一种能带中含狄拉克点的无对称性光子晶体及其构造方法

技术特征：
1.一种在光子晶体的能带中构造狄拉克点的方法，其特征在于，包括：s1、提供一种光子晶体；s2、在所述光子晶体中选择相邻的上下两支能带和预构造狄拉克点的位置；s3、比较两支能带在预构造狄拉克点位置处的本征态电场强度空间分布图，确定两张图中电场强度模值相差最大的光子晶体几何位置；s4、在所述光子晶体几何位置处插入电介质柱子，使能带整体向上或向下移动，且在移动的过程中上下两支能带相互靠近；s5、重复步骤s3～s4，使上下两支能带在预构造狄拉克点的位置处不断靠近，直至在该位置处简并，从而在所述光子晶体的能带中构造出狄拉克点。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光子晶体的结构不要求具有空间对称性。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s2中，选择相邻的上下两支能带在预构造狄拉克点的位置处为线性。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤s2中，选择相邻的上下两支能带在预构造狄拉克点的位置处的距离不超过预设值。5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤s2中，选择的相邻的上下两支能带在预构造狄拉克点的位置处的距离最短。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s2中，根据预构造的狄拉克点的频率范围选择的相邻的两支能带的位置。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s4中，电介质柱子的介电常数保持在1到20之间。8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s4具体包括：所述几何位置处上支能带的电场强度模值大于下支能带的电场强度模值时，在所述光子晶体几何位置处插入电介质柱子，所述电介质柱子的介电常数高于在所述光子晶体几何位置处的原有材料的介电常数，使能带整体向下移动，上支能带的移动量大于下支能带的移动量，两支能带相互靠近。9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤s4具体包括：所述几何位置处上支能带的电场强度模值小于下支能带的电场强度模值时，在所述光子晶体几何位置处插入电介质柱子，所述电介质柱子的介电常数低于在所述光子晶体几何位置处的原有材料的介电常数，使能带整体向上移动，上支能带的移动量小于下支能带的移动量，两支能带相互靠近。10.一种能带中含狄拉克点的无对称性光子晶体，其特征在于，采用权利要求1至9中任意一种方法构造，所述无对称性光子晶体的结构不具有空间对称性。

技术总结
本发明公开一种在光子晶体的能带中构造狄拉克点的方法，基于光子晶体的能带调控，通过针对性地在光子晶体结构中插入电介质柱子，控制能带间的相对距离，进而实现在光子晶体固定位置上构造狄拉克点。这种能带中含有狄拉克点的光子晶体几乎没有空间对称性，大大拓展了光子晶体狄拉克点的适用场景和应用范围。光子晶体狄拉克点的适用场景和应用范围。光子晶体狄拉克点的适用场景和应用范围。


技术研发人员：张阳 赖耘 褚宏晨
受保护的技术使用者：南京大学
技术研发日：2021.05.10
技术公布日：2022/11/10