一种薄膜晶体管及制备方法、传感器装置及显示面板与流程

技术特征：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：提供第一基板；在所述第一基板一侧依次制备牺牲层、第一栅极、有源层和第二栅极，所述第一栅极在所述有源层上的垂直投影面积和所述第二栅极在所述有源层上的垂直投影面积不同，且面积较大的栅极完全覆盖面积较小的栅极；以所述第二栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，形成第一掺杂区；以所述第一栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，形成第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂浓度不同。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一栅极在所述有源层上的垂直投影面积小于所述第二栅极在所述有源层上的垂直投影面积；以所述第二栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，形成第一掺杂区后，还包括：在所述第二栅极远离所述有源层的一侧制备源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔与所述第一掺杂区电连接；在所述源电极和漏电极远离所述有源层的一侧制备第二基板；剥离所述第一基板和所述牺牲层；以所述第一栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，形成所述第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度高于所述第二掺杂区的掺杂浓度。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区在第一方向上的宽度d1满足d1≥1.5um；所述第二掺杂区在所述第一方向上的宽度d2满足1um≤d2≤3um；所述第一方向与所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向平行。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一栅极在所述有源层上的垂直投影面积大于所述第二栅极在所述有源层上的垂直投影面积；以所述第二栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，形成第一掺杂区后，还包括：在所述第二栅极远离所述有源层的一侧制备第二基板；剥离所述第一基板和所述牺牲层；以所述第一栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，形成所述第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂浓度高于所述第一掺杂区的掺杂浓度；在所述第一栅极远离所述有源层的一侧制备源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别通过过孔与所述第二掺杂区电连接。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区在第一方向上的宽度d1满足1um≤d1≤3um；所述第二掺杂区在第一方向上的宽度d2满足d2≥1.5um；所述第一方向与所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向平行。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极中，面积较小的栅极与所述有源层形成第一电容，面积较大的栅极与所述有源层形成第二电容；单位面积内，所述第一电容的容值大于所述第二电容的容值。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，单位面积内，所述第一
电容的容值至少为所述第二电容的容值的2倍。8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，以所述第二栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，具体包括：以所述第二栅极为阻挡层，采用第一类型掺杂离子对所述有源层进行离子注入；以所述第一栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入，具体包括：以所述第一栅极为阻挡层，采用第二类型掺杂离子对所述有源层进行离子注入；所述第一类型掺杂离子与所述第二类型掺杂离子为相同类型的掺杂离子。9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料包括单晶硅、多晶硅和氧化物半导体材料中的至少一种。10.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到；所述薄膜晶体管包括：依次叠层设置的第一栅极、有源层和第二栅极，所述第一栅极在所述有源层上的垂直投影面积和所述第二栅极在所述有源层上的垂直投影面积不同，且面积较大的栅极完全覆盖面积较小的栅极；位于所述有源层上的第一掺杂区，所述第一掺杂区通过以所述第二栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入形成；位于所述有源层上的第二掺杂区，所述第二掺杂区通过以所述第一栅极为阻挡层对所述有源层进行离子注入形成；其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂浓度不同。11.一种传感器装置，其特征在于，包括权利要求10所述的薄膜晶体管，所述传感器的信号输出端与所述薄膜晶体管中面积较小的栅极电连接；所述传感器用于根据测量信息产生电压信号，并通过所述信号输出端传输至所述薄膜晶体管中面积较小的栅极；所述薄膜晶体管用于根据所述电压信号产生电流信号。12.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求11所述的传感器装置。

技术总结
本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及制备方法、传感器装置及显示面板，包括：提供第一基板；在第一基板一侧依次制备牺牲层、第一栅极、有源层和第二栅极，第一栅极在有源层上的垂直投影面积和第二栅极在有源层上的垂直投影面积不同，且面积较大的栅极完全覆盖面积较小的栅极；以第二栅极为阻挡层对有源层进行离子注入，形成第一掺杂区；以第一栅极为阻挡层对有源层进行离子注入，形成第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂浓度不同。本发明实施例提供的技术方案，以提高薄膜晶体管的性能，且简化制备工艺。且简化制备工艺。且简化制备工艺。


技术研发人员：黄钰坤 章凯迪 王林志 龚顺 林柏全 席克瑞 高苏
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2022/11/15