曝光能量的确定方法、确定装置与制造系统与流程

1.本技术涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种曝光能量的确定方法、确定装置与制造系统。


背景技术：

2.芯片生产的各个环节均是一个极为精密的过程。对于光刻制程来说，需要管控的两大指标分别为偏移量(overlay，简称ovl)和关键尺寸(critical dimension，简称cd)。只有ovl与cd均在要求的范围内，才能保证芯片的电学性能和良率。
3.针对cd的控制，通常是通过曝光机微调曝光能量(exposure dose，简称dose)的方式来实现。对于dose调整的依据，通常是采用回馈机制(feedback)。即根据此前过货芯片的dose与cd的线性关系，来计算出合适的dose。上述方法可满足大多数情况下的cd控制，以将cd的大小控制在目标值附近。但在实际的应用过程中，影响cd的因素很多。例如，光阻厚度变异、曝光后烘烤不及时等均会影响到cd的大小。也就是说，现有技术中仅依据dose与cd的线性关系，来确定目标cd对应的目标dose的方法并不准确。
4.因此，亟需一种能够较为准确地确定目标dose的方法，从而使得曝光后的芯片的cd达到目标cd。


技术实现要素：

5.本技术的主要目的在于提供一种曝光能量的确定方法、确定装置与制造系统，以解决现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
6.根据本发明实施例的一个方面，提供了一种曝光能量的确定方法，包括：获取制造执行系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，所述前批延迟时间值为所述前批产品的延迟时间，所述延迟时间为曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值；获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，所述第一斜率为曝光能量与关键尺寸所构成的曲线的斜率，所述第二斜率为所述关键尺寸与所述延迟时间所构成的曲线的斜率；至少采用所述前批曝光能量值、所述第一斜率、所述前批关键尺寸值、所述目标关键尺寸值、所述前批延迟时间值以及所述第二斜率，确定目标曝光能量值，其中，所述前批延迟时间值和所述第二斜率用于对所述目标关键尺寸值进行修正。
7.可选地，至少采用所述前批曝光能量值、所述第一斜率、所述前批关键尺寸值、所述目标关键尺寸值、所述前批延迟时间值以及所述第二斜率，确定目标曝光能量值，包括：至少采用，计算所述目标曝光能量值，其中，为所述目标曝光能量值，为所述前批曝光能量值，为所述前批关键尺寸值，为所述目标关键尺寸值、为所述前批延迟
时间值，为所述第一斜率，为所述第二斜率。
8.可选地，至少采用，计算所述目标曝光能量值，包括：获取所述制造执行系统发送的当前的大气压值，以及获取第三斜率，所述第三斜率为第一曲线的斜率和第二曲线的斜率的乘积，所述第一曲线为光阻膜厚与大气压的曲线，所述第二曲线为关于所述光阻膜厚与所述关键尺寸的曲线；采用，计算所述目标曝光能量值，其中，为所述第三斜率，为当前的所述大气压值，为标准大气压值。
9.可选地，确定所述第二斜率的过程为：在同一时间点以及采用同一曝光能量值，对多个第一目标晶圆进行曝光，以及分别为多个所述晶圆设置不同的所述延迟时间；在多个所述第一目标晶圆显影之后，确定各所述第一目标晶圆对应的所述关键尺寸；建立关于所述关键尺寸和所述延迟时间的散点图，得到第一散点图；对所述第一散点图进行拟合，以得到所述第二斜率。
10.可选地，所述第一目标晶圆上覆盖的光阻是相同材料的光阻。
11.可选地，确定所述第一曲线的过程为：通过多个所述大气压值和各所述大气压值对应的光阻膜厚，建立关于所述大气压值和所述光阻膜厚的散点图，得到第二散点图；对所述第二散点图进行拟合，得到所述第一曲线。
12.可选地，确定所述第二曲线过程为：采用同一所述曝光能量值，对具有不同光阻膜厚的多个预设晶圆进行曝光，得到多个第二目标晶圆；量测各所述第二目标晶圆的所述关键尺寸；通过多个所述第二目标晶圆对应的所述光阻膜厚和所述关键尺寸，建立关于所述光阻膜厚与所述关键尺寸的散点图，得到第三散点图；对所述第三散点图进行拟合，得到所述第二曲线。
13.可选地，通过调整光阻涂布机涂布光阻的转速，使得多个所述预设晶圆具有不同的所述光阻膜厚。
14.根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种曝光能量的确定装置，包括：第一获取单元，用于获取制造执行系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，所述前批延迟时间值为所述前批产品的延迟时间，所述延迟时间为曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值；第二获取单元，用于获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，所述第一斜率为曝光能量与关键尺寸所构成的曲线的斜率，所述第二斜率为所述关键尺寸与所述延迟时间所构成的曲线的斜率；确定单元，用于至少采用所述前批曝光能量值、所述第一斜率、所述前批关键尺寸值、所述目标关键尺寸值、所述前批延迟时间值以及所述第二斜率，确定目标曝光能量值，其中，所述前批延迟时间值和所述第二斜率用于对所述目标关键尺寸值进行修正。
15.根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种制造系统，包括：先进过程控制系
统、制造执行系统、涂布显影机、曝光机、cd量测机台以及派工系统，其中，所述先进过程控制系统包括曝光能量的确定装置，所述曝光能量的确定装置用于执行任意一种所述的曝光能量的确定方法。
16.在本发明实施例中，所述的曝光能量的确定方法中，apc系统接收由mes系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，以及获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，apc系统至少采用所述前批曝光能量值、所述第一斜率、所述前批关键尺寸值、所述目标关键尺寸值、所述前批延迟时间值以及所述第二斜率，确定目标曝光能量值。与现有技术中，仅采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值以及目标关键尺寸值，确定目标曝光能量值相比，本方案中采用了前批延迟时间值和第二斜率对目标关键尺寸值进行修正，这样保证了采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、前批延迟时间值以及第二斜率，确定的目标曝光能量值较为准确，保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，降低了芯片产品的重工率，以及保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高，从而解决了现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
附图说明
17.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1示出了根据本技术的一种实施例的曝光能量的确定方法的流程图；图2示出了根据本技术的一种实施例的不同类型的光阻的延迟时间对关键尺寸的影响示意图；图3示出了根据本技术的一种实施例的光阻膜厚对关键尺寸的影响示意图；图4示出了根据本技术的一种实施例的大气压对光阻膜厚的影响示意图；图5示出了一种传统apc系统计算关键尺寸的示意图；图6示出了根据本技术的一种实施例的apc系统计算关键尺寸的示意图；图7示出了另一种传统apc系统计算关键尺寸的示意图；图8示出了根据本技术的另一种实施例的apc系统计算关键尺寸的示意图；图9示出了根据本技术的一种实施例的曝光能量的确定装置的结构示意图；图10示出了根据本技术的一种实施例的制造系统的示意图。
18.其中，上述附图包括以下附图标记：100、apc系统；200、mes系统；300、涂布显影机；400、曝光机；500、cd量测机台；600、派工系统；700、工程师；801、l-line光阻a曲线；802、arf光阻d曲线；803、krf光阻b曲线；804、krf光阻c曲线；805、气压影响曲线；806、1020hpa；807、1004hpa；808、第一延迟时间；809、第二延迟时间。
具体实施方式
19.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
20.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的
附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
21.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
22.正如背景技术中所说的，现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确，为了解决上述问题，本技术的一种典型的实施方式中，提供了一种曝光能量的确定方法、确定装置与制造系统。
23.根据本技术的实施例，提供了一种曝光能量的确定方法。
24.图1是根据本技术实施例的曝光能量的确定方法的流程图。该确定方法应用于apc（advanced process control，先进过程控制，简称apc）系统中，如图1所示，该确定方法包括以下步骤：步骤s101，获取制造执行系统（manufacturing execution system，简称mes）发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，上述前批延迟时间值为上述前批产品的延迟时间，上述延迟时间为曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值；步骤s102，获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，上述第一斜率为曝光能量与关键尺寸所构成的曲线的斜率，上述第二斜率为上述关键尺寸与上述延迟时间所构成的曲线的斜率；步骤s103，至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值，其中，上述前批延迟时间值和上述第二斜率用于对上述目标关键尺寸值进行修正。
25.上述的曝光能量的确定方法中，apc系统接收由mes系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，以及获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，apc系统至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值。与现有技术中，仅采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值以及目标关键尺寸值，确定目标曝光能量值相比，本方案中采用了前批延迟时间值和第二斜率对目标关键尺寸值进行修正，这样保证了采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、前批延迟时间值以及第二斜率确定的目标曝光能量值较为准确，保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，降低了芯片产品的重工率，以及保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高，从而解决了现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
26.具体地，在实际的应用过程中，可以采用焦距能量矩阵（focus energy matrix，简称fem）计算上述第一斜率。上述第一斜率也可以为通过多批已过货芯片的曝光能量和关键
尺寸构建散点图，并对该散点图进行拟合，以得到关于曝光能量和关键尺寸的曲线，从而得到第一斜率。在本技术中，并不对获取上述第一斜率的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的方法来确定上述第一斜率。
27.具体地，计算上述前批延迟时间值的方法可以应用在mes系统中。本技术的一种具体的实施例中，mes系统接收曝光机发送的前批产品的曝光结束时间，以及mes系统接收涂布显影机发送的前批产品的曝光后烘烤的开始时间（即热盘开始加热的时间）。之后，mes系统计算曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值，得到前批产品的前批延迟时间值。
28.具体地，上述的实施例中，上述第二斜率为上述关键尺寸与上述延迟时间所构成的曲线的斜率。其中，上述关键尺寸为第二斜率所属的曲线的一个单位参数（即纵轴坐标轴的单位参数），并不是前批曝光能量值或者目标关键尺寸值。
29.需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
30.为了进一步地保证计算的目标曝光能量值较为准确，本技术的一种实施例中，至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值，包括：至少采用，计算上述目标曝光能量值，其中，为上述目标曝光能量值，为上述前批曝光能量值，为上述前批关键尺寸值，为上述目标关键尺寸值、为上述前批延迟时间值，为上述第一斜率，为上述第二斜率。在该实施例中，计算前批延迟时间值和第二斜率的乘积，可以得到延迟关键尺寸值，再基于前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、延迟关键尺寸值和第一斜率，对前批曝光能量值进行修正，这样保证了得到的目标曝光能量值较为准确。
31.具体地，上述的实施例中，将延迟时间也确定为一种影响目标曝光能量值的因素。具体原因在于，在实际的应用过程中，常用的krf光阻、arf光阻大多为光酸放大型光阻，此类光阻在制程中需要经过曝后烤，以帮助光酸扩散来定义图形。而延迟时间也会对光酸扩散的范围造成较大影响，进而影响最终的关键尺寸的大小。如图2所示，为不同种类的光阻的延迟时间对关键尺寸的影响示意图。从图2上可以看出，l-line光阻a曲线801、arf光阻d曲线802、krf光阻b曲线803以及krf光阻c曲线804，随着延迟时间的增加，对芯片产品的关键尺寸的偏移量也逐渐增加。大多数芯片产品的延迟时间约为1.5min。而部分芯片产品的延迟时间在5min以上，甚至在15min以上。造成这种现象的原因一般是不同制程时间产品的混合生产、自动化传输不及时等问题，致使晶圆不能及时进入热盘，但上述问题也是较难避免的。
32.在实际的应用过程中，光阻膜厚和大气压均对芯片产品的关键尺寸产生影响，因此本技术的又一种实施例中，至少采用，计算上述目标曝光能量值，包括：获取上述制造执行系统发送的当前的大气压值，以及获取
第三斜率，上述第三斜率为第一曲线的斜率和第二曲线的斜率的乘积，上述第一曲线为光阻膜厚与大气压的曲线，上述第二曲线为关于上述光阻膜厚与上述关键尺寸的曲线；采用，计算上述目标曝光能量值，其中，为上述第三斜率，为当前的上述大气压值，为标准大气压值。在该实施例中，将光阻膜厚和大气压对关键尺寸的影响也加入到目标曝光能量值的计算方法中，这样保证了计算得到的目标曝光能量值更加准确，进一步地保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，进一步地保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高。
33.具体地，如图3所示，为光阻膜厚对关键尺寸的影响示意图。从图3中可以看出：在目标厚度为4100a附近时，光阻厚度每变化1nm(10a)，则会导致关键尺寸变化2nm左右。
34.在实际的生产中，光阻膜厚对关键尺寸的影响，一般较难通过调整光阻膜厚来避免。原因在于：现有的光阻涂布机台不支持随时调整光阻涂布recipe（对应程式）。另外，影响光阻膜厚的因素也有很多。例如，光阻批次间的差异、光阻涂布机台的漂移以及大气压值等等。经过试验发现，大气压值对光阻膜厚的影响幅度较大。如图4所示，为大气压值对光阻膜厚的影响示意图。其中，气压影响曲线805可以符合数学关系，其中，表示横轴（大气压值），表示纵轴（光阻膜厚）。
35.具体地，在实际的应用过程中，在未获得上述第一斜率、上述第二斜率和上述第三斜率的情况下，则可以通过现有技术中来计算目标曝光能量值。
36.为了较为准确地确定第二斜率，即较为准确地确定关键尺寸和延迟时间的相关性，本技术的另一种实施例中，确定上述第二斜率的过程为：在同一时间点以及采用同一曝光能量值，对多个第一目标晶圆进行曝光，以及分别为多个上述第一目标晶圆设置不同的上述延迟时间；在多个上述第一目标晶圆显影之后，确定各上述第一目标晶圆对应的上述关键尺寸；建立关于上述关键尺寸和上述延迟时间的散点图，得到第一散点图；对上述第一散点图进行拟合，以得到上述第二斜率。在该实施例中，由于是在同一时间点对多个晶圆进行曝光，这样可以保证大气压值相同，即可以降低大气压值对关键尺寸的影响，保证了得到的第二斜率较为准确。
37.具体地，在本技术中并不对上述第一散点图进行拟合的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的拟合方法来对由关键尺寸和延迟时间构成的第一散点图进行拟合。
38.本技术的一种实施例中，上述第一目标晶圆上覆盖的光阻是相同材料的光阻，这样可以避免不同材料的光阻对关键尺寸的影响，这样进一步地保证了得到的第二斜率较为准确，进一步地保证了后续计算的目标曝光能量值较为准确。
39.在实际的应用过程中，不同类型的光阻，其的延迟时间对关键尺寸的影响也不相
同，即不同类型的光阻，其的延迟时间与关键尺寸的相关性均不一致，因此需要针对不同光阻对应的第二斜率进行单独实验收集。在确定单个光阻对应的第二斜率时，需选取一定数量的晶圆（wafer）并覆盖相同材料的光阻，得到第一目标晶圆。再采用同一时间点和同一曝光能量值对第一目标晶圆进行曝光，且每片第一目标晶圆使用独立的对应程式（recipe）以及延迟时间。例如，延迟时间可以为0.5min，1min，2min，3min，5min，8min，10min，15min，20min等。待第一目标晶圆显影结束后，使用单一量测机台(使用单一量测机台的目的在于减少量测误差)，对每片第一目标晶圆的关键尺寸进行量测。最后以这些第一目标晶圆的关键尺寸为纵轴，延迟时间为横轴，构建关于关键尺寸和延迟时间的散点图，得到第一散点图，且对得到的第一散点图进行线性拟合，拟合后曲线的斜率即为第二斜率。
40.本技术的再一种实施例中，确定上述第一曲线的过程为：通过多个上述大气压值和各上述大气压值对应的光阻膜厚，建立关于上述大气压值和上述光阻膜厚的散点图，得到第二散点图；对上述第二散点图进行拟合，得到上述第一曲线，这样保证了得到的第一曲线较为准确，进一步地保证了后续根据第一曲线的斜率和第二曲线的斜率，确定的第三斜率较为准确。
41.具体地，通过调节光阻涂布机排气量的大小，以改变光阻涂布机内部的大气压值。通过气压侦测仪可以获得不同的大气压值的大小，以及测试在这些大气压值下涂布光阻的厚度，即光阻膜厚。最后以大气压值为横轴，光阻膜厚为纵轴画散点图，构建关于大气压和光阻膜厚的第二散点图，并对第二散点图进行拟合，得到第一曲线，从而可以得到第一曲线的斜率。
42.具体地，在本技术中并不对上述第二散点图进行拟合的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的拟合方法来对由大气压和光阻膜厚构成的第二散点图进行拟合。
43.为了进一步地保证后续得到的第三斜率较为准确，本技术的一种实施例中，确定上述第二曲线过程为：采用同一上述曝光能量值，对具有不同光阻膜厚的多个预设晶圆进行曝光，得到多个第二目标晶圆；量测各上述第二目标晶圆的上述关键尺寸；通过多个上述第二目标晶圆对应的上述光阻膜厚和上述关键尺寸，建立关于上述光阻膜厚与上述关键尺寸的散点图，得到第三散点图；对上述第三散点图进行拟合，得到上述第二曲线。
44.本技术的另一种实施例中，通过调整光阻涂布机涂布光阻的转速，使得多个上述预设晶圆具有不同的上述光阻膜厚，这样可以较为简单地使得预设晶圆上不同厚度的光阻。
45.本技术的一种具体的实施例中，上述预设晶圆上不同厚度的光阻为相同材料的光阻。
46.具体地，通过调整光阻涂布机涂布光阻的转速，以使得预设晶圆上具有不同厚度的光阻。在这些厚度下，使用相同的曝光能量对预设晶圆进行曝光，得到第二目标晶圆。再量测这些第二目标晶圆的关键尺寸的大小。最后以光阻膜厚为横轴，关键尺寸为纵轴，构建关于光阻膜厚与关键尺寸的第三散点图，并对第三散点图进行拟合，得到第二曲线，从而可以得到第二曲线的斜率。
47.具体地，在本技术中并不对上述第三散点图进行拟合的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的拟合方法来对由光阻膜厚与关键尺寸构成的第三散点图进行拟合。
48.本技术的一种具体的实施例中，在夏季遭遇台风时，大气压会在短时间内急速下
降；在冬季遭遇冷空气时，大气压会在短时间内急速上升。这两种情况下，一天内气压值的波动范围会高达10~20hpa，根据图4可推算光阻膜厚的变异高达50~100a，再根据图3进行预估，关键尺寸的偏移量可达10~20nm。由于传统的apc系统并不考量大气压的因素，会导致大批量的芯片产品的关键尺寸不合规。例如，如图5所示，在xx月1日至xx月4日时，这四日的大气压均为1020hpa806，故得到的芯片产品的关键尺寸均相同，即可以达到目标值。在xx月5日时，由于台风的原因，导致大气压值降低为1004hpa807时，且传统apc系统并不考量大气压的因素，故xx月5日的芯片产品的关键尺寸为低于目标值。而本技术的apc系统会根据实时的大气压值进行修正，从而可以避免了cd不合规的情况。如图6所示，在xx月1日至xx月4日时，这四日的大气压值均为1020hpa806，故这四日使用同一曝光能量值，得到的芯片产品的关键尺寸均相同，即可以达到目标值。在xx月5日时，由于台风的原因导致大气压降低为1004hpa807时，但又由于本技术的apc系统考虑大气压因素，则xx月5日的曝光能量高于在xx月1日至xx月4日。即对曝光能量值进行了调整，使得芯片产品的关键尺寸可以达到目标值，从而本技术的确定方法保证了芯片产品的关键尺寸较为稳定，保证了芯片产品的电学性能较好，以及芯片产品的良率较高。
49.本技术的另一种具体的实施例中，当线上某一批芯片产品因延迟时间，导致关键尺寸偏离目标值时，对于传统的apc系统会误认为曝光能量需要调整，进而在下一批过货时，计算出一个不合理的曝光能量，导致下一批的芯片产品的关键尺寸向反方向偏离。例如，如图7所示，xx月1日至xx月3日的延迟时间均为第一延迟时间808（即第一延迟时间为1.5min），这三日的芯片产品的关键尺寸可以达到目标值。由于xx月4日的延迟时间为第二延迟时间809（即第二延迟时间为10min），传统的apc系统认为是由于曝光能量需要调整，故对xx月5日的曝光能量值进行调整，从而使得xx月5日的芯片产品的关键尺寸会更加偏离目标值。如图8所示，xx月1日至xx月3日的延迟时间均为第一延迟时间808，这三日的芯片产品的关键尺寸可以达到目标值。虽xx月4日的延迟时间为第二延迟时间809，但由于本技术的apc系统会考量延迟时间的影响，故不对曝光能量值进行调整，从而使得xx月5的芯片产品的关键尺寸依旧可以达到目标值。由于本技术的apc系统会考量前一批次芯片产品的延迟时间的影响，这样保证了计算出的曝光能量更加合理，从而保证了得到的芯片产品的关键尺寸较为稳定。
50.本技术实施例还提供了一种曝光能量的确定装置，需要说明的是，本技术实施例的曝光能量的确定装置可以用于执行本技术实施例所提供的用于曝光能量的确定方法。以下对本技术实施例提供的曝光能量的确定装置进行介绍。
51.图9是根据本技术实施例的曝光能量的确定装置的示意图。该确定装置应用于apc（advanced process control，先进过程控制，简称apc）系统中，如图9所示，该确定装置包括：第一获取单元10，用于获取制造执行系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，上述前批延迟时间值为上述前批产品的延迟时间，上述延迟时间为曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值；第二获取单元20，用于获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，上述第一斜率为曝光能量与关键尺寸所构成的曲线的斜率，上述第二斜率为上述关键尺寸与上述延迟时间所构成的曲线的斜率；
确定单元30，用于至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值，其中，上述前批延迟时间值和上述第二斜率用于对上述目标关键尺寸值进行修正。
52.上述的曝光能量的确定装置中，第一获取单元用于apc系统接收由mes系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，以及第二获取单元用于获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，确定单元用于apc系统至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值。与现有技术中，仅采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值以及目标关键尺寸值，确定目标曝光能量值相比，本确定装置中采用了前批延迟时间值和第二斜率对目标关键尺寸值进行修正，这样保证了采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、前批延迟时间值以及第二斜率，确定的目标曝光能量值较为准确，保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，降低了芯片产品的重工率，以及保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高，从而解决了现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
53.具体地，在实际的应用过程中，可以采用焦距能量矩阵（focus energy matrix，简称fem）计算上述第一斜率。上述第一斜率也可以为通过多批已过货芯片的曝光能量和关键尺寸构建散点图，并对该散点图进行拟合，以得到关于曝光能量和关键尺寸的曲线，从而得到第一斜率。在本技术中，并不对获取上述第一斜率的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的方法来确定上述第一斜率。
54.具体地，计算上述前批延迟时间值的方法可以应用在mes系统中。本技术的一种具体的实施例中，mes系统接收曝光机发送的前批产品的曝光结束时间，以及mes系统接收涂布显影机发送的前批产品的曝光后烘烤的开始时间（即热盘开始加热的时间）。之后，mes系统计算曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值，得到前批产品的前批延迟时间值。
55.具体地，上述的实施例中，上述第二斜率为上述关键尺寸与上述延迟时间所构成的曲线的斜率。其中，上述关键尺寸为第二斜率所属的曲线的一个单位参数（即纵轴坐标轴的单位参数），并不是前批曝光能量值或者目标关键尺寸值。
56.为了进一步地保证计算的目标曝光能量值较为准确，本技术的一种实施例中，上述确定单元包括计算模块，用于至少采用，计算上述目标曝光能量值，其中，为上述目标曝光能量值，为上述前批曝光能量值，为上述前批关键尺寸值，为上述目标关键尺寸值、为上述前批延迟时间值，为上述第一斜率，为上述第二斜率。在该实施例中，计算前批延迟时间值和第二斜率的乘积，可以得到延迟关键尺寸值，再基于前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、延迟关键尺寸值和第一斜率，对前批曝光能量值进行修正，这样保证了得到的目标曝光能量值较为准确。
57.具体地，上述的实施例中，将延迟时间也确定为一种影响目标曝光能量值的因素。具体原因在于，在实际的应用过程中，常用的krf光阻、arf光阻大多为光酸放大型光阻，此
类光阻在制程中需要经过曝后烤，以帮助光酸扩散来定义图形。而延迟时间也会对光酸扩散的范围造成较大影响，进而影响最终的关键尺寸的大小。如图2所示，为不同种类的光阻的延迟时间，对关键尺寸的影响示意图。从图2上可以看出，l-line光阻a曲线801、arf光阻d曲线802、krf光阻b曲线803以及krf光阻c曲线804，随着延迟时间的增加，对芯片产品的关键尺寸的偏移量也逐渐增加。大多数芯片产品的延迟时间约为1.5min。然而部分芯片产品的延迟时间在5min以上，甚至在15min以上。造成这种现象的原因一般是不同制程时间产品的混合生产、自动化传输不及时等问题，致使晶圆不能及时进入热盘，但上述问题也是较难避免的。
58.在实际的应用过程中，光阻膜厚和大气压均对芯片产品的关键尺寸产生影响，因此本技术的又一种实施例中，上述计算模块包括获取子模块和计算子模块，其中，上述获取子模块用于获取上述制造执行系统发送的当前的大气压值，以及获取第三斜率，上述第三斜率为第一曲线的斜率和第二曲线的斜率的乘积，上述第一曲线为光阻膜厚与大气压的曲线，上述第二曲线为关于上述光阻膜厚与上述关键尺寸的曲线；上述计算子模块用于采用，计算上述目标曝光能量值，其中，为上述第三斜率，为当前的上述大气压值，为标准大气压值。在该实施例中，将光阻膜厚和大气压对关键尺寸的影响也加入到目标曝光能量值的计算方法中，这样保证了计算得到的目标曝光能量值更加准确，进一步地保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，进一步地保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高。
59.具体地，如图3所示，为光阻膜厚对关键尺寸的影响示意图。从图3中可以看出：在目标厚度为4100a附近时，光阻厚度每变化1nm(10a)，则会导致关键尺寸变化2nm左右。
60.在实际的生产中，光阻膜厚对关键尺寸的影响，一般较难通过调整光阻膜厚来避免。原因在于：现有的光阻涂布机台不支持随时调整光阻涂布recipe（对应程式）。另外，影响光阻膜厚的因素也有很多。例如，光阻批次间的差异、光阻涂布机台的漂移以及大气压值等等。经过试验发现，大气压值对光阻膜厚的影响幅度较大。如图4所示，为大气压值对光阻膜厚的影响示意图。其中，气压影响曲线805可以符合数学关系，其中，表示横轴（大气压值），表示纵轴（光阻膜厚）。
61.具体地，在实际的应用过程中，在未获得上述第一斜率、上述第二斜率和上述第三斜率的情况下，则可以通过现有技术中来计算目标曝光能量值。
62.为了较为准确地确定第二斜率，即较为准确地确定关键尺寸和延迟时间的相关性，本技术的另一种实施例中，确定上述第二斜率的过程为：在同一时间点以及采用同一曝光能量值，对多个第一目标晶圆进行曝光，以及分别为多个上述第一目标晶圆设置不同的
上述延迟时间；在多个上述第一目标晶圆显影之后，确定各上述第一目标晶圆对应的上述关键尺寸；建立关于上述关键尺寸和上述延迟时间的散点图，得到第一散点图；对上述第一散点图进行拟合，以得到上述第二斜率。在该实施例中，由于是在同一时间点对多个晶圆进行曝光，这样可以保证大气压值相同，即可以降低大气压值对关键尺寸的影响，保证了得到的第二斜率较为准确。
63.具体地，在本技术中并不对上述第一散点图进行拟合的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的拟合方法来对由关键尺寸和延迟时间构成的第一散点图进行拟合。
64.本技术的一种实施例中，上述第一目标晶圆上覆盖的光阻是相同材料的光阻，这样可以避免不同材料的光阻对关键尺寸的影响，这样进一步地保证了得到的第二斜率较为准确，进一步地保证了后续计算的目标曝光能量值较为准确。
65.在实际的应用过程中，不同类型的光阻，其的延迟时间对关键尺寸的影响也不相同，即不同类型的光阻，其的延迟时间与关键尺寸的相关性均不一致，因此需要针对不同光阻对应的第二斜率进行单独实验收集。在确定单个光阻对应的第二斜率时，需选取一定数量的晶圆（wafer）并覆盖相同材料的光阻，得到第一目标晶圆。再采用同一时间点和同一曝光能量值对第一目标晶圆进行曝光，且每片第一目标晶圆使用独立的对应程式（recipe）以及延迟时间。例如，延迟时间可以为0.5min，1min，2min，3min，5min，8min，10min，15min，20min等。待第一目标晶圆显影结束后，使用单一量测机台(使用单一量测机台的目的在于减少量测误差)，对每片第一目标晶圆的关键尺寸进行量测。最后以这些第一目标晶圆的关键尺寸为纵轴，延迟时间为横轴，构建关于关键尺寸和延迟时间的散点图，得到第一散点图，且对得到的第一散点图进行线性拟合，拟合后曲线的斜率即为第二斜率。
66.本技术的再一种实施例中，确定上述第一曲线的过程为：通过多个上述大气压值和各上述大气压值对应的光阻膜厚，建立关于上述大气压值和上述光阻膜厚的散点图，得到第二散点图；对上述第二散点图进行拟合，得到上述第一曲线，这样保证了得到的第一曲线较为准确，进一步地保证了后续根据第一曲线的斜率和第二曲线的斜率，确定的第三斜率较为准确。
67.具体地，通过调节光阻涂布机排气量的大小，以改变光阻涂布机内部的大气压值。通过气压侦测仪可以获得不同的大气压值的大小，以及测试在这些大气压值下涂布光阻的厚度，即光阻膜厚。最后以大气压值为横轴，光阻膜厚为纵轴画散点图，构建关于大气压和光阻膜厚的第二散点图，并对第二散点图进行拟合，得到第一曲线，从而可以得到第一曲线的斜率。
68.具体地，在本技术中并不对上述第二散点图进行拟合的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的拟合方法来对由大气压和光阻膜厚构成的第二散点图进行拟合。
69.为了进一步地保证后续得到的第三斜率较为准确，本技术的一种实施例中，确定上述第二曲线过程为：采用同一上述曝光能量值，对具有不同光阻膜厚的多个预设晶圆进行曝光，得到多个第二目标晶圆；量测各上述第二目标晶圆的上述关键尺寸；通过多个上述第二目标晶圆对应的上述光阻膜厚和上述关键尺寸，建立关于上述光阻膜厚与上述关键尺寸的散点图，得到第三散点图；对上述第三散点图进行拟合，得到上述第二曲线。
70.本技术的另一种实施例中，通过调整光阻涂布机涂布光阻的转速，使得多个上述预设晶圆具有不同的上述光阻膜厚，这样可以较为简单地使得预设晶圆上不同厚度的光
阻。
71.本技术的一种具体的实施例中，上述预设晶圆上不同厚度的光阻为相同材料的光阻。
72.具体地，通过调整光阻涂布机涂布光阻的转速，以使得预设晶圆上具有不同厚度的光阻。在这些厚度下，使用相同的曝光能量对预设晶圆进行曝光，得到第二目标晶圆。再量测这些第二目标晶圆的关键尺寸的大小。最后以光阻膜厚为横轴，关键尺寸为纵轴，构建关于光阻膜厚与关键尺寸的第三散点图，并对第三散点图进行拟合，得到第二曲线，从而可以得到第二曲线的斜率。
73.具体地，在本技术中并不对上述第三散点图进行拟合的方法进行限制，可以采用现有技术中任何可行的拟合方法来对由光阻膜厚与关键尺寸构成的第三散点图进行拟合。
74.本技术的一种具体的实施例中，在夏季遭遇台风时，大气压会在短时间内急速下降；在冬季遭遇冷空气时，大气压会在短时间内急速上升。这两种情况下，一天内气压值的波动范围会高达10~20hpa，根据图4可推算光阻膜厚的变异高达50~100a，再根据图3进行预估，关键尺寸的偏移量可达10~20nm。由于传统的apc系统并不考量大气压的因素，会导致大批量的芯片产品的关键尺寸不合规。例如，如图5所示，在xx月1日至xx月4日时，这四日的大气压均为1020hpa806，故得到的芯片产品的关键尺寸均相同，即可以达到目标值。在xx月5日时，由于台风的原因，导致大气压值降低为1004hpa807时，且传统apc系统并不考量大气压的因素，故xx月5日的芯片产品的关键尺寸为低于目标值。而本技术的apc系统会根据实时的大气压值进行修正，从而可以避免了cd不合规的情况。如图6所示，在xx月1日至xx月4日时，这四日的大气压值均为1020hpa806，故这四日使用同一曝光能量值，得到的芯片产品的关键尺寸均相同，即可以达到目标值。在xx月5日时，由于台风的原因导致大气压降低为1004hpa807时，但又由于本技术的apc系统考虑大气压因素，则xx月5日的曝光能量高于在xx月1日至xx月4日。即对曝光能量值进行了调整，使得芯片产品的关键尺寸可以达到目标值，从而本技术的确定方法保证了芯片产品的关键尺寸较为稳定，保证了芯片产品的电学性能较好，以及芯片产品的良率较高。
75.本技术的另一种具体的实施例中，当线上某一批芯片产品因延迟时间，导致关键尺寸偏离目标值时，对于传统的apc系统会误认为曝光能量需要调整，进而在下一批过货时，计算出一个不合理的曝光能量，导致下一批的芯片产品的关键尺寸向反方向偏离。例如，如图7所示，xx月1日至xx月3日的延迟时间均为第一延迟时间808（即第一延迟时间为1.5min），这三日的芯片产品的关键尺寸可以达到目标值。由于xx月4日的延迟时间为第二延迟时间809（即第二延迟时间为10min），传统的apc系统认为是由于曝光能量需要调整，故对xx月5日的曝光能量值进行调整，从而使得xx月5日的芯片产品的关键尺寸会更加偏离目标值。如图8所示，xx月1日至xx月3日的延迟时间均为第一延迟时间808，这三日的芯片产品的关键尺寸可以达到目标值。虽xx月4日的延迟时间为第二延迟时间809，但由于本技术的apc系统会考量延迟时间的影响，故不对曝光能量值进行调整，从而使得xx月5的芯片产品的关键尺寸依旧可以达到目标值。由于本技术的apc系统会考量前一批次芯片产品的延迟时间的影响，这样保证了计算出的曝光能量更加合理，从而保证了得到的芯片产品的关键尺寸较为稳定。
76.上述曝光能量的确定装置包括处理器和存储器，上述第一获取单元、第二获取单
元和确定单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。
77.处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
78.存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flash ram)，存储器包括至少一个存储芯片。
79.本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述曝光能量的确定方法。
80.本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述曝光能量的确定方法。
81.本技术的一种典型的实施例中，还提供了一种制造系统。如图10所示，该制造系统包括先进过程控制系统（即apc系统100）、制造执行系统（即mes系统200）、涂布显影机300、曝光机400、cd量测机台500以及派工系统600，其中，上述先进过程控制系统（即apc系统100）包括曝光能量的确定装置，上述曝光能量的确定装置用于执行任意一种上述的曝光能量的确定方法。
82.上述的制造系统包括先进过程控制系统、制造执行系统、涂布显影机、曝光机、cd量测机台以及派工系统，其中，上述先进过程控制系统包括曝光能量的确定装置，上述曝光能量的确定装置用于执行任意一种上述的曝光能量的确定方法。上述的确定方法中，apc系统接收由mes系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，以及获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，apc系统至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值。与现有技术中，仅采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值以及目标关键尺寸值，确定目标曝光能量值相比，本方案中采用了前批延迟时间值和第二斜率对目标关键尺寸值进行修正，这样保证了采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、前批延迟时间值以及第二斜率，确定的目标曝光能量值较为准确，保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，降低了芯片产品的重工率，以及保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高，从而解决了现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
83.本技术的一种具体的实施例中，如图10所示，步骤s201：apc系统100在接收到派工系统600发送的问询曝光能量的第一请求信息的情况下，apc系统100发送目标曝光能量值至派工系统600。步骤s202：派工系统600发送目标曝光能量值至曝光机400，曝光机400根据目标曝光能量值进行曝光。步骤s203：曝光机400将前批曝光能量值、当前的大气压以及曝光结束时间发送至mes系统200，以及涂布显影机300将曝光后烘烤的开始时间发送至mes系统200。步骤s204：mes系统200计算曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值，得到延迟时间。步骤s205：apc系统100发送第二请求信息至mes系统200，第二请求信息用于获取前批曝光能量值、前批关键尺寸值、延迟时间和当前的大气压。apc系统100基于mes系统200发送的前批曝光能量值、前批关键尺寸值、延迟时间和当前的大气压以及工程师700输入的目
标关键尺寸值、第一斜率、第二斜率和第三斜率，确定下一批次产品的目标曝光能量值。在再次接收派工系统600发送的第一请求信息的情况下，重复上述的步骤201~步骤205。
84.本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：步骤s101，获取制造执行系统（manufacturing execution system，简称mes）发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，上述前批延迟时间值为上述前批产品的延迟时间，上述延迟时间为曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值；步骤s102，获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，上述第一斜率为曝光能量与关键尺寸所构成的曲线的斜率，上述第二斜率为上述关键尺寸与上述延迟时间所构成的曲线的斜率；步骤s103，至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值，其中，上述前批延迟时间值和上述第二斜率用于对上述目标关键尺寸值进行修正。
85.本文中的设备可以是服务器、pc、pad、手机等。
86.本技术还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：步骤s101，获取制造执行系统（manufacturing execution system，简称mes）发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，上述前批延迟时间值为上述前批产品的延迟时间，上述延迟时间为曝光后烘烤的开始时间与曝光结束时间的差值；步骤s102，获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，上述第一斜率为曝光能量与关键尺寸所构成的曲线的斜率，上述第二斜率为上述关键尺寸与上述延迟时间所构成的曲线的斜率；步骤s103，至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值，其中，上述前批延迟时间值和上述第二斜率用于对上述目标关键尺寸值进行修正。
87.在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
88.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
89.上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
90.另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以
是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
91.上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可为个人计算机、服务器或者网络设备等）执行本发明各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、只读存储器（rom，read-only memory）、随机存取存储器（ram，random access memory）、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
92.从以上的描述中，可以看出，本技术上述的实施例实现了如下技术效果：1）、本技术的曝光能量的确定方法中，apc系统接收由mes系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，以及获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，apc系统至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值。与现有技术中，仅采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值以及目标关键尺寸值，确定目标曝光能量值相比，本方案中采用了前批延迟时间值和第二斜率对目标关键尺寸值进行修正，这样保证了采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、前批延迟时间值以及第二斜率，确定的目标曝光能量值较为准确，保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，降低了芯片产品的重工率，以及保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高，从而解决了现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
93.2）、本技术的曝光能量的确定装置中，第一获取单元用于apc系统接收由mes系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，以及第二获取单元用于获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，确定单元用于apc系统至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值。与现有技术中，仅采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值以及目标关键尺寸值，确定目标曝光能量值相比，本确定装置中采用了前批延迟时间值和第二斜率对目标关键尺寸值进行修正，这样保证了采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、前批延迟时间值以及第二斜率，确定的目标曝光能量值较为准确，保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，降低了芯片产品的重工率，以及保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高，从而解决了现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
94.3）、本技术的制造系统包括先进过程控制系统、制造执行系统、涂布显影机、曝光机、cd量测机台以及派工系统，其中，上述先进过程控制系统包括曝光能量的确定装置，上述曝光能量的确定装置用于执行任意一种上述的曝光能量的确定方法。上述的确定方法中，apc系统接收由mes系统发送的前批产品的前批曝光能量值、前批关键尺寸值以及前批延迟时间值，以及获取第一斜率、第二斜率和目标关键尺寸值，apc系统至少采用上述前批曝光能量值、上述第一斜率、上述前批关键尺寸值、上述目标关键尺寸值、上述前批延迟时
间值以及上述第二斜率，确定目标曝光能量值。与现有技术中，仅采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值以及目标关键尺寸值，确定目标曝光能量值相比，本方案中采用了前批延迟时间值和第二斜率对目标关键尺寸值进行修正，这样保证了采用前批曝光能量值、第一斜率、前批关键尺寸值、目标关键尺寸值、前批延迟时间值以及第二斜率，确定的目标曝光能量值较为准确，保证了芯片产品的目标关键尺寸值较为稳定，降低了芯片产品的重工率，以及保证了芯片产品的电学性能较好以及芯片产品的良率较高，从而解决了现有技术中计算目标cd对应的目标dose较为不准确的问题。
95.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。