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一种复位电路、复位电路的驱动方法及像素电路与流程

2022-11-14 12:45:28 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种复位电路,其特征在于,所述复位电路包括第一复位晶体管,所述第一复位晶体管包括第一有源层,以及位于所述第一有源层的第一侧的第一栅极和第二栅极,所述第一有源层具有第一栅极区域,以及分别位于所述第一栅极区域两侧的第一源漏区域和第二源漏区域;所述第一栅极和第二栅极位于所述第一栅极区域的第一侧;或所述第一栅极位于所述第一栅极区域的第一侧,所述第二栅极位于所述第一有源层的第一其他区域的第一侧或所述第一有源层的第二其他区域的第一侧,所述第一其他区域位于所述第二源漏区域背离所述第一栅极区域的一侧,所述第二其他区域位于所述第一源漏区域背离所述第一栅极区域的一侧;所述第一源漏区域用于被施加第一参考电压信号;所述第二源漏区域用于连接发光元件的阳极;所述第一栅极和第二栅极用于被施加第一栅极信号。2.根据权利要求1所述的复位电路,其特征在于,所述复位电路还包括第二晶体管,所述第二晶体管包括第二有源层,以及位于所述第二有源层的第一侧的第三栅极,所述第二有源层具有第二栅极区域,以及分别位于所述第二栅极区域两侧的第三源漏区域和第四源漏区域;所述第三栅极位于所述第二栅极区域的第一侧;所述第三源漏区域用于被施加第二参考电压信号,所述第三栅极用于被施加第二栅极信号,所述第四源漏区域用于连接驱动电路的控制端,所述驱动电路的第一端用于被施加驱动信号,第二端用于连接发光元件的阳极;所述第一有源层和所述第二有源层之间具有绝缘结构。3.根据权利要求2所述的复位电路,其特征在于,所述第二晶体管还包括位于所述第二有源层的第一侧的第四栅极;所述第四栅极位于所述第二栅极区域的第一侧,所述第四栅极用于被施加第二栅极信号。4.根据权利要求2所述的复位电路,其特征在于,所述第一有源层和所述第二有源层位于同一层,且具有相同的材料。5.根据权利要求1-4任一项所述的复位电路,其特征在于,所述第一栅极和第二栅极位于所述第一栅极区域的第一侧时,所述第一有源层中正对所述第一栅极的区域作为第一沟道区域,所述第一有源层中正对所述第二栅极的区域作为第二沟道区域,所述第一有源层中第一沟道区域和第二沟道区域之间的区域为导电区域,所述导电区域经过导电化处理。6.根据权利要求1-4任一项所述的复位电路,其特征在于,所述第一栅极和第二栅极位于所述第一栅极区域的第一侧时,所述第一有源层中正对所述第一栅极的区域作为第一沟道区域,所述第一有源层中正对所述第二栅极的区域作为第二沟道区域,所述第一有源层中第一沟道区域和第二沟道区域之间的距离小于预设距离。7.根据权利要求1-4任一项所述的复位电路,其特征在于,所述复位电路还包括第一连接孔和第一金属层,所述第一连接孔用于连接所述第一源漏区域和所述第一金属层,所述第一金属层用于被施加第一参考电压信号。8.根据权利要求7所述的复位电路,其特征在于,所述复位电路还包括第二连接孔和第二金属层,所述第二连接孔用于连接所述第一金属层和所述第二金属层,所述第一金属层
通过所述第二连接孔和第二金属层被施加第一参考电压信号。9.根据权利要求8所述的复位电路,其特征在于,所述第一连接孔和所述第二连接孔位于所述第一金属层的同一侧,所述第二金属层位于所述第一有源层和所述第一金属层之间,所述第二金属层和所述第一有源层之间具有绝缘层,所述第二栅极位于所述第一有源层的第一其他区域的第一侧。10.根据权利要求1-4任一项所述的复位电路,其特征在于,所述复位电路还包括第三连接孔和第三金属层,所述第三连接孔用于连接所述第二源漏区域和所述第三金属层,所述第三金属层用于连接发光元件的阳极。11.根据权利要求1-4任一项所述的复位电路,其特征在于,所述第一有源层的材料为多晶硅或铟镓锌氧化物。12.一种复位电路的驱动方法,其特征在于,包括:为权利要求1-11任一项所述的复位电路中的第一源漏区域施加第一参考电压信号。13.一种像素电路,其特征在于,包括:权利要求1-11任一项所述的复位电路,以及发光元件;所述复位电路中的第二源漏区域用于连接发光元件的阳极。

技术总结
本申请实施例提供了一种复位电路、复位电路的驱动方法及像素电路,该复位电路包括:第一复位晶体管,第一复位晶体管包括第一有源层,以及位于第一有源层的第一侧的第一栅极和第二栅极,第一有源层具有第一栅极区域,以及分别位于第一栅极区域两侧的第一源漏区域和第二源漏区域;第一栅极和第二栅极位于第一栅极区域的第一侧;第一源漏区域用于被施加第一参考电压信号;第二源漏区域用于连接发光元件的阳极;第一栅极和第二栅极用于被施加第一栅极信号。本申请实施例在复位电路中采用包括两个栅极的第一复位晶体管,两个栅极在第一有源层中对应有两个沟道区域,使得复位晶体管有两个沟道区域分担、存储电荷,降低了复位晶体管的静电释放击伤风险。的静电释放击伤风险。的静电释放击伤风险。


技术研发人员:刘锋 周志伟 杜伟俊
受保护的技术使用者:厦门天马显示科技有限公司
技术研发日:2022.09.02
技术公布日:2022/11/11
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