用于封装包括在集成电路(IC)中的声学器件的系统和方法与流程

技术特征：
1.一种集成电路(ic)，包括：ic芯片；壁，定位在基板上，所述壁至少部分在所述ic芯片下方；和间隙，形成在所述壁与所述ic芯片之间。2.根据权利要求1所述的ic，其中，所述ic芯片包括声学器件，所述声学器件包括腔。3.根据权利要求2所述的ic，其中，所述ic芯片包括禁止区，所述壁在所述禁止区之外被定位在所述ic芯片下方。4.根据权利要求1所述的ic，还包括将所述ic芯片耦合到所述基板的焊料凸块，所述壁的壁高度小于所述焊料凸块的焊料凸块高度。5.根据权利要求1所述的ic，其中，所述基板包括金属化结构。6.根据权利要求1所述的ic，其中，所述间隙被配置为抑制围绕所述ic芯片的包封材料侵入到所述间隙内。7.根据权利要求1所述的ic，其中，所述间隙在一(1)与二十一(21)微米(μm)之间。8.根据权利要求1所述的ic，其中，所述间隙为十一(11)微米(μm)。9.根据权利要求1所述的ic，其中，所述ic芯片被定位在所述基板之上的第一高度处。10.根据权利要求9所述的ic，其中，所述第一高度在三十(30)与四十(40)微米(μm)之间。11.根据权利要求10所述的ic，其中，所述壁包括第二高度，并且其中所述第二高度在二十(20)与三十(30)微米(μm)之间。12.根据权利要求2所述的ic，其中，所述声学器件包括从由以下项组成的组中选择的器件：表面声波(saw)器件、温度补偿表面声波(tc-saw)器件、薄膜体声谐振器(fbar)、体声波(baw)器件和薄膜表面声波(tf-saw)器件。13.根据权利要求1所述的ic，所述ic集成到从由以下项组成的组中选择的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单元；全球定位系统(gps)设备；移动电话；蜂窝电话；智能电话；会话发起协议(sip)电话；平板电脑；平板手机；服务器；计算机；便携式计算机；移动计算设备；可穿戴计算设备；台式计算机；个人数字助理(pda)；监视器；计算机监视器；电视机；调谐器；收音机；卫星收音机；音乐播放器；数字音乐播放器；便携式音乐播放器；数字视频播放器；视频播放器；数字视频光盘(dvd)播放器；便携式数字视频播放器；汽车；车辆组件；航空电子系统；无人机；多旋翼飞行器。14.一种形成集成电路(ic)的方法，所述方法包括：在布线基板上形成壁；和将包含声波器件的ic芯片接合到所述布线基板，使得在所述ic芯片的下表面与所述壁的上表面之间保持间隙。15.根据权利要求14所述的方法，还包括形成所述布线基板。16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述壁的步骤包括形成具有环绕所述ic芯片的均匀截面的壁。17.根据权利要求14所述的方法，还包括形成所述ic芯片。18.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述ic芯片的步骤包括在晶片上制造至少一个声波元件。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述ic芯片的步骤包括在晶片上形成凸块。20.根据权利要求17所述的方法，还包括将所述ic芯片从晶片上的其他ic芯片切单。21.根据权利要求14所述的方法，还包括利用包封材料包封所述ic芯片。22.根据权利要求21所述的方法，其中，将所述ic芯片接合到所述布线基板的步骤包括保持所述间隙。23.根据权利要求14所述的方法，其中，所述间隙小于二十一(21)微米(μm)。24.根据权利要求14所述的方法，其中，所述间隙为十一(11)微米(μm)。25.一种集成电路(ic)，包括：金属化结构，具有第一表面和外边缘；芯片，包括声学器件，所述芯片具有第二表面；至少一个焊料凸块，从所述金属化结构的所述第一表面延伸到所述芯片的所述第二表面，所述至少一个焊料凸块具有第一高度；至少一个壁，从所述金属化结构的所述第一表面向上延伸，所述至少一个壁具有第二高度，所述第二高度比所述第一高度短，并且所述至少一个壁比所述焊料凸块更靠近外边缘定位，所述至少一个壁至少部分地在所述第二表面与所述第一表面之间并且保持在所述至少一个壁与所述第二表面之间的间隙；和包封材料，围绕所述芯片并且耦合到所述金属化结构的所述第一表面的至少一部分。26.根据权利要求25所述的ic，其中，所述金属化结构包括层压板。27.根据权利要求25所述的ic，其中，所述金属化结构包括陶瓷材料。28.根据权利要求27所述的ic，其中，所述至少一个壁包括第二陶瓷材料。29.根据权利要求25所述的ic，其中，所述至少一个壁从所述外边缘延伸到所述芯片下方。30.根据权利要求25所述的ic，其中，所述至少一个壁在所述外边缘的内部间隔开。31.根据权利要求25所述的ic，其中，所述包封材料包括第一层包封材料和第二层包封材料。32.根据权利要求25所述的ic，其中，所述间隙在一(1)与二十一(21)微米(μm)之间。33.根据权利要求25所述的ic，其中，所述间隙为十一(11)微米(μm)。34.根据权利要求25所述的ic，其中，所述第一高度在三十(30)与四十(40)微米(μm)之间。35.根据权利要求34所述的ic，其中，所述第二高度在二十(20)与三十(30)微米(μm)之间。36.根据权利要求25所述的ic，其中，所述声学器件包括从由以下项组成的组中选择的器件：表面声波(saw)器件、温度补偿表面声波(tc-saw)器件、薄膜体声谐振器(fbar)、体声波(baw)器件和薄膜表面声波(tf-saw)器件。37.根据权利要求25所述的ic，所述ic集成到从由以下各项组成的组中选择的设备中：机顶盒；娱乐单元；导航设备；通信设备；固定位置数据单元；移动位置数据单元；全球定位系统(gps)设备；移动电话；蜂窝电话；智能电话；会话发起协议(sip)电话；平板电脑；平板手机；服务器；计算机；便携式计算机；移动计算设备；可穿戴计算设备；台式计算机；个人数
字助理(pda)；监视器；计算机监视器；电视机；调谐器；收音机；卫星收音机；音乐播放器；数字音乐播放器；便携式音乐播放器；数字视频播放器；视频播放器；数字视频光盘(dvd)播放器；便携式数字视频播放器；汽车；车辆组件；航空电子系统；无人机；多旋翼飞行器。

技术总结
用于将声学器件(408A)封装在集成电路(400)中的系统和方法包括：形成在布线基板(504)上的壁。壁(405)的高度刚好比焊料回流后声学器件上的焊料凸块(504)的预期高度短。壁定位在声学器件的任一侧并且小部分位于声学器件的外边缘下方，使得在壁的上表面和声学器件的下表面之间形成相对小的间隙(516)。通过在壁和声学器件之间提供小间隙，使包封材料(518)对声学器件的禁止区(520)的侵入最小化。(518)对声学器件的禁止区(520)的侵入最小化。(518)对声学器件的禁止区(520)的侵入最小化。


技术研发人员：H
受保护的技术使用者：RF360欧洲有限责任公司
技术研发日：2021.04.06
技术公布日：2022/11/11