显示基板及其制备方法、显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.oled(organic light-emitting diode，有机电致发光)显示技术由于其对比度高、色域广、重量轻等优点，其普及范围越来越广，目前oled显示技术也成为nb(notebook computer，手提电脑)和车载等中尺寸显示产品的发展主流。
3.在现有的中尺寸oled显示面板设计方法中，一些oled产品的tft(thin film transistor，薄膜场效应晶体管)的栅极处于floating(浮空)状态，容易积累静电，造成静电击伤，使产品良率下降。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示基板及其制备方法、显示装置，用以解决现有技术存在栅极处于floating状态，容易积累静电，造成静电击伤的技术问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种显示基板，包括：基板；薄膜晶体管，设置在基板的一侧，薄膜晶体管包括栅极；信号传输层，位于栅极远离基板的一侧，栅极与信号传输层电连接，信号传输层用于与外部电路连接；其中：栅极为闭合结构；或者，栅极为非闭合结构，栅极具有开口，栅极的开口端与信号传输层连接，以使栅极与信号传输层配合形成闭合结构。
6.可选地，信号传输层包括第一传输线和至少一个第二传输线，第一传输线用于与外部电路连接，各第二传输线的一端均与第一传输线连接；第一传输线与栅极连接，第二传输线远离第一传输线的一端与栅极的开口端连接，且第一传输线和栅极的连接点在基板上的正投影与第二传输线和栅极的连接点在基板上的正投影无交叠。
7.可选地，栅极呈“l”型，包括相连接的第一栅极段和第二栅极段，第一栅极段与第二栅极段呈夹角设置，第一栅极段远离第二栅极段的一端与第一传输线连接，第二栅极段远离第一栅极段的一端与第二传输线连接；或者，栅极呈“u”型，包括第一栅极段、第二栅极段和第三栅极段，第二栅极段与第一栅极段的一端连接且与第一栅极段呈夹角设置，第三栅极段与第一栅极段的另一端连接且与第一栅极段呈夹角设置；第一传输线与第一栅极段连接，第二传输线的数量为两个，其中一个第二传输线与第二栅极段远离第一栅极段的一端连接，另一个第二传输线与第三栅极段远离第一栅极段的一端连接。
8.可选地，栅极呈“u”型，包括依次连接的第一栅极段、第二栅极段和第三栅极段，第一栅极段和第二栅极段呈夹角设置，第三栅极段和第二栅极段呈夹角设置；信号传输层包括第一传输线，第一传输线用于与外部电路连接；第一栅极段远离第二栅极段的一端与第一传输线连接，第三栅极段远离第二栅极段的一端与第一传输线连接。
9.可选地，栅极呈“口”型，信号传输层包括第一传输线，第一传输线用于与外部电路
连接；栅极“口”型的两边均与第一传输线连接。
10.可选地，显示基板还包括第一绝缘层，第一绝缘层位于栅极和信号传输层之间，第一绝缘层覆盖栅极；信号传输层通过贯穿第一绝缘层的至少两个第一通孔与栅极电连接。
11.第二个方面，本技术实施例提供了一种显示装置，包括：上述的显示基板。
12.第三个方面，本技术实施例提供一种显示基板的制备方法，包括：提供一基板，在基板的一侧制作薄膜晶体管的栅极；在栅极远离基板的一侧制作信号传输层，栅极与信号传输层电连接，信号传输层用于与外部电路连接；栅极为闭合结构；或者，栅极为非闭合结构，栅极具有开口，栅极的开口端与信号传输层连接，以使栅极与信号传输层配合形成闭合结构。
13.可选地，在基板的一侧制作薄膜晶体管的栅极，包括：在基板一侧制作金属膜层，通过构图工艺对金属膜层进行图案化处理，以形成栅极；在栅极远离基板的一侧制作信号传输层，包括：在基板一侧制作电传输膜层，通过构图工艺对电传输膜层进行图案化处理，以形成信号传输层。
14.可选地，在栅极远离基板的一侧制作信号传输层之前，显示基板的制备方法还包括：通过构图工艺在基板的一侧制作第一绝缘层，第一绝缘层覆盖栅极，且第一绝缘层设有至少两个第一通孔，以暴露出栅极。
15.本技术实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
16.本技术实施例中，栅极为闭合结构，当通过信号传输层向栅极提供工作电压或工作电流时，栅极自身能够形成闭合回路；或者栅极为具有开口的非闭合结构，通过将栅极的开口端与信号传输层连接，使得栅极与信号传输层配合形成闭合结构，当通过信号传输层向栅极提供工作电压或工作电流时，栅极整体能够与信号传输层形成闭合回路。本技术实施例中，栅极自身能够形成闭合回路，或者栅极整体能够与信号传输层形成闭合回路，从而避免了栅极处于floating状态，减少了静电荷积累，防止了静电击伤造成的其他不良，提升了产品良率。
17.本技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
18.本技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
19.图1为本技术实施例提供的一种显示基板的俯视图(仅示出显示基板的栅极、信号传输层和半导体层)；
20.图2为本技术实施例提供的一种显示基板的叠层图；
21.图3为本技术实施例提供的另一种显示基板的俯视图(仅示出显示基板的栅极、信号传输层和半导体层)；
22.图4为本技术实施例提供的又一种显示基板的俯视图(仅示出显示基板的栅极、信号传输层和半导体层)；
23.图5为本技术实施例提供的又一种显示基板的俯视图(仅示出显示基板的栅极、信号传输层和半导体层)；
24.图6为本技术实施例提供的又一种显示基板的俯视图(仅示出显示基板的栅极、信号传输层和半导体层)；
25.图7为本技术实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
26.图8至图11为本技术实施例提供的一种显示基板的制备方法中在不同过程时的结构示意图。
27.附图标记：
28.100-显示基板；10-基板；20-栅极；21-第一栅极段；22-第二栅极段；23-第三栅极段；30-信号传输层；31-第一传输线；32-第二传输线；40-第一绝缘层；41-第一通孔；50-半导体层；51-源极；52-漏极；53-沟道；60-第二绝缘层；70-平坦层。
具体实施方式
29.下面结合本技术中的附图描述本技术的实施例。应理解，下面结合附图所阐述的实施方式，是用于解释本技术实施例的技术方案的示例性描述，对本技术实施例的技术方案不构成限制。
30.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除实现为本技术领域所支持其他特征、信息、数据、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合等。应该理解，当我们称一个元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，该一个元件可以直接连接或耦接到另一元件，也可以指该一个元件和另一元件通过中间元件建立连接关系。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的术语“和/或”指该术语所限定的项目中的至少一个，例如“a和/或b”可以实现为“a”，或者实现为“b”，或者实现为“a和b”。
31.为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。
32.随着oled显示技术的不断发展，中尺寸oled显示设备也在不断普及，但相较于小尺寸显示产品，中尺寸显示产品有着更高的静电击伤率和亮点发生率，且均与tft具有强相关性，此不良的高发造成了产品良率的损失。
33.在现有的中尺寸oled显示面板设计方法中，比如，显示面板包括的7t1c像素电路中某个/某些tft的栅极采用“u”字型结构，“u”字型结构的栅极通过信号传输层与外部电路电连接，由于该“u”字型结构的栅极与信号传输层仅通过一个连接点电连接，因此，导致整个栅极处于floating(浮空)状态，容易积累静电，造成静电击伤，使产品良率下降。
34.同时，由于该“u”字型结构的栅极仅通过一个通孔与信号传输层进行电连接，通孔的设计使栅极和信号传输层通过面接触导通，电压通过一个通孔从信号传输层传到栅极，使得栅极与信号传输层在接触面间存在较大电阻，造成栅极电压损失，使栅极电压较低，导致t1 tft漏电严重，增大t1 tft漏电型亮点风险。
35.本技术提供的显示基板及其制备方法、显示装置，只在解决现有技术的如上技术问题。
36.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。需要指出的是，下述实施方式之间可以相互参考、借鉴或结合，对
于不同实施方式中相同的术语、相似的特征以及相似的实施步骤等，不再重复描述。
37.本技术实施例提供了一种显示基板，该显示基板100的结构示意图如图1至图6所示，包括：基板10、薄膜晶体管和信号传输层30，薄膜晶体管设置在基板10的一侧，薄膜晶体管包括栅极20；信号传输层30位于栅极20远离基板10的一侧，栅极20与信号传输层30电连接，信号传输层30用于与外部电路连接；其中：栅极20为闭合结构(如图4所示)；或者，栅极20为非闭合结构(如图1、图3、图5和图6所示)，栅极20具有开口，栅极20的开口端与信号传输层30连接，以使栅极20与信号传输层30配合形成闭合结构。
38.本技术实施例中，基板10用于支撑薄膜晶体管和信号传输层30。栅极20通过信号传输层30与外部电路连接，外部电路能够通过信号传输层30为薄膜晶体管提供工作电压或工作电流，使薄膜晶体管能够正常工作。薄膜晶体管可用于控制显示基板100发光。
39.本技术实施例中，栅极20为闭合结构，当通过信号传输层30向栅极20提供工作电压或工作电流时，栅极20自身能够形成闭合回路；或者栅极20为具有开口的非闭合结构，通过将栅极20的开口端与信号传输层连接，使得栅极20与信号传输层30配合形成闭合结构，当通过信号传输层30向栅极20提供工作电压或工作电流时，栅极20整体能够与信号传输层30形成闭合回路。本技术实施例中，栅极20自身能够形成闭合回路，或者栅极20整体能够与信号传输层30形成闭合回路，从而避免了栅极20处于floating状态，减少了静电荷积累，防止了静电击伤造成的其他不良，提升了产品良率。
40.可选地，如图1和图2所示，本技术实施例中，薄膜晶体管还包括半导体层50，半导体层50设置在基板10的一侧并位于栅极20与基板10之间。
41.具体地，如图1所示，本技术实施例中，半导体层50包括源极51、漏极52和位于源极51和漏极52之间的沟道53，沟道53用于将源极51和漏极52分隔开，使源极51和漏极52不产生电连接，栅极20在基板10上的正投影覆盖沟道53在基板10上的正投影。
42.如图1所示，本技术实施例中，源极51位于第二栅极段22远离第三栅极段23的一侧，漏极52位于第二栅极段22和第三栅极段23之间。当然，在一种可选的实施例中，还可以根据实际需要，使漏极位于第二栅极段22远离第三栅极段23的一侧，源极51位于第二栅极段22和第三栅极段23之间。
43.在一种可选的实施例中，薄膜晶体管还包括有源层和/或栅绝缘层等结构，源极51和漏极52均与有源层电连接。有源层和/或栅绝缘层等结构的具体设置方式与现有技术类似，此处不再赘述。
44.可选地，如图2所示，本技术实施例的显示基板100，还包括第一绝缘层40，第一绝缘层40位于栅极20和信号传输层30之间，第一绝缘层40覆盖栅极20；信号传输层30通过贯穿第一绝缘层40的至少两个第一通孔41与栅极20电连接。
45.本技术实施例中，信号传输层30通过至少两个第一通孔41与栅极20电连接，电压通过至少两个第一通孔41从信号传输层30传到栅极20。相较于现有仅通过一个通孔连接的技术而言，本技术实施例中由于至少两个第一通孔41间隔设置，使得在信号传输层30和栅极20之间形成至少两个并联电路，因此，使每个第一通孔41的分压更少，有效减小了栅极20和信号传输层30在接触面间的电阻，减小了栅极20的电压损失，增大了栅极20电压，降低了漏电型亮点的发生率。
46.可选地，如图2所示，本技术实施例的显示基板100，还包括平坦层70，平坦层70位
于第一绝缘层40和信号传输层30之间，且平坦层70覆盖第一绝缘层40，平坦层70用于形成平坦的平面。
47.可选地，如图2所示，本技术实施例中，平坦层70设有至少两个第二通孔，至少两个第二通孔与至少两个第一通孔41一一对应设置，信号传输层30通过贯穿平坦层70的至少两个第二通孔以及贯穿第一绝缘层40的至少两个第一通孔41与栅极20电连接。
48.可选地，平坦层70的材料为树脂。
49.可选地，如图2所示，本技术实施例的显示基板100，还包括第二绝缘层60，第二绝缘层60位于半导体层50和栅极20之间，且第二绝缘层60覆盖半导体层50。
50.具体地，本技术实施例中，第二绝缘层60的具体设置方式与现有技术类似，此处不再赘述。
51.在一种具体的实施方式中，如图1和图3所示，本技术实施例中，信号传输层30包括第一传输线31和至少一个第二传输线32，第一传输线31用于与外部电路连接，各第二传输线32的一端均与第一传输线31连接；第一传输线31与栅极20连接，第二传输线32远离第一传输线31的一端与栅极20的开口端连接，且第一传输线31和栅极20的连接点在基板10上的正投影与第二传输线32和栅极20的连接点在基板10上的正投影无交叠。
52.本技术实施方式中，信号传输层30包括第一传输线31和与第一传输线31连接的第二传输线32，第一传输线31用于与外部电路连接，第一传输线31与栅极20连接，第二传输线32远离第一传输线31的一端与栅极20的开口端连接，栅极20与第一传输线31和第二传输线32配合形成闭合结构，当通过第一传输线31向栅极20提供工作电压或工作电流时，栅极20整体、第一传输线31和第二传输线32能够形成闭合回路，从而避免栅极20处于floating状态，减少静电荷积累，防止静电击伤，提升产品良率。
53.具体地，在一种可选的实施例中，如图1所示，栅极20呈“u”型，包括第一栅极段21、第二栅极段22和第三栅极段23，第二栅极段22与第一栅极段21的一端连接且与第一栅极段21呈夹角设置，第三栅极段23与第一栅极段21的另一端连接且与第一栅极段21呈夹角设置；第一传输线31与第一栅极段21连接，第二传输线32的数量为两个，其中一个第二传输线32与第二栅极段22远离第一栅极段21的一端连接，另一个第二传输线32与第三栅极段23远离第一栅极段21的一端连接。
54.本技术实施例中，第二栅极段22、第一栅极段21和第三栅极段23依次连接，且第一传输线31与第一栅极段21连接，一个第二传输线32与第二栅极段22远离第一栅极段21的一端连接，另一个第二传输线32与第三栅极段23远离第一栅极段21的一端连接，这样，当通过第一传输线31向栅极20提供工作电压或工作电流时，第一传输线31、第一栅极段21、第二栅极段22和对应的第二传输线32能够形成闭合回路，第一传输线31、第一栅极段21、第三栅极段23和对应的第二传输线32能够形成闭合回路，第一栅极段21、第二栅极段22、两个第二传输线32和第三栅极段23能够形成闭合回路。栅极20整体能够与第一传输线31和第二传输线32形成闭合回路，从而避免栅极20处于floating状态，减少静电荷积累，防止静电击伤，提升产品良率。
55.另外，本技术实施例中，第一传输线31通过一个第一通孔41与第一栅极段21连接，其中一个第二传输线32通过一个第一通孔41与第二栅极段22连接，另一个第二传输线32通过一个第一通孔41与第三栅极段23连接。信号传输层30通过三个第一通孔41与栅极20电连
接，由于三个第一通孔41间隔设置，使得在信号传输层30和栅极20之间形成三个并联电路，因此，使每个第一通孔41的分压更少，有效减小了栅极20和信号传输层30在接触面间的电阻，减小了栅极20的电压损失，增大了栅极20电压，降低了漏电型亮点的发生率。
56.具体地，如图1所示，本技术实施例中，第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角(可选地，该夹角为90
°
)，栅极20的“u”型开口方向与第一传输线31的延伸方向平行，即与半导体层50的延伸方向之间具有夹角(可选地，该夹角为90
°
)。第一传输线31与第一栅极段21的连接点位于半导体层50的一侧，第二传输线32和第二栅极段22的连接点以及另一第二传输线32和第三栅极段23的连接点均位于半导体层50的另一侧，通过这种设置方式，可以减少串扰、使电位更稳定，能够获得更好的电位平均值，使压降影响更小，使栅极20信号加载更加稳定。
57.当然，在一种可选的实施例中，还可以根据实际需要，使第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向平行，此时，栅极20的“u”型开口方向与半导体层50的延伸方向平行，第二传输线32的延伸方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角，第二传输线32和第二栅极段22的连接点位于半导体层50的一侧，另一第二传输线32和第三栅极段23的连接点位于半导体层50的另一侧。
58.本技术实施例通过对信号传输层的结构改进，使“u”型结构的栅极的floating两端分别与信号传输层连接，避免了栅极的floating问题，减少了静电荷的积累，防止了静电击伤，提升了产品良率。
59.具体地，在另一可选的实施例中，如图3所示，栅极20呈“l”型，包括相连接的第一栅极段21和第二栅极段22，第一栅极段21与第二栅极段22呈夹角设置，第一栅极段21远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接，第二栅极段22远离第一栅极段21的一端与第二传输线32连接。
60.本技术实施例中，第一栅极段21和第二栅极段22连接，且第一栅极段21远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接，第二栅极段22远离第一栅极段21的一端与第二传输线32连接，这样，当通过第一传输线31向栅极20提供工作电压或工作电流时，第一传输线31、第一栅极段21、第二栅极段22和第二传输线32能够形成闭合回路。栅极20整体能够与第一传输线31和第二传输线32形成闭合回路，从而避免栅极20处于floating状态，减少静电荷积累，防止静电击伤，提升产品良率。
61.另外，本技术实施例中，第一传输线31通过一个第一通孔41与第一栅极段21连接，第二传输线32通过一个第一通孔41与第二栅极段22连接。信号传输层30通过两个第一通孔41与栅极20电连接，由于两个第一通孔41间隔设置，使得在信号传输层30和栅极20之间形成两个并联电路，因此，使每个第一通孔41的分压更少，有效减小了栅极20和信号传输层30在接触面间的电阻，减小了栅极20的电压损失，增大了栅极20电压，降低了漏电型亮点的发生率。
62.具体地，如图3所示，本技术实施例中，第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角(可选地，该夹角为90
°
)，第一栅极段21与第一传输线31的连接点位于半导体层50的一侧，第二栅极段22与第二传输线32的连接点位于半导体层50的另一侧，通过这种设置方式，可以减少串扰、使电位更稳定，能够获得更好的电位平均值，使压降影响更小，使栅极20信号加载更加稳定。
63.当然，在一种可选的实施例中，还可以根据实际需要，使第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向平行，第二传输线32的延伸方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角，栅极20位于半导体层50的一侧。
64.在另一种具体的实施方式中，如图4所示，本技术实施例中，栅极20呈“口”型，信号传输层30包括第一传输线31，第一传输线31用于与外部电路连接；栅极20“口”型的两边均与第一传输线31连接。
65.本技术实施例中，栅极20呈“口”型，栅极20为闭合结构，当通过第一传输线31向栅极20提供工作电压或工作电流时，栅极20自身能够形成闭合回路，同时，由于栅极20相对的两个边均与第一传输线31连接，因此，栅极20和第一传输线31能够形成闭合回路，从而能够避免栅极20处于floating状态，减少静电荷积累，防止静电击伤，提升产品良率。
66.另外，本技术实施例中，栅极20相对的两个边分别通过一个第一通孔41与第一传输线31连接，也就是信号传输层30通过两个第一通孔41与栅极20电连接，由于两个第一通孔41间隔设置，使得在信号传输层30和栅极20之间形成两个并联电路，因此，使每个第一通孔41的分压更少，有效减小了栅极20和信号传输层30在接触面间的电阻，减小了栅极20的电压损失，增大了栅极20电压，降低了漏电型亮点的发生率。
67.本技术实施例通过对栅极的结构改进，将栅极20设置为“口”型，栅极20自身能够形成闭合回路，避免了栅极的floating问题，减少了静电荷的积累，防止了静电击伤，提升了产品良率。
68.具体地，如图4所示，本技术实施例中，第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角(可选地，该夹角为90
°
)，第一传输线31与栅极20位于半导体层50两侧的两个边连接，第一传输线31与栅极20的两个连接点分别位于半导体层50的两侧，通过这种设置方式，可以减少串扰、使电位更稳定，能够获得更好的电位平均值，使压降影响更小，使栅极20信号加载更加稳定。
69.当然，在一种可选的实施例中，还可以根据实际需要，使第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向平行，此时，第一传输线31与栅极20沿半导体层50的延伸方向间隔布置的两边连接；或者，第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角(可选地，该夹角小于90
°
)，第一传输线31与栅极20相邻的两个边连接。
70.在又一种具体的实施方式中，如图5所示，本技术实施例中，栅极20呈“u”型，包括依次连接的第一栅极段21、第二栅极段22和第三栅极段23，第一栅极段21和第二栅极段22呈夹角设置，第三栅极段23和第二栅极段22呈夹角设置；信号传输层30包括第一传输线31，第一传输线31用于与外部电路连接；第一栅极段21远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接，第三栅极段23远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接。
71.本技术实施例中，第一栅极段21、第二栅极段22和第三栅极段23依次连接，且第一栅极段21远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接，第三栅极段23远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接，这样，当通过第一传输线31向栅极20提供工作电压或工作电流时，第一传输线31、第一栅极段21、第二栅极段22和第三栅极段23能够形成闭合回路。栅极20整体能够与第一传输线31形成闭合回路，从而避免栅极20处于floating状态，减少静电荷积累，防止静电击伤，提升产品良率。
72.另外，本技术实施例中，第一栅极段21通过一个第一通孔41与第一传输线31连接，
第三栅极段23通过一个第一通孔41与第一传输线31连接。信号传输层30通过两个第一通孔41与栅极20电连接，由于两个第一通孔41间隔设置，使得在信号传输层30和栅极20之间形成两个并联电路，因此，使每个第一通孔41的分压更少，有效减小了栅极20和信号传输层30在接触面间的电阻，减小了栅极20的电压损失，增大了栅极20电压，降低了漏电型亮点的发生率。
73.具体地，如图5所示，本技术实施例中，第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角(可选地，该夹角为90
°
)，栅极20的“u”型开口方向与半导体层50的延伸方向相同。第一传输线31与栅极20的两个连接点分别位于半导体层50的两侧，通过这种设置方式，可以减少串扰、使电位更稳定，能够获得更好的电位平均值，使压降影响更小，使栅极20信号加载更加稳定。
74.当然，在一种可选的实施例中，还可以根据实际需要，使第一传输线31的延伸方向与半导体层50的延伸方向平行(如图6所示)，此时，栅极20的“u”型开口方向与半导体层50的延伸方向之间具有夹角(可选地，该夹角为90
°
)。
75.本技术实施例中，显示基板的栅极20为闭合结构；或者，栅极20为非闭合结构，栅极20具有开口，栅极20的开口端与信号传输层30连接，以使栅极20与信号传输层30配合形成闭合结构，使得栅极20自身能够形成闭合回路，或者栅极20整体能够与信号传输层30形成闭合回路，从而避免了栅极20处于floating状态，减少了静电荷积累，防止了静电击伤造成的其他不良，提升了产品良率。
76.并且，本技术实施例中，信号传输层30通过至少两个第一通孔41与栅极20电连接，由于至少两个第一通孔41间隔设置，使得在信号传输层30和栅极20之间形成至少两个并联电路，有效减小了第一通孔41电阻，使第一通孔41的分压更少，减小了栅极的电压损失，增大了栅极电压，保证了栅极的高电压，降低了漏电型亮点的发生率。
77.本技术实施例，在不增加mask(掩膜)数量与工艺复杂度的情况下，通过对栅极20的结构或者对信号传输层30的结构的改进，实现了栅极20自闭合或者栅极20整体与信号传输层30形成闭合回路，避免了栅极20处于floating状态，减少了静电荷积累，防止了静电击伤造成的其他不良，提升了产品良率。并且使栅极20通过至少两个第一通孔41与信号传输层30进行电连接，有效减小了栅极的电压损失，增大了栅极电压，保证了栅极的高电压，降低了漏电型亮点的发生率。
78.本技术实施例中，显示基板可应用于中尺寸oled显示设备。栅极20和信号传输层30的结构方式可应用于显示面板上6t1c、7t1c或8t1c等像素电路中。
79.基于同一发明构思，本技术实施例提供的一种显示装置，包括：上述的显示基板100。具体地，显示装置可以为智能手机、平板电脑、pc(personal computer)端电脑或智能电视等显示装置。
80.需要说明的是，由于本技术实施例的显示装置包括本技术实施例的显示基板，因此，本技术实施例的显示装置也具有本技术实施例的显示基板的上述有益效果，此处不再赘述。
81.基于同一发明构思，本技术实施例提供了一种显示基板的制备方法，该方法的流程示意图如图7所示，该方法包括：
82.s101、提供一基板10，在基板10的一侧制作薄膜晶体管的栅极20；
83.s102、在栅极20远离基板10的一侧制作信号传输层30。
84.栅极20与信号传输层30电连接，信号传输层30用于与外部电路连接。其中：栅极20为闭合结构；或者，栅极20为非闭合结构，栅极20具有开口，栅极20的开口端与信号传输层30连接，以使栅极20与信号传输层30配合形成闭合结构。
85.通过上述方法制备显示基板。栅极20和信号传输层30均位于基板10的一侧，基板10用于支撑栅极20和信号传输层30。栅极20通过信号传输层30与外部电路连接，外部电路能够通过信号传输层30为栅极20提供工作电压或工作电流，以控制薄膜晶体管。
86.通过上述方法制备的栅极20为闭合结构，当通过信号传输层30向栅极20提供工作电压或工作电流时，栅极20自身能够形成闭合回路；或者制备的栅极20为具有开口的非闭合结构，通过将栅极20的开口端与信号传输层连接，使得栅极20与信号传输层30配合形成闭合结构，当通过信号传输层30向栅极20提供工作电压或工作电流时，栅极20整体能够与信号传输层30形成闭合回路。本技术实施例中，栅极20自身能够形成闭合回路，或者栅极20整体能够与信号传输层30形成闭合回路，从而避免了栅极20处于floating状态，减少了静电荷积累，防止了静电击伤造成的其他不良，提升了产品良率。
87.可选地，本技术实施例的制备方法，还包括：在基板10的一侧制作导电层；通过构图工艺对导电层进行图案化处理，以形成半导体层50。通过上述方法在基板10上形成半导体层50(如图8所示)。
88.可选地，本技术实施例的制备方法，还包括：在基板10的一侧制作绝缘膜层；通过构图工艺对绝缘膜层进行图案化处理，以形成第二绝缘层60；第二绝缘层60位于半导体层50和栅极20之间，第二绝缘层60覆盖半导体层50。通过上述方法在半导体层50远离基板10的一侧形成第二绝缘层60(如图8所示)。
89.在一种可选的实施例中，显示基板的制备方法还包括制作薄膜晶体管的有源层和/或栅绝缘层等结构。需要说明的是，本技术的实施例中，制作薄膜晶体管的有源层和/或栅绝缘层等结构的制作方式与现有技术类似，此处不再赘述。
90.需要说明的是，本技术实施例中，半导体层50和第二绝缘层60的制作方式与现有技术类似，此处不再赘述。
91.可选地，本技术实施例中，栅极20形成在第二绝缘层60远离基板10的一侧。
92.可选地，本技术实施例中，在基板10的一侧制作薄膜晶体管的栅极20，包括：在基板10一侧制作金属膜层，通过构图工艺对金属膜层进行图案化处理，以形成栅极20。通过上述方法形成栅极20(如图9所示)。
93.可选地，本技术实施例中，在栅极20远离基板10的一侧制作信号传输层30之前，显示基板的制备方法还包括：通过构图工艺在基板10的一侧制作第一绝缘层40，第一绝缘层40覆盖栅极20，且第一绝缘层40设有至少两个第一通孔41，以暴露出栅极20。
94.具体地，在一种可选的实施方式中，制作第一绝缘层40包括：在基板10的一侧制作绝缘膜层，通过构图工艺对绝缘膜层进行图案化处理，以形成第一绝缘层40(如图9所示)，第一绝缘层40覆盖栅极20，第一绝缘层40设有至少两个第一通孔41，以暴露出栅极20。通过上述上方制作第一绝缘层40。
95.可选地，本技术实施例中，在栅极20远离基板10的一侧制作信号传输层30之前，显示基板的制备方法还包括：在基板10的一侧制作平坦膜层；通过构图工艺对平坦膜层进行
图案化处理，以形成平坦层70；平坦层70位于第一绝缘层40和信号传输层30之间，且平坦层70覆盖第一绝缘层40，平坦层70设有至少两个第二通孔，至少两个第二通孔与至少两个第一通孔41一一对应，以暴露出栅极20。通过上述方法形成平坦层70(如图10所示)。
96.可选地，本技术实施例中，在栅极20远离基板10的一侧制作信号传输层30，包括：在基板10一侧制作电传输膜层，通过构图工艺对电传输膜层进行图案化处理，以形成信号传输层30。通过上述方法形成信号传输层30(如图11所示)。电传输膜层在形成过程中，会沉积到至少两个第二通孔与至少两个第一通孔41中，从而实现信号传输层30通过第二通孔和第一通孔41与栅极20电连接的目的。
97.本技术实施例中，可以根据实际需要，制作相对应的栅极20、第一绝缘层40、平坦层70和信号传输层30。
98.在一种具体的实施方式中，如图1和图3所示，本技术实施例中，信号传输层30包括第一传输线31和至少一个第二传输线32，第一传输线31用于与外部电路连接，各第二传输线32的一端均与第一传输线31连接；第一传输线31与栅极20连接，第二传输线32远离第一传输线31的一端与栅极20的开口端连接，且第一传输线31和栅极20的连接点在基板10上的正投影与第二传输线32和栅极20的连接点在基板10上的正投影无交叠。
99.具体地，在一种可选的实施例中，如图1所示，栅极20呈“u”型，包括第一栅极段21、第二栅极段22和第三栅极段23，第二栅极段22与第一栅极段21的一端连接且与第一栅极段21呈夹角设置，第三栅极段23与第一栅极段21的另一端连接且与第一栅极段21呈夹角设置；第一传输线31与第一栅极段21连接，第二传输线32的数量为两个，其中一个第二传输线32与第二栅极段22远离第一栅极段21的一端连接，另一个第二传输线32与第三栅极段23远离第一栅极段21的一端连接。
100.具体地，在另一可选的实施例中，如图3所示，栅极20呈“l”型，包括相连接的第一栅极段21和第二栅极段22，第一栅极段21与第二栅极段22呈夹角设置，第一栅极段21远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接，第二栅极段22远离第一栅极段21的一端与第二传输线32连接。
101.在另一种具体的实施方式中，如图4所示，本技术实施例中，栅极20为“口”型结构，信号传输层30包括第一传输线31，第一传输线31用于与外部电路连接；栅极20的两边均与第一传输线31连接。
102.在又一种具体的实施方式中，如图5和图6所示，本技术实施例中，栅极20呈“u”型，包括依次连接的第一栅极段21、第二栅极段22和第三栅极段23，第一栅极段21和第二栅极段22呈夹角设置，第三栅极段23和第二栅极段22呈夹角设置；信号传输层30包括第一传输线31，第一传输线31用于与外部电路连接；第一栅极段21远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接，第三栅极段23远离第二栅极段22的一端与第一传输线31连接。
103.需要说明的是，本技术实施例的显示基板的制备方法可用于制备显示基板(比如用于制备本技术实施例的显示基板)，制备得到的显示基板具有本技术实施例的显示基板的上述有益效果，此处不再赘述。
104.下面结合一个具体实施例详细说明一下本技术实施例中显示基板的制备方法。
105.本技术实施例具体实施时，首先提供一基板10，之后通过构图工艺在基板10上形成底半导体层50，如图8所示；之后再通过构图工艺在基板10上形成第二绝缘层60，第二绝
缘层60覆盖半导体层50，如图8所示；之后再在基板10上形成栅极20，栅极20形成在第二绝缘层60远离基板10的一侧，如图9所示；之后再在基板10的一侧形成第一绝缘层40，第一绝缘层40覆盖栅极20，如图9所示；之后再在基板10上通过构图工艺形成平坦层70，平坦层70覆盖第一绝缘层40，通过构图工艺使平坦层70设有至少两个第二通孔，第一绝缘层40设有至少两个第一通孔41，至少两个第二通孔与至少两个第一通孔41一一对应，以暴露出栅极20，如图10所示；最后通过构图工艺形成信号传输层30，信号传输层30通过第二通孔和第一通孔41与栅极20电连接，如图11所示；最终得到显示基板。
106.需要说明的是，上述构图工艺包括光刻胶的涂覆、曝光、显影、刻蚀以及去除光刻胶的部分或全部过程。
107.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
108.本技术实施例中，栅极为闭合结构，当通过信号传输层向栅极提供工作电压或工作电流时，栅极自身能够形成闭合回路；或者栅极为具有开口的非闭合结构，通过将栅极的开口端与信号传输层连接，使得栅极与信号传输层配合形成闭合结构，当通过信号传输层向栅极提供工作电压或工作电流时，栅极整体能够与信号传输层形成闭合回路。本技术实施例中，栅极自身能够形成闭合回路，或者栅极整体能够与信号传输层形成闭合回路，从而避免了栅极处于floating状态，减少了静电荷积累，防止了静电击伤造成的其他不良，提升了产品良率。
109.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
110.在本技术的描述中，词语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系，为基于附图所示的示例性的方向或位置关系，是为了便于描述或简化描述本技术的实施例，而不是指示或暗示所指的装置或部件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
111.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
112.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
113.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
114.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤的实施顺序并不受限于箭头所指示的顺序。除非本文中有明确的说明，否则在本技术实施例的一些实施场景中，各流程中的步骤可以按照需求以其他的顺序执行。而且，各
流程图中的部分或全部步骤基于实际的实施场景，可以包括多个子步骤或者多个阶段。这些子步骤或者阶段中的部分或全部可以在同一时刻被执行，也可以在不同的时刻被执行在执行时刻不同的场景下，这些子步骤或者阶段的执行顺序可以根据需求灵活配置，本技术实施例对此不限制。
115.以上所述仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术的方案技术构思的前提下，采用基于本技术技术思想的其他类似实施手段，同样属于本技术实施例的保护范畴。