一电极elt1可以用作用于发光元件ld的光发射的电信号的移动路径。在这种情况下，用于将第一电极elt1和发光元件ld电连接的第一接触电极cne1应连接到第一电极elt1。然而，当第一电极elt1包括反射材料(例如，基于al的材料)时，在第一电极elt1和第一接触电极cne1彼此物理地连接(或接触)的点(例如，与接触孔相邻的区域)处，可能发生电阻的偏差或变化，从而降低电信号的可靠性。
154.然而，根据一些实施方式，可以提供其中第一电极elt1不一定需要用作反射阻挡肋的结构。因此，可以减小或防止由于电极结构之间的连接引起的电阻的偏差或变化，并且可以提高根据一些实施方式的显示装置中的电信号的可靠性。
155.返回参考图5，第三绝缘层ins3可以位于第一接触电极cne1、第一反射电极rel1和/或第二绝缘层ins2上。第三绝缘层ins3可以不在定位有第二接触电极cne2的区域中被图案化。例如，当在平面上观察时，第三绝缘层ins3和第二接触电极cne2可以彼此不重叠。
156.然而，像素pxl的结构不限于以上描述的示例。根据一些实施方式，像素pxl还可以包括另外位于第二接触电极cne2和第二反射电极rel2上的绝缘层，并且还可以包括用于消
除由显示元件单元dpl的组件中的每个限定的台阶的平坦化层。
157.在下文中，将参考图5和图6描述反射电极rel和第一接触电极cne1的结构。图6是示出反射电极rel和第一接触电极cne1的堆叠结构的剖视图。图6中所示的反射电极rel可以是第一反射电极rel1和/或第二反射电极rel2。
158.反射电极rel可以包括透光层322和反射层324。反射层324可以位于透光层322上。第一反射电极rel1和第二反射电极rel2中的每个可以包括透光层322和反射层324。
159.根据示例，第一反射电极rel1的透光层322可以被称为第一透光层，并且第二反射电极rel2的透光层322可以被称为第二透光层。第一反射电极rel1的反射层324可以被称为第一反射层，并且第二反射电极rel2的反射层324可以被称为第二反射层。
160.根据一些实施方式，透光层322可以具有透射性质。透光层322可以包括至少一个透射材料层。例如，透光层322可以不包括反射层。这里，透射性质可以意指当提供光时透射预定值或更大值的光的性质。根据示例，透射性质可以意指约70％至约80％或更高的透射率，但是本公开不限于此。
161.根据一些实施方式，如上所述，透光层322可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和/或氧化铟锡锌(itzo)中的任何一种。
162.根据一些实施方式，反射层324可以具有反射性质。反射层324可以包括至少一个反射材料层。例如，反射层324可以包括单个反射层或多个反射层。这里，反射性质可以意指当提供光时反射光的至少一部分的性质。
163.根据一些实施方式，反射层324可以包括ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr、li、ca、lif/ca、lif/al、mo、ti和/或cu中的任何一种。然而，反射层324的材料不限于以上描述的示例，并且反射层324可以包括已知的反射材料。
164.根据一些实施方式，透光层322可以定位成比反射层324更靠近第一堤图案bnp1(参考图5)。透光层322可以位于第一堤图案bnp1和反射层324之间。反射层324可以比透光层322更远地与基板sub间隔开。
165.根据一些实施方式，反射层324的一个表面可以与透光层322接触，并且反射层324的另一表面可以被暴露。例如，透光层322可以不单独地位于反射层324的另一表面上。
166.然而，根据一些实施方式，单独的透光层322可以另外位于反射层324的另一表面上。根据一些实施方式，相应的透光层322可以位于反射层324的两个表面上。
167.结果，根据一些实施方式，反射电极rel可以具有至少包括反射层324的结构，并且从发光元件ld提供的光可以被反射层324反射。
168.根据一些实施方式，第一接触电极cne1可以具有透射性质。第一接触电极cne1可以包括具有透射性质的接触透光层332。第一接触电极cne1可以不包括反射材料层。根据示例，如上所述，接触透光层332可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)和/或氧化铟锡锌(itzo)中的任何一种。
169.根据一些实施方式，第一接触电极cne1、第一反射电极rel1和第二反射电极rel2可以包括在相同的工艺中形成的层。例如，透光层322和接触透光层332可以在相同的工艺中形成。透光层322和接触透光层332可以同时被图案化。例如，透光层322可以包括与接触透光层332相同的材料。
170.根据一些实施方式，在与反射层324相同的工艺中形成的电极图案(例如，如图16
中所示的接触反射层334)可以形成在接触透光层332上，并且然后通过单独的工艺去除。根据示例，透光层322的厚度可以大于或等于接触透光层332的厚度。
171.根据一些实施方式，第一反射电极rel1的透光层322和第二反射电极rel2的透光层322可以在相同的工艺中形成，并且可以包括相同的材料。第一反射电极rel1的反射层324和第二反射电极rel2的反射层324可以在相同的工艺中形成，并且可以包括相同的材料。
172.在下文中，将描述根据其它实施方式的像素pxl。将省略或简化可能与以上描述重叠的描述。
173.首先，将参考图7和图8描述根据第二实施方式的像素pxl。图7是示出根据第二实施方式的像素pxl的平面图。图8是沿图7的线ii-ii’截取的剖视图。
174.根据第二实施方式的像素pxl与根据第一实施方式的像素pxl的不同之处可以在于：第一接触电极cne1被集成到以上参考图5描述的第一反射电极rel1中以提供单个配置，并且第二接触电极cne2被集成到以上参考图5描述的第二反射电极rel2中以提供单个配置。
175.根据一些实施方式，第一接触电极cne1的至少一部分可以连接到发光元件ld，并且第一接触电极cne1的至少另一部分可以位于第一堤图案bnp1上。第二接触电极cne2的至少一部分可以连接到发光元件ld，并且第二接触电极cne2的至少另一部分可以位于第二堤图案bnp2上。
176.根据一些实施方式，第一接触电极cne1可以包括第(1-1)区域412和第(2-1)区域422。第一接触电极cne1可以包括在第(1-1)区域412中的接触透光层332。第一接触电极cne1可以包括在第(2-1)区域422中的透光层322和反射层324。
177.根据一些实施方式，第一接触孔ch1可以位于第(1-1)区域412中。因此，第一电极elt1可以不直接(或物理地)连接到反射层324，但是可以电连接到第一接触电极cne1。
178.根据一些实施方式，第二接触电极cne2可以包括第(1-2)区域414和第(2-2)区域424。第二接触电极cne2可以包括在第(1-2)区域414中的接触透光层332。第二接触电极cne2可以包括在第(2-2)区域424中的透光层322和反射层324。
179.根据示例，第一接触电极cne1的接触透光层332可以被称为第一接触透光层，并且第二接触电极cne2的接触透光层332可以被称为第二接触透光层。
180.根据一些实施方式，第二接触孔ch2可以位于第(1-2)区域414中。因此，第二电极elt2可以不直接(或物理地)连接到反射层324，但是可以电连接到第二接触电极cne2。
181.根据一些实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以配置成分别在第(1-1)区域412和第(1-2)区域414中透射光，以透射从发光元件ld发射的光。
182.根据一些实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以分别在第(2-1)区域422和第(2-2)区域424中位于第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2上以反射光。因此，从发光元件ld发射的光可以在显示方向上反射。
183.根据一些实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以在相同的工艺中形成。例如，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2可以包括包括相同的材料的层。第一接触电极cne1的接触透光层332和第二接触电极cne2的接触透光层332可以在相同的工艺中被图案化并且可以包括相同的材料。
184.接下来，将参考图9和10描述根据第三实施方式的像素pxl。图9是示出根据第三实施方式的像素pxl的平面图。图10是沿图9的线iii-iii’截取的剖视图。
185.参考图9和图10，根据第三实施方式的像素pxl与根据第一实施方式的像素pxl的不同之处可以在于：第一接触电极cne1、第二接触电极cne2、第一反射电极rel1和第二反射电极rel2中的每个包括在相同工艺中形成的层。
186.根据一些实施方式，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个的接触透光层332可以在与第一反射电极rel1和第二反射电极rel2中的每个的透光层322相同的工艺中形成。
187.因此，第一接触电极cne1和第二接触电极cne2中的每个的接触透光层332以及第一反射电极rel1和第二反射电极rel2中的每个的透光层322可以在相同的工艺中被图案化并且可以包括相同的材料。
188.根据一些实施方式，第一接触电极cne1的接触透光层332的厚度可以小于或等于第一反射电极rel1的透光层322的厚度。第二接触电极cne2的接触透光层332的厚度可以小于或等于第二反射电极rel2的透光层322的厚度。
189.根据一些实施方式，第二绝缘层ins2可以包括有机材料。当第二绝缘层ins2包括有机材料时，与包括无机材料的一些实施方式(参考图5的第一实施方式)相比，第二绝缘层ins2可以定位成在发光元件ld上具有更大的高度。
190.下文中，将参考图11至图21描述根据一些实施方式的制造显示装置的方法。为了便于描述，将简化或省略可能与以上描述重叠的描述。
191.图11至图15以及图17至图21是示出用于解释制造显示装置的方法的工艺操作的剖视图。图11至图15、图17和图18主要示出了对应于沿图4的线i-i’截取的截面的堆叠结构。图16是示出在制造显示装置的方法中去除接触反射层334的工艺的剖视图。图19至图21主要示出了对应于沿图7的线ii-ii’截取的截面的堆叠结构。
192.图11至图18可以是示出根据第一实施方式的用于提供显示装置的制造显示装置的方法的图。图19至图21可以是示出根据第二实施方式的用于提供显示装置的制造显示装置的方法的图。
193.首先，将参考图11至图18描述根据第一实施方式的制造显示装置的方法。
194.参考图11，可以提供(或准备)基板sub，并且可以在基板sub上定位像素电路单元pcl。可以通过使用掩模的常规光刻工艺来图案化像素电路单元pcl的各组件(例如，晶体管tr)。此外，可以在像素电路单元pcl上将第一电极elt1和第二电极elt2定位成彼此间隔开。此后，可以在第一电极elt1和第二电极elt2上定位第一绝缘层ins1，并且可以在第一绝缘层ins1中形成第一孔h1和第二孔h2。
195.参考图12，可以在第一绝缘层ins1上定位第一堤图案bnp1、第二堤图案bnp2、第一堤部bnk1和第二堤部bnk2。形成第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2以及第一堤部bnk1和第二堤部bnk2的顺序可以不限于特定实施方式。此外，发光元件ld可以定位成与由第一绝缘层ins1限定的空腔(或凹槽)相邻。此外，可以在发光元件ld上形成第二绝缘层ins2。根据一些实施方式，第二绝缘层ins2的一部分可以位于发光元件ld的后表面上。
196.参考图11和图12，可以在定位第一电极elt1和第二电极elt2之后形成第一堤图案bnp1和第二堤图案bnp2。根据一些实施方式，第一电极elt1可以不位于第一堤图案bnp1上，
并且第二电极elt2可以不位于第二堤图案bnp2上。
197.参考图13，可以形成基础电极belt，并且可以在基础电极belt上形成基础光刻胶层bpr。例如，可以形成第一基础电极belt1和第二基础电极belt2，并且可以形成基础光刻胶层bpr以覆盖第一基础电极belt1和第二基础电极belt2。
198.这里，基础光刻胶层bpr可以包括光敏材料。根据示例，基础光刻胶层bpr可以包括正性光敏材料或负性光敏材料。然而，在下文中，为了便于描述，将描述其中基础光刻胶层bpr包括正性光敏材料的一些实施方式。
199.根据一些实施方式，第一基础电极belt1和第二基础电极belt2可以至少包括基础透光层312和基础反射层314。根据一些实施方式，可以在基础反射层314上另外定位单独的透光层。然而，为了便于描述，将作为示例描述其中第一基础电极belt1和第二基础电极belt2中的每个包括基础透光层312和基础反射层314的一些实施方式。
200.根据一些实施方式，可以形成第一基础电极belt1以覆盖第一堤图案bnp1。这里，位于第一堤图案bnp1上的第一基础电极belt1的至少一部分可以稍后被设置为第一反射电极rel1。根据示例，第一基础电极belt1的基础透光层312可以定位成与第一堤图案bnp1相邻。第一基础电极belt1的基础透光层312可以位于第一堤图案bnp1和基础反射层314之间。
201.根据一些实施方式，可以形成第二基础电极belt2以覆盖第二堤图案bnp2。这里，位于第二堤图案bnp2上的第二基础电极belt2的至少一部分可以稍后被设置为第二反射电极rel2。根据示例，第二基础电极belt2的基础透光层312可以定位成与第二堤图案bnp2相邻。第二基础电极belt2的基础透光层312可以位于第二堤图案bnp2和基础反射层314之间。
202.在此操作中，第一基础电极belt1和第二基础电极belt2可以暴露第二绝缘层ins2的至少一部分。
203.在此操作中，可以将第一基础电极belt1的至少一部分设置在第一孔h1中，以提供第一接触孔ch1。
204.参考图14，可以对基础光刻胶层bpr执行使用掩模120的光刻工艺。掩模120可以包括全色调区域122和半色调区域124。掩模120在全色调区域122中的透光率可以小于掩模120在半色调区域124中的透光率。掩模120在全色调区域122和半色调区域124中的透光率可以小于掩模120在其它区域中的透光率。
205.在此操作中，可以在对应于全色调区域122的位置处提供(或形成)第一光刻胶层pr1。根据示例，第一光刻胶层pr1可以在对应于全色调区域122的位置处由基础光刻胶层bpr提供。
206.在此操作中，可以在对应于半色调区域124的位置处提供(或形成)第二光刻胶层pr2。根据示例，可以通过在对应于半色调区域124的位置处去除基础光刻胶层bpr的至少一部分来提供第二光刻胶层pr2。这里，第二光刻胶层pr2的厚度可以小于第一光刻胶层pr1的厚度。
207.在此操作中，可以在与除了全色调区域122和半色调区域124之外的区域对应的位置处去除基础光刻胶层bpr。
208.在此操作中，可以使用第一光刻胶层pr1和第二光刻胶层pr2作为蚀刻掩模来蚀刻第一基础电极belt1和第二基础电极belt2。此时，尽管可以蚀刻第一基础电极belt1和第二基础电极belt2，但是第一基础电极belt1和第二基础电极belt2仍然可以位于定位有第一
光刻胶层pr1和第二光刻胶层pr2的区域中。
209.在此操作中，可以将第一基础电极belt1的至少一部分提供为第一反射电极rel1，并且可以将第二基础电极belt2的至少一部分提供为第二反射电极rel2。在这种情况下，第一反射电极rel1和第二反射电极rel2可以设置成包括透光层322和反射层324。在这种情况下，反射层324可以位于透光层322上。
210.根据一些实施方式，第一反射电极rel1和第二反射电极rel2的透光层322可以与第一基础电极belt1和第二基础电极belt2的基础透光层312基本上相同。第一反射电极rel1和第二反射电极rel2的反射层324可以与第一基础电极belt1和第二基础电极belt2的基础反射层314基本上相同。
211.根据一些实施方式，提供第一反射电极rel1和第二反射电极rel2的位置可以对应于掩模120的全色调区域122的位置。提供第一未蚀刻接触电极ucne1的位置可以对应于掩模120的半色调区域124的位置。
212.然而，在此操作中，定位成与发光元件ld相邻(即，对应于第二光刻胶层pr2的位置)的第一基础电极belt1可以提供为第一未蚀刻接触电极ucne1。在这种情况下，第一未蚀刻接触电极ucne1可以设置成包括接触透光层332和位于接触透光层332上的接触反射层334。在这种情况下，接触透光层332可以在与基础透光层312相同的工艺中被图案化，并且可以包括相同的材料。
213.参考图15，可以去除第二光刻胶层pr2。根据示例，第二光刻胶层pr2可以通过回蚀工艺去除，但是本公开不限于此。因此，在此操作中，可以暴露第一未蚀刻接触电极ucne1的至少一部分。
214.参考图16，可以蚀刻第一未蚀刻接触电极ucne1以提供第一接触电极cne1。这里，通过去除包括在第一未蚀刻接触电极ucne1中的接触反射层334，可以提供包括接触透光层332而不包括接触反射层334的第一接触电极cne1。因此，可以暴露被接触反射层334覆盖的接触透光层332的至少一部分。
215.在一些实施方式中，当在接触反射层334上定位有附加透光层时，还可以在此操作中去除附加透光层。例如，在将接触透光层332定位在接触反射层334的一个表面上并且将附加透光层定位在接触反射层334的另一表面上之后，可以在此操作中去除附加透光层。
216.当去除第一未蚀刻接触电极ucne1的接触反射层334时，可以提供第一接触电极cne1，并且可以提供定位成与发光元件ld相邻的第一接触电极cne1以透射光。
217.在此操作中，可以不执行用于第一反射电极rel1和第二反射电极rel2的蚀刻工艺。也就是说，配置成反射光的反射层324仍然可以位于第一反射电极rel1和第二反射电极rel2中，并且然后从发光元件ld提供的光可以被反射层324反射。
218.如上所述，第一接触电极cne1的接触透光层332可以在与第一反射电极rel1和第二反射电极rel2的透光层322相同的工艺中形成。因此，第一接触电极cne1的接触透光层332可以包括与第一反射电极rel1和第二反射电极rel2的透光层322相同的材料。也就是说，接触透光层332可以在与基础电极belt的基础透光层312相同的工艺中形成，并且可以包括相同的材料。
219.同时，因为通过去除第一未蚀刻接触电极ucne1的接触反射层334来提供第一接触电极cne1，所以第一接触电极cne1的接触透光层332的厚度可以小于或等于第一反射电极
rel1和第二反射电极rel2的透光层322的厚度。
220.参考图17，可以去除第一光刻胶层pr1。根据示例，第一光刻胶层pr1可以通过回蚀工艺去除，但是本公开不限于此。在此操作中，可以暴露第一反射电极rel1和第二反射电极rel2。
221.参考图18，可以形成第三绝缘层ins3，并且可以形成第二接触电极cne2。如上所述，第二接触电极cne2可以包括透明导电材料以透射从发光元件ld提供的光。
222.在此操作中，可以将第三绝缘层ins3图案化成覆盖第一反射电极rel1和第一接触电极cne1，但是可以不将第三绝缘层ins3图案化在要形成第二接触电极cne2的区域中。
223.在此操作中，可以在形成第三绝缘层ins3之后图案化第二接触电极cne2。
224.在此操作中，可以将第二接触电极cne2的至少一部分设置在第二孔h2中，以提供第二接触孔ch2。
225.根据一些实施方式，第二接触电极cne2可以在与第一接触电极cne1、第一反射电极rel1和第二反射电极rel2的工艺不同的工艺中形成。因此，与用于形成第一接触电极cne1的工艺不同，不需要另外执行用于去除针对第二接触电极cne2的接触反射层的单独工艺(例如，不需要图案化包含透明导电材料的层)。
226.接下来，将参考图19至图21描述根据第二实施方式的制造显示装置的方法。为了便于描述，将省略或简化可能与以上描述重叠的描述。
227.参考图19，可以形成第一基础电极belt1和第二基础电极belt2，并且可以在第一基础电极belt1和第二基础电极belt2上形成基础光刻胶层bpr。这里，第一基础电极belt1和第二基础电极belt2可以至少包括基础透光层312和基础反射层314。
228.参考图20，可以对基础光刻胶层bpr执行使用掩模120的光刻工艺。掩模120可以包括全色调区域122和半色调区域124。
229.在此操作中，可以去除第一基础电极belt1和第二基础电极belt2中的每个的至少一部分。
230.在此操作中，可以在对应于掩模120的全色调区域122的位置处提供第一反射电极rel1’和第二反射电极rel2’。在这种情况下，提供第一反射电极rel1’和第二反射电极rel2’的位置可以分别对应于以上参考图8描述的第(2-1)区域422和第(2-2)区域424。也就是说，第一反射电极rel1’和第二反射电极rel2’可以包括透光层322和反射层324。第一反射电极rel1’和第二反射电极rel2’可以位于第一光刻胶层pr1下方。
231.在此操作中，可以在对应于掩模120的半色调区域124的位置处提供第一未蚀刻接触电极ucne1和第二未蚀刻接触电极ucne2。在这种情况下，提供第一未蚀刻接触电极ucne1和第二未蚀刻接触电极ucne2的位置可以对应于以上参考图8描述的第(1-1)区域412和第(1-2)区域414。第一未蚀刻接触电极ucne1和第二未蚀刻接触电极ucne2可以位于第二光刻胶层pr2下方。
232.这里，第二未蚀刻接触电极ucne2可以具有与以上参考图16描述的第一未蚀刻接触电极ucne1基本上相同的结构。例如，第二未蚀刻接触电极ucne2可以包括接触透光层332和接触反射层334。
233.在此操作中，可以在对应于全色调区域122的位置处提供第一光刻胶层pr1。在此操作中，可以在对应于半色调区域124的位置处提供第二光刻胶层pr2。根据一些实施方式，
因为全色调区域122和半色调区域124彼此相邻，所以第一光刻胶层pr1和第二光刻胶层pr2可以彼此相邻。
234.在此操作中，第一反射电极rel1’和第一未蚀刻接触电极ucne1可以彼此相邻并且彼此连接。第二反射电极rel2’和第二未蚀刻接触电极ucne2可以彼此相邻并且彼此连接。
235.然而，根据一些实施方式，全色调区域122和半色调区域124可以彼此间隔开以执行光刻工艺。在这种情况下，第一未蚀刻接触电极ucne1和第一反射电极rel1’可以彼此间隔开，并且第二未蚀刻接触电极ucne2和第二反射电极rel2’可以彼此间隔开。在一些实施方式中，可以执行随后的工艺以将第一未蚀刻接触电极ucne1提供为第一接触电极cne1，并且将第二未蚀刻接触电极ucne2提供为第二接触电极cne2。因此，可以提供以上参考图9和图10描述的根据第三实施方式的像素pxl。
236.参考图21，可以去除第二光刻胶层pr2以暴露第一未蚀刻接触电极ucne1和第二未蚀刻接触电极ucne2。此后，可以蚀刻包括在第一未蚀刻接触电极ucne1和第二未蚀刻接触电极ucne2中的接触反射层334。因此，在定位有第一未蚀刻接触电极ucne1和第二未蚀刻接触电极ucne2的区域中，可以不单独包括接触反射层334，并且可以布置接触透光层332。
237.如上所述，第一未蚀刻接触电极ucne1和第一反射电极rel1’可以彼此连接，并且第二未蚀刻接触电极ucne2和第二反射电极rel2’可以彼此连接。因此，通过去除用于第一未蚀刻接触电极ucne1和第二未蚀刻接触电极ucne2的接触反射层334，可以提供以上参考图8描述的第一接触电极cne1和第二接触电极cne2。
238.此后，在一些实施方式中，可以去除第一光刻胶层pr1以提供根据第二实施方式的像素pxl。根据一些实施方式，还可以定位平坦化层和/或绝缘层。
239.根据本公开的实施方式，可以实现其中不发生电阻偏差的反射电极结构。因此，可以提高显示装置中的电信号的可靠性，并且可以提供具有提高的发光效率的显示装置。
240.本公开不限于以上内容，并且本领域技术人员可以从本说明书和附图清楚地理解未提及的方面。
241.上述描述仅仅是对本公开的技术精神的说明。所属领域的技术人员将了解，在不背离本公开的精神和范围的情况下，可以对本公开作出各种修改和改变。因此，以上描述的本公开的实施方式可以单独实现或彼此组合地实现。
242.因此，本说明书中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术精神，而是解释该技术精神。本公开的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开的保护范围应由所附权利要求书以及包括在其中的其功能等同来解释，并且在其等同范围内的所有技术精神应被解释为包括在本公开的范围内。